「DFB」を含む例文一覧(168)
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ＤＦＢレーザ駆動装置、ＤＦＢレーザ駆動方法、及び記憶媒体 - 特許庁 - OPTICAL POWER MONITOR INTEGRATED DFB LASER
光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザ - 特許庁 - The DFB laser part 20 contains the transition area 9, acting as an active area.
この遷移領域９をDFBレーザ部１０に含め、活性領域とする。 - 特許庁 - ACTIVE LAYER DISCRETE TYPE PHASE SHIFT DFB LASER
活性層分離型位相シフトＤＦＢレーザ - 特許庁 - Hence, the DFB-LD which reduces an affection of the return light is obtained without using the optical isolator.
これにより、光アイソレータを用いることなく、戻り光の影響が小さいDFB-LDを得ることができる。 - 特許庁 - To offer an article comprising QC-DFB laser.
ＱＣＤＦＢレーザーを具備する製品を提供する。 - 特許庁 - To provide a gain combination type DFB GaN laser.
利得結合型ＤＦＢ ＧａＮレーザを提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING GAIN-COUPLED DFB SEMICONDUCTOR LASER
利得結合型ＤＦＢ半導体レーザの製造方法 - 特許庁 - A diffraction lattice layer may be provided to form a DFB laser.
回折格子層を設けてＤＦＢレーザとしてもよい。 - 特許庁 - First, a DFB laser LD is manufactured (process S101).
まず、ＤＦＢレーザＬＤを製造する（工程Ｓ１０１）。 - 特許庁 - By forming such a structure, a ratio that return light enters the DFB-LD is reduced to 1/10-1/30.
上記構造とすることにより、戻り光がDFB-LDの内部に入射する割合を、1/10〜1/30に低減させることができる。 - 特許庁 - A tuning electrode 28 is provided in the rear DFB region S2, and a current is injected into the tuning layer 22 of the rear DFB region S2 independently from the front DFB region S1.
後方ＤＦＢ領域Ｓ２にチューニング電極２８を設け、前方ＤＦＢ領域Ｓ１とは独立して、後方ＤＦＢ領域Ｓ２のチューニング層２２に電流を注入する。 - 特許庁 - To provide a complex coupling DFB laser having a little irregularity of characteristics.
特性のバラツキの少ない複素結合ＤＦＢレーザを提供する。 - 特許庁 - In the distributed feedback semiconductor laser (DFB-LD), a reflectance of a front end face 2 which emits laser beams is in a range of 10-30%.
分布帰還型半導体レーザ（DFB-LD）において、レーザ光が放出される前端面２の反射率を１０〜３０％の範囲とする。 - 特許庁 - To stabilize the output of second-order higher harmonics within a drawing area, in an image projector that uses a distributed feedback (DFB) laser.
分布帰還型（DFB）レーザを用いる画像投影装置において、描画領域内の２次高調波の出力を安定化させることである。 - 特許庁 - Base fuel injection quantity (learned correction base fuel injection quantity) Fbase corrected with a learned value G updated one by one is corrected by FF correction and FB correction with a feed forward correction coefficient KFF and a feed back correction quantity DFB to determine a command fuel injection quantity Fi(=Fbase×KFF+DFB) in principle.
逐次更新されていく学習値Ｇで補正した基本燃料噴射量（学習補正基本燃料噴射量）Fbaseをフィードフォワード補正係数KFFとフィードバック補正量DFBとでＦＦ補正及びＦＢ補正して指令燃料噴射量Fi(＝Fbase・KFF＋DFB)が原則的に決定される。 - 特許庁 - To manufacture a gain-coupled DFB semiconductor laser, using simple processes.
利得結合型ＤＦＢ半導体レーザを簡便な工程で製造する。 - 特許庁 - To provide a DFB semiconductor laser device oscillated by a single wavelength.
単一波長で発振するＤＦＢ半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁 - An error distribution memory control part 13 multiplies the difference data Dfr, Dfg and Dfb by predetermined coefficients to generate distribution difference data Dfr' Dfg' and Dfb'.
誤差分配メモリ制御部１３は差分データＤfr,Ｄfg,Ｄfbに所定の係数を乗算して分配差分データＤfr’,Ｄfg’,Ｄfb’を生成する。 - 特許庁 - The optical pulse testing device includes a plurality of semiconductor lasers (DFB-LD) as testing light sources, and makes output wavelengths of the DFB-LD 2-1 to 2-N mutually different.
試験光源としての半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）を複数備え、これらＤＦＢ−ＬＤ２−１〜２−Ｎの出力波長を互いに異ならせる。 - 特許庁 - IMAGE PROJECTOR AND CONTROL METHOD OF DFB LASER IN THE SAME
画像投影装置及び画像投影装置におけるＤＦＢレーザの制御方法 - 特許庁 - In this way, a DFB semiconductor laser which oscillates in a single mode in an (n) order mode can be obtained.
ｎ次モードで単一モード発振するＤＦＢ半導体レーザが得られる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a DFB semiconductor laser that can suppress an increase in manufacturing cost when the DFB semiconductor laser having a current constriction structure is manufactured.
電流狭窄構造を有するＤＦＢ半導体レーザを製造する際に、製造コストの増加を抑制可能なＤＦＢ半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The DFB laser element 45 and a light receiving element 46 are set on a mounting substrate 47.
実装基板４７の上に、ＤＦＢレーザ素子４５と受光素子４６がセットされる。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WIRE STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING DFB LASER ELEMENT
量子細線構造を作製する方法およびＤＦＢレーザ素子を作製する方法 - 特許庁 - The DFB laser device 50 includes a DFB laser element 52 with a buried heterostrcture having a resonator length of 400μm, a differential resistance of 4 Ω and an oscillation wavelength of 1550 nm; and a heat sink 54 bonding and mounting the DFB laser element 52 in a junction-down manner so that heat resistance is ≤50 K/W.
本ＤＦＢレーザ装置５０は、共振器長が４００μｍ、微分抵抗が４Ω、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みヘテロ型のＤＦＢレーザ素子５２と、熱抵抗が５０Ｋ／Ｗ以下となるように、ジャンクションダウンでＤＦＢレーザ素子５２をボンディング実装したヒートシンク５４とを有する。 - 特許庁 - Furthermore, an HR coat 110b is provided at one end of a gain coupling DFB laser 100.
更に、利得結合ＤＦＢレーザ１００の一方の端にＨＲコート１１０ｂを設ける。 - 特許庁 - Successively, the DFB laser LD is sorted out based on the slope efficiency E_1-E_k (process S109).
続いて、スロープ効率Ｅ_１〜Ｅ_ｋに基づいてＤＦＢレーザＬＤを選別する（工程Ｓ１０９）。 - 特許庁 - Signal light having a second wavelength not included in the stop band is inputted to the DFB laser.
阻止帯域に含まれない第２の波長を有する信号光がＤＦＢレーザに入力する。 - 特許庁 - The DFB array section and SOA section are formed in the same chip having a laminate structure.
ＤＦＢアレイ部とＳＯＡ部とは同一の積層構造を有するチップ内に形成されている。 - 特許庁 - A DFB laser 16 of a control station 10 outputs CW laser beam with wavelength λu.
制御局１０のＤＦＢレーザ１６は、波長λｕのＣＷレーザ光を出力する。 - 特許庁 - On the n type InP semiconductor substrate 101, MQW 104 for DFB-LD and an electrode 110 for DFB-LD are formed to constitute a monolithic integrated semiconductor element.
また、上記ｎ型ＩｎＰ半導体基板１０１の上に、ＤＦＢ−ＬＤ用ＭＱＷ１０４及びＤＦＢ−ＬＤ用電極１１０が形成されてモノリシック集積半導体光素子が構成される。 - 特許庁 - The apparatus for waveform shaping of signal light is equipped with a distributed feedback (DFB) laser 2 having a stop band defined as a wavelength range enabling laser to be oscillated, and with a drive circuit to supply a driving current to the DFB laser to induce laser oscillation of the DFB laser at a first wavelength in the stop band.
本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還（ＤＦＢ）レーザ２と、ＤＦＢレーザが阻止帯域に含まれる第１の波長でレーザ発振するようにＤＦＢレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。 - 特許庁 - The SOA element 65 has a function of amplifying a light received from the DFB laser element 81.
ＳＯＡ素子６５は、ＤＦＢレーザ素子８１から入力した光を増幅する機能を有している。 - 特許庁 - To provide a broad area type semiconductor laser that achieves wavelength control using DFB at a practical level.
ＤＦＢを用いた波長制御を実用レベルで達成したブロードエリア型の半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - GRATING MANUFACTURING METHOD, GRATING MANUFACTURING APPARATUS, AND SOLID COLORANT DFB LASER TO WHICH THE GRATING APPLIES
グレーティングの製造方法及びその装置並びに該グレーティングを適用した固体化色素ＤＦＢレーザー。 - 特許庁 - To provide a DFB laser capable of obtaining an output essentially obtainable upon laser oscillation.
レーザ発振時に本来得られるべき出力を得ることができるＤＦＢレーザの提供を目的とする。 - 特許庁 - Furthermore, a stray light from the semiconductor DFB laser is prevented from impinging on the monitor PD by a light absorbing agent.
また、吸光剤により、半導体ＤＦＢレーザからの迷光がモニタＰＤに入射するのを防止する。 - 特許庁 - A DFB laser having a λ/4 phase shift provided in the center thereof can be used as the semiconductor laser.
半導体レーザとしてλ/４位相シフトを中央に設けたＤＦＢレーザを用いることができる。 - 特許庁 - To provide a method of easily manufacturing from only one wafer at a time a DFB laser group consisting of a DFB laser which satisfies the predetermined de-tuning condition and emits many laser beams of different wavelengths.
所定のデチューニング条件を満足し、多数の相互に異なる波長のレーザ光を出射するＤＦＢレーザからなるＤＦＢレーザ群を一つのウエハから一括して容易に作製する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a DFB semiconductor laser whose power can be increased and which can stably oscillate in a single mode.
高出力化が可能であり、単一モードで安定に発振性するＤＦＢ半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - The compressed data are extracted from the data file Dfb to generate the data file Dfa by generating a table file TBB.
テーブルファイルＴＢＢを生成することでファイルＤfbから圧縮データを抜き出してファイルＤfaを生成できる。 - 特許庁 - The wavelength variable laser device is provided with the DFB laser oscillator where the oscillation wavelength is controlled by temperature control.
波長可変レーザ装置は、温度制御によって発振波長が制御されるＤＦＢレーザ発振器を備える。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor laser capable of easily discriminating a DFB laser which fulfills desired specifications.
所望の仕様を満足するＤＦＢレーザを容易に選別できる半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The peak of edge on the long wavelength side of the stop band corresponds to the oscillation wavelengths λ_1-λ_4 of a DFB resonator.
ストップバンドの長波長側のエッジのピークはＤＦＢ共振器の発振波長λ_１〜λ_４に対応する。 - 特許庁 - This optical transmission module incorporates a multiplex mode distributed feedback laser diode (MM-DFB LD) and a receiver.
光伝送モジュールは、多重モード分散型フィードバックレーザーダイオード（ＭＭ−ＤＦＢ ＬＤ）と受信機とを備えている。 - 特許庁 - This polarization-selectable semiconductor laser 22 is a phase- controlled DFB laser which has an active layer with the TE mode and the TM mode of approximately comparative gain and is composed of a DFB laser with a diffraction grating formed near the waveguide and a phase controller disposed in the resonator direction of the DFB laser for controlling the refractive index of the waveguide.
偏光選択可能な半導体レーザ２２は、 ＴＥモードとＴＭモードの利得がほぼ拮抗する活性層を有し、導波路付近に回折格子が形成されているＤＦＢレーザ部と、ＤＦＢレーザ部の共振器方向に配置され、導波路の屈折率を制御できる位相制御部で構成される位相制御型ＤＦＢレーザである。 - 特許庁 - The width of the mask 103 in a DFB laser region and that of the mask 103 in an EA modulator region are adjusted so as to be a detuning amount by which the extinction ratio of each semiconductor laser and that of a pair of electric field absorption optical modulators become nearly equal.
その際に、DFBレーザ領域とＥＡ変調器領域のマスク１０３の幅は、各半導体レーザと電界吸収型光変調器の対の消光比がほぼ等しくなるデチューニング量になるように、調整される。 - 特許庁 - The optical semiconductor module further comprises a detection unit 5 which detects the output from the DFB laser 1, and a control unit (APC drive circuit 6) which controls the output from the DFB laser 1 according to the detection results by the detection unit 5.
光半導体モジュールは、更に、ＤＦＢレーザ１の出力を検出する検出部５と、検出部５による検出結果に応じてＤＦＢレーザ１の出力を制御する制御部（ＡＰＣ駆動回路６）を有する。 - 特許庁 - Gain grating is formed into the active layer by this method, so that the gain joint type DFB layer is obtained.
このようにして活性層中に利得グレーティングを形成することにより、利得結合型ＤＦＢレーザが得られる。 - 特許庁
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