To solve the problem that Lov dimensions in a TFT cannot be formed with excellent controllability since a resist pattern sidewall tapering angle occurs from a desired tapering angle, in a photolithography process utilizing diazo naphto quinone(DNQ)-novolac resin-based positive resist in the gate electrode formation process of a GOLD structure TFT. GOLD構造TFTのゲート電極形成工程のジアゾナフトキノン(DNQ)−ノボラック樹脂系ポジレジストを利用するフォトリソグラフィ工程に於いて、レジストパターン側壁テーパー角が所望のテーパー角より起っている為、当該TFTのLov寸法を制御性良く形成できない問題があり、この問題を解決することを課題とする。 - 特許庁