「DPM」を含む例文一覧(37)
- an automatically-operated railway transit system that operates through the center of a large city called DPM
DPMという,大都市の中心部で運行する自動運転の軌道交通機関 - EDR日英対訳辞書 - METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY HAFNIUM COMPLEX Hf(DPM)4
高純度ハフニウム錯体Ｈｆ（ＤＰＭ）４の製造方法 - 特許庁 - The image signal is temporarily written to a DPM 22a (1st memory).
画像信号は、一旦、ＤＰＭ２２ａ（第１メモリ）に書き込まれる。 - 特許庁 - a vehicle automatically-operated by the railway transportation system that is routed through the center of a large city
DPMという,自動運転の軌道交通機関用の車両 - EDR日英対訳辞書 - To high-efficiently purify exhaust gas of an internal combustion engine, especially particulate matter (DPM).
内燃機関の排気、特に粒子状物質（ＤＰＭ）を効率よく浄化する。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY ZIRCONIUM COMPLEX Zr(DPM)2(i-C3H7O)2
高純度ジルコニウム錯体Ｚｒ（ＤＰＭ）２（ｉ−Ｃ３Ｈ７Ｏ）２の製造方法 - 特許庁 - The method for producing the highly pure β-diketonate complex of the alkaline-earth metal is to mix an acetone solution of DPM (dipivaloylmethane) with an acetone solution of BaCl_2, drop a methanol solution of NaOH under sufficient agitation and react DPM with Ba.
ＤＰＭのアセトン溶液とＢａＣｌ_2のアセトン溶液を混合し、よく攪拌しながら、ＮａＯＨのメチルアルコール溶液を滴下して、ＤＰＭとＢａとを反応させる。 - 特許庁 - A DPM is provided between asynchronously operating opposite devices, and DPM communication control information constituted of transmission data, transmission flag 45, data size 46, and CRC value 49 is written in the specific area at the transmission side, and the DPM communication control information is read at the reception side so that the abnormality at the transmission side and DPM can be judged at the reception side.
互いに非同期で動作する対向装置間にＤＰＭを設け、送信側でその特定領域に送信データおよび送信フラグ４５、データサイズ４６、ＣＲＣ値４９からなるＤＰＭ通信制御情報を書き込み、受信側でこのＤＰＭ通信制御情報を読み出すことで送信側およびＤＰＭの異常を受信側で判別する。 - 特許庁 - A liquid raw material for forming a composite oxide system dielectric thin film by the MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method dissolves an organic metal compound (Pb(DPM)_2 and Zr(DPM)_4, Zr(dmhd)_4) wherein a plurality of ligands (DPM and dmhd) of the same kinds are coordinated with metal atoms (lead and zirconium) into a single solvent of cyclohexane.
本発明のＭＯＣＶＤ法による複合酸化物系誘電体薄膜形成用溶液原料は、金属原子（鉛やジルコニウム）に同一種類の配位子（ＤＰＭやｄｍｈｄ）を複数個配位させた有機金属化合物（Ｐｂ（ＤＰＭ）_２やＺｒ（ＤＰＭ）_４、Ｚｒ（ｄｍｈｄ）_４）をシクロヘキサンの単一溶媒に溶解させたことを特徴とする。 - 特許庁 - Then the image signal read from the SDRAM 23 is written to the DPM 22b (2nd memory) and read at a specified frequency.
そして、ＳＤＲＡＭ２３から読み出された画像信号は、ＤＰＭ２２ｂ（第２メモリ）に書き込まれ、所定の周波数で読み出される。 - 特許庁 - An operating state is read, and a particulate amount (a PM accumulated amount) accumulated on the particulate collecting means (a DPM) is detected (S1 and 2).
運転状態を読み込み、パティキュレート捕集手段（ＤＰＭ）に堆積したパティキュレート量（ＰＭ堆積量）を検出する（Ｓ１、２）。 - 特許庁 - When a combination of organic metal materials formed by dissolving Pb(DPM)_2, Zr(DPM)_4 and Ti(t-Am)_2(DMHD)_2 into a solvent is used, a substrate is held at the temperature of 500 to 600°C which is a supply rate- determining area common to these organic metal materials.
Ｐｂ（ＤＰＭ）_2 、Ｚｒ（ＤＰＭ）_4 及びＴｉ（ｔ−Ａｍ）_2 （ＤＭＨＤ）_2 を溶媒に溶かして形成した有機金属原料の組み合わせを用い、これら有機金属原料に共通した供給律速領域となる５００乃至６００℃の温度で基板を保持する。 - 特許庁 - The ultrasonic wave transmission intensity T is a value measured by using DPM-30-1T manufactured by EMCO as a dynamic penetrability tester.
ここで、超音波伝達強度Ｔは、動的浸透性試験器としてｅｍｃｏ社製のＤＰＭ−３０−１Ｔを用いて測定した値である。 - 特許庁 - The hydrophobing of the surface of the SOG film is performed by using a hydrophobing agent containing TMSDMA (trimethylsilane dimethylamine) or TMHD(DPM) (tetramethylheptane-dione).
ＳＯＧ膜の表面の疎水化は、ＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシランジメチルアミン）又はＴＭＨＤ(ＤＰＭ)（テトラメチルヘプタンジオン）を含む疎水化剤を用いて行われる。 - 特許庁 - Moreover, the DPM communication control information includes reception status information 49 indicating whether or not data are normally received at the reception side, and this reception status information 49 is written in a DPM communication control area 43 at the reception side, and read at the transmission side so that the abnormality of the data reception can be communicated to the transmission side.
さらに、このＤＰＭ通信制御情報としては、受信側で正常にデータを受信したか否かを示す受信ステータス情報４９を設け、これを受信側でＤＰＭ通信制御領域４３に書き込み、送信側でこれを読み出すことで送信側にそのデータ受信の異常を通知できるようにしている。 - 特許庁 - Then, access to the DPM communication control area 43 is performed as necessary according to an interrupting request through an interruption controller 12 through communication at the transmission side and reception side.
これら送信側および受信側の通知は、割込制御装置１２を介した割込要求により、ＤＰＭ通信制御領域４３を適宜アクセスさせる。 - 特許庁 - RAW MATERIAL SOLUTION FOR ORGANO-METALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, METHOD FOR REFINING Pb(dpm)2 COMPLEX, AND METHOD FOR DEPOSITING DIELECTRIC THIN FILM USING THE RAW MATERIAL SOLUTION
有機金属化学気相成長法用原料溶液、Ｐｂ（ｄｐｍ）２錯体の精製方法並びに該原料溶液を用いた誘電体薄膜の成膜方法 - 特許庁 - A Ba raw material, including the dipivaloylmethanate based organic barium compound, a Sr raw material including the dipivaloylmethanate based organic strontium compound and a Ti raw material including bis(t-butoxy) bis(dipivaloylmethanate)titanium[Ti(t-BuO)2(DPM)2] are dissolved into an organic solvent to obtain raw material solution.
Ｂａ原料とＳｒ原料とビス（ｔ−ブトキシ）ビス（ジピバロイルメタネート）チタニウムを含むＴｉ原料を有機溶剤に溶解し、溶液原料を形成する。 - 特許庁 - On the other hand, the other Spms during normal conditions are found by integrating a volume- increased value Dpm per unit time which is fixed in accordance with an engine operated condition (S15, 16).
一方、それ以外の通常時におけるＳｐｍは、単位時間当たりの増量値Ｄｐｍを機関運転状態に基づいて定め、 これを積算することで求める（Ｓ１５，１６）。 - 特許庁 - When a DPM signal falls and the normal mode is shifted to a deep power down mode, a NAND circuit 32 outputs a high level signal to turn off a P-channel MOS transistor QP.
ＤＰＭ信号が立ち下がって、通常モードからディープパワーダウンモードに移行すると、ＮＡＮＤ回路３２は、ハイレベルの信号を出力して、Ｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタＱＰをオフにする。 - 特許庁 - The accumulation amount Spm of particulates during regeneration is found by sequentially reducing a volume-reduced amount Dpm per unit time which is fixed in accordance with a starting accumulation amount Spmi (S12, 17).
再生時におけるパティキュレート堆積量Ｓｐｍは、開始時堆積量Ｓｐｍｉに応じて定まる単位時間当たりの減量値Ｄｐｍを逐次に減じていくことで求める（Ｓ１２，１７）。 - 特許庁 - A substrate is irradiated with an ion beam comprising metal dpm complex ions obtained by ionizing a dipivaloyl methanate complex of metal M to deposit a film comprising the metal element M on the substrate.
金属Ｍのジピバロイルメタネート錯体をイオン化して得られる金属ｄｐｍ錯体イオンを含むイオンビームを基板に照射し、基板上に金属元素Ｍを含有する膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a super high purity hafnium complex Hf (DPM)_4 with good repeatability that is a raw material to form a hafnium-containing metal oxide film by a CVD method.
ＣＶＤ法によるハフニウム含有金属酸化物膜を形成するための原料として、ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)_4を超高純度で再現性良く製造する方法の提供。 - 特許庁 - An ACK signal generating circuit (0 system) 4 and an ACK signal generating circuit (1 system) 5 respectively fetch a busy signal (0 system) 101 and a busy signal (1 system) 102 outputted from a DPM 1.
ＡＣＫ信号生成回路（０系）４及びＡＣＫ信号生成回路（１系）５はＤＰＭ１から出力されるビジー信号（０系）１０１及びビジー信号（１系）１０２を取入れている。 - 特許庁 - To provide a method for producing a super high purity zirconium complex Zr(DPM)_2(i-C_3H_7O)_2 with good repeatability that is a raw material to form a zirconium containing metal oxide film by a CVD method.
ＣＶＤ法によってジルコニウム含有金属酸化物膜を形成するための原料として、ジルコニウム錯体Ｚr(ＤＰＭ)_2(i−Ｃ_3Ｈ_7Ｏ)_2を超高純度で再現性良く製造する方法の提供。 - 特許庁 - Recovery treatment is performed by heating a substrate at about 50°C to 300°C in a chamber after ashing treatment and supplying DPM (dipivaloylmethan(CH3)3CCOCH2COC(CH3)3) gas composed of C, H, and O only to the substrate.
アッシング処理を行ったチャンバー内で、基板を５０℃〜３００℃程度に加熱すると共に、Ｃ、Ｈ、ＯのみからなるＤＰＭ（ジピバロイルメタン、（ＣＨ3）3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ（ＣＨ3）3）ガスを基板に供給して回復処理を行う。 - 特許庁 - When the DPM signal rises and the normal mode is recovered again, a false boost power supply voltage VPP is gradually increased, an N-channel MOS transistor QN is turned on and the voltage of the node N2 is changed from the low level to a high level.
ＤＰＭ信号が立ち上がって再び通常モードになると、昇圧疑似電源電圧ＶＰＰが次第に大きくなり、Ｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタＱＮがオンになり、接続点Ｎ２の電圧がローレベルからハイレベルに変化する。 - 特許庁 - The image signal read from the DPM 22a is written to the SDRAM 23 by burst transfer from the end-side address to the head-side address of a memory area of the SDRAM 23 needed to store the image signal of one line.
ＤＰＭ２２ａから読み出された画像信号は、１ライン分の画像信号の記憶に必要なＳＤＲＡＭ２３のメモリ領域の後尾側のアドレスから先頭側のアドレスにかけて、バースト転送でＳＤＲＡＭ２３に書き込まれる。 - 特許庁 - To obtain a film of high quality which has high crystallinity and comprises a low content of impurities at a relatively low substrate heating temperature in a chemical vapor deposition method of depositing an object film using a metal dpm (dipivaloyl methanate) complex as an MO (organometal) gaseous starting material.
金属ｄｐｍ錯体をＭＯ原料ガスとして用い、目的の膜を堆積させる化学気相成長方法において、比較的低温の基板加熱温度で、結晶性が高く、不純物の少ない高品質の膜を得る。 - 特許庁 - To provide a diesel particulate filter(DPF) which collects PM (particulate matter) in combustion gases discharged from a diesel engine vehicle and burns the PM stably at low temperature by increasing the combustibility of the PM, consequently attains improvement in efficiency of removal of the PM and long service life of the DPM.
ディーゼルエンジン車から排出される燃焼ガス中のＰＭをフィルターで捕集し、該ＰＭの燃焼性を高め、安定に低温で燃焼させて、その除去効率を高め、かつ長寿命化を図ることのできるＤＰＦを提供すること。 - 特許庁 - The ACK signal generating circuit (0 system) 4 and the ACK signal generating circuit (1 system) 5 prevent a competive CPU from outputting any ACK signal while the busy signal (0 system) 101 and the busy signal (1 system) 102 are outputted from the DPM 1.
ＡＣＫ信号生成回路（０系）４及びＡＣＫ信号生成回路（１系）５はＤＰＭ１からビジー信号（０系）１０１及びビジー信号（１系）１０２が出力されている間、競合するＣＰＵにＡＣＫ信号を出力させない。 - 特許庁 - To obtain a high-purity Bi(dpm)3 [bismuth tris(dipivaloylmethanate)] used as a bismuth raw material for producing a ferroelectric thin film such as SrBi2Ta2O9 or an oxidic superconductive thin film such as Bi2Sr2CaCu2O8 by CVD(chemical vapor deposition) method and having high heat stability and good sublimability when supplied.
ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９などの強誘電体薄膜やＢｉ_２Ｓｒ_２ＣａＣｕ_２Ｏ_８などの酸化物超電導体薄膜をＣＶＤ法で作製するためのビスマス原料として、供給時に、熱安定性が高く、よく昇華する高純度のＢｉ（ｄｐｍ）_３を提供する。 - 特許庁 - Mg(DPM)_2 is vaporized while a film-making space 511 of a film-making system 500 is converted into an atmosphere including steam when manufacturing the plasma display panel having a front substrate 3 with the protective layer and a rear substrate, and the protective layer formed by MgO is formed by spraying a vaporization material to the front substrate 3 by a nozzle 533.
保護層を有する前面基板３と、背面基板とを備えるＰＤＰを製造する際に、成膜装置５００の成膜空間５１１を水蒸気を含む雰囲気にしつつＭｇ（ＤＰＭ）_2を気化し、気化原料をノズル５３３にて前面基板３に吹き付けることにより、ＭｇＯで形成された保護層を形成する。 - 特許庁 - This high-purity Bi(dpm)3 is produced with ≥70% yield by reacting 1 mol of bismuth tertiary amyloxide with 4 mol of dipivaloylmethane by heat reflux in toluene for 6 h, then distilling a solvent, byproducts and the excess dipivaloylmethane and then refining by vaporization approximately under 0.3 Torr at 170°C and contains 2 ppm of Na and 1 ppm of Cl.
ビスマスターシャリアミロキシド１モルとジピバロイルメタン４モルをトルエン中で６時間加熱還流して反応させ、次いで溶媒、副生物、過剰のジピバロイルメタンを留去し、次いで０．３Ｔｏｒｒ、１７０℃付近で蒸発精製すると、Ｎａ２ｐｐｍ、Ｃｌ１ｐｐｍの高純度Ｂｉ（ｄｐｍ）_３が収率７０％以上で得られる。 - 特許庁 - When the combination of organic metal materials formed by dissolving organic metal materials Pb(DPM)_2, Zr(DMHD)_4 and Ti(s-Am)_2(DMHD)_2 into the solvent is used, the substrate is held at the temperature of 450 to 550°C which is the supply rate- determining area common to these organic metal materials.
また、有機金属原料としてＰｂ（ＤＰＭ）_2 、Ｚｒ（ＤＭＨＤ）_4及びＴｉ（ｓ−Ａｍ）_2 （ＤＭＨＤ）_2 を溶媒に溶かして形成した有機金属原料の組み合わせを用い、これら有機金属原料に共通した供給律速領域となる４５０乃至５５０℃の温度で基板を保持する。 - 特許庁 - To provide a raw material compound for La, being more easily heat decomposed/deposited than La(dpm)_3, forming a ferroelectric film even if a substrate temperature is as low as 450°C in producing a PLZT film by CVD supplying the raw material by a solution vaporizing method, and to provide a method for producing the compound and a method for forming the PLZT film.
溶液気化方式で原料を供給するＣＶＤでＰＬＺＴ膜を製造する方法において、Ｌａ源としてＬａ（ｄｐｍ）_３より熱分解堆積しやすく、基板温度が４５０℃と低くても強誘電性の膜が得られるＬａ原料化合物を特定し、その製法とＰＬＺＴ膜の製法を提供する。 - 特許庁 - An Li-added ZnO thin film 2 having increased resistivity and improved photoresponsiveness can be formed under such a condition that the doped amount of the impurity and the carrier concentration in the thin film 2 can be controlled easily, by forming the thin film 2 by the atmospheric- pressure metal organic CVD method by using zinc acetylacetonato complex, oxygen gas, and Li (DPM) as raw materials.
亜鉛アセチルアセトナートと酸素ガスとＬｉ（ＤＰＭ）とを原料に用い、常圧の有機金属化学気相成長法によりＬｉ添加ＺｎＯ薄膜２を形成することで、ドーピング量及びキャリア濃度の制御が容易な条件下に、抵抗率が増加しかつ光応答特性が向上するＬｉ添加ＺｎＯ薄膜２を作成できる。 - 特許庁
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