「Dangling」を含む例文一覧(237)

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  • To detect a "dangling board" fraudulently attached by removing a wire harness.
    ワイヤハーネスを外して不正に取り付けられる「ぶら下がり基板」を検出する。 - 特許庁
  • Anyway, opportunity is always dangling in front of your eyes. please grab onto it.
    とにかく 好機は いつでも あなたの目の前に ぶら下がってございます - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • A plurality of dangling vias (40) are included within a specified area of the first layer.
    複数のダングリングビア（４０）は、第１層の特定の領域内に含まれる。 - 特許庁
  • In this regard, hydrogen is supplied to the source region in order to terminate a dangling bond.
    このとき水素がソース領域に供給され、ダングリングボンドを終端させる。 - 特許庁
  • His company is dangling by a thread. That's the rumor I hear.
    彼の会社、最近結構危ない橋を渡っているって、もっぱらの噂だよ。 - Tanaka Corpus
  • The shape of kosode for adults, on the other hand, had featured short tamoto (dangling sleeves) since ancient times.
    それに対し大人の小袖は袂が短いのが古くからの形であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • As the dangling sleeve becomes longer, the total surface area of the cloth increases, and thus it is all the more spectacular to see.
    袂が長くなると布の面積があるため一層華やかに見える。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • His company is dangling by a thread. That's the rumor I hear.
    彼の会社、最近結構危ない橋を渡っているって、もっぱらの噂だよ。 - Tatoeba例文
  • The dangling bonds of silicon in the interfaces of the substrate 11 are terminated by cyano-ions which are not cut from their bonded dangling bonds of silicon even when the substrate 11 is subjected to a high-temperature process.
    半導体基板１１の界面のシリコンのダングリングボンドが、高温のプロセスを経てもシリコンのダングリングボンドとの結合が切断されないシアノイオンで終端化される。 - 特許庁
  • SILICON INSULATION FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TERMINATING SILICON DANGLING BOND
    シリコン絶縁膜とその製造方法ならびにシリコンダングリングボンドの終端方法 - 特許庁
  • This includes the case where pathname is a symbolic link, dangling or not.
    pathnameがシンボリックリンクの場合も(その指定先が存在するかどうかに関らず)エラーになる。 - JM
  • Long and thin plate-like hanging ornaments are dangling around the flat part of the head.
    頭の平たい部分の周りに、ぐるりと細長い板状のビラが下がっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To easily and precisely position a work edge having a dangling shape.
    だれ形状を有するワークエッジを、容易かつ高精度に位置決めすることを可能にする。 - 特許庁
  • A component in pathname does not exist or is a dangling symbolic link, or pathname is empty.
    pathnameに対応するものが存在しないか、壊れたシンボリック・リンクであるか、pathnameが空である。 - JM
  • Further, a coating film is formed on the dangling bond termination film.
    さらに、該ダングリングボンド終端膜上にコーティング膜が形成されることを特徴とする。 - 特許庁
  • A symbolic link (also known as a soft link) may point to an existing file or to a nonexistent one; the latter case is known as a dangling link.
    シンボリック・リンクは (ソフト・リンク (soft link) とも呼ばれ)存在するファイルを指しているかもしれないし、存在しないファイルを指しているかもしれない;後者の場合は壊れたリンク (dangling link) とも呼ばれる。 - JM
  • The right and left side face covers 18 are equipped with dangling faces 22 dangling inward from a vicinity of upper edge parts 18a, gutter portions 23 extended inward in the vehicle width direction are formed on lower edge parts of the dangling faces 22, and similar gutter portion 23 is formed on the rear face cover 19.
    左右の側面カバー１８には、上縁部１８ａ付近から内側に垂下する垂下面２２が設けられており、その垂下面２２の下縁部には車幅方向内側に延出する樋部２３が形成され、また、後面カバー１９にも同様の樋部２３が形成される。 - 特許庁
  • A directory component in newpath does not exist or is a dangling symbolic link, or oldpath is the empty string.
    newpathに含まれるディレクトリ部分が存在しないか、壊れたリンクであるか、oldpathが空文字列である。 - JM
  • To provide a silicon substrate with terminated dangling bonds on its surface and a method for manufacturing the same.
    表面の未結合手が終端されたシリコン基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Consequently, unbonded Si dangling bonds present in the carbon and hydrocarbon added silicon oxide film are terminated by being bonded to dangling bonds of C and H produced when the added gas is made into plasma.
    このようにすると、炭素、水素添加シリコン酸化膜中に存在する未結合のＳｉダングリングボンドが、添加ガスのプラズマ化により生成するＣやＨのダングリングボンドと結合することにより終端される。 - 特許庁
  • To provide a pinball game machine which prevents a fraudulent act using a "dangling board" or the like.
    「ぶら下げ基板」等を用いた不正行為を防止することができる弾球遊技機を提供すること。 - 特許庁
  • The silicon substrate is characterized in that cyano groups are bonded to the dangling bonds on the surface.
    本発明のシリコン基板は、表面の未結合手にシアノ基が結合していることを特徴とする。 - 特許庁
  • Regions where the dangling bonds are generated serve as the n-type emitter region 2e and collector region 2c.
    これらのダングリングボンドが生成された領域がｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃとなる。 - 特許庁
  • In this regard, dangling bond of N is terminated by Si^29 in a region where a dislocation 3 is located.
    このとき、Ｓｉ^２９によって転位３が位置する領域のＮの未結合手が終端される。 - 特許庁
  • A directory component in pathname does not exist or is a dangling symbolic link.
    pathnameの構成要素のディレクトリのいずれかが存在しないか、またはリンク先が存在しないシンボリックリンクである。 - JM
  • Accordingly, the dangling bond of carbon in the fluorine addition carbon film is reduced whereby leak current is reduced.
    これによりフッ素添加カーボン膜中の炭素の未結合手が減少し、リーク電流が小さくなる。 - 特許庁
  • To terminate a large amount of dangling bonds existing in gate insulating film or element region by heavy hydrogen.
    ゲート絶縁膜や素子領域中に存在する多量のダングリングボンドを重水素により終端する。 - 特許庁
  • The length of a sleeve actually refers to the vertical height of the dangling part of the sleeve (tamoto), not the length of the horizontal portion into which one puts one's arm.
    袖に腕が入る方向に対して垂直方向の袂（たもと）の長さが袖丈である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To suitably achieve a removal or a terminating of a dangling bond in a semiconductor layer in a TFT.
    ＴＦＴにおける半導体層中のダングリングボンドについて、その除去ないし終端を好適に実現する。 - 特許庁
  • As a result of these steps, the microcrystalline silicon film 20 with less dangling bonds can be formed and the mobility can be enhanced.
    これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜２０を形成して、移動度を高めることができる。 - 特許庁
  • The first insulating layer 18 contains a termination material that terminates a dangling bond the semiconductor layer 4 has.
    第１絶縁層１８は、半導体層４が有するダングリングボンドを終端させる終端材料を含んでいる。 - 特許庁
  • To enhance the lifetime effectively by reducing dangling bond effectively through heat treatment control different from conventional one.
    従来と異なる熱処理制御により、ダングリングボンドを有効に低減して、ライフタイムを効果的に向上させる。 - 特許庁
  • This is basically a link operation.In Windows, a dynamic-link library (.dll) file has no danglingreferences.
    これは基本的にはリンク操作にあたります。 Windows では、動的リンクライブラリ (.dll) ファイルにはぶら下がり参照 (dangling reference) はありません。 - Python
  • To provide a dangling exercise apparatus which is compact, does not occupy a too much area, and allows a user to safely practice a plurality of new dangling exercise in a form holding a simple configuration with unity without adding another kind of exercise apparatus.
    コンパクトで、場所を取らず、かつ、別種の運動器具を付け足すことなく、単一性をもったシンプルな形態を保持したかたちで、複数の、新規なぶら下がり運動を、安全に行える、ぶら下がり式運動器具を提供する。 - 特許庁
  • In addition, since the dangling bonds of silicon in the interfaces of the substrate 11 are terminated by the heat-resistive cyano-ions, a cover film requiring heat treatment at a special high temperature can be formed after the dangling bonds are terminated by the cyano-ions.
    また、半導体基板１１の界面のシリコンのダングリングボンドが熱に対して強いシアノイオンで終端化されているので、このシアノイオンで終端化した後、特に高温の加熱処理が必要なカバー膜を形成することができる。 - 特許庁
  • To provide a double-layer corrugated pipe, facilitating bending and preventing dangling due to its dead load between fulcrums.
    本発明は曲げ容易でかつ支点間で自重による垂れ下りのない二層コルゲート管を提供することを課題とする。 - 特許庁
  • This forms the second layer polymethylsilsesquioxane (MSQ) film 11b, including hardly little dangling bond or Si-OH base.
    これにより、ダングリングボンドやＳｉ−ＯＨ基が殆ど無い、第２層ポリメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜１１ｂを成膜する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a small leakage current by terminating a dangling bond of a semiconductor interface.
    半導体界面のダングリングボンドを終端させて、リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The amorphous thin film 41 consists of i-type a-Si:H whose dangling bond is 1×10^18 cm^-3 or more.
    非晶質薄膜４１は、ダングリングボンドが１×１０^１８ｃｍ^−３以上であるｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁
  • To cope with fraudulence using "dangling board" by control software without alteration in configuration of a control board.
    「ぶら下げ基板」等を用いた不正に対して、制御基板の構成変更を行うことなく制御ソフトにより対処する。 - 特許庁
  • Thus, a reliable semiconductor device is manufactured on which the dangling bond of a gate insulating film pattern 112 is cured.
    これによって、ゲート絶縁膜パターン１１２のダングリングボンドがキュアリングされ、信頼性のある半導体装置が製造される。 - 特許庁
  • A dangling bond termination film consisting of a lithium thin film or beryllium thin film is formed on the cleavage face of the semiconductor laser.
    半導体レーザの劈開面上にリチウム薄膜又はベリリウム薄膜からなるダングリングボンド終端膜が形成される。 - 特許庁
  • Hydrogen is diffused through a plasma silicon nitride film 16 and introduced to the channel 4 to terminate dangling bonds.
    ダングリングボンドを終結させるため、プラズマシリコン窒化膜１６より水素を拡散してチャネル部４に水素を導入する。 - 特許庁
  • The silicon insulation film has a silicon dangling bond, terminated by the termination with fluorine atom and termination with a hydroxy group.
    シリコンダングリングボンドが、フッ素原子による終端と水酸基による終端とによって終端されたシリコン絶縁膜。 - 特許庁
  • To provide a group III nitride semiconductor substrate having a surface which is higher than 14.0 nm^-2 in dangling bond density, and is flat.
    ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁
  • Consequently, the Si dangling bonds present in the film become less, so the generation of a leak current due to the present of the Si dangling bonds in the film is suppressed, so that the carbon and hydrocarbon added silicon oxide film can be obtained which has a low specific inductive capacity.
    このため膜中に存在するＳｉダングリングボンドが少なくなるので、膜中のＳｉダングリングボンドの存在が原因となるリーク電流の発生が抑えられ、これにより比誘電率が低い炭素、水素添加シリコン酸化膜を得ることができる。 - 特許庁
  • Oxygen atoms with dangling bonds contained in the gate insulating film are activated through a water vapor annealing process to promote their normal bonding, oxygen originating from water vapor is introduced into an area of the gate insulating film where dangling bonds are present to promote normal bonding, and hydrogen originating from water vapor is introduced into the area of the gate insulating film where dangling bonds are present to promote a bonding termination.
    水蒸気アニール処理により、ゲート絶縁膜中の未結合手を有する酸素原子を活性化して正常結合を促進し、結合欠陥を有する部分に水蒸気を起因とする酸素を導入して正常な結合を促進し、ゲート絶縁膜中のダングリングボンドを有する部分に水蒸気を起因とする水素を導入して結合終端を促進する。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the silicon insulation film has a step of terminating the silicon dangling bond, by using hypofluoric acid as a reactive species.
    次亜フッ素酸を反応種として用いてシリコンダングリングボンドを終端する工程を有するシリコン絶縁膜の製造方法。 - 特許庁
  • In this way, the intrusion of a coating liquid 3 below the damming member 2 can be prevented so that the dangling of a film end can be prevented.
    これにより、堰き止め部材２下への塗布液３の浸入を防止できるので、膜端のだれを防止することができる。 - 特許庁
  • Hydrogenation is performed for the semiconductor substrate (200), and this terminates dangling bonds in the semiconductor substrate (200).
    そして、この後に、前記半導体層に対する水素化処理を実施して、該半導体層内におけるダングリングボンドを終端する。 - 特許庁
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