「Decoupling」を含む例文一覧(471)

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  • By coupling to each key unit the clutch plates 28 for permitting to control coupling and decoupling of the clutch gears 29 and the racks 32 included in a same column and changing over the driving forces for each column by solenoid 37, the projection state of the key top of an arbitrary key unit can be controlled by controlling the pulse motors 34 and the solenoids 37.
    同じ列に含まれるキーユニット１９のクラッチギヤ２９とラック３２との係合を継断可能に制御するためのクラッチ板２８を各キーユニットに連結してソレノイド３７で列毎に駆動力の切り換えを行うことで、パルスモータ３４とソレノイド３７の制御により、任意のキーユニット１９のキートップ２０の突出状態を制御できる。 - 特許庁
  • The multilayer printed wiring board 1 with a BGA package 2 such as FPGA having at least power supply pins, ground pins, and signal pins mounted thereon is equipped with a pad which carry out solder joint of the BGA package 2; and electrode pads for mounting a decoupling capacitor 3 which is on the same surface mounting the BGA package 2, and is located in the lower portion of the BGA package 2.
    少なくとも電源ピン、グランドピン、信号ピンを有したＦＰＧＡ等のＢＧＡパッケージ２が実装される多層プリント配線板１は、ＢＧＡパッケージ２をはんだ接続するパッドと、ＢＧＡパッケージ２を実装する面と同一面にあり且つＢＧＡパッケージ２の下部に位置するデカップリングコンデンサ３実装用の電極パッドを備えている。 - 特許庁
  • A transmission line structure chip constituting a power supply decoupling element is formed of a laminated structure comprising an aluminum layer 61, an etching layer 62 not impregnated with polythiophene, an resist layer 63, an etching layer 64 impregnated with polythiophene, a magnetic thin film layer 65, a carbon-containing layer 66, a metal powder film layer 67, and a polythiophene layer 68.
    電源デカップリング素子を構成する伝送線路構造チップは、アルミニウム層６１、ポリチオフェンが含浸されていないエッチング層６２、レジスト層６３、ポリチオフェンが含浸されているエッチング層６４、磁性薄膜層６５、カーボン含有層６６、金属粉皮膜層６７、ポリチオフェン層６８で構成される積層構造体から形成される。 - 特許庁
  • To provide a PTC (positive temperature coefficient) element that can prevent thermal deterioration of an element body at the time of bonding an electrode plate and a terminal plate with the welting process or the like, and effectively implementing the natural functions of the element without occurrence of decoupling of the electrode plate and terminal plate even when an impact or a pressure is applied to the PTC element.
    電極板と端子板とを溶接等によって接合する際に、素子本体が熱劣化することを防止できると共に、ＰＴＣ素子に衝撃や圧力が作用したとしても、電極板と端子板との接合が外れることがなく、素子本来の機能を有効に発揮することができるＰＴＣ素子を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a negative electrode for a secondary cell for preventing decoupling of carbon particles, silicon particles, and a high polymer even if the silicon particles crack because their volume becomes larger, and thereby for inhibiting a decline in cycle characteristics of the secondary cell without impairing active materials as well as a conductive path between active materials, and to provide an electrode structure.
    珪素粒子の体積が大きくなって割れた場合であっても、炭素粒子と珪素粒子及び導電性高分子の結合を失うことがないため活物質自身や活物質間での導電パスを損なわず、二次電池のサイクル特性の低下を抑制することのできる、二次電池用負極の製造方法及び電極構造を提供する。 - 特許庁
  • A multilayer ceramic module includes a multilayer ceramic substrate 20 having upside and downside, at least one semiconductor chip 25 attached to the upside of the substrate, a plurality of module pins 23 projected from the downside of the substrate, and at least one decoupling capacitor 21 attached to the substrate between adjacent module pins under the substrate.
    多層セラミック・モジュールは、上側および下側を有する多層セラミック基板２０、基板の上側に取り付けられた少なくとも１つの半導体チップ２５、基板の下側から突き出す複数のモジュール・ピン２３、および基板の下側の隣接する前記モジュール・ピンの間に取り付けられた少なくとも１つの減結合コンデンサ２１を含む。 - 特許庁
  • With this constitution, the sudden revolution decrease of the vehicle AC generator in the decoupling period of the unidirectional clutch can be avoided, and fluctuations of the engine revolution when the vehicle AC generator with the unidirectional clutch is mounted on an internal combustion engine vehicle can be reduced satisfactorily.
    これにより、車両用交流発電機の体格重量を増大することなく、一方向クラッチ切断期間における車両用交流発電機の急激な回転数減少を防止することができ、一方向クラッチ付きの車両用交流発電機を内燃機関車に搭載した場合のエンジン回転数変動を良好に低減することができる。 - 特許庁
  • To provide a decoupling thin film capacitor used in a feeder line requiring a quick power supply to a semiconductor integrated circuit in which dielectric breakdown is retarded as compared with a prior art even when an excess pulse field is applied and dielectric deterioration due to the migration of mobile charges, e.g. an oxygen defect, is retarded.
    半導体集積回路への速やかな電力供給が必要とされる電源ラインに使用されるデカップリング薄膜コンデンサにおいて、従来のものに比べて過大なパルス電界がかかった場合でも、絶縁破壊が起きにくく、また、酸素欠陥等のモバイルチャージの移動による絶縁劣化が起きにくい薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁
  • This hydraulic vibration-proof device comprises two rigidity strengthening members, an operation chamber and a compensation chamber communicated with each other through a compression passage, a decoupling flap mounted between two chambers and operable over a short stroke, and a rigid partition dividing two chambers and having at least one hole closed by the flap.
    油圧防振装置は、２つの剛性強度部材と、圧縮通路を介して互いに連通された作動チャンバ及び補償チャンバと、これら２つのチャンバの間に配置され短いストロークに亘って運動可能な減結合フラップと、２つのチャンバを分割するとともにフラップにより閉じられる少なくとも１つの穿孔された剛性隔壁と、を備える。 - 特許庁
  • The semiconductor device has an LSI 1 providing a plurality of power source line connection pads and a plurality of ground line connection pads on the peripheral edge part of a circuit formation face, metal foil leads 5 connected electrically to the pads respectively and adhered to LSI 1 through an insulation layer 3, and the decoupling capacitor 2 mounted on one face of the metal foil leads 5.
    本発明の半導体装置は、回路形成面の周縁部に複数の電源ライン接続用パッドと複数のグランドライン接続用パッドとが設けられたＬＳＩ１と、前記パッドのそれぞれに電気的に接続され、絶縁層３を介してＬＳＩ１に接着された金属箔リード５と、金属箔リード５の一面に実装されたデカップリングコンデンサ２とを有している。 - 特許庁
  • A semiconductor device 10 includes: a semiconductor substrate 23; a plurality of through electrodes 21 that penetrate through the semiconductor substrate 23 and are electrically connected to a power supply line 12 and a ground line 13; and a plurality of terminals 22 that are provided on the rear surface of the semiconductor substrate 23, are electrically connected to the plurality of electrodes 21, and on which decoupling capacitors 40 are mounted.
    半導体装置１０は、半導体基板２３と、半導体基板２３を貫通し、かつ電源ライン１２及び接地ライン１３に電気的に接続された複数の貫通電極２１と、半導体基板２３の裏面に設けられ、かつ複数の貫通電極２１に電気的に接続され、かつデカップリングキャパシタ４０が実装される複数の端子２２とを含む。 - 特許庁
  • To provide a loading method for a granular explosive, capable of securing a suitable charge length and reducing a charging amount when the granular explosive is loaded into a charge hole while suppressing the damages to a rock bed by preventing over charging and demonstrating a decoupling effect for reducing the quaggy regions of surrounding natural grounds and mitigating influence on the surrounding environment.
    装薬孔内へ粒状化爆薬を装填する際に、適切な装薬長の確保及び装薬量の低減を図ると共に、過装薬の防止及びデカップリング効果の発揮することにより岩盤の損傷を抑制し、周辺地山の緩み領域の低減と周辺環境に対する影響を低減することが可能な粒状化爆薬の装填方法を提供する。 - 特許庁
  • The semiconductor integrated circuit chip includes a semiconductor integrated circuit chip body 101, input/output terminals 102a, 102b formed on the outside surface of the semiconductor integrated circuit chip body 101, and a decoupling capacitor 103 disposed on a side face of the semiconductor integrated circuit chip body 101 and electrically connected to the input/output terminals 102a, 102b.
    本発明の半導体集積回路チップは、半導体集積回路チップ本体１０１と、半導体集積回路チップ本体１０１の外部面に形成された入出力端子１０２ａ、１０２ｂと、半導体集積回路チップ本体１０１の側面に配置されて入出力端子１０２ａ、１０２ｂと電気的に連結されたデカップリングキャパシタ１０３とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • The wide cut-off filter is formed, by providing a columnar structure that is formed in this semiconductor integrated circuit, and a plurality of solenoid-like structures surrounding the columnar structure, connecting all the solenoid-like structures in series, and connecting both ends of the solenoid- like structure which are connected in series to a semiconductor circuit device power supply terminal and the decoupling capacitor.
    半導体集積回路内に形成された柱状構造物と、前記柱状構造物を取り囲む複数のソレノイド状構造物を備え、かつ、すべてのソレノイド状構造物を直列に接続し、直列に接続したソレノイド状構造物の両端を半導体回路装置電源端子とデカップリングコンデンサに接続することで広域遮断フィルタを形成する。 - 特許庁
  • A cell arrangement device extracts a timing slack amount in a notice path from a timing analysis result as a timing margin to a power noise of the notice path, converts the timing margin into a noise permission amount, compares the noise permission amount and a power noise amount in the notice path, and decides whether the arrangement of the decoupling cell to the notice path is proper or not based on a comparison result thereof.
    セル配置装置は、タイミング解析結果から着目パスにおけるタイミングスラック量を、当該着目パスの電源ノイズに対するタイミング余裕度として抽出し、該タイミング余裕度をノイズ許容量に変換し、該ノイズ許容量と着目パスにおける電源ノイズ量とを比較し、該比較結果に基づいてその着目パスに対するデカップリングセルの配置の要否を判断するようにした。 - 特許庁
  • Further, concerning the EMI analytic method of this invention, the unwanted radiation of the LSI on simulation is evaluated in real time by reflecting the power supply current calculation of gate level with the influence of decoupling caused by the resistance, capacitance and inductance of a power source and a ground and further, efficient EMI measures are enabled by supporting the specification of an EMI generating point.
    また、本発明のＥＭＩ解析手法は、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響をゲートレベルの電源電流計算に反映することで、シミュレーション上においてＬＳＩの不要輻射を現実的な時間で評価するとともに、さらには、ＥＭＩ発生個所の特定を支援することによる効率的なＥＭＩ対策を可能にするものである。 - 特許庁
  • If two of these train sets--all outbound trains of Maizuru, Tanba nos. 1, 3, 5 and 7, and Hashidate nos. 3 and 7--are coupled, the passengers can pass through from one train set to another (passing through cars 4 and 5), but since the trains are decoupled at Ayabe Station the passengers aren't allowed to go through the cars if station arrival is less than 15 minutes away (if the train goes nonstop at Wachi Station, it seems that decoupling is carried out shortly after this station is passed).
    下りのまいづる全列車とたんば1.3.5.7号ならびにはしだて3.7号車両編成相互間（4号車と5号車）の通り抜けはできるが、綾部駅での切り離し作業準備のために同駅到着の約15分前（おおよその目安としては、和知駅に停車しない列車の場合、同駅を通過したあたりで行われると思われる）になると、通り抜けはできなくなる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.
    次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁
  • In a memory module, a plurality of memories 2 are mounted on a module substrate 1, Vref-Vss impedance near the memories 2 is coupled with Vss by a decoupling capacitor 5 and Vref planes 4 to reduce impedance, the Vref plane 4 is individually provided for each memory 2, and the Vref planes 4 are connected by high-impedance wiring or high-impedance chip components 3-1, 3-2.
    メモリモジュールにおいて、モジュール基板１上にメモリ２を複数実装し、このメモリ２の近傍のＶｒｅｆ−Ｖｓｓ間インピーダンスをデカップリングコンデンサ５とＶｒｅｆプレーン４でＶｓｓと結合させて広い周波数領域で低インピーダンス化を図り、Ｖｒｅｆプレーン４は各メモリ２毎に個別に設け、Ｖｒｅｆプレーン４間を高インピーダンス配線、又は高インピーダンスチップ部品３−１，３−２で接続する。 - 特許庁
  • The free magnetic structure comprises a synthesized anti-ferro magnetic structure (SAF)108 containing two or more ferro magnetic layers in anti-ferro magnetic coupling, and a first bias layer 110 which is coupled to the SAF for preventing decoupling of two or more ferro-magnetic layers in anti-ferro magnetic coupling.
    磁気抵抗素子１０６は、ピン磁気構造１０２と、自由磁気構造１０６と、ピン磁気構造と自由磁気構造との間に結合されているスペーサ層１０４とを含み、自由磁気構造は、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層を含む合成反強磁性構造（ＳＡＦ）１０８と、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層のデカップリングを妨げる、ＳＡＦに結合されている第１のバイアス層１１０とを含む。 - 特許庁
  • The method of treating arrhythmia includes: delivering the treatment device to a target site; manipulating the device to conform a shape of the device to a shape of the target site; modifying a tissue makeup at the target site; allowing the modification of tissue makeup to proceed so as to induce a response that results in electrically decoupling the tissue; and leaving the treatment device implanted at the target site.
    不整脈を処置する方法であって、その方法は、以下： 標的部位に処置デバイスを送達する工程；そのデバイスの形状をその標的部位の形状に適合するようにそのデバイスを操作する工程；その標的部位における組織構成を改変する工程；その組織構成の改変が進行することを可能にしてその結果、その組織を電気的に分断することを生じる応答を誘導する工程；およびその処置デバイスをその標的部位に移植しておく工程；を包含する、方法。 - 特許庁
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