「Diffusion method」を含む例文一覧(3044)
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太陽電池製造プロセスにおけるインクジェット塗布法に適した溶液特性を有するリンドーパント拡散用塗布液、それにより形成され、優れた拡散性能を有する塗布膜および太陽電池の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method for treating an aluminum planographic printing plate using a silver slat diffusion transfer method which ensures printing durability, in particular sufficiently stabilized printing durability required for a highly printing durable region withstanding a printing operation for 150,000 or more sheets of paper.
本発明の目的は、耐刷性、特に１５万枚以上の高耐刷領域においても十分に安定した耐刷性を確保できる銀塩拡散転写法を利用したアルミニウム平版印刷版の処理方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a millimeter wave radar performing a distance measurement or the like by FM-CM method, having effectiveness such as resistance to disturbance noise, and performing a data communication in a spectrum diffusion method having a surface acoustic wave convolver arranged in a correlation circuit.
ＦＭ−ＣＷ方式にて距離測定等を行うと共に、外乱ノイズに強い等の有効性を有し、相関回路に弾性表面波コンボルバが配置されたスペクトル拡散方式にてデータ通信を行うミリ波レーダを提供する。 - 特許庁 - The electrode is manufactured by forming a water repellent layer containing sulfur and at least one kind of its compound by a liquid phase method or a gas phase method on a part or whole of the surface of the conductive porous body which is a gas diffusion electrode.
この電極は、ガス拡散用電極である導電性多孔体の表面の一部又は全部に、硫黄及びその化合物の少なくとも１種を含む撥水層を液相法又は気相法により形成させることにより製造される。 - 特許庁 - Then, the color design block and the monochrome design block are subjected to binarization by an error diffusion method (122 and 134), the color character block and the monochrome character block are subjected to binarization by a dither method (146 and 158), and the monochrome base block is subjected to binarization by a fixed threshold (168).
そして、カラー絵柄ブロック及びモノクロ絵柄ブロックに対しては誤差拡散法による二値化を(122,134)、カラー文字ブロック及びモノクロ文字ブロックに対してはディザ法による二値化を(146,158)、モノクロ下地ブロックに対しては固定閾値による二値化を行う(168)。 - 特許庁 - An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed.
この基板に、活性層５を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層５の表面に異種伝導型の半導体活性層６を形成して、立体的構造を持つＰＮ接合面を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a vanadium-based film, which can form a vanadium-based film having practical adhesiveness and toughness, as well as hardness equivalent to that obtained with a molten salt diffusion method, even at a lower film-forming temperature than a steel-tempering temperature.
鋼の焼き戻し温度より低い成膜温度でも溶融塩拡散法によるのと同等の硬度とともに、実用密着性および靱性を備えたバナジウム系被膜を形成可能なバナジウム系被膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an information recording and reproducing device which prevents the influence of heat storage and thermal diffusion and improves accuracy in recording in a recording method using a so-called multipulse-type write strategy including a plurality of pulse strings, and also provide a method for the same.
複数のパルス列を含むいわゆるマルチパルス型のライトストラテジーを採用する記録手法において、熱蓄積や熱拡散の影響をより抑制し、記録精度を向上させることが可能な情報記録装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film.
本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。 - 特許庁 - Further, since the porous films are made directly on the distribution board by a film-forming method, film thickness of the diffusion electrode layer can be freely controlled, fuel battery cells can be made thin, and therefore, a whole device can be made compact.
また、成膜法により多孔質膜を直接配流板上に形成するため拡散電極層の膜厚を自在に制御でき、燃料電池セルを薄肉化でき、装置全体を小型化できる。 - 特許庁 - To provide a diffusion bonding method capable of avoiding the treatment at high temperature or preventing the deformation of the entire metal component by partially lowering the transformation temperature of a bonding surface part.
接合表面部分の変態点を部分的に下げることで、高温での処理を回避し、あるいは金属部品全体の変形を防止することができるような拡散接合方法を提供する。 - 特許庁 - In a conventional method for acquiring parameters, since a model has been served assuming a transistor in which a p-well is extended to a channel and the lower part of a diffusion layer, the repeatability bas limits.
従来のパラメータの取得方法は、それまでのチャネル及び拡散層下にまでｐウェルが形成されたトランジスタを想定したモデルをそのまま援用したものであるため、再現性に限度がある。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flat panel display that can exhibit superior light diffusion through simple manufacturing processes and miniaturize a light emitting element by excellently dispersing light emitted by a spot light source.
簡易な製造工程で優れた光拡散性を発揮でき、点光源の発光光を好適に分散させることで発光素子の微小化を可能とするフラットパネルディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a mold which can easily produce a reflective sheet good in appearance quality and capable of setting the direction and range of light diffusion/reflection in a necessary range and a method for producing the mold.
外観品質がよく、光が拡散反射する方向及び範囲を必要な範囲に設定可能な反射シートを容易に製造できる成形型、成形型の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a light emitting diode array the light emitting section of which can be improved in integration density by adopting a constitution in which element separation by impurity diffusion can be performed easily, and to provide a method of manufacturing the array.
不純物拡散による素子分離が容易な構成を採用することによって発光部の集積密度を上げることができるＬＥＤアレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical member sheet capable of attaining improvement in brightness, by realizing diffusion control of the outgoing radiation light and thereby suppressing loss of rays in the conventional backlight systems, and to provide a manufacturing method thereof.
出射光の拡散制御を実現することで、従来のバックライトシステムでの光線損失を抑制し、輝度の向上を達成できる光学部材シート、及びその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁 - To provide a film formation composition which is used for an application diffusion method, which can diffuse high-concentration impurity into a silicon wafer, and which can form a silica-based film simultaneously.
塗布拡散法に用いる膜形成組成物であって、シリコンウエハに、より高い濃度の不純物を拡散することができ、更に、同時にシリカ系被膜を形成することが可能な膜組成物を提供すること。 - 特許庁 - Then a gradation conversion means 203 converts the monochrome halftone data stored in the memory means 204 into monochrome pseudo-halftone data, using for example, error diffusion method, and stores it in the memory means 204.
次いで、階調変換手段２０３は、記憶手段２０４に格納されたモノクロ中間調データをモノクロ擬似中間調データに例えば誤差拡散法を用いて変換し、記憶手段２０４に格納する。 - 特許庁 - To provide a dielectric capacitor which exhibits proper electrical characteristics by preventing the advancing diffusion of an external substance, such as a reducing element or the like to a dielectric film, and to provide a method for manufacturing the same.
誘電体膜に対する還元性元素等の外部物質の進入拡散を防止することによって，良好な電気的特性を示す誘電体キャパシタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a gas flow measurement method and its device of a fuel cell (in a gas-flow channel in a direction toward inside a cell face and/or in a diffusion layer) free from flow-channel clogging and capable of discerning a tip of a flow.
流路詰まりがなく、流れ先端の判別が可能な、燃料電池の（セル面内方向のガス流路内および／または拡散層内の）ガス流れ計測方法とその装置の提供。 - 特許庁 - To provide a highly integrated semiconductor device, and its fabricating method, in which the identical potential can be applied to a well in units of potential being applied to an impurity diffusion layer and the well potential can be stabilized.
不純物拡散層へ電位を与える単位で、ウエルへ同一電位を与えることができ、ウエル電位を安定化し、高集積化された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can form the diffusion layer of N-type and P-type MOS transistors using a shallow junction so that resistance becomes low without increasing the number of processes.
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ及びＰ型ＭＯＳトランジスタの拡散層を工程数を増加させることなく浅い接合で抵抗を低く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a blade for a turbomachine by superplastic forming and diffusion bonding a first layer, a second layer and a membrane, the membrane being disposed between the first and second layers.
第１層、第２層、及び第１層と第２層との間に配置されたメンブレンを超塑性成形し、拡散接合することによってターボマシン用のブレードを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁 - To solve a problem that image quality of a medium tone image is degraded due to a density change by dot deformation because a hounds-tooth check pattern is caused over medium density regions when a conventional error diffusion method is applied to a laser beam printer.
従来の誤差拡散法をレーザビームプリンタに適用すると、中間濃度域にかけて千鳥格子パターンが発生し、ドット潰れによる濃度変化で、中間調画像の画質低下を生じる。 - 特許庁 - To provide a pressure drop measuring method of an air diffuser by which pressure change of the air diffuser can be measured with sufficient accuracy by eliminating influence of air diffusion water depth and air diffuser pressure drop from a measured value.
散気水深、散気装置圧損の影響を測定値より排除して散気装置の圧力変化を精度良く測定できるようにした散気装置の圧力損失測定方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for producing a substrate for display panels, in which a rugged shape to be formed on the surface of each of a black matrix and a colored layer is made smaller so that the fluidization and diffusion of an aligning agent are not hindered.
ブラックマトリックスおよび着色層の表面に形成される凹凸を小さくして、配向材の流動および拡散が阻碍されない表示パネル用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing an increase in the manufacturing cost by dispensing with an additional lithographic step, in manufacturing semiconductor devices having asymmetrical diffusion layer regions.
非対称型の拡散層領域を持つ半導体装置を製造するに際、付加的リソグラフィー工程を不要とし、製造コストの増加を抑える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This invention is related to a method for manufacturing the LED (a light emitting diode) comprising the reflector plated by the silver with a diffusion preventing metal plating conducted in advance before the silver plating.
本願発明は、銀めっきされた反射部を備えるＬＥＤ（発光ダイオード）の製造方法において、銀めっきを行う前に予め拡散防止金属めっきを行うＬＥＤの製造方法に関する。 - 特許庁 - A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.
この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁 - To provide a small crosstalk noise semiconductor device and its manufacturing method which can prevent diffusion of copper into a low permattrurty insulating film and reduce the permattrurty of a low-permattrurty insulating film and water absorptance.
低誘電率絶縁膜への銅の拡散を防止でき、低誘電率絶縁膜の誘電率および吸水性を低減できる小さなクロストークノイズの半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The gas diffusion layer has just one peak in a log differential pore volume distribution graph measured by a mercury press-fitting method, with the peak existing within a range of a pore diameter of 0.01 to 1 μm.
本発明のガス拡散層は、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer for a solid polymer fuel cell capable of being manufactured at a low temperature at low cost without using a carbon base material such as carbon paper and carbon cloth.
カーボンペーパーやカーボンクロス等の炭素基材を使用せず、低温での製造が可能となる製造コストの安い固体高分子型燃料電池用ガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a tubular SiC-compact with high impact resistance and corrosion resistance, suitable for, for instance, a liner tube and a process tube of a diffusion furnace, and to provide an inexpensive manufacturing method with high productivity.
耐熱衝撃性、耐蝕性が高く、例えば拡散炉のライナーチューブやプロセスチューブなどとして好適な管状ＳｉＣ成形体、および高い生産性で低コストのその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method comprises the operation steps of (a) scouring, (b) bleaching, (c) washing with water, (d) dewatering, (e) grinding, (f) slurry diffusion, (g) plastic slurry formation, (h) paper plastic formation, and (i) demolding.
ａ．精錬、ｂ．漂白、ｃ．水洗、ｄ．脱水、ｅ．粉砕、ｆ．スラリー拡散、ｇ．可塑スラリー形成、ｈ．紙プラスチック成形、ｉ．型外しの作業プロセスにより、非紙パルプ植物繊維の紙プラスチック成形製品を得る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light-emitting device and a method of manufacturing the same whereby the diffusion openings of a plurality of light- emitting parts are reduced in area and the plurality of light-emitting parts are formed with a high density.
複数の発光部の拡散開口部の面積を小さく、かつ、複数の発光部を高密度に形成することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a small area phototransistor exhibiting a high optical conversion efficiency which can not be attained by a conventional phototransistor having a diffusion emitter structure.
本発明は、従来の拡散エミッタ構造を有するフォト・トランジスタでは不可能であった光変換効率が良く、かつ小面積であるフォト・トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The manufacturing method for the diffusion layer of fuel cell consists of two processes; the first is to impregnate the base material in the form of a woven cloth with a resin binder and the second to carbonize the base material impregnated with the binder.
織布化した基材に樹脂のバインダを含浸させる第１の工程と、バインダを含浸させた基材を炭化処理する第２の工程と、からなる燃料電池の拡散層の製造方法。 - 特許庁 - To provide an optical sheet with improved diffusion efficiency of light exiting from a light guide plate, to provide a method for manufacturing an optical sheet, and to provide a liquid droplet discharging device, a planar illumination device, and an electro-optic device.
導光板から出射された光の拡散効率を向上した光学シート、光学シートの製造方法、液滴吐出装置、面状照明装置及び電気光学装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a chemical diffusion apparatus exhibiting insect pest controlling effect for a long time by rotating a simple structured fan containing volatile chemicals, and method for insect pest control using the same.
常温揮散性薬剤を含み構造がシンプルなファンを回転させて長期間にわたり害虫防除効果を奏する実用的な薬剤揮散装置、ならびにこれを用いた害虫防除方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method and a device for liquid phase diffusion bonding capable of enhancing the bonding efficiency for efficiently bonding ends of two tubes to be bonded to both ends of the other tubes to be bonded, shortening the bonding time, and enhancing the bonding uniformity.
被接合管材の両端部に他の２つの被接合管材の端部をそれぞれ接合する接合の作業効率を向上させ接合時間を短縮し接合均一性を向上させる。 - 特許庁 - To provide a method for allowing verification of design based on the optimal design standard in quantitative consideration of a feature fluctuation amount of a transistor in order to prevent an influence of Diffusion rounding.
Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎラウンディングの影響を防ぐためにトランジスタの特性変動量を定量的に考慮した最適な設計基準に基づく設計の検証を可能とする方法の提供。 - 特許庁 - To provide a simple manufacturing method of an excellent CaAlAs-based semiconductor laser device, in which Zn diffusion arrives at an active layer sufficiently and which will not cause COD, and to provide the semiconductor laser device.
活性層まで十分にＺｎ拡散が達し、ＣＯＤを起こさない良好なＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ装置の簡便な製造方法及び半導体レーザ装置を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a light diffusive sheet and a manufacturing method for the sheet having reduced processes and obtain a uniform light diffusion without using spherical beads, and a back light unit using the sheet.
製造工程が少なく、かつ、球形ビーズを用いずに光の均一な拡散を可能とする光拡散シート、その製造方法及びそれを用いたバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a metal precision mechanical component by liquid phase diffusion welding in assembling the mechanical component internally having complicated and precise pipe lines for carrying liquid and lightening weight.
内部に複雑かつ精密な流体搬送用、重量軽減用の管路を有する機械部品の組み立て時の液相拡散接合による金属製精密機械部品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the ferroelectric memory comprises a step of forming the moisture diffusion preventive film formed on at least the first interlayer film.
また、上記強誘電体メモリを製造する方法であって、少なくとも第１層間膜上に、水分拡散防止膜を形成する工程を有することを特徴とする強誘電体メモリの製造方法である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an excellent substrate for an oxide superconductive wire material by preventing peeling resulting from the surface diffusion and surface oxidation of nickel included in a metal substrate.
金属基板に含まれるニッケルの表面拡散および表面酸化が原因でおこる剥離を防止して良好な酸化物超電導線材用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an excellent substrate for an oxide superconductive wire material by preventing peeling resulting from the surface diffusion and surface oxidation of nickel contained in a substrate.
基体に含まれるニッケルの表面拡散および表面酸化が原因でおこる剥離を防止して良好な酸化物超電導線材用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron.
不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a laser doping method of forming a laser doping concentration profile which steeply varies in a direction parallel to the surface of a substrate at the end of at least a part of a dopant diffusion region.
ドーパント拡散領域の少なくとも一部の端部において、基板の表面と平行な方向に急峻に変化するドーピング濃度プロファイルを形成するレーザドーピング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device capable of restraining a semiconductor substrate from being expanded in a diffusion layer area formed on a surface of the semiconductor substrate, and a manufacturing method therefor.
半導体基板の表面に形成された拡散層領域における半導体基板の膨張の発生を抑制することが可能な、半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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