「Diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 364 365 次へ＞- The light diffusion sheet 10 used for the illumination lens 12 of an illumination device 15 is provided with a light diffusion pattern, so that the same light diffusion effects with knurls, emboss, etc., are obtained.
電飾装置１５の電飾レンズ１２に用いられている光拡散シート１０には光拡散パターンが設けられているので、ローレットやシボ等と同様の光拡散効果が得られる。 - 特許庁 - The light diffusion sheet 10 used for the illumination lens 12 of an illuminator 15 is provided with a light diffusion pattern, so that a light diffusion effect similar to the knurls, grain, etc. is obtained.
電飾装置１５の電飾レンズ１２に用いられている光拡散シート１０には光拡散パターンが設けられているので、ローレットやシボ等と同様の光拡散効果が得られる。 - 特許庁 - The manufacturing method of the light diffusion plate has a process of preparing an injection molding machine and a light diffusion plate material, and by injecting the light diffusing plate material, the light diffusion plate is injection molded.
光拡散板の製造方法は、射出成形機と光拡散板材料を用意する工程と、光拡散板材料を射出して光拡散板を射出成形する。 - 特許庁 - In addition, an n-type diffusion layer 107 is formed, such that it runs out from the bottom of the n-type diffusion layer 106 of the pixels of Red to underneath the n-type diffusion layer 104 for the pixels of Blue.
また、Ｒｅｄの画素のｎ型拡散層１０６の底部からＢｌｕｅの画素のｎ型拡散層１０４の下に延びるようにｎ型拡散層１０７が形成されている。 - 特許庁 - A diffusion film 1 having a diffusion pattern with a gradation state is formed by using dots 2, each being formed by dispersing a diffusion agent in a transparent resin, and arranged on an emission surface of the light guide body 4.
透明樹脂に拡散材を分散させたドット２を用いてグラデーション状の拡散パターンを持つ拡散フィルム１を作成し、導光体４の出射面に配置する。 - 特許庁 - A light diffusion agent is arranged in the base material such that the center 153a thereof does not superimpose other light diffusion agents in the direction orthogonal to film surface of the diffusion film.
前記光拡散剤は、その中心１５３ａが光拡散フィルムのフィルム面に直交する方向において他の光拡散剤と重ならないよう、前記基材中に配置されている。 - 特許庁 - This layered product 1 with a diffusion prevention film includes the diffusion prevention film 5 on a glass substrate 3; and electrodes 7a, 7b, 7c, 7d and 7e are formed on the diffusion prevention film 5.
拡散防止膜付積層体１はガラス基板３上に拡散防止膜５が設けられ、拡散防止膜５上には電極７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅが形成されている。 - 特許庁 - Since the light diffusion pattern is formed in the light diffusion sheet 10 in advance, the light diffusion sheet 10 is molded by the metal mold, then, the illumination lens 12 in a desired shape can be easily molded.
その光拡散パターンが予め光拡散シート１０に設けられているので、これを金型に入れて成形すれば、所望の形状の電飾レンズ１２を容易に成形できる。 - 特許庁 - First, in a diffusion prevention film formation process, a diffusion prevention film 7 for preventing diffusion of semiconductor impurities is formed only on the side face of a semiconductor wafer 2 in its entirety.
まず、拡散防止膜形成工程で、半導体不純物の拡散を防止する拡散防止膜７を、半導体ウエハ２の側面にのみ、その側面の全周にわたって形成する。 - 特許庁 - GAS DIFFUSION LAYER OF SOLID POLYMER FUEL CELL, MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY OF SOLID POLYMER FUEL CELL INCLUDING GAS DIFFUSION LAYER, AND SLURRY USED FOR MANUFACTURING GAS DIFFUSION LAYER
固体高分子形燃料電池のガス拡散層、そのガス拡散層を含む固体高分子形燃料電池の膜−電極接合体、および、そのガス拡散層の製造に用いるスラリー - 特許庁 - To provide a polymer electrolyte fuel cell in which the falling of a gas diffusion layer into a gas circulation channel due to deformation is suppressed and good diffusion property of the gas diffusion layer is secured.
固体高分子形燃料電池において、ガス拡散層の変形によるガス流通溝へ落ち込みを抑制し、しかもガス拡散層の良好なガス拡散性を確保する。 - 特許庁 - Details are as follows: P+ diffusion regions are formed at two boundary parts of the bird's beak parts of the field oxide film and the P well diffusion layer in the N+ diffusion layer (source) in an NMOS.
詳しくは、ＮＭＯＳに、フィールド酸化膜のバーズビーク部であり、且つ、Ｎ＋拡散層（ソース）におけるＰウェル拡散層との２ヵ所の境界部にＰ＋拡散領域を形成する。 - 特許庁 - To provide a light diffusion film consisting of: a substrate for a light diffusion film which is a non-oriented film and excels in heat resistance, planarity and transparency; and a light diffusion layer.
未延伸フィルムであって耐熱性、平面性および透明性に優れた光拡散フィルム用基材ならびに光拡散層から構成される光拡散フィルムを提供する。 - 特許庁 - To provide a horizontal diffusion furnace capable of manufacturing a diffusion wafer with high in-plane uniformity of a depth of a diffusion layer within a wafer surface including a center part and an outer peripheral part without complicating the horizontal diffusion furnace, and to provide a heat treatment method of a semiconductor wafer.
横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉、半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁 - A second diffusion part 4 having a second diffusion rotor 41 for springing-up and diffusing the small fishes and a second air nozzle 42 for urging the diffusion by jetting second diffusion air to the spring-up small fishes, is arranged between the diffusive carrying part 3 and the inspecting carrying part 5.
拡散搬送部３と検品搬送部５の間に、チリメンを跳ね上げて拡散させる第２の拡散ロータ４１と、跳ね上げられたチリメンに第２拡散エアを噴き付けて拡散を促す第２のエアノズル４２を有する第２拡散部４を設ける。 - 特許庁 - The protective diode includes a plurality of p^+-type diffusion layers and a plurality of n^+-type diffusion layers, both provided on a p-well of a p-type semiconductor substrate, the plurality of the p^+-type diffusion layers serving as anodes, and the plurality of the n^+-type diffusion layers serving as cathodes.
本発明の保護用ダイオードは、Ｐ型半導体基板のＰウェル上に複数のＰ＋型拡散層と、複数のＮ＋型拡散層を設け、複数のＰ＋型拡散層をアノード、複数のＮ＋型拡散層をカソードとして構成される。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a fuel cell gas diffusion medium omitting a resin impregnation process of a fiber mat; the diffusion medium manufactured by this method; and the manufacturing method of the fuel cell gas diffusion medium equipped with the diffusion medium.
繊維マットを樹脂で含浸する工程を省略する燃料電池拡散媒体の製造方法、その方法により製造された拡散媒体、及びそのような拡散媒体を具備する燃料電池ガス拡散媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a light diffusion coating film-forming coating material which can form a light diffusion sheet having good light diffusion properties and further improved light transmission properties, and to prepare the light diffusion sheet obtained by using the coating material.
本発明は、光拡散性が良好であると共に光透過性がさらに改良された光拡散シートを形成し得る光拡散塗膜形成用塗料及び該塗料を用いてなる光拡散シートを提供することを目的とする。 - 特許庁 - A manufacturing method of a gas diffusion layer contains a process where a polymer thin membrane 2 is arranged on a gas diffusion substrate 1, they are heated at a melting temperature or higher of the polymer thin membrane 2, and at the same time, the polymer thin membrane 2 and the gas diffusion substrate 1 are pressed to form the gas diffusion layer 7.
高分子薄膜２をガス拡散基材１上に配して、高分子薄膜２の溶融温度以上に加熱しながら、高分子薄膜２とガス拡散基材１を加圧してガス拡散層７を形成する工程を有する。 - 特許庁 - In a well of 1st conduction type, a 1st diffusion layer of the 1st conduction type is formed; and in a well of the 2nd conduction type, a 2nd diffusion layer of the 1st conduction type, a 3rd diffusion layer of the 2nd conduction type, and a 4th diffusion layer, are formed.
第１導電型のウェルに第１導電型の第１拡散層が形成され、第２導電型のウェルには第１導電型の第２拡散層、第２導電型の第３拡散層及び第４拡散層が形成されている。 - 特許庁 - Although the diffusion film sheet 20 is cut with rotary cutters 24a, 24b, before the cut diffusion sheet 20-1 is separated from the rotary cutters 24a, 24b, the diffusion film sheet 20-1 is held with the joining rollers 28a, 28b and diffusion layer presser rollers 30a, 30b.
ロータリカッタ２４ａ，２４bにより拡散膜シート２０をカットするが、カットされた拡散シート２０−１がロータリカッタ２４a，２４bから離れる前に、接合ローラ２８a，２８bと、拡散層押さえローラ３０a，３０bにより拡散シート２０−１を把持する。 - 特許庁 - Thus, the diffusion box 40 of a low diffusion degree is used in the case of giving an image read rate (light quantity) priority like simultaneous print and it is changed to the diffusion box 40 of a high diffusion degree in the case of giving image quality priority like a high magnification print.
したがって、同時プリントのように画像読取速度（光量）が優先される場合には、拡散度の低い拡散ボックス４０を使用し、大伸ばしプリントのように画質優先の場合には、拡散度の高い拡散ボックス４０に交換する。 - 特許庁 - At least the four diffusion parts 52a to 52d are arranged surrounding four sides and the coupling part 55 is so formed as to couple the diffusion parts nearly from the center C of the space surrounded with the diffusion parts 52a to 52d to the respective diffusion parts 52a to 52d.
少なくとも４つの拡散部５２ａ〜５２ｄは、四辺を囲むように配置され、連結部５５は、拡散部５２ａ〜５２ｄによって囲まれた空間の略中心Ｃから拡散部５２ａ〜５２ｄの各々に向かって連結するように形成されている。 - 特許庁 - With it, when used in the bulk silicon process, the diffusion layer as the diffusion layer for body tie can be used as a diffusion resistance, because an insulating oxide film causes the diffusion layer to be isolated completely from a transistor element or a substrate on an SOI device.
これによってバルクシリコンプロセスに使用した際には、ボディータイ用拡散層であった拡散層は、ＳＯＩデバイス上では絶縁酸化膜によりトランジスタ素子や基板と完全に分離されるため拡散抵抗として使用できるようになる。 - 特許庁 - Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive type reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further formed shallower than the first impurity diffusion region 20.
さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電型である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともに、これを第１不純物拡散領域２０より浅く形成する。 - 特許庁 - Expression (I) 1.92<γ, wherein γ represents a diffusion angle giving a 1/10 intensity of the diffusion intensity obtained by extrapolating a straight line that connects the reflection intensity at the angle of ±2 degrees and the reflection intensity at the angle of ±1 degree with respect to the regular reflection direction of diffusion, toward the regular reflection angle of diffusion.
１．９２＜γ （Ｉ）γ；拡散正反射方向に対して±２度での反射強度と±１度での反射強度とを結ぶ直線を拡散正反射角度に外挿した拡散強度の１／１０の強度を示す拡散角度 - 特許庁 - Since the channel length of the transistor depends on the length of the P type channel diffusion layer 15 under the gate electrode 13, that is, the diffusion depth of the P type channel diffusion layer 15 and the diffusion depth of the P type channel diffusion layer 15 has excellent controllability, the manufacturing method can stably manufacture the MOS transistor according to the fine rule technique.
トランジスタのチャネル長は、ゲート電極１３下のＰ型チャネル拡散層１５の長さ、すなわちＰ型チャネル拡散層１５の拡散深さにより決定され、Ｐ型チャネル拡散層１５の拡散深さは制御性がよいので、微細ルールのＭＯＳトランジスタを安定的に作ることができる。 - 特許庁 - The air diffusion method includes a first air diffusion process for diffusing humidifying air from the air diffusion holes of the air diffuser arranged in water to be treated when air is diffused into water to be treated containing organic wastewater and biological sludge and a second air diffusion process for diffusing non-humidifying air from the diffusion holes.
本発明の散気方法は、有機性排水と生物汚泥とを含む被処理水中に空気を散気するに際し、被処理中に配置された散気装置の散気孔から加湿空気を散気する第１の散気工程と、散気孔から非加湿空気を散気する第２の散気工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In a semiconductor device where contact with the source diffusion layer and the drain diffusion layer of a transistor is made by a polysilicon contact plug, a film for preventing diffusion of inter-lattice silicon or cavity is formed between the source diffusion layer or the drain diffusion layer and the polysilicon contact plug.
本発明の半導体装置は、トランジスタのソース拡散層及び又はドレイン拡散層へのコンタクトが多結晶シリコンのコンタクトプラグである半導体装置において、前記ソース拡散層及び又はドレイン拡散層と多結晶シリコンのコンタクトプラグの間に格子間シリコンまたは空孔の拡散を防止する拡散防止膜を形成した。 - 特許庁 - In order to express the diffusion coefficient in the directions of all axes on the single image, the diffusion coefficient of a reference axis is expressed with luminance as a diffusion coefficient image, and the diffusion coefficient of the respectively orthogonal residual two axes of a plane orthogonal to the reference axis is expressed with an arrow to be mapped on the diffusion coefficient image of the reference axis.
１つの画像上で全軸方向の拡散係数を表現するために基準軸の拡散係数を拡散係数画像として輝度で表現し、基準軸に直交する平面のそれぞれ直交する残りの２軸の拡散係数を矢印で表現し、基準軸の拡散係数画像上にマップする。 - 特許庁 - The semiconductor device 10 comprises a semiconductor substrate 21 of the first conductivity type, a first diffusion layer 22 of the first conductivity type, a second diffusion layer of the second conductivity type formed inside the first diffusion layer 22, and a third diffusion layer 27 of the first conductivity type selectively formed on the surface of the second diffusion layer 23.
半導体装置１０は、第１導電型の半導体基板２１と、第１導電型の第１の拡散層２２と、第１の拡散層２２の内部に形成された第２導電型の第２の拡散層２３と、第２の拡散層２３の表面に選択的に形成され第１導電型の第３の拡散層２７とを備える。 - 特許庁 - This determination method is characterized in generating diffusion data spatially resolved in the order of time and variously diffusion-encoded from object volume elements under the consideration of control data for the various diffusion encodings for determining the coefficient of the diffusion tensor by the magnetic resonance for describing a diffusion process in an object.
対象内における拡散プロセスを描出するための磁気共鳴による拡散テンソルの係数を決定するために、対象のボリューム要素から、種々の拡散エンコーディングのための制御データの考慮のもとに時間順に空間分解され種々に拡散エンコーディングされた拡散データが発生される。 - 特許庁 - METHOD OF LIQUID-PHASE DIFFUSION JOINING FOR HIGH PROOF STRESS, HIGH-TOUGHNESS JOINT
高耐力・高靭性継ぎ手の液相拡散接合方法 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING EMITTER DIFFUSION TIME
エミッタ拡散時間管理方法及びエミッタ拡散時間管理システム - 特許庁 - LIGHT DIFFUSION SHEET, ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSMISSION-TYPE SCREEN
光拡散シート及びその製造方法並びに透過型スクリーン - 特許庁 - LIGHT DIFFUSION FILM, SURFACE LIGHT SOURCE SYSTEM AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
光拡散フィルム、面光源装置及び液晶表示装置 - 特許庁 - FUEL CELL GAS DIFFUSION LAYER MEMBER AND MANUFACTURING METHOD OF SAME
燃料電池用ガス拡散層部材およびその製造方法 - 特許庁 - The diffusion source layer 12 and etching stop layer 11 are removed in order.
拡散源層１２、エッチングストップ層１１を順次除去する。 - 特許庁 - The N+ diffusion layer 210 is connected to power source wiring 208.
Ｎ＋拡散層２１０は、電源配線２０８と接続される。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING SURFACE UNEVENNESS, OPTICAL FILM OBTAINED THEREFROM, DIFFUSION REFLECTING PLATE AND METHOD OF PRODUCING DIFFUSION REFLECTING PLATE
表面凹凸形成方法、それにより得られる光学フィルム及び拡散反射板並びに拡散反射板の製造方法 - 特許庁 - A matrix, and a diffusion agent which is mixed into the matrix and diffuses the incident light are included in the diffusion region of the light.
前記光の拡散領域はマトリックス、及びマトリックスに混入されて、入射された光を拡散する拡散剤を含む。 - 特許庁 - THERMAL DIFFUSION DEVICE AND COOLING DEVICE OF ELECTRONIC PART USING THE SAME
熱拡散装置とそれを用いた電子部品の冷却装置 - 特許庁 - PRINTING METHOD AND IMAGE ORGANIZER USING THERMAL DIFFUSION TRANSFER
熱拡散転写を用いた印画方法および画像形成体 - 特許庁 - MECHANICAL COMPONENT ASSEMBLED AND WELDED BY LIQUID PHASE DIFFUSION WELDING
液相拡散接合によって組み立て接合された機械部品 - 特許庁 - Consequently, the out-diffusion is inhibited in the irreducible minimum of a demand.
その結果、アウトディフュージョンが必要最低限に抑えられる。 - 特許庁 - The blocking films 30 block the diffusion of the signal charges.
この遮断膜３０は、上記信号電荷の拡散を遮る。 - 特許庁 - A diffusion layer A is shared between the memory cells M1, M2 alone and is not directly connected to a conductive layer except the diffusion layer A.
拡散層Ａは、メモリセルＭ１，Ｍ２のみに共有され、拡散層Ａ以外の導電層に直接結合されることがない。 - 特許庁 - LIGHT EMITTING DIODE USING METAL DIFFUSION BONDING TECHNOLOGY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
金属拡散接合による発光ダイオード及びその製造法 - 特許庁 - GAS DIFFUSION SUPPLY COMPONENT FOR FUEL CELL AND FUEL CELL
燃料電池用ガス拡散供給部材及び燃料電池 - 特許庁 - To improve diffusion efficiency of reaction gas in a gas passage.
ガス流路における反応ガスの拡散効率を向上する。 - 特許庁
- 特許庁
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