「Diffusion」を含む例文一覧(18240)

＜前へ 1 2 .... 54 55 56 57 58 59 60 61 62 .... 364 365 次へ＞
  • A density distribution processing section 1 weights the densities of four pixels in one block and distributes the densities to the four error diffusion processing circuits prior to the error diffusion processing.
    誤差拡散処理の前に、濃度分配処理部１は、１つのブロックの４つの画素の濃度を重み付けして４つの誤差拡散処理回路に分配する。 - 特許庁
  • Therefore, the diffusion prevention layer 42 effectively suppresses diffusion of Zn into the active layer 30 in the semiconductor optical element 1A.
    従って、この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止層４２により活性層３０中へＺｎの拡散が効果的に抑制されている。 - 特許庁
  • An MEA 20 formed by laminating an electrolyte membrane and an electrode catalyst layer has a first gas diffusion layer 22, a second gas diffusion layer 10, and a separator 40 in an anode.
    電解質膜と電極触媒層が積層されたＭＥＡ２０は、アノードに、第一ガス拡散層２２、第二ガス拡散層１０、セパレータ４０を備える。 - 特許庁
  • Diffusion power of ten thousand people bundled by the network of fantasy hands place
     幻想御手のネットワークによって束ねられた 一万人のaim拡散力場 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To provide a hinge for a clean room, which prevents the diffusion of fine dust, and which surely prevents the diffusion of the dust to the outside.
    微細なダストの拡散を生じないようにしたクリーンルーム用丁番において、ダストが外部に確実に飛散しないようにしたクリーンルーム用丁番を提供する。 - 特許庁
  • Accordingly, an internal barrier-redundancy constituent is formed, using the conductive material 54, the conductive line diffusion barrier 22 and the via diffusion barrier 30.
    従って、導電性材料５４、導電性ライン拡散障壁２２およびバイア拡散障壁３０を用いて、内部障壁冗長構成要素が形成される。 - 特許庁
  • Then, the floating diffusion region 14 is connected with a source follower circuit 6.
    そして、フローティングディフュージョン領域１４は、ソースホロア回路６と接続される。 - 特許庁
  • To prevent mutual diffusion of an adhesion layer and a surface layer at high temperature.
    高温における密着層と表面層との相互拡散を防止する。 - 特許庁
  • A diffusion and reflection part 123 is made in a plane shape and diffuses and reflects light.
    拡散反射部１２３は、平面状であり、光を拡散反射する。 - 特許庁
  • Aluminum coating is applied to the projecting and recessing surface to provide a reflection layer 8 for diffusion.
    この凹凸面にＡｌを塗膜し、散乱用の反射層８にする。 - 特許庁
  • To prevent image flow of the silver slat in the DTR (silver complex diffusion transfer reversal) process in an aluminum lithographic printing material of an inner diffusion transfer method and to improve the image reproducibility of the printing plate.
    内部拡散転写方式のアルミニウム平版印刷材料でＤＴＲ銀の像流れを防止し、印刷版の画像再現性を向上する - 特許庁
  • The thermal diffusion equation solution part 35 calculates the temperature distribution of the wafer by calculating transitional thermal diffusion of the wafer surface in a lamp heating step based on the model.
    熱拡散方程式解法部３５は、モデルに基づき、ランプ加熱工程でのウエハ表面の過渡熱拡散を計算しウエハの温度分布を算出する。 - 特許庁
  • SENSE AMPLIFIER DEVICE COMPRISING MOLTEN DIFFUSION REGION AND DISTRIBUTED DRIVER SYSTEM
    溶融された拡散領域と分散されたドライバ系を有するセンスアンプ装置 - 特許庁
  • A plurality of error diffusion matrices having different diffusion ranges are stored, and errors are diffused by using a matrix selected according to a gradation value of image data.
    拡散範囲の異なる複数の誤差拡散マトリックスを記憶しておき、画像データの階調値に応じて、選択したマトリックスを用いて誤差を拡散する。 - 特許庁
  • Silicide films 14b, 14c and 14d for a low resistance layer of the outer base layer are formed on the surface of the p^+ diffusion layer 10a and the n^+ diffusion layer 10b.
    このｐ＋拡散層１０ａおよびｎ＋拡散層１０ｂの表面には外部ベース層の低抵抗層用のシリサイド膜１４ｂ，ｃ，ｄが形成される。 - 特許庁
  • Even in a reflected beam measurement system, a beam diffusion plate 35 performs the similar effect to the beam diffusion plate 44 with respect to the reflected laser beam R_LB from a work W.
    反射光計測系においても、ワークＷからの反射光Ｒ_LBに対して光拡散板３５が光拡散板４４と同様の作用を奏する。 - 特許庁
  • A second source-drain diffusion layer 21B is electrically connected to a third source-drain diffusion layer 22A, and has the same potential as that of the first well 51.
    第２のソース・ドレイン拡散層２１Ｂは、第３のソース・ドレイン拡散層２２Ａと電気的に接続され且つ第１のウェル５１と同電位である。 - 特許庁
  • (3) Verification of progress in the diffusion of IT and productivity increase on the corporate level
    （3）企業レベルでのIT化の進展と生産性の上昇に関する検証 - 経済産業省
  • Then a diffusion parameter is determined on the basis of the found texture gradient or color gradient and a diffusion processing rate is controlled by the diffusion parameter to remove the texture by diffusing pixels while storing a boundary on a rough part.
    そして、求めたテクスチャ勾配または色勾配に基づいて拡散パラメータを決定し、この拡散パラメータにより拡散処理率を制御して、きめの粗い部分では境界を保存したまま画素を拡散してテクスチャを除去する。 - 特許庁
  • A first diffusion layer 8 having P type conductivity, a second diffusion layer 9 having N^+ type conductivity, and a third diffusion layer 10 having N^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.
    エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＰ型である第１拡散層８、導電型がＮ^＋型である第２拡散層９、および導電型がＮ^＋型である第３拡散層１０が形成されている。 - 特許庁
  • To provide a light diffusion sheet which has high dispersiveness of a light diffusing agent and can have its surface unevenness height easily controlled, a back light unit which uses the light diffusion sheet, and a manufacturing method for the light diffusion sheet.
    光拡散剤の分散性が高く、表面の凹凸高さの制御が容易かつ確実な光拡散シート、この光拡散シートを用いたバックライトユニット、及び、この光拡散シートの製造方法の提供を目的とするものである。 - 特許庁
  • The low-density N-type diffusion region 108, low-density and high-density N-type diffusion regions 109 and 106, and high-density N-type diffusion region 104 form parasitic bipolar transistors 203 and 204.
    前記ゲートＧの近傍には、前記低濃度Ｎ型拡散領域１０８と、前記低濃度及び高濃度Ｎ型拡散領域１０９、１０６と、高濃度Ｎ型拡散領域１０４とにより寄生バイポーラトランジスタ２０３、２０４が形成される。 - 特許庁
  • Diffusion modulators 13 diffuse the pilot symbols of modulated data symbols in the code channels from the modulators 12 according to diffusion codes SC-XxLC-Y and diffuse information symbols thereof every sub-code channel according to diffusion codes (SC-PxLC-Y, (P: 1-N)).
    各変調器１２からの各コードチャネルの変調データシンボルは、拡散変調器１３において、パイロットシンボルについては 拡散符号により拡散され、情報シンボルについては各サブコードチャネル毎に拡散符号 により拡散される。 - 特許庁
  • A superlattice layer (a first region) 21 is disposed at the lowermost portion of a buffer layer 20, and a diffusion preventing lower layer 22, a diffusion preventing layer (a second region) 23, and a diffusion preventing upper layer 24 are sequentially formed on the superlattice layer 21.
    このバッファ層２０における最下部には超格子層（第１の領域）２１が配され、その上には拡散防止下部層２２、拡散防止層（第２の領域）２３、拡散防止上部層２４が順次形成されている。 - 特許庁
  • Subsequently, an insulation film 9 is formed on the second diffusion layer 3 and the third diffusion layer 4, and word lines 10 are arranged on the insulation film 9 formed on the diffusion layer and connected with the gate electrode 8.
    そして、第１拡散層２、第２拡散層３、第３拡散層４上に拡散層上絶縁膜９が形成され、拡散層上絶縁膜９上にワード線１０が配設され、ワード線１０は上記ゲート電極８に接続される。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a diffusion film, having superior light beam transmittance and light diffusion by possessing inherent superior heat resistance and mechanical strength of a two-axis extension film, and to provide the light diffusion film obtained therefrom.
    二軸延伸フィルム本来の優れた耐熱性と機械的強度を有し、かつ優れた光線透過率と光拡散性を有する光拡散性フィルムの製造方法及びそれから得られた光拡散性フィルムを提供する。 - 特許庁
  • To provide a diffusion agent composition excellent in coating film formation properties and discharge stability and capable of being applied suitably for a spray coating method, a method of forming an impurity diffusion layer using the diffusion agent composition, and a solar battery.
    優れた塗膜形成性および吐出安定性を有し、スプレー塗布法に好適に採用可能な拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁
  • To provide a light-diffusion pressure-sensitive adhesive solution capable of forming a light-diffusion pressure-sensitive adhesive layer which has excellent light-diffusion and light-transmittance and the turbidity of which is easily adjusted.
    本発明は、優れた光拡散性及び光透過率を有する光拡散粘着層を形成することができ、この光拡散粘着層の濁度を容易に調整することができる光拡散粘着剤溶液を提供する。 - 特許庁
  • The first high-concentration diffusion layer 109 is separated from the gate electrode 106 in the planar view, and the first low concentration diffusion layer 103 is formed closer to the gate electrode than the first high-concentration diffusion layer 109 in the planar view.
    第１高濃度拡散層１０９は、平面視でゲート電極１０６から離間しており、第１低濃度拡散層１０３は、平面視において第１高濃度拡散層１０９よりもゲート電極の近くまで形成されている。 - 特許庁
  • To provide an optical film which can maintain display quality and hardly generate wet-out or cut-off without generation of interference fringes by means of sufficient diffusion effect and without requiring man-hours or costs of processing a diffusion sheet or diffusion mat.
    十分な拡散効果により干渉縞の発生がなく、ウエットアウトやカットオフが生じにくく、また拡散シートや拡散マット処理等の工数やコストを必要とせずに表示品位を保つことのできる光学フィルムを提供する。 - 特許庁
  • In manufacturing the piezoelectric actuator, the anti-diffusion layer is formed on an upper face of a diaphragm by an AD method (S102), the anti-diffusion layer is heated at 750°C for 30 minutes (S103), and a residual stress of the anti-diffusion layer is relieved.
    圧電アクチュエータを製造するには、振動板の上面にＡＤ法により拡散防止層を形成し（Ｓ１０２）、拡散防止層を７５０℃で３０分間加熱して（Ｓ１０３）拡散防止層の残留応力を緩和させる。 - 特許庁
  • To provide a composition for forming a p-type diffusion layer capable of forming the p-type diffusion layer while suppressing occurrence of warpage of a silicon substrate, and to provide a method of producing a p-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell element.
    シリコン基板の反りの発生を抑制しながら、ｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • On the surface of the silicon substrate 11 except for a portion where the gate electrode 16 is formed, a shallow low-concentration diffusion layer 17 and a two-step layer composed of a shallow high-concentration diffusion layer 19 and a deep high-concentration diffusion layer 22 are formed.
    一方、ゲート電極１６の形成位置を除く、シリコン基板１１の表面部には、浅い低濃度拡散層１７、および、二段構造の浅い高濃度拡散層１９と深い高濃度拡散層２２とが形成されている。 - 特許庁
  • The gas diffusion layer 32 for fuel cell includes a gas diffusion substrate 34 in which conductive fibers are collected and a conductive water repellent layer 33 which is formed on the gas diffusion substrate 34 and contains porous conductive particles.
    燃料電池用ガス拡散層３２は、導電性繊維を集合してなるガス拡散基材３４と、前記ガス拡散基材３４上に設けられ、多孔質導電性粒子を含有する導電性撥水層３３と、を備える。 - 特許庁
  • The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.
    ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁
  • A semiconductor device has impurity diffusion regions formed on a substrate 11, the impurity diffusion mask 12 which is provided with cutouts and formed on the substrate 11, and electrodes formed on the impurity diffusion regions.
    基板１１に形成された複数の不純物拡散領域と、前記基板１１上に形成され、部分的に欠けた形状を有する不純物拡散用マスク１２と、前記不純物拡散領域上に形成された電極とを有する。 - 特許庁
  • The matched filters 111 to 113 have filter coefficients set based upon a diffusion code and respectively different sampling frequencies, and collate a diffusion code included in a reception signal with diffusion codes of the filter coefficients to output correlation values.
    整合フィルタ１１１〜１１３は、拡散コードとそれぞれに異なるサンプリング周波数とでフィルタ係数が設定されており、受信信号に含まれる拡散コードとフィルタ係数の拡散コードとの相関を取り、相関値を出力する。 - 特許庁
  • The performance of the gas diffusion electrode degraded in the electrode performance after use for electrolysis in making caustic soda is restored by cleaning the gas diffusion electrode by using water and/or an acid and removing the alkaline component occurring in the caustic soda in the gas diffusion electrode.
    苛性ソーダ製造用電解に使用して電極性能の低下したガス拡散電極を水及び／又は酸を使用して洗浄し、該ガス拡散電極内部の苛性ソーダに起因するアルカル分を除去して性能を回復させる。 - 特許庁
  • An N+ buried diffusion area 3 is formed between a P- silicon substrate 1 and an N- epitaxial layer 2 and a P+ buried diffusion area 4 is formed between the N+ buried diffusion area 3 and the N- epitaxial layer 2.
    Ｐ−シリコン基板１とＮ−エピタキシャル層２との間には、Ｎ＋埋め込み拡散領域３が形成され、Ｎ＋埋め込み拡散領域３とＮ−エピタキシャル層２との間には、Ｐ＋埋め込み拡散領域４が形成されている。 - 特許庁
  • In an LED module 2 of the LED light source device, light diffusion lenses 5 are installed on LEDs 4 mounted on a printed-circuit board 3 so as not to line up directions of the light diffusion lenses 5 by alternately changing directions of the light diffusion lenses 5.
    ＬＥＤモジュール２において、光拡散レンズ５の向きは交互に方向を変えて光拡散レンズ５の向きが揃わないように、プリント配線基板３に実装されたＬＥＤ４に光拡散レンズ５を取り付けている。 - 特許庁
  • To provide a joining structure of a thermal diffusion member capable of suppressing heat stress of a joining interface, a cooling structure of a heating element, and a method for joining the thermal diffusion member, while using a thermal diffusion member made of a carbonaceous material.
    炭素系材料からなる熱拡散部材を用いつつ、接合界面の熱応力を抑制することができる熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法を提供する。 - 特許庁
  • An N^+ type diffusion layer 3 is formed by injecting N-type impurities to the surface of a silicon board 1, a P^+ type diffusion layer 4 is formed by injecting P-type impurities, and the P^+ type diffusion layer 4 is melted by irradiation with laser beams.
    シリコン基板１の表面にＮ型不純物を注入してＮ^＋型拡散層３を形成し、Ｐ型不純物を注入してＰ^＋型拡散層４を形成し、レーザ光を照射してＰ^＋型拡散層４を溶融させる。 - 特許庁
  • A gas diffusion layer 42a has a larger surface area than a gas diffusion layer 42b in the electrolyte film/electrode structure 12, and a sealing member 60 is arranged in correspondence with an outer peripheral edge part 45 of the gas diffusion layer 42a.
    電解質膜・電極構造体１２では、ガス拡散層４２ａがガス拡散層４２ｂよりも大きな表面積を有しており、シール部材６０が前記ガス拡散層４２ａの外周縁部４５に対応して配置される。 - 特許庁
  • The backlight unit includes: a circuit board 20 having a plurality of LEDs 22 arranged in grid form; a diffusion panel 62; and the support pin 50 which is arranged between the circuit board 20 and the diffusion panel 62 and supports the diffusion panel 62.
    バックライトユニットは、格子状に配置された複数のＬＥＤ２２を有する回路基板２０と、拡散パネル６２と、回路基板２０と拡散パネル６２との間に配置され、拡散パネル６２を支持する支持ピン５０とを備える。 - 特許庁
  • After a fuel electrode side gas diffusion layer 7 in which carbon powder and PTFE powder and an oxidant electrode side gas diffusion layer 8 are mixed and applied on the surface of the carbon paper, they are calcinated, and the gas diffusion layers 7 and 8 are fixed.
    カーボンペーパーの面上にカーボン粉とＰＴＦＥ粉末を混合して塗布した燃料極側ガス拡散層７および酸化剤極側ガス拡散層８をそれぞれ形成した後、焼成して各ガス拡散層７，８を定着する。 - 特許庁
  • A common diffusion layer 22b of the transistor 4 and the transistor 8 and a diffusion layer 22f of the transistor 6 which diffusion layers constitute a part of a storage node are connected by using a T-shaped trench wiring 28 buried in an interlayer insulating film.
    記憶ノードの部分を構成する、トランジスタ４およびトランジスタ８に共通の拡散層２２ｂと、トランジスタ６の拡散層２２ｆとを層間絶縁膜に埋め込まれたＴ字形状の溝配線２８を用いて接続する。 - 特許庁
  • The reflecting film includes light-diffusion particles for reflecting the fluorescent light and a binder material for binding the light-diffusion particles; and a depletion part which is not filled with the binder material, is formed at the periphery of the light-diffusion particles.
    反射膜は、蛍光を反射させる光散乱性粒子及びこの光散乱性粒子間を結合するバインダ材を含有し、光散乱性粒子の周辺部にバインダ材が充填されていない空乏部を形成する。 - 特許庁
  • The concentration of an N-type intrinsic base diffusion area 23 adjoining to the emitter diffusion area 23 of an L-PNP transistor is made higher than that of a base buried layer 3B adjoining to the collector diffusion area 16B of an L-PNP bipolar transistor.
    Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に隣接するＮ型真性ベース拡散領域２２の濃度を、Ｌ−ＰＮＰバイポーラトランジスタのコレクタ拡散領域１６Ｂに隣接するベース埋め込み層３Ｂの濃度より高くする。 - 特許庁
  • This semiconductor device has: a first-conductivity-type well 10; a plurality of first diffusion layers 200 formed in the well 10; a plurality of second diffusion layers 300 formed in the well 10; and a diffusion resistance layer 400 formed in the well 10.
    第１導電型のウェル１０、ウェル１０に形成された複数の第１の拡散層２００、ウェル１０に形成された複数の第２の拡散層３００、及びウェル１０に形成された拡散抵抗層４００を有する。 - 特許庁
  • In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source.
    縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１と、拡散源に外周部のみ接する支持基板５２を重ね、拡散源に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 54 55 56 57 58 59 60 61 62 .... 364 365 次へ＞

例文データの著作権について