「Diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 61 62 63 64 65 66 67 68 69 .... 364 365 次へ＞- It is also suitable that the lower layer of the Fe-Ni alloy plated layer is provided with an Fe-Ni diffusion plated layer or an Fe-Ni diffusion plated layer and an Ni plated layer.
前記Ｆｅ−Ｎｉ合金メッキ層の下層にＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層、またはＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層とＮｉメッキ層とを有することも好適である。 - 特許庁 - In the semiconductor device, an N-type diffusion layer 6 is formed as a source region so that it is convoluted with a P-type diffusion layer 5 as a backgate region.
本発明の半導体装置では、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５と重畳するように、ソース領域としてのＮ型の拡散層６が形成されている。 - 特許庁 - The lighting apparatus comprises a cavity including a light diffusion face, a light source, the light diffusion device, and at least one optical adjustment face having wavy arrangement.
本発明の照明装置は、光拡散面を含むキャビティと、光源と、光拡散デバイスと、波状配列が形成される少なく一つの光学調節面とを有する。 - 特許庁 - Alternatively, effect is obtained wherein pressure distribution in the gas diffusion pipe can be made uniform by decreasing the horizontal cross-sectional area of the gas diffusion pipe in relation to the flow direction.
あるいは、ガス拡散管の水平断面積を流れ方向に対して減少させることによってガス拡散管内部の圧力分布を均一にできる効果を得られる。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion electrode of a long life by constituting the electrode in such a manner that a hydrophobic property is not lost in a gas diffusion layer, thereby preventing its performance from being degraded by the infiltration of liquid.
ガス供給層において疎水性を失わないようにし、液が浸入することにより性能が低下するのを防いで長寿命のガス拡散電極を得る。 - 特許庁 - The diffusion path is provided by forming a contact, in which the upper section overlaps the lower section, thus creating a gap that serves as a hydrogen diffusion path.
拡散経路は、上部が下部と重なるコンタクトを形成し、それによって、トランジスタへの水素拡散経路として機能するギャップを生成することによって実現される。 - 特許庁 - A diffusion region of a light distribution pattern for a low beam is formed by the light reflected from the optical axis side region to ensure sufficient brightness in the diffusion region.
そして、この光軸側方領域からの反射光によりロービーム用配光パターンの拡散領域を形成させ、該拡散領域に十分な明るさを確保する。 - 特許庁 - The light diffusion plate 3 constitutes a liquid crystal display device 30, together with: a surface light source device 1 having a light source 2 arranged on the backside of the light diffusion plate; and a liquid crystal panel 20.
この光拡散板３は、その背面側に配置された光源２を備えた面光源装置１と、液晶パネル２０とで、液晶表示装置３０を構成する。 - 特許庁 - When the obtained resin sheet 53 is used as a light diffusion plate 10, surface contamination of the light diffusion plate 10 due to migration of the antistatic agent can be suppressed.
これにより、この樹脂シート５３を光拡散板１０として使用したときに、帯電防止剤の移行による光拡散板１０の表面汚染を抑制することができる。 - 特許庁 - After that, outward diffusion processing is carried out to diffuse part of boron in a surface layer area of the diffusion layer (12) into an atmosphere, and then a device active layer (11) is epitaxially grown.
その後、外方拡散処理を施して拡散層（１２）の表層域のボロンの一部を雰囲気中に拡散させた後、デバイス活性層（１１）をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - With the gate electrode 6 as a mask, a pair of high-concentration diffusion region 8 of a second conductive type which is higher in concentration than the second low-concentration diffusion region 3 is formed.
そして、ゲート電極６をマスクとして、第２低濃度拡散領域３よりも高濃度の第２導電型の一対の高濃度拡散領域８を形成する。 - 特許庁 - Consequently, a the occurrence of crystal defect resulting from re-crystallization is prevented at a boundary portion between a low-concentration impurity diffusion region and a high-concentration impurity diffusion region.
これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer capable of restraining a membrane-electrode assembly from drying, and to provide a fuel cell having the gas diffusion layer.
膜−電極接合体の乾燥を抑制できるとともに良好なガス拡散性を有するガス拡散層とこのようなガス拡散層を備える燃料電池とを提供する。 - 特許庁 - In an under support 2, the air diffusion pipe 42 for diffusing air to the hollow fiber membrane module 3 from air diffusion holes 45 through a skirt part 8 is integrally formed along with a pedestal 43.
アンダーサポート２において、散気孔４５から中空糸膜モジュール３に対してスカート部８を介して気体を散気する散気管４２を、台座４３と一体に形成する。 - 特許庁 - An anode electrode 12 is formed on a p-type diffusion layer 4 and a cathode electrode 13 is formed on the n-type high concentration diffusion layer 10 at the outer side of the light-receiving region.
受光領域の外側においては、ｐ型拡散層４上にアノード電極１２、ｎ型高濃度拡散層１０上にカソード電極１３が形成されている。 - 特許庁 - A common electrode 42 is formed by straddling the entire upper surface of the diffusion prevention layer 41 and the upper surface of the vibration plate 40 over an outer edge of the diffusion prevention layer 41.
拡散防止層４１の上面全域及び拡散防止層４１の外縁を越えて振動板４０の上面にまたがって共通電極４２を形成する。 - 特許庁 - As for a metal bump 23, a diffusion speed of gold-silver alloy of a second metal body 28 in aluminum is set lower than a diffusion speed of gold of a first metal body 27.
金属バンプ２３では、アルミニウムに対する第２金属体２８の金銀合金の拡散速度は第１金属体２７の金の拡散速度より小さく設定される。 - 特許庁 - To increase prediction accuracy of a density distribution by accurately dealing with a diffusion phenomenon of molecular density in dealing with diffusion material having a characteristic of decreasing with time after its occurrence.
発生後の時間により減少する特性を持つ拡散物質を扱う際、濃度による分子拡散現象を正確に扱い、濃度分布の予測精度を高める。 - 特許庁 - Thereafter, the floating diffusion 14 is brought into a floating state, the transfer transistor 12 is then turned on, and an electric charge is injected from the photodetector 11 to the floating diffusion 14.
その後、フローティングディフュージョン１４をフローティング状態にしてから転送トランジスタ１２をオンにし、フォトディテクタ１１からフローティングディフュージョン１４へ電荷を注入する。 - 特許庁 - In the gas diffusion part 13, a plurality of discharge holes 14 are formed on the peripheral surface of a gas diffusion body part 13a and a lower opening part 15 is formed almost on the whole of a bottom surface part.
空気拡散部１３は、本体部１３ａの周面に複数の排気孔１４が形成され、底面部の略全体に下部開口部１５が形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor product is constituted in such a structure that the drain diffusion of the phosphorus-diffused ESD protective off-transistor is not provided adjacently to an off-gate and the arsenic N+ diffusion 5 is provided in the adjacent area of an element separating region 8.
リン拡散のESD保護オフトランジスタのドレイン拡散をオフゲートに隣接せず、かつ素子分離領域８と隣接する領域に砒素N+拡散５を設ける構造とした。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a diffusion layer which serves as a bit line by thermal diffusion only immediately below a region which serves as a channel region.
チャネル領域となる領域の直下だけに熱拡散によってビット線となる拡散層を形成することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a polylactic acid film having an excellent light diffusion, weatherability, and heat resistance, and a polylactic acid system light diffusion film.
本発明は、光拡散性、耐候性、耐熱性に優れたポリ乳酸系フィルムの製造方法、およびポリ乳酸系光拡散フィルムを提供せんとするものである。 - 特許庁 - A diffusion plate 121 of the optical sheet part 120 has a transmittance distribution layer in which a height difference of transmittance is provided between the central part and the periphery part of the diffusion plate 121.
光学シート部１２０の拡散板１２１は、拡散板１２１の中央部と周辺部との間で透過率に高低差が設けられた透過率分布層を有する。 - 特許庁 - A diffusion layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1, and an insulating film 3 is formed on the surface of the diffusion layer 2 except on a region where a contact hole 4 is formed (a).
半導体基板１に拡散層２を形成し、拡散層２の表面のコンタクトホール４の形成領域を除いた表面に絶縁膜３を形成する（ａ）。 - 特許庁 - In this semiconductor device, LOCOS oxide films 14, 15, and N-type diffusion layers 22, 23 are formed around a P-type diffusion layer 18 as an emitter region.
本発明の半導体装置では、エミッタ領域としてのＰ型の拡散層１８の周囲には、ＬＯＣＯＳ酸化膜１４、１５、Ｎ型の拡散層２２、２３が形成される。 - 特許庁 - An error diffusion result of the pixel adjacent to the concerned pixel by two pixels is obtained by a CWBa 708a at the same clock timing as that for the error diffusion operation on the concerned pixel.
注目画素から２つ隣の画素における誤差拡散結果は、注目画素の誤差拡散演算を行うのと同じクロックにてＣＷＢａ７０８ａで求める。 - 特許庁 - A diffusion pipe for diffusing water from the lower part of the electrodes 11, 12, and a blower outside the bath for feeding air to the diffusion pipe are arranged at the electrolytic bath 10.
電解槽１０には、電極１１・１２の下方から水の散気を行うための散気管と、散気管に空気を供給するための槽外のブロアとが配されている。 - 特許庁 - At least either the gas diffusion layer for the oxidant or the gas diffusion layer for the fuel has gas channels and communicating holes 300 communicated with each other in a thickness direction.
酸化剤用ガス拡散層及び燃料用ガス拡散層のうちの少なくとも一方は、厚み方向に連通するガス通路及び連通孔３００とをもつ。 - 特許庁 - Formation of a mask can be facilitated by employing an identical pattern in the diffusion layer constituting the source potential connection transistor and in the diffusion layer of a memory cell transistor.
また、ソース電位接続トランジスタを構成する拡散層の形状をメモリセルトランジスタの拡散層の形状と同一パターンにすることで、マスク作成の容易化を実現できる。 - 特許庁 - A polycrystalline silicon film 7 and a silicide film 8 on the n-type diffusion layer 5 are provided over the n-type diffusion layer 5, the sidewall film 6 and the element isolation film 3.
ｎ型拡散層５の上の多結晶シリコン膜７およびシリサイド膜８は、ｎ型拡散層５、側壁膜６、及び素子分離膜３にまたがって設けられる。 - 特許庁 - Manufacturing information is presented by forming a joining material pattern 16 on at least any one of peripheral parts 14 of the anode side gas diffusion layer 12 and the cathode side gas diffusion layer.
アノード側ガス拡散層１２あるいはカソード側ガス拡散層の少なくともいずれかの周縁部１４に、接合剤パターン１６を形成して製造情報を表現する。 - 特許庁 - To provide a light diffusion sheet which has no irregular shape such as knurls or emboss on metal mold for manufacturing an illumination lens, and a light diffusion lens molded out of the same.
電飾レンズを製造するための金型にローレット、シボ等の凹凸形状を設ける必要のない光拡散シート及びこれを成形した光拡散レンズを提供する。 - 特許庁 - The air current diffusion device (diffusion fan) is disposed near a blowoff port of the air conditioner so that air blown down from the air conditioner abuts on the blade members to rotate them.
この気流拡散装置（拡散扇）は、空気調和機の吹き出し口付近に、空気調和機から吹き降ろされる風が羽根部材に当たって回転するよう配設される。 - 特許庁 - To provide method for manufacturing an avalanche photodiode capable of easily forming a diffusion area and minimizing the occurrence of an error when forming the diffusion area.
拡散領域の形成が容易で、拡散領域を形成する際に誤差の発生を最小化することができるアバランシェフォトダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for joining a gas diffusion electrode constituting material and a metallic material for obtaining a gas diffusion electrode stable in electrode performance over a long period and having a long service life.
電極性能が長期間安定する寿命の長いガス拡散電極を得るためのガス拡散電極構成材と金属材との接合方法を提供する。 - 特許庁 - The light distribution variable lens 4 switches over between the condensing light distribution and the diffusion light distribution by being moved upward and downward at a front position of the light condensing/diffusion unit 3.
配光可変レンズ４は、集光/拡散兼用ＬＥＤユニット３の前方位置で上下方向に動かして集光配光と拡散配光を切り替える。 - 特許庁 - The interlattice atoms, which may cause the crystal defect, can be diffused by the above mentioned RTA treatment, but the diffusion of the impurity diffusion layer are not diffused.
このＲＴＡ処理は、結晶欠陥の原因となる格子間原子を拡散させるが、不純物拡散層の不純物は拡散させないように設定されている。 - 特許庁 - A thin impurity diffusion inhibition layer with an approximately 1 nm thickness is buried into a semiconductor region for forming such impurity diffusion layer as source/drain regions in advance.
ソース／ドレイン領域等の不純物拡散層を形成する半導体領域に予め、膜厚１ｎｍ程度の薄い不純物拡散抑制層を埋め込み形成しておく。 - 特許庁 - To provide an error diffusion processing method for a display device capable of reducing image quality disturbances such as periodic pattern noises appearing in performing error diffusion processing.
誤差拡散処理を行った際に現れる周期的なパターンノイズ等の画質妨害を低減することができる表示装置の誤差拡散処理方法を提供する。 - 特許庁 - A frame has slits 42 where both ends in a lateral direction of a diffusion sheet 20 and both ends in a lateral direction of a rectangular region 26 of the diffusion plate 18 are inserted.
フレームは、拡散シート２０の横方向の両端部及び拡散板１８の矩形領域２６の横方向の両端部が差し込まれるスリット４２を有する。 - 特許庁 - To provide a plane light source device, a liquid crystal display and a light diffusion plate, capable of restraining generation of powder due to contact between the diffusion plate and anti-deflection pins.
拡散板とたわみ防止ピンとの当接による粉体の発生を抑制することが可能な面光源装置、液晶表示装置及び光拡散板を提供する。 - 特許庁 - Consequently, a wind shielding plate 36 is provided so as to cover the bottom face of the diffusion film 24, and hitting of the stirred up dust to the bottom face of the diffusion film 24 is prevented.
このため、拡散フイルム２４の下面を覆うように遮風板３６を設け、巻き上げられた塵埃が拡散フイルム２４の下面に当たらないようにしている。 - 特許庁 - The air diffusion pipe 27 is provided with fragmentation members 38A-38D fragmenting air lump of the non-compressed surplus air d discharged into the water from the air diffusion pipe 27.
散気管２７は、この散気管２７から水中に排出される非圧縮の余剰空気ｄの空気塊を細分させる細分部材３８Ａ〜３８Ｄを備えている。 - 特許庁 - A first gas passage assembly 21 is laminated on a surface of the gas diffusion layer 19, and a second gas passage assembly 22 is laminated on a surface of the gas diffusion layer 20.
前記ガス拡散層１９の表面に第１ガス流路形成体２１を積層し、ガス拡散層２０の表面に第２ガス流路形成体２２を積層する。 - 特許庁 - The memory unit includes a first to a third diffusion layers juxtaposed in a row direction and elongated in a column direction to constitute a transistor connected in parallel with each of the diffusion layers.
メモリユニットは、行方向に沿って並置され列方向に伸長される第１〜第３拡散層を備え、各拡散層で並列接続のトランジスタが構成される。 - 特許庁 - When the ink filled on the substrate 1 is dried, the diffusion adjustment plate 24 is made to be located near the substrate 1 and drying is carried out suppressing diffusion of solvent.
基板１上に充填されたインクを乾燥する時に、拡散調整板２４を基板１の近くに位置させて溶剤の拡散を抑えながら乾燥を行う。 - 特許庁 - A first diffusion preventive layer 221 for preventing the diffusion of copper is continuously formed on the lowermost copper-containing wiring layer 132 and the photoelectric converting section 103.
銅の拡散を防止するための第１の拡散防止層２２１が、最下層の銅含有配線層１３２上及び光電変換部１０３上に連続的に形成される。 - 特許庁 - A diffusion barrier (220) is placed on the container (201) between the powder (205) and the container (201) to control diffusion between the powder (205) and the container (201).
粉体（２０５）と容器（２０１）との間における拡散を制御するように、容器（２０１）上で粉体（２０５）と容器（２０１）との間に拡散バリア（２２０）が置かれる。 - 特許庁 - An N-type diffusion layer 5 and a P-type diffusion layer 7 are formed in the N-type well 3 having a space between each other away from the P-type semiconductor substrate 1.
Ｐ型半導体基板１とは間隔をもってＮ型ウエル３に互いに間隔をもってＮ型拡散層５及びＰ型拡散層７が形成されている。 - 特許庁
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