「Dislocation」を含む例文一覧(2158)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 43 44 次へ＞- DISLOCATION SUPERCONDUCTIVITY TAPE UNIT AND SUPERCONDUCTIVE CABLE
転位超電導テープユニット及び超電導ケーブル - 特許庁 - The stacker control part 701 corrects lateral dislocation based on only the calculated lateral dislocation quantity Xs when the lateral dislocation quantity Xf is not received.
スタッカ制御部７０１は、横ずれ量Ｘｆを受信していない場合は、算出した横ずれ量Ｘｓのみに基づいて横ずれ補正を行う。 - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING DISLOCATION OF IMAGE, RECORDING MEDIUM RECORDING CORRECTING PROGRAM FOR DISLOCATION OF IMAGE, AND CORRECTING PROGRAM AND DEVICE FOR DISLOCATION OF IMAGE
画像の位置ずれ補正方法、画像の位置ずれ補正プログラムを記録した記録媒体、画像の位置ずれ補正プログラム、及び画像の位置ずれ補正装置 - 特許庁 - The ratio of the dislocation density of the high dislocation density 20h to the average dislocation density is sufficiently large for preventing propagation of cracks of the substrate.
ここで、平均転位密度に対する高転位密度２０ｈの転位密度の比が基板のクラックの伝搬を阻止するのに十分な大きさである。 - 特許庁 - To reduce a basal plane dislocation in a device.
デバイス中のベーサルプレーン転位を低減させること。 - 特許庁 - To provide a core dislocation measuring unit that can easily and precisely measure core dislocation and also has reproducibility.
芯ずれが簡単にかつ精度良く測定でき、しかも再現性のある芯ずれ測定装置を提供する。 - 特許庁 - By the growth of the facet structure, dislocation from the ground is bent, and the low dislocation area is formed.
ファセット構造が成長するにしたがい下地からの転位が曲がり低転位領域が形成される。 - 特許庁 - The etch pit is formed at a dislocation part, so the dislocation can be detected through the etch pit.
このエッチピットは転位部分に形成されたものであるから、エッチピットを通して転位を検出できる。 - 特許庁 - An interstitial dislocation loop is formed as uniformly distributed in the SiGe layer during the annealing.
このアニール中、格子間型転位ループ（interstitial dislocation loop）がＳｉＧｅ層内に均一に分布するものとして形成される。 - 特許庁 - METHOD FOR REDUCING DISLOCATION DENSITY OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
半導体発光素子の転位密度低減方法 - 特許庁 - To provide a substrate for growing semiconductor for making dislocation less and a light-emitting element having fewer dislocation.
転位を少なくする半導体成長用基板および転位の少ない発光素子を提供する。 - 特許庁 - The dislocation density of the dislocation texture is 1×10^4 cm^-2 or higher and 1×10^12 cm^-2 or lower.
転位組織の転位密度は、１×１０^4 ｃｍ^-2以上１×１０^12ｃｍ^-2以下であった。 - 特許庁 - DISLOCATION REDUCTION IN NON-POLAR GALLIUM NITRIDE THIN FILM
非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減 - 特許庁 - A misfit dislocation density at an interface 27a is lower than a misfit dislocation density at an interface 27b.
界面２７ａにおけるミスフィット転位密度は界面２７ｂにおけるミスフィット転位密度より低い。 - 特許庁 - The threading dislocation density D_12 of a second area 15b is larger than the threading dislocation density D_1.
第２の領域１５ｂは貫通転位密度Ｄ_１より大きい貫通転位密度Ｄ_１２を有する。 - 特許庁 - In S7, the machine origin of the work stage is compared with the gravity center position of the actual work, and a dislocation quantity from the machine origin (a dislocation quantity X in the horizontal direction, a dislocation quantity Y in the vertical direction and a dislocation quantity θ in the rotational direction) is arithmetically operated.
そして、Ｓ７で、加工ステージの機械原点と実ワークの重心位置とを比較して、機械原点とのズレ量（横方向のズレ量Ｘ、縦方向のズレ量Ｙ、回転方向のズレ量θ）を演算する。 - 特許庁 - Longitudinal dislocation, lateral dislocation and an inclination still remaining even when the dislocation is corrected by the loop formation, are detected by correcting the dislocation by integrally moving a loop roller and a register roller, and these dislocations are corrected based on a detecting result.
ループローラとレジストローラとを一体に移動させてズレ補正を行うことにより、ループ形成によるズレ補正を行ってもなお残る縦ズレ、横ズレ及び傾きを検知し、検知結果に基づいてこれらのズレを補正する。 - 特許庁 - A gallium nitride based semiconductor region 15 includes a first region 15c having a larger dislocation density than a second dislocation density, and a second region 15d having a smaller dislocation density that the second dislocation density.
窒化ガリウム系半導体領域１５は、第２の転位密度より大きい転位密度を有する第１の領域１５ｃと、第２の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域１５ｄとを含む。 - 特許庁 - a land mass whose side is rounded by dislocation
四方が断層面によって限られた陸地の塊 - EDR日英対訳辞書 - The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2.
本ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板は、１つ以上の高転位密度領域２０ｈと、高転位密度領域２０ｈよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域２０ｋと、を含み、平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁 - The laminate structure includes a first dislocation region that is located under the p-side electrode 123 and is configured to have a first dislocation density, and a second dislocation region configured to have a second dislocation density different from the first dislocation density.
積層構造体は、ｐ側電極１２３の下方の領域であって第１の転位密度となるように構成された領域である第１転位領域と、第１の転位密度とは異なる第２の転位密度となるように構成された領域である第２転位領域とを含む。 - 特許庁 - The unevenness of the frame is for preventing dislocation of the cooking paper or the like.
枠の凹凸はクッキングペーパー等のズレ防止である。 - 特許庁 - A reference dislocation preventing element and an opposed movable dislocation preventing element are provided as the dislocation preventing element to accurately determine the machining reference of the workpiece.
ずれ止め要素として、一個の基準ずれ止め要素とこれに対向する可動ずれ止め要素とを設けることにより、ワークの加工基準を正確に定めることができる。 - 特許庁 - To define the direction of the dislocation line of a threading dislocation to suppress the deterioration of a device characteristics and the lowering of yield.
デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する。 - 特許庁 - To provide a measuring method of dislocation pit density in a wafer for accurately measuring the dislocation pit density, regardless of surface planarity and the overlapping of dislocation pits.
表面平坦度や転位ピットの重なりに左右されず転位ピット密度を高精度に測定できるウェーハにおける転位ピット密度の測定方法を提供する。 - 特許庁 - The linear defect is different from dislocation.
前記直線状欠陥は、転位とは異なる欠陥である。 - 特許庁 - Thereby, a self-standing GaN substrate having surface dislocation density of 4×10^7 cm^-2, rear surface dislocation density of 8×10^5 cm^-2, and a dislocation density ratio of 50 can be obtained.
以上のようにして、表面転位密度４×１０^７ｃｍ^−２、裏面転位密度８×１０^５ｃｍ^−２、転位密度比５０の自立ＧａＮ基板が得られる。 - 特許庁 - To restrain dislocation of a fin from a specified position.
フィンが規定位置からずれてしまうことを抑制する。 - 特許庁 - To prevent dislocation in overlapping of a photosensitive sheet and an image receiving sheet.
感光シートと受像シートの重なりズレを防止する。 - 特許庁 - WIRE ELECTRIC DISCHARGE MACHINING MACHINE AND METHOD FOR CALCULATING CORE DISLOCATION VALUE
ワイヤ放電加工機及び芯ずれ値算出方法 - 特許庁 - To provide a method for performing calibration by determining dislocation of the optical axis of a sensor with respect to a hand; and a method for performing calibration by determining dislocation of the hand with respect to an arm.
ハンドに対するセンサの光軸のずれを求めてキャリブレーションを行う方法を提供する。 - 特許庁 - SEED CRYSTAL USED FOR GROWTH OF NON-DISLOCATION SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING NON- DISLOCATION SILICON SINGLE CRYSTAL
無転位シリコン単結晶成長に用いる種子結晶および無転位シリコン単結晶の製造方法 - 特許庁 - The laser beam guide region is provided above the low dislocation region and is nearly parallel with the dislocation concentrated region.
レーザ光導波領域は低転位領域上に設けられており、転位集中領域と略平行である。 - 特許庁 - MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD AND MEASURING METHOD FOR INTER-LAYER DISLOCATION
多層プリント配線板と、その層間ズレの測定方法 - 特許庁 - The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate.
この格子間型転位ループが、ＳｉＧｅ層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。 - 特許庁 - In this case, no dislocation occurs in the growth crystal 16 because the crystalline nucleus 14 of non-dislocation is used.
このとき、無転位の結晶核１４を核としているため、成長結晶１６中に転位は発生しない。 - 特許庁 - To easily provide a nitride-base semiconductor device having excellent device characteristics by forming, at good yield, nitride-base semiconductor layers in which all dislocation densities of edge-shaped dislocation, helical dislocation and mixed dislocation are decreased.
刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された窒化物系半導体層を歩留まり良く形成することによって、良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を容易に提供する。 - 特許庁 - The rack gear 24a in the negative dislocation rack 24 is generating processed by the loop shaped nodal part of the negative dislocation curve.
負転位ラック２４におけるラック歯２４ａは、負の転位曲線のループ状の結節部により創成加工されている。 - 特許庁 - To prevent a crystal defect failure due to dislocation.
転位による結晶欠陥不良を防止できるようにする。 - 特許庁 - A positional dislocation forecasting means 20 forecasts the quantity of positional dislocation from the measured water content in comparison with the table memory 24.
位置ズレ量予測手段２０は、測定した含水率からテーブルメモリ２４を参照して位置ズレ量を予測する。 - 特許庁 - To provide a paper dislocation preventive mechanism which prevents dislocation of a plurality of overlapped paper in a simple method.
簡易的な方法で複数枚の重なった用紙のズレを防止することができる用紙のズレ防止機構を提供する。 - 特許庁 - Since an inclusion 103 prevents propagation of a dislocation 104, the dislocation density in the GaN crystal 102 is reduced.
インクルージョン１０３によって転位１０４の伝搬が阻止されるため、ＧａＮ結晶１０２の転位密度が減少する。 - 特許庁 - Consequently, dislocation between the multiple quantum dot layers is avoided.
このため、多重量子ドット層間の転位が回避される。 - 特許庁 - The dislocation density of the dislocation texture is within a range of 1×10^4 cm^-2 to 1×10^12 cm^-2.
この転位組織の転位密度は、１×１０^4 ｃｍ^-2以上１×１０^12ｃｍ^-2以下の範囲内となっている。 - 特許庁 - To prevent crystal defect failure by dislocation.
転位による結晶欠陥不良を防止できるようにする。 - 特許庁 - METHOD OF EVALUATING DISLOCATION DENSITY OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL
ＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF REDUCING DISLOCATION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
半導体素子、及び半導体素子の転位低減方法 - 特許庁 - The dislocation concentration of the substrate is propagated also to the laminated structure, and the dislocation concentrated area is generated at a site positioned at the upper side of the dislocation concentrated area of the substrate also in the laminated structure.
基板の転位集中は積層構造にも伝搬して、積層構造にも、基板の転位集中領域の上方に位置する部位に、転位の集中した領域が生じる。 - 特許庁 - A conductive gallium nitride substrate 13 comprises a first region 13c having first dislocation density, and a second region 13d having second dislocation density smaller than the first dislocation density.
導電性窒化ガリウム基板１３は、第１の転位密度を有する第１の領域１３ｃと、第１の転位密度より小さい第２の転位密度を有する第２の領域１３ｄとを含む。 - 特許庁 - Further, through dislocation can be reduced by the nano-column.
また、ナノコラムによって貫通転位を減少することもできる。 - 特許庁
- 特許庁
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