「DoF」を含む例文一覧(82)
＜前へ 1 2- To provide a pattern forming method excellent in sensitivity, limit resolution, roughness properties, exposure latitude (EL), post exposure bake (PEB) temperature dependency and depth of focus (DOF), and a resist composition.
感度、限界解像力、ラフネス特性、露光ラチチュード（ＥＬ）、露光後加熱（ＰＥＢ）温度依存性、及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れたパターン形成方法並びにレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - A height H of the fuse element 20 is larger than a depth of focus DOF of a laser beam to be given, and the diameter D of the fuse element 20 is smaller than a diffraction limit DL of the laser beam.
ヒューズ素子２０の高さＨは、照射するレーザビームの焦点深度ＤＯＦよりも大きく、ヒューズ素子２０の径Ｄは、レーザビームの回折限界ＤＬよりも小さい。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method with the excellent exposure latitude (EL) and focus margin (DOF) capable of reducing the line width irregularity (LWR) and residual defect, a chemically amplified resist composition and a resist film.
露光ラチチュード（ＥＬ）及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れ、線幅バラツキ（ＬＷＲ）及び残渣欠陥を低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a copolymer having excellent lithographic characteristics such as development contrast and DOF in semiconductor lithography and provide a composition containing the copolymer and a thiol compound to give the copolymer.
半導体リソグラフィーにおいて、現像コントラストやＤＯＦ等のリソグラフィー特性の優れた共重合体と該共重合体を含む組成物及び該共重合体を与えるチオール化合物を提供する - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that is excellent in resolution such as a critical dimension with no bridge defects, and DOF, as well as a resist film and a pattern forming method using the composition.
ブリッジ前寸法等の解像力、ＤＯＦに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent the deterioration in depth of focus(DOF) as some of the layouts of fine hole patterns make the arrangement of auxiliary patterns infeasible in forming the fine hole patterns by using a photoresist and a mask arranged with the auxiliary patterns.
ポジレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する際、微細ホールパターンのレイアウトによっては補助パターンを配置できずに焦点深度（ＤＯＦ）が劣化する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition useful as a chemically amplified resist excelling particularly in depth of focus (DOF) and capability of substantially decreasing development defects, while maintaining excellent basic performance as a resist.
レジストとしての十分な基本性能を維持しつつ、特に、焦点深度（ＤＯＦ）に優れ、かつ現像欠陥が著しく低減された化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist composition for acquiring a pattern having a high focus margin (DOF), CD uniformity (CDU), and a mask error factor (MEF), and a forming method of a resist pattern using the resist composition.
優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）、ＣＤ均一性（ＣＤＵ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which enable formation of a pattern which is superior in the depth of focus (DOF) and in roughness characteristics and having few bridge defects and few chips.
フォーカス余裕度（ＤＯＦ）及びラフネス特性に優れ且つブリッジ欠陥及び欠けの少ないパターンを形成可能とするパターン形成方法並びに感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition that has high resolution performance and has a good balance between DOF (Depth Of Focus) and MEEF (Mask Error Enhancement Factor) in forming a fine pattern of 90 nm or less, and is suitably used also for a liquid immersion exposure process.
９０ｎｍ以下の微細パターン形成において、解像性能に優れるだけでなく、ＤＯＦとＭＥＥＦのバランスに優れ、液浸露光プロセスにも好適に利用されうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which improves LWR, development defects and DOF and is adapted to a liquid immersion process with a line width of ≤45 nm, and a pattern forming method using the same.
ＬＷＲ、現像欠陥及びＤＯＦが改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスに適合した感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a sufficient DOF (depth of focus) margin can be assured in both of dense and sparse regions even in a mixture region of a region where openings are densely formed and a region where openings are sparsely formed.
開口が密に形成された領域と、疎に形成された領域とが混在する場合に、疎密いずれの領域においても、十分なＤＯＦマージンを確保することができる半導体装置の製造方法を提案する。 - 特許庁 - To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which has improved DOF (Depth Of Focus), storage stability, resolution and pattern features and suitable even for a liquid immersion process for a line width of not more than 45 nm, and to provide a pattern forming method using the composition.
ＤＯＦ、保存安定性、解像性、パターン形状が改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method and a chemically amplified negative resist composition exhibiting a large depth of focus (DOF) and small line width roughness (LWR) and being capable of forming a pattern having a superior pattern shape and reduced bridge defects.
フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、パターン形状に優れ、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及び化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを課題としている。 - 特許庁 - To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive composition having excellent roughness characteristics such as LWR (line width roughness), DOF (depth of focus) for an isolated space pattern (trench pattern) and exposure latitude, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.
ＬＷＲ等のラフネス特性、孤立スペースパターン（トレンチパターン）のＤＯＦ、及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive photoresist composition capable of forming a fine pattern of about 0.35 μm in photolithography using i-line (365 nm), excel lent in DOF characteristics in such an ultrafine region and having attained high sensitivity.
ｉ線（３６５ｎｍ）を用いたホトリソグラフィ技術において、０．３５μｍ程度の微細なパターン形成が可能で、そのような超微細な領域においてＤＯＦ特性に優れ、かつ高感度化が達成されたポジ型ホトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition that attains both low acid diffusibility and high dissolution contrast, and is improved in a DOF and roundness or LWR of a hole pattern or a trench pattern by suppressing chemical flare caused by a produced acid or a quencher.
低酸拡散性と高い溶解コントラストを両立すると共に、発生酸やクエンチャーなどによるケミカルフレアを抑制することにより、ホールパターンやトレンチパターンのＤＯＦと真円性もしくはＬＷＲを改善したポジ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁 - To provide a method and a device of simulation capable of designing an aperture so as to obtain an optimum resolution and DOF and a recording medium where the method of simulation is recorded which can be read out by a computer, considering the layout status of a circuit pattern in a photomask.
フォトマスクの回路パターンのレイアウト状態を考慮し、最適の解像度及びＤＯＦを得るようにアパーチュアを設計できるシミュレーション方法及び装置、及びシミュレーション方法を記録したコンピュータで読み取りできる記録媒体を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive type radiosensitive composition with its resolution, defocus latitude (DOF) and line edge roughness(LER) improved on the basis of lithographic technology using a shortwave exposure illuminant enabling supermicro-fabrication, a lamination technique and a positive type chemically- amplified resist.
超微細加工が可能な短波長の露光光源、薄膜化技術及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力、デフォーカスラチチュード（ＤＯＦ）、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が改善されたポジ型感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having an excellent in resolution such as a critical dimension with no bridge defects, LWR and DOF, and having favorable sensitivity and PED stability; and to provide a resist film using the composition, and a pattern forming method.
ブリッジ前寸法等の解像力、ＬＷＲ及びＤＯＦに優れると共に、感度及びＰＥＤ安定性も良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a photoresist composition having good sensitivity and satisfying heat resistance, resolution, linearity and DOF property required as a photoresist composition for manufacture of a system LCD in which an integrated circuit and a liquid crystal display section are formed on one substrate.
１つの基板上に集積回路と液晶ディスプレイ部分が形成されるシステムＬＣＤの製造用として要求される耐熱性、解像性、リニアリティ、およびＤＯＦ特性を満足するとともに、良好な感度を有するホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition suitable not only to a normal dry process but also to an immersion process for a line width of 45 nm or less and improved in the DOF, pattern collapse and iso/dense bias, and to provide a resist film and a pattern forming method each using the composition.
通常のドライプロセスに加え、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した、ＤＯＦ、パターン倒れ、及び疎密依存性が改良された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method excellent in line width variation (LWR), focus latitude (DOF) and pattern profile to more stably form a high-precision fine pattern for producing a highly integrated high-precision electronic device, and to provide a resist composition and a resist film suitable for the method.
高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ（ＬＷＲ）、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）及びパターン形状に優れるパターン形成方法、並びにこれに好適なレジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁 - To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that can sufficiently reduce development defects in manufacturing semiconductors, particularly, in the formation of a contact hole pattern, and exhibits the superior depth of a focus (DOF), and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.
半導体製造の特にコンタクトホールパターン形成において、現像欠陥を充分に低減できるとともに、焦点深度（ＤＯＦ）に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method for creating the potatoes comprises transferring potatoes with the gene to express the gene in the original potatoes.
Dofファミリーに属するDNA結合タンパク質をコードする遺伝子をバレイショに導入し、該遺伝子を該バレイショにおいて発現させることを特徴とする、同一条件で栽培した非形質転換バレイショと比べて植物体あたり得られる塊茎の収穫量が増加したバレイショを作出する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a negative-type radiation-sensitive composition that has a high resolution, has a wide depth of focus (DOF), provides a proper pattern shape, and forms a curing pattern of a low-relative dielectric constant, and to provide a curing pattern that uses the pattern and a forming method of the curing pattern.
高解像度であり、焦点深度（ＤＯＦ）が広く、得られるパターン形状が良好であり、且つ低比誘電率な硬化パターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、並びに、それを用いてなる硬化パターン及びその形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist composition for negative development excellent in line width roughness (LWR), exposure latitude (EL) and depth of focus (DOF) and a pattering process using the same, in order to more stably form a high-accuracy fine pattern for manufacturing a highly-integrated and high-accuracy electronic device.
高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ（ＬＷＲ）、露光ラチチュード（ＥＬ）及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition for a chemically amplifying resist having excellent sensitivity even at a low PEB (post exposure baking) temperature, highly balanced lithographic performances such as LWR (line width roughness) and DOF (depth of focus), and sufficient etching durability, and to provide a pattern forming method, a polymer and a compound of the composition.
ＰＥＢ温度が低温であっても、感度等に優れ、ＬＷＲ、ＤＯＦ等のリソグラフィー性能が高度にバランスし、エッチング耐性をも十分に満足する化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物、そのパターン形成方法、その重合体、及び化合物を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist composition capable of improving the performance in minute processing of a semiconductor element using an electron beam, an X ray, a KrF excimer laser beam, or an ArF excimer laser beam, excellent in terms of sensitivity, resolution, focal margin (DOF) performance, LWR, reduction of blur, and reduction of pattern surface roughness; and to provide a pattern-forming method using the same.
電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上であり、感度、解像力、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）性能、ＬＷＲ、裾引き低減、パターン表面荒れの低減に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of suppressing occurrence of standing waves, having high sensitivity, having a large depth of focus (DOF) and having excellent in-plane uniformity (CDU) of a linewidth when a highly reflective substrate is directly used without using an antireflection film, and a resist film using the composition, and a pattern formation method.
反射防止膜を用いず高反射基板をそのまま用いた場合において、定在波の発生が抑制され、感度が高く、焦点深度（ＤＯＦ）が広く、線幅の面内均一性（ＣＤＵ）にも優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method for forming a pattern having a large depth of focus (DOF), small line width roughness (LWR) and reduced bridge defects, in order to more stably form a high-accuracy fine pattern for manufacturing a highly integrated and accurate electronic device, and to provide a chemical amplification resist composition used in the method and a resist film formed from the chemical amplification resist composition.
高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a photoacid generator for preparing a resist composition forming an excellent pattern shape because of excellent resolution, a wide margin of depth of focus (DOF), a small line edge roughness (LER) and further high sensitivity, and to provide a polymerizable monomer for preparing the photoacid generator in the resist composition composed of a resin having an acid unstable group and functioning as a positive resist, the acid generator and a solvent, etc.
酸不安定性基を有しポジ型レジストとして機能する樹脂、酸発生剤および溶剤などからなるレジスト組成物において、解像度に優れ、焦点深度余裕（ＤＯＦ）が広く、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が小さく、さらには感度が高いことから優れたパターン形状を形成できるたレジスト組成物を調製するための光酸発生剤およびそれを調製するための重合性単量体を提供する。 - 特許庁
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