「EUVL」を含む例文一覧(41)
- METHOD FOR FABRICATING EUVL MASK
ＥＵＶＬマスクの加工方法 - 特許庁 - To correct an amplitude defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film in an EUVL mask.
EUVLマスクのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の振幅欠陥を修正する。 - 特許庁 - To correct phase defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film of the blanks of an EUVL mask.
EUVLマスクのブランクスのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE FOR EUVL MASK, AND OF EUVL MASK USING THE SUBSTRATE
ＥＵＶＬマスク用基板の製造方法及びその基板を用いたＥＵＶＬマスクの製造方法 - 特許庁 - EUVL OPTICAL MEMBER, AND METHOD OF SMOOTHING THE SAME
ＥＵＶＬ用光学部材、およびその平滑化方法 - 特許庁 - OPTICAL MEMBER FOR EUVL AND SURFACE TREATMENT METHOD THEREFOR
ＥＵＶＬ用光学部材およびその表面処理方法 - 特許庁 - To provide a substrate of a mask for use of EUVL with high flatness.
平面度の高いＥＵＶＬ用マスクの基板を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING AMPLITUDE DEFECT IN MULTILAYER FILM OF EUVL MASK
ＥＵＶＬマスクの多層膜中の振幅欠陥修正方法 - 特許庁 - To provide a substrate for an EUVL optical member, in which a coefficient of linear thermal expansion in whole optical member is substantially zero, when executing EUVL.
ＥＵＶＬ実施時において、光学部材全体の線熱膨張係数がほぼゼロとなるＥＵＶＬ光学部材用基材の提供。 - 特許庁 - To improve the reliability of an EUV mask used in EUVL.
ＥＵＶＬにおいて用いるＥＵＶマスクの信頼性を向上させる。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING MASK FOR EUVL AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
ＥＵＶＬ用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a reflective mask for EUVL which is excellent in size controllability of a resist pattern.
レジストパターンの寸法制御性に優れたＥＵＶＬ用マスクの製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method of smoothing an optical surface of an EUVL optical member which has concave defects.
凹欠陥を有するＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for smoothing the optical surface having a concave defect of an optical component for EUVL.
ＥＵＶＬ用光学部材の凹欠点を有する光学面を平滑化する方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating EUVL mask 50, which fabricates a pattern of an absorbing layer 56 with high accuracy.
吸収層５６のパターンを精度よく加工することが可能な、ＥＵＶＬマスク５０の加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide TiO_2-SiO_2 glass having suitable thermal expansion properties as an optical member of an exposure tool for EUVL.
ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として好適な熱膨張特性を有するＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの提供。 - 特許庁 - To improve a yield in EUVL using a reflective exposure mask formed on a reflective exposure mask blank.
反射型露光用マスクブランクに形成された反射型露光用マスクを用いたＥＵＶＬにおいて、歩留まりを向上させる。 - 特許庁 - To provide a method by which the Tzc of a silica-titania glass EUVL mirror substrate (or an other) can be tuned to within a specific range.
シリカ−チタニアガラス製のＥＵＶＬ鏡（または、他の）基材のＴｚｃを、所望の特定の範囲に調節できるようにする。 - 特許庁 - To suppress as little as possible reduction of throughput caused by contamination on an optical surface in a projection exposure apparatus for EUVL (Extreme UltraViolet Lithography).
本発明は、ＥＵＶＬ用の投影露光装置における光学面の汚染によるスループットの低下をなるべく抑える。 - 特許庁 - To provide a TiO_2-SiO_2 glass having suitable thermal expansion properties as an optical member of an exposure tool for EUVL (Extreme UV Lithography).
ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として好適な熱膨張特性を有するＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの提供。 - 特許庁 - To provide a method of producing TiO_2-SiO_2 glass suitable for an optical member for extreme ultraviolet light (EUVL) capable of suppressing the occurrence of striae.
脈理の発生を抑えることができる、ＥＵＶＬ用光学部材に好適なＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a mask blank for EUV lithography (EUVL), in which in-plane nonuniformity of a peak reflectivity in an EUV wavelength range on a multilayer reflective film surface is corrected.
多層反射膜表面でのＥＵＶ波長域のピーク反射率の面内分布が解消されたＥＵＶＬ用マスクブランクを製造する方法の提供。 - 特許庁 - The surface treatment method for the optical member for EUVL is characterized in that the optical plane of an optical member for EUVL made of a quartz glass material having OH concentration of ≥100 ppm, essentially consisting of SiO_2 and comprising TiO_2 is subjected to GCIB (Gas Cluster Ion Beam) etching using a source gas comprising at least either fluorine or chlorine.
ＯＨ濃度が１００ｐｐｍ以上で、ＴｉＯ_2を含有し、ＳｉＯ_2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶＬ用光学部材の光学面に、フッ素または塩素の少なくとも一方を含有するソースガスを用いたＧＣＩＢエッチングを施すことを特長とするＥＵＶＬ用光学部材の表面処理方法。 - 特許庁 - To provide TiO_2-SiO_2 glass whose coefficient of linear thermal expansion upon irradiation with high EUV energy rays is substantially zero, which is suitable as an optical member of an exposure tool for EUVL.
ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として好適な、高ＥＵＶエネルギー光の照射時の線熱膨張係数がほぼゼロとなるＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの提供。 - 特許庁 - To provide a TiO_2-SiO_2 glass which is suitable for an optical member of an exposure tool for EUVL, and whose coefficient of linear thermal expansion at the time of irradiating with high EUV energy light becomes substantially zero.
ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として好適な、高ＥＵＶエネルギー光の照射時の線熱膨張係数がほぼゼロとなるＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの提供。 - 特許庁 - To provide a method for polishing a glass substrate required to have extremely high surface smoothness and surface accuracy as in a glass substrate for a reflective mask to be used in EUVL (Extreme Ultraviolet Lithography).
ＥＵＶＬ用反射型マスクなどに使用されるガラス基板のように極めて高い表面平滑性と表面精度が要求されるガラス基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁 - The reflective exposure mask MSK1 for use in EUVL includes a low reflectance conductor film LE1, a multilayered reflective film ML1, and an absorber AB1 which are formed sequentially on a mask substrate SUB1.
ＥＵＶＬ用の反射型露光用マスクＭＳＫ１は、マスク基板ＳＵＢ１上に順に形成された、低反射率導体膜ＬＥ１、多層反射膜ＭＬ１、および、吸収体ＡＢ１を有する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a reflective mask for EUV lithography (EUVL) using a reflective mask blank for EUVL configured by forming a reflective layer which reflects EUV light, an absorber layer which absorbs the EUV light at least in this order on a substrate, and which prevents formation of a diffusion layer on a reflective layer interface and decline of EUV light reflectivity by the formation of the diffusion layer.
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層が少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクを用いてＥＵＶＬ用反射型マスクを製造する方法であって、反射層界面での拡散層形成、およびそれによるＥＵＶ光線反射率の低下を防止する製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a new method for polishing glass by which surface roughness or under-surface defects not permissible for use in an extreme ultraviolet lithography (EUVL) are not caused, and to provide an optical element produced using the method.
極紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）プロセスでの使用に許容され得ない表面粗さまたは表面下欠陥を生じない、ガラスを研磨する新しい方法及びその方法を用いて作成される光学素子を提供する。 - 特許庁 - The lighting optical device illuminates a mask as an irradiated surface when it is applied to exposure equipment, e.g. an EUVL, without arranging a plane mirror in the optical path between the lighting optical system and a reflective mask.
照明光学装置は、例えばＥＵＶＬ露光装置に適用された場合に、照明光学系と反射型マスクとの間の光路中に平面鏡を配置することなく、被照射面としてのマスクを照明する。 - 特許庁 - To provide TiO_2-SiO_2 glass whose coefficient of linear thermal expansion in the range of the time of irradiation with EUV energy rays is substantially zero when used as an optical member of an exposure tool for EUVL and which has extremely high surface smoothness.
ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として使用した場合に、高ＥＵＶエネルギー光の照射時の線熱膨張係数がほぼゼロとなり、かつ超高平滑性を有するＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの提供。 - 特許庁 - The method by which the Tzc of the EUVL mirror substrate can be tuned to within the specific range by means of a selected final anneal that shifts Tzc of the substrate to the desired Tzc value is provided.
ＥＵＶＬ鏡基材のＴｚｃを、基材のＴｚｃを所望のＴｚｃ値にシフトさせる選択された最終アニールを行うことによって、特定の範囲になるように調節することができる方法が記載されている。 - 特許庁 - To provide a lighting optical device which can illuminate a mask as an irradiated surface when it is applied to exposure equipment, e.g. an EUVL, without arranging a plane mirror in the optical path between a lighting optical system and a reflective mask.
例えばＥＵＶＬ露光装置に適用された場合に、照明光学系と反射型マスクとの間の光路中に平面鏡を配置することなく、被照射面としてのマスクを照明することのできる照明光学装置。 - 特許庁 - To provide TiO_2-SiO_2 glass whose coefficient of linear thermal expansion at room temperature is nearly zero and where the physical property of a multilayer film is maintained for a long time by emitting hydrogen from the glass when used as the optical member of an exposure device for EUVL.
ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として使用した場合に、室温における熱膨張係数がほぼゼロとなり、ガラスから水素を放出させることで多層膜の物性を長時間維持させることが可能なＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの提供。 - 特許庁 - To obtain a silica glass suitable as a material for an optical member constituting an optical system used for EUVL, which has a low coefficient of thermal expansion within a range of 0 to 100°C, and on which the formation of concave defects is suppressed in a polishing step to achieve a high level of flatness.
０〜１００℃での熱膨張係数が小さく、高平坦度を達成するための研磨工程において凹欠陥の生成が抑制されていることで、ＥＵＶＬに使用される光学系を構成する光学部材の材料として好適なシリカガラスを得る。 - 特許庁 - Pattern of a master mask 11 is reduction projected onto a mask substrate 13 using a reduction projection optical system 12, e.g. EUVL, and unmagnified exposure is performed by means of an electron beam or hard X-rays using an unmagnified mask 13' made of the mask substrate 13.
ＥＵＶＬと同等の縮小投影光学系１２を用いて、マスターマスク１１のパターンをマスク基板１３上に縮小投影し、マスク基板１３から作成される等倍マスク１３’を用いて、電子ビームあるいは硬Ｘ線による等倍露光を行う。 - 特許庁 - To provide a ceramic material which is to be used as parts for manufacturing semiconductors, the parts to be disposed in an exposure device using extreme UV projection exposure techniques (EUVL) and to accept high heat quantity for the exposure process, and which hardly causes thermal deformation and which shows high heat conduction by radiation.
極紫外線投影露光技術（ＥＵＶＬ）を用いた露光装置内に配置され、露光処理に際し、高い熱量を受ける半導体製造用部品として用いられ、熱変形を受けにくく、輻射による伝熱の大きなセラミックスを提供する。 - 特許庁 - To the optical surface 11, having a concave failure, of an EUV lithography (EUVL) optical member 10 made of silica glass material which contains TiO_2 and whose main component is SiO_2, carbon dioxide gas laser 21 with a wavelength of 10.6 μm is irradiated at a peak intensity of 0.5 to 1.5 kW/cm^2.
ＴｉＯ_2を含有し、ＳｉＯ_2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用光学部材１０の凹欠陥を有する光学面１１に対して、波長１０．６μｍの炭酸ガスレーザ２１をピーク強度０．５〜１．５ｋＷ／ｃｍ^2で照射する。 - 特許庁 - To provide a TiO_2-SiO_2 glass wherein the thermal expansion coefficient is substantially zero at the time of irradiation with high-EUV energy light when used as an optical member for an exposure tool for EUVL, and physical properties of a multilayer can be kept over a long period of time by releasing hydrogen from the glass.
ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として使用した場合に、高ＥＵＶエネルギー光の照射時の熱膨張係数がほぼゼロとなり、ガラスから水素を放出させることで多層膜の物性を長時間維持させることが可能なＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの提供。 - 特許庁 - The method for producing an optical element suitable for EUVL comprises a step of providing a glass substrate with a shape of the desired optical element, and a step of polishing the shaped substrate using a high abrasive flow rate of >2.0 mL/cm^2/min.
発明はさらにＥＵＶＬに適する光学素子を作成する方法に向けられ、この方法は所望の光学素子の形状のガラス基板を提供する工程及び＞２.０ｍｌ/ｃｍ^２/分の高研磨スラリー流量を用いて整形済基板を研磨する工程を有する。 - 特許庁 - The silica-titania glass element suitable for EUVL is produced from glass having a coefficient of thermal expansion of 0±30×10^-9/°C or less and containing 5-10 wt.% titania, and having <10 nm mid-spatial frequency peak-to-valley roughness and <0.20 nm high-spatial frequency average roughness.
ＥＵＵＶに適する光学素子において、＜１０ｎｍの中空間周波数山対谷粗さ及び＜０.２０ｎｍの高空間周波数平均粗さを有するガラスでつくられ、０±３０×１０^−９/℃ないしさらに低い熱膨張係数を有し、５〜１０重量％のチタニアを含有する、シリカ−チタニアガラス素子である。 - 特許庁
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