「EXP」を含む例文一覧(103)

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  • Arrhenius equation: K=exp(-Ea/R(1/T-1/To)) (wherein Ea is the activation energy; R is the gas constant; T is the temperature of the rubber; To is the kneading temperature; K is the degree of vulcanization).
    K=exp(−Ea/R(1/T−1/To))但し、Eaは活性化エネルギー、Rはガス定数、Tはゴム温度、Toは混練温度、Kは加硫度。 - 特許庁
  • Wherein, formula 1 is η=α×exp(β/T), in which formula, η is viscosity (mPa s), T is an absolute temperature (K), α is a constant and β is a temperature coefficient.
    式1 η=α・exp(β/T)(式中、ηは粘度(mPa秒)、Tは絶対温度(K)、αは定数、βは温度係数を表す。) - 特許庁
  • (%); (d) dry heat shrinkage factor = 0-3% and (e) thermal intermediate elongation ≤1.8×exp(5.5×K/10^5) (%).
    (c)中間伸度≦1.5×exp(5.5×K/10^5 ) (%) (d)乾熱収縮率=0〜3% (e)熱時中間伸度≦1.8×exp(5.5×K/10^5 ) (%)。 - 特許庁
  • The electronic still camera 100 uses a drive dial 150 and a WB/EXP bracketing selection slide lever 160 to select a white balance bracketing mode.
    電子スチルカメラ100はドライブダイヤル150およびWB/EXPブラケッティング選択スライドレバー160によってホワイトバランスブラケッティングモードを選択する。 - 特許庁
  • This substrate treatment device 10 is provided with a treatment part 3 and an IF part 5, and the IF part 5 is adjacent to an exposure machine EXP separate from the device 10.
    基板処理装置10は処理部3とIF部5とを備え、IF部5は本装置10とは別体の露光機EXPに隣接している。 - 特許庁
  • When the data length of an Exp-Golomb coded data does not exceed a bus bit length, the entire coded data are output to the bus at one time.
    Exp−Golomb符号化されたデータのデータ長がバスのビット長を超えない時は、符号化されたデータの全てを1回でバスに出力する。 - 特許庁
  • When the exposure process for a semiconductor wafer 1W is carried out using the exposure light over wavelength of 200 nm EXP, a photomask MR on which a shielding light pattern 5 made by laminating a resist film 4a on a light absorbents organic film 3a with light absorbent for the exposure light EXP is placed, is used.
    半導体ウエハ1Wに対して、波長が200nmを越える露光光EXPを用いて露光処理を行う際に、その露光光EXPに対して吸光性を有する吸光性有機膜3a上にレジスト膜4aを積層してなる遮光パターン5が配置されたフォトマスクMRを用いる。 - 特許庁
  • Calculated values T_1^cal(λ) and T_2^cal(λ) of respective transmittances of the two samples obtained by a theoretical expression are compared with the measured spectral transmittances T_1^exp(λ) and T_2^exp(λ), and the refractive index n and the attenuation coefficient k of the optical medium are derived so that the differences therebetween are sufficiently small.
    理論式で得られた2つの試料のそれぞれの透過率の計算値T_1^cal(λ)とT_2^cal(λ)を、測定された分光透過率T_1^exp(λ)とT_2^exp(λ)と比較し、その差は充分小さくなるように、光学媒体の屈折率nと減衰係数kを導出する。 - 特許庁
  • The relationship is as follows: cell count = exp(a×occupying area ratio+b)( wherein, (a) is a coefficient dependent on the kind of cultured cell and a culture vessel 3, and b is a coefficient dependent on culturing conditions ).
    細胞数=exp(a×占有面積率+b) ここで、aは培養細胞の種類および培養容器3による係数、bは培養条件による係数である。 - 特許庁
  • To realize Exp-Golomb coding, required for coding a syntax element in H. 264/AVC, at high speed with a small-scale integrated circuit.
    H.264/AVCにおいてシンタックス要素を符号化するために必要となる、Exp−Golomb符号化を、小規模な集積回路によって高速に実現する。 - 特許庁
  • An emission treatment part 4 for treating an emission discharged from an exhaust port Exp of the engine E is connected to the masking part 33 by an exhaust pipe 37.
    また、内燃機関Eの排気ポートExpから排出された排気を処理するための排気処理部4とマスキング部33とは、排気管37により接続されている。 - 特許庁
  • The optical system OS1 for optical pickup apparatus is equipped with an expander lens EXP such that a coma aberration W2_CM (λms) as an off-axis characteristic when an objective OBJ and the expander lens EXP are combined is smaller than a coma aberration W1_CM (λms) as an off-axis characteristic of the objective lens OBJ alone.
    光ピックアップ装置用光学系OS1においては、対物レンズOBJ単体の軸外特性のコマ収差W1_CM(λrms)に対して、この対物レンズOBJとエキスパンダーレンズEXPとを組み合わせた場合の軸外特性のコマ収差W2_CM(λrms)が小さくなるようなエキスパンダーレンズEXPを備えている。 - 特許庁
  • In the expressions, B_1 is a film width in contact with the roller, α is contact angle, r is radius of the roller, R is radius of curvature, θ is a running time in liquid until the film separates from the roller and θ_1 is a running time in liquid until the film is brought into contact with the roller.
    β=B_1×α×r/R ・・・・・・・・・(1) γ=0.2055×B_1×{exp(−0.0273×θ_1)−exp(−0.0273×θ)}・・・(2)(式中、B_1はロールに接触するフィルム幅、αは接触角、rはロールの半径、Rはロールの曲率半径、θはフィルムがロールを離れるまでの液中の走行時間、θ_1はフィルムがロールに接触するまでの液中の走行時間を表す。) - 特許庁
  • At desired heat-treatment temperature, a heat treatment is carried out for a time which is once to twice as long as a time stipulated by t_A=3.45×10^-5×exp(+4834/T).
    所望する熱処理温度に対し、t_A=3.45×10^−5×exp(+4834/T)で規定される時間の1倍乃至2倍の間の時間をかけて熱処理を行なう。 - 特許庁
  • When the behavior is the stored behavior, a corresponding experience proper value EXPN is read out, and is added to a value of a present experience value EXP, and this value is updated (Step S104).
    記憶されている行動であった場合には、対応する経験固有値EXPNを読み出して、現在の経験値EXPの値に加算してこれを更新する(ステップS104)。 - 特許庁
  • The diffusion of the impurity can be suppressed first by keeping a semiconductor wafer W at a preheating temperature Tp satisfying a relation of tp≤847,500 exp (-0.01365 Tp) for a preheating time tp.
    まずtp≦847500exp(-0.01365Tp)を満たすような予備加熱温度Tpに半導体ウェハーWを予備加熱時間tp維持することによって不純物の拡散を抑制することができる。 - 特許庁
  • The magnification ratio f(d) is generally set as f(d)=exp((Ad^A)/(A+B(d^A-1)-C)), and can be set as f(d)=d^a in the case of the image of depth wherein d is 10 m or below.
    拡大率f(d)は一般的には、f(d)=exp((Ad^A)/(A+B(d^A−1)−C)とし、dが10m以下となる奥行きの画像の場合f(d)=d^aとしてもよい。 - 特許庁
  • Each substrate can be controlled easily since the order OE of the substrates transported to the exposing machine EXP is in agreement with the order OA of the substrates loaded into the treating section 3.
    また、露光機EXPに搬送する基板Wの順番OEは、処理部3に搬入された基板Wの順番OAと一致するので、各基板Wを容易に管理することができる。 - 特許庁
  • A means 11c is provided to convert car speed information VS into standard data VD=2/[1+ exp{-(VS-αVD}/TT1]-1 by using constant αVD and TT1 as input data to the neural network.
    ニューラル・ネットワークへの入力データとして、定数αVD,TT1を用いて、車速情報VSを規格データVD=2/[1+exp{−(VS−αVD)}/TT1]−1に変換する手段11cを設ける。 - 特許庁
  • The oxygen concentration in the silicon single crystal is regulated by correlating the temperature (T) and the ratio (β) with a function: 1/β×Exp(-E/T) using dissolution energy (E) of quartz to the silicon melt.
    温度(T)と比(β)とを、石英のシリコン融液に対する溶解エネルギ(E)を用いた関数1/β×Exp(−E/T)として関連させることによって、シリコン単結晶中の酸素濃度を調整する。 - 特許庁
  • A MPLS(multi-protocol label switching) capsuled header 100 contains, for example, a label region (Label: Label Value) 1-1, an experimental region (Exp: Experimental Use) 1-2, a stack region (S: Bottom of Stack) 1-3, and lifetime information (TTL: Time to Live) 1-4.
    MPLSカプセル化ヘッダ100は、例えば、ラベル領域(Label:Label Value)1−1、実験用領域(ExpExperimental Use)1−2、スタック領域(S:Bottom of Stack)1−3及び生存時間情報(TTL:Time toLive)1−4を含む。 - 特許庁
  • Thus, the experience proper value EXPN is determined every time when the player character operated by the player acts in a behavior unit stored in the table, and the experience value EXP is added.
    したがって、プレイヤにより操作されるプレイヤキャラクタが、テーブルに記憶されている行動単位で行動する毎に経験固有値EXPNが決定されて、経験値EXPが加算されていく。 - 特許庁
  • This circuit is provided with a memory 10 provided with an additional memory cell for storing defective data bit information on a memory cell, a comparing circuit 20 comparing output data DATO of the memory 10 with its expected value EXP for each data bit, and a BIST circuit 30 generating a required and sufficient test input pattern for detecting the defect of memory cells constituting the memory 10 and the expected value EXP and controlling test sequence.
    メモリセルの不良データビット情報を格納するための付加メモリセルを備えたメモリ10と、そのメモリ10の出力データDATOとその期待値EXPをデータビットごとに比較する比較回路20と、そのメモリ10を構成するメモリセルの不良を検出するために必要十分なテスト入力パターンおよび上記期待値EXPを発生しテストシーケンスをコントロールするBIST回路30とを備えた。 - 特許庁
  • If "No Control" is selected in a DOM (domestic) machine, "Overseas Type A" is set on the engine, and if "No Control" is selected in an EXP (overseas) machine, "Domestic Type" is set on the engine.
    DOM(国内向け)機で「管理しない」を選択された場合には、エンジンに対し「海外タイプA」を設定し、EXP(国外向け)機で「管理しない」を選択された場合には、エンジンに対し「国内タイプ」を設定するようにする。 - 特許庁
  • Thereafter, in order to satisfy the condition of 1-exp(-ε×(750÷Tp)^-10)>0.8 with Tp as the preliminary working temperature and ε as the mean strain during the preliminary working, Tp and ε are set, and the preliminary working is performed.
    その後、予備加工温度をTp、予備加工時の平均歪をεとして、1−exp(−ε×(750÷Tp)^−10)>0.8の条件を満たすようにTp及びεを設定して予備加工を実施する。 - 特許庁
  • When a flow-in side end part of the scroll casing is set as θ=0°, and a distance between a center part of the through flow impeller and the flow-in side end part is set as fly the scroll casing is formed in a shape which is represented by a formula r=r0×exp (nL×θ).
    スクロールケーシングを、スクロールケーシングの流入側端部をθ=0°とし、貫流羽根車の中心と流入側端部の距離をr_0とした時に、式r=r_0×exp(n_L×θ)によって表せる形状とした。 - 特許庁
  • By using an expander optical system EXP and a single piezoelectric actuator PZ formed into a unit, a lens L2 held by a lens holder HD2 is moved with a large amount of travel, or with a small amount of travel.
    エキスパンダー光学系EXPとユニット化された単一の圧電アクチュエータPZを用いることで、レンズホルダHD2に保持したレンズL2を大きな移動量で移動させることもでき、或いは小さな移動量で移動させることもできる。 - 特許庁
  • Then, the cold-iron source is worked so that a typical length L satisfies the formula L=exp(A×√T) and A=0.10C+0.30 according to the molten iron receiving time T and carbon content C (mass%) contained in the cold-iron source.
    ここで,冷鉄源は,代表長さLが,受銑時間Tおよび冷鉄源中に含まれる炭素濃度C(質量%)に応じて式L=exp(A×√T)およびA=0.10C+0.30を満たすように加工される。 - 特許庁
  • Thus, an emission discharged from the exhaust port Exp, flows within the treatment device 1 in the order of an inlet port 33a, the masking part 33, the exhaust pipe 37, and the treatment part 4, and is treated in the treatment part 4.
    これにより、排気ポートExpから排出された排気は、導入ポート33a−マスキング部33−排気管37−排気処理部4の順に排気処理装置1内を流通して、排気処理部4において処理される。 - 特許庁
  • The apparatus can suppress variations in total quality including the treatment on the substrate treatment lines L and exposure by the exposure machine EXP among a plurality of substrates W being subjected to the same type of treatment in the same substrate treating line L.
    これにより、同じ基板処理列Lで同種の処理が行われる複数の基板W間において、基板処理列Lにおける処理と露光機EXPにおける露光とを含んだ全体の処理品質がばらつくことを抑制することができる。 - 特許庁
  • μc=μ×exp(n×(C_c/C-1))...(1) (In the expression, n represents a thickening coefficient, C represents a solute concentration (wt.%) before concentration, C_c represents a solute concentration (wt.%) after concentration, μ represents a viscosity (cP) before concentration, and μ_c represents a viscosity (cP) after concentration.)
    μc=μ×exp(n×(C_c/C−1)) (1)(式中、nは増粘係数、 Cは濃縮前の溶質濃度(重量%)、 C_cは濃縮後の溶質濃度(重量%)、 μは濃縮前の粘度(cP)、 μ_cは濃縮後の粘度(cP)、 を表す。) - 特許庁
  • The obtained maximum luminance (Lm) is used to calculate a maximum use time (Ts) which is a use time up to when the maximum luminance of the back light 113 of the LCD panel 133 reaches the limit luminance (Lt) from a Lehmann's expression of maximum luminance (Lm)=Lm(0)(exp(-√(t/τ))).
    得られた最大輝度(Lm)を用いて、レーマンの式:最大輝度(Lm)=Lm(0)(exp(−√(t/τ)))に基づいて、LCDパネル133のバックライト113の最大輝度が限界輝度(Lt)となるまでの使用時間である最大使用時間(Ts)を算出する。 - 特許庁
  • In the substrate treatment apparatus, a prescribed time RT is determined, which is a time from a time when a interface block 5 receives a substrate W after exposure from an exposure unit EXP to a time when one of heating sections PHP7-PHP12 starts heat treatment to the substrate W after exposure.
    露光ユニットEXPからインターフェイスブロック5が露光後の基板Wを受け取った時点から加熱部PHP7〜PHP12のいずれかにて当該基板Wの露光後加熱処理を開始するまでの規定時間RTを決定する。 - 特許庁
  • (N) duplications of an observed FID signal are formed while the processing defined by numerical formulae exp(-t/τ') and τ'(i)=τ_0+Δi is applied to the duplicated FID signal data and spectrum processing is performed with respect to all of the duplicated FID signals.
    本発明では観測したFID信号のN個の複製を作成し、複製FID信号データに対して数式exp(−t/τ’)、τ’(i)=τ_0+Δiで定義される処理を行い、すべての複製FID信号に対するスペクトル処理を行う。 - 特許庁
  • A substrate W where resist films are formed is placed on a substrate placement part PASS9, and then is passed to a sending substrate placement part SPASS by a delivery robot BR on an interface block 5, further being sent out to an exposure unit EXP by a sending transfer robot SBR.
    レジスト膜が形成された基板Wは基板載置部PASS9に載置された後、インターフェイスブロック5の受渡ロボットBRによって送り基板載置部SPASSに渡され、さらに送り搬送ロボットSBRによって露光ユニットEXPに送り出される。 - 特許庁
  • Further, exhaust air properties and spatial velocity SV are obtained from the various operating statuses, and the amount m of accumulated PM after elapse of the minimal time period Δt is estimated from an equation for estimating the amount of accumulated PM: m=m×exp(-B×Δt) derived in consideration of determined exhaust air property and spatial velocity SV (S4).
    また、各種運転状態より排気性状及び空間速度SVを求め、これを考慮して導き出したPM堆積量推定式「m=m・exp(−B・Δt)」から微小時間Δt経過後のPM堆積量mを推定する(S4)。 - 特許庁
  • In the testing device, each of a plurality of modules mod_pin includes an expected value comparison part 20 for comparing diagnosis data RDATA_pin, showing a diagnosis result with corresponding expected value data EXP, and outputs comparison determination data CDATA_pin, showing a comparison result by the expected value comparison part 20.
    複数のモジュールmod_pinはそれぞれ、その診断結果を示す診断データRDATA_pinをそれと対応する期待値データEXPと比較する期待値比較部20を含み、期待値比較部20による比較結果を示す比較判定データCDATA_pinを出力する。 - 特許庁
  • A signal processing section 30 compares the output code D_OUT captured on each step with a corresponding expected code EXP, corrects the value of the analog voltage V_IN on each step in accordance with the result of comparison, and causes the voltage generation section 10 to output the corrected analog voltage V_IN.
    信号処理部30は、各階調においてキャプチャされた出力コードD_OUTを対応する期待値コードEXPと比較し、比較結果に応じて各階調のアナログ電圧V_INの値を補正し、電圧生成部10に補正後のアナログ電圧V_INを出力させる。 - 特許庁
  • When the substrate W reaches one of the heating sections PHP7-PHP12, a conveyance time required from the reception of the substrate W from the exposure unit EXP to the arrival of the substrate W at the heating sections PHP7-PHP12 is subtracted from the prescribed time RT to calculate a standby time.
    加熱部PHP7〜PHP12のいずれかに基板Wが到達したときに、その基板Wを露光ユニットEXPから受け取った時点から該基板Wが加熱部PHP7〜PHP12に到達するまでに要した搬送時間を規定時間RTから減じて待機時間を算定する。 - 特許庁
  • The network processor which actualizes a neural network by using the look-up table (12) performing output regarding a radial base function deforms the radial base function, inputs xK-ajK (K=1, 2...) to the look-up table (12), and holds a value exp(-bjuK2) in the look-up table (12).
    動径基底関数に係る出力をするルックアップテーブル(12)を用いてニューラルネットワークを実現するネットワーク用プロセッサにおいて、前記動径基底関数を変形して、x_K−a_jK(K=1,2,…)を前記ルックアップテーブル(12)の入力とし、exp(−b_ju_K^2)の値を前記ルックアップテーブル(12)に保持させる。 - 特許庁
  • An optimum clock among a plurality of clocks obtained by delaying the reference clock CLK with various amounts of delay different from one another is supplied to the F/F group 1 just after an input pin in accordance with the amount of delay to the reference clock CLK of the clock EXP-CLK inputted from the LSI of the preceding stage.
    前段のLSIから入力されたクロックEXP−CLKの基準クロックCLKに対する遅延量に応じて、基準クロックCLKを互いに異なる遅延量で遅延させた複数のクロックのうち最適なクロックが入力ピン直後のF/F群1に供給される。 - 特許庁
  • The Fig (B) enables proper driving using a driving method of Fig (A) in which a voltage Vo is applied to a virtual driving terminal inside the driving circuit 11 by parameters A and T inherent for the cable to turn a voltage of a terminal (c) into Vo*[1-A*exp(-T*t/((T*Ro+R)*C))].
    図11(B)は、ケーブル固有のパラメータAとTにより、駆動回路11の内部にある仮想駆動端に電圧Voを加えて終端cの電圧をVo*[1−A*exp(−T*t/((T*Ro+R)*C))]にする図11(A)に示す駆動方法により適正駆動が可能である。 - 特許庁
  • A target valve overlap quantity OVP is acquired on the basis of an engine rotational speed NE and a load factor L of the internal combustion engine, and a target displacement angle EXP of an exhaust side cam shaft is calculated on the basis of the target valve overlap quantity OVP and an actual displacement angle INR of an intake side cam shaft.
    内燃機関の機関回転速度NEと負荷率Lに基づいて目標バルブオーバラップ量OVPを求め、この目標バルブオーバラップ量OVP及び吸気側カムシャフトの実変位角INRに基づいて排気側カムシャフトの目標変位角EXPを算出する。 - 特許庁
  • In an exposure unit EXP dealing with liquid-immersion exposure; a cleaning substrate CW used for cleaning operation of a substrate stage, and a dummy substrate DW used for performing adjustment of an exposure position of a pattern image, are previously held in a dummy substrate storage 91 of a substrate processing apparatus SP, and a cleaning substrate storage 92, respectively.
    液浸露光対応の露光ユニットEXP内にて基板ステージの洗浄作業に使用するクリーニング基板CWおよびパターン像の露光位置の調整を行うときに使用するダミー基板DWをそれぞれ基板処理装置SPのダミー基板格納部91およびクリーニング基板格納部92に保持しておく。 - 特許庁
  • This relay optical system is constituted of a first group G1 having negative refracting power and a second group G2 having positive refracting power orderly arranged from an inter-mediate image formation position I to a light exit side, and a distance from the last lens surface of the second group G2 to an exit pupil position EXP is selected to be ≥30 mm.
    中間結像位置Iから射出側へ順に配置された、負の屈折力を有する第1群G1と、正の屈折力を有する第2群G2とから構成されていて、第2群G2の最終レンズ面から射出瞳位置EXPまでの距離が30mm以上になるように選定されている。 - 特許庁
  • This optical system OS1 for optical pickup apparatus which is thus constituted can suppress an increase in coma aberration of a light convergence spot resulting of incidence of oblique luminous flux on the objective OBJ when a 1st lens group L1 of the expander lens EXP has an eccentricity error to the objective OBJ.
    このように光ピックアップ装置用光学系OS1を構成すると、エキスパンダーレンズEXPの第1レンズ群L1が対物レンズOBJに対して偏芯誤差を持った場合に、対物レンズOBJに対して斜め光束が入射することにより発生する集光スポットのコマ収差の増大を抑制できる。 - 特許庁
  • This system is composed of a 1st group G1 with negative refracting power and 2nd group G2 with positive refracting power which are arranged in order from an intermediate imaging position I to an projection side and the distance from the final lens surface r8 of the 2nd group G2 to an exit pupil position EXP is set to 30 to 90 mm.
    中間結像位置Iから射出側へ順に配置された、負の屈折力を有する第1群G1と、正の屈折力を有する第2群G2とから構成されていて、第2群G2の最終レンズ面r8から射出瞳位置EXPまでの距離が30mm〜90mmに選定されている。 - 特許庁
  • On the other hand, the substrate W on which pattern exposure processing is carried out by the exposure unit EXP is received by a return transfer robot RBR to be placed on a return substrate placement part RPASS, and then is transferred by a transfer robot TR4 to any one of PHP 7 through PHP 12 that perform post-exposure baking process.
    一方、露光ユニットEXPにてパターン露光の施された基板Wは戻り搬送ロボットRBRによって受け取られて戻り基板載置部RPASSに載置された後、搬送ロボットTR4によって露光後加熱処理を行う加熱部PHP7〜PHP12のいずれかに搬送される。 - 特許庁
  • A substrate processor keeps a stage cleaning substrate CW to be used in cleaning a substrate stage and a dummy substrate DW to be used in adjusting an exposure position of a pattern image in an exposure unit EXP supporting liquid immersion exposure respectively, in a dummy substrate storage 91 and a cleaning substrate storage part 92 of the substrate processor SP.
    液浸露光対応の露光ユニットEXP内にて基板ステージの洗浄作業に使用するステージ洗浄用基板CWおよびパターン像の露光位置の調整を行うときに使用するダミー基板DWをそれぞれ基板処理装置SPのダミー基板格納部91および洗浄用基板格納部92に保持しておく。 - 特許庁
  • When refractive index change caused by temperature change is generated in the objective optical element OL in which a first light flux for the BD or a second light flux for the DVD is made incident, generated spherical aberration can be compensated by moving a lens L1 of a beam expander EXP to be a temperature compensation element to an optical axis direction by an actuator AC2 according to the refractive index change.
    BD用の第1光束又はDVD用の第2光束を入射した対物光学素子OLに、温度変化に起因して屈折率変化が生じた場合、それに応じて温度補正素子であるビームエキスパンダEXPのレンズL1をアクチュエータAC2により光軸方向に移動させことで、発生する球面収差を補正することができる。 - 特許庁
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