「Ellipsometer」を含む例文一覧(71)
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エリプソメータ - 特許庁 - ELLIPSOMETER AND SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETER
エリプソメータおよび分光エリプソメータ - 特許庁 - SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETER
分光エリプソメータ - 特許庁 - POLARIZATION MODULATION TYPE IMAGING ELLIPSOMETER
偏光変調型イメージング・エリプソメータ - 特許庁 - INTERNAL REFLECTION TYPE TWO-DIMENSIONAL IMAGING ELLIPSOMETER
内部反射型二次元イメージングエリプソメータ - 特許庁 - SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETER AND POLARIZATION ANALYSIS METHOD
分光エリプソメータおよび偏光解析方法 - 特許庁 - SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETER AND FILM THICKNESS MEASURING APPARATUS
分光エリプソメータおよび膜厚測定装置 - 特許庁 - ELLIPSOMETER USING VOLTAGE-CONTROLLED LIQUID CRYSTAL RETARDER
電圧制御液晶リターダーを用いるエリプソメーター - 特許庁 - MEASUREMENT METHOD, SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETER, PROGRAM, AND MANUFACTURING APPARATUS
計測方法、分光エリプソメータ、プログラム、及び、製造装置 - 特許庁 - MEASUREMENT METHOD, SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETER, PROGRAM, MANUFACTURING DEVICE, AND FILM-FORMING DEVICE
計測方法、分光エリプソメータ、プログラム、製造装置及び成膜装置 - 特許庁 - ELLIPSOMETER, POLARIZATION STATE ACQUIRING METHOD, AND LIGHT INTENSITY ACQUIRING METHOD
エリプソメータ、偏光状態取得方法および光強度取得方法 - 特許庁 - METHOD OF DECIDING COMPOSITION OF POLYCRYSTAL COMPOUND SEMICONDUCTOR USING SPECTRAL ELLIPSOMETER
分光エリプソメータを用いた多結晶化合物半導体の組成決定方法 - 特許庁 - POLARIZATION MEASURING DEVICE, ELLIPSOMETER AND MEASURING TECHNIQUE FOR POLARIZATION STATUS OF LIGHT
偏光測定装置、楕円分光器及び光の偏光状態測定方法 - 特許庁 - SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETER, ITS FOCUS ADJUSTING METHOD, AND FILM THICKNESS MEASURING APPARATUS
分光エリプソメータ、膜厚測定装置および分光エリプソメータのフォーカス調整方法 - 特許庁 - MEASURING METHOD, ANALYSIS METHOD, MEASURING DEVICE, ANALYSIS DEVICE, ELLIPSOMETER, AND COMPUTER PROGRAM
測定方法、解析方法、測定装置、解析装置、エリプソメータ及びコンピュータプログラム - 特許庁 - The small-sized and simple spectroscopic ellipsometer is realized by combining the ellipsometer and a dispersion device such as a diffraction grating.
これらの偏光解析装置と回折格子などの分散デバイスを組み合わせることによって、小型でシンプルな分光偏光解析装置を実現することが可能となる。 - 特許庁 - To precisely perform polarization analysis of an object with a spectroscopic ellipsometer.
分光エリプソメータにおいて対象物に対する偏光解析を高精度に行う。 - 特許庁 - SUBSTRATE POSITION DETECTING DEVICE, SUBSTRATE POSITION REGULATING DEVICE, ELLIPSOMETER AND FILM THICKNESS MEASURING EQUIPMENT
基板位置検出装置、基板位置調整装置、エリプソメータおよび膜厚測定装置 - 特許庁 - This measuring method which uses spectral ellipsometer by the minimal value calculation method (BLMC) includes following steps.
極小値計算法（ＢＬＭＣ）による分光エリプソメータを用いた計測方法は、次のステップを含んでいる。 - 特許庁 - To detect the size and shape of an irradiation region on an object in a spectroscopic ellipsometer.
分光エリプソメータにおいて対象物上の照射領域の大きさおよび形状を高精度に検出する。 - 特許庁 - The imaging unit comprises a ellipsometer and a fluoroscope, and the light source may be a laser diode or an AP diode.
画像化ユニットは偏光解析器およびＸ線透視装置を含み、光源はレーザ・ダイオードまたはＡＰダイオードでよい。 - 特許庁 - To provide a method for measurement to calculate the composition of a polycrystalline compound semiconductor from data obtained by using an ellipsometer.
本発明は、エリプソメータを用いて得たデータから、多結晶化合物半導体の組成を算出する測定方法を提供する。 - 特許庁 - The proper focal depth can be periodically verified by maintaining a birefringence reference using an ellipsometer.
適切な焦点深度の維持は、エリプソメータを使用して複屈折基準を維持することによって定期的に検証することができる。 - 特許庁 - In this ellipsometer 1, measurement is performed relative to some point on a sample S by a first spectroscope 8 and a second spectroscope 9.
エリプソメータ１は試料Ｓのいずれかのポイントに対し第１分光器８及び第２分光器９で測定を行う。 - 特許庁 - With this set standard value as an index, the thickness of the multilayer thin film measured by the ellipsometer of the single wavelength is evaluated.
そして、この設定した規格値を指標として、単一波長のエリプソメータにて測定される多層薄膜の膜厚を評価する。 - 特許庁 - To provide an ellipsometer using a voltage-controlled liquid crystal retarder for measuring a sample quickly, easily, and accurately.
短時間に簡単に、しかも高精度に試料を測定することができる電圧制御液晶リターダーを用いるエリプソメーターを提供する。 - 特許庁 - To provide an ellipsometer with a self-calibrating capability regarding a system for measuring surface characteristics of a sample such as a semiconductor device.
半導体のような試料の表面特性を測定するためのシステムに関し、自己較正機能を備えたエリプソメータを提供する。 - 特許庁 - To provide an ellipsometer, a polarized light measuring device, and a polarization status measuring technique capable of measuring polarization at higher speed and more effectively.
偏光をより早くて効果的に測定できる楕円分光器、偏光測定装置および偏光状態測定方法を提供する。 - 特許庁 - To avoid displacement of a measuring position before and after film formation in a thin film measurement method and a thin film measurement device using an ellipsometer.
エリプソメータを用いた膜厚計測方法及び膜厚計測装置において、膜形成前後の計測位置の位置ずれを回避する。 - 特許庁 - To provide a spectral ellipsometer which can effectively prevent a generation of a chromatic aberration by very simple and rotational improvement technology.
極めて簡単かつ合理的な改良技術によって、色収差の発生が効果的に防止されるようになった分光エリプソメータを提供する。 - 特許庁 - After the ion implantation, a thickness of the resist film is measured using an ellipsometer by selecting a part on a scribe line, a large-pattern portion, etc., of the resist pattern.
イオン注入後、レジストパターンのうちスクライブ線上やパターンの大きなところなどを選択してエリプソメーターでレジスト膜厚を測定する。 - 特許庁 - The outside of the evaporation rooms 12 or 15 and 22 or 25 are each provided with an ellipsometer 70 which measures the thickness of an evaporation object 56.
蒸着室１２乃至１５及び２２乃至２５の外部には、蒸着物５６の膜厚を計測するエリプソメータ７０がそれぞれ設けられる。 - 特許庁 - A solar cell evaluation device 1 includes a first light irradiation portion 11, a second light irradiation portion 12, a spectroscopic ellipsometer 13, and an electric measurement portion 14.
太陽電池評価装置１は、第１光照射部１１、第２光照射部１２、分光エリプソメータ１３および電気測定部１４を備える。 - 特許庁 - To provide a thin film measuring method, using a spectral ellipsometer for precisely and accurately determining a thin film structure and the wavelength dependence of a dielectric constant.
薄膜構造および誘電率の波長依存性を精度よく正確に決定する、分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法を提供する。 - 特許庁 - At the spectrum measuring stage, the ultrathin-film two-layer structure on the surface of a substrate as a measuring object is measured by using the spectral ellipsometer so as to obtain data on the object.
スペクトル測定段階は、計測対象の基板表面の極薄膜２層構造を、分光エリプソメータを用いて測定し、対象のデータを得る。 - 特許庁 - To provide a polarization modulation type imaging ellipsometer capable of finding precisely and quickly a polarization analytical parameter in each point on a sample surface.
試料表面各点の偏光解析パラメータを高精度且つ高速に求めることができる偏光変調型イメージング・エリプソメータを提供すること。 - 特許庁 - ANALYSIS METHOD OF ORGANIC MATERIAL USED FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, ANALYSIS METHOD OF COMPOSITE FILM AND ANALYSIS METHOD OF MULTILAYER FILM USING SPECTRAL ELLIPSOMETER
分光エリプソメータを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる有機物質の解析方法、複合膜の解析方法及び多層膜の解析方法 - 特許庁 - The self-calibrating ellipsometer and the combined system may be used for measuring sample characteristics such as film thickness and depolarization of radiation caused by the sample.
自己較正エリプソメータならびに組合わせシステムは、膜厚および試料により引き起こされた放射の偏光解消さなどの試料特性を測定するために用い得る。 - 特許庁 - The method for determining the composition of the compound semiconductor layer on a surface of the substrate of a measuring object with the use of a spectroscopic ellipsometer includes the following steps.
本発明による分光エリプソメータを用いた計測対象の基板表面の化合物半導体層の組成を決定する組成決定方法は次のステップを含んでいる。 - 特許庁 - To provide a measuring chamber by which a precise measuring point is ensured even when an angle of incidence is changed in a measurement by an ellipsometer using a sample chamber having an incident optical window.
入射光学窓を有する試料室を用いるエリプソメータ測定において、入射角を変えても正確な測定点を確保できる測定室を提供する。 - 特許庁 - This film thickness measuring device 1 has an ellipsometer 3 for acquiring the polarization state of the film on a substrate 9, and an optical interference unit 4 for acquiring the spectral intensity of the film on the substrate 9.
膜厚測定装置１は、基板９上の膜の偏光状態を取得するエリプソメータ３、および、基板９上の膜の分光強度を取得する光干渉ユニット４を有する。 - 特許庁 - A value, calculated from the model, is compared to a value measured by the ellipsometer, and a fitting process is carried out so that the difference between both values becomes small, thereby specifying the film thickness and the optical constants of the sample.
モデルからの算出値とエリプソメータの測定値を比較して、両方の値の差が小さくなるようにフィッティングを行い試料の膜厚及び光学定数を特定する。 - 特許庁 - To provide a method for correcting a photoelastic effect on a container window in a method for measuring a film thickness by utilizing a supercritical fluid and an ellipsometer for a thin film having a pore.
細孔を有した薄膜に対して超臨界流体とエリプソメータを利用して膜厚を計測する方法において、容器の窓における光弾性効果を補正する方法を提供 - 特許庁 - A specific dielectric constant measuring device 1 is capable of measuring film thickness and an optical constant of an insulating film 9a formed on an upper surface of a wafer 9 using an ellipsometer 30.
本発明の比誘電率測定装置１は、エリプソメータ３０において、ウエハ９上面に形成された絶縁膜９ａの膜厚および光学定数を測定することができる。 - 特許庁 - To enable a sample which has a dielectric film whose dielectric constant is not less than 50 on the basis of an electrical measurement, to be analyzed over the entire optical range, based on a measurement result of an ellipsometer.
電気的な測定に基づいた誘電率が５０以上の誘電体膜を有する試料に対してエリプソメータの測定結果に基づき全光学範囲で解析を可能にする。 - 特許庁 - This "rotary analyzer type" ellipsometer is constituted by combining one sheet of polarizer array arrayed with a plurality of polarizers different in principal axis directions, and a photoreception element array such as a CCD.
主軸方向が異なる複数の偏光子を配列した偏光子アレイ１枚と、ＣＣＤなどの受光素子アレイとを組み合わせることによって「回転検光子型」の偏光解析装置を構成する。 - 特許庁 - To provide a measuring method which uses a spectral ellipsometer based on minimal value calculation method (BLMC), for precisely and accurately determining the wavelength dependence of an ultra-thin film, a thin-film structure and the dielectric.
超薄膜および薄膜構造および誘電率の波長依存性を精度よく正確に決定する、極小値計算法（ＢＬＭＣ）による分光エリプソメータを用いた計測方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a measuring method using a spectral ellipsometer by a minimal value calculation method (BLMC), for determining precisely and accurately wavelength dependency of an ultrathin film, a thin film structure and a permittivity.
超薄膜および薄膜構造および誘電率の波長依存性を精度よく正確に決定する、極小値計算法（ＢＬＭＣ）による分光エリプソメータを用いた計測方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an algorithm for analyzing the polarization state of incident light from an intensity distribution pattern to be measured, in a polarization analysis apparatus and an ellipsometer using a wave plate array and a polarizer array and having no driving part.
波長板アレイおよび偏光子アレイを用いた、駆動部のない偏光解析装置およびエリプソメータにおいて、測定される強度分布パターンから入射光の偏光状態を解析するアルゴリズムを提供する。 - 特許庁 - Each time a short-circuit current by the irradiation of each measurement position with the light is measured, the spectroscopic ellipsometer 13 measures a plurality of kinds of measured values of the solar battery cells 91 at the respective measurement positions.
また、各測定位置への光照射による短絡電流が測定される毎に、分光エリプソメータ１３により、当該測定位置における太陽電池セル９１の複数種類の測定値が測定される。 - 特許庁
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