「Euler angles」を含む例文一覧(14)
- The invention also proposes suitable algorithms for orientation control by means of quaternions or Euler angles.
この発明はまた、四元数またはオイラー角による方位制御のための好適なアルゴリズムも提案している。 - 特許庁 - In a working temperature range of ≥250°C, a substrate with a surface orientation defined by Euler angles of -5°<ϕ<5°, 5°<θ<100° and 20°<ψ<45° is used.
使用温度範囲が２５０℃以上では（−５°＜φ＜５°、５°＜θ＜１００°、２０°＜ψ＜４５°）の範囲内とされた基板を採用する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a photomask for manufacturing a surface acoustic wave element chip with Euler angles (0, θ, ϕ) by using a crystal wafer with Euler angles (0, θ, 0) without adversely affecting frequency characteristics of the surface acoustic wave element chip and without increasing manufacturing cost.
弾性表面波素子片の周波数特性に悪影響を及ぼすことなく、また製造コストを増加させることなく、オイラー角（０，θ，０）の水晶ウエハを使用して、オイラー角（０，θ，ψ）の弾性表面波素子片を製造することが可能な、フォトマスクの製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁 - The space recognition method comprises steps of calculating Euler angles to a reference coordinate system using an angular velocity sensor; and identifying spatial position information of the input device according to the movement of the input device by using the calculated Euler angles.
角速度計および角速度計を利用して基準座標系に対するオイラー角を計算する段階、および前記計算されたオイラー角を利用して前記入力装置の動きに対する空間の位置情報を認識する段階を含むことを特徴とする空間認識方法を提供する。 - 特許庁 - When the Euler angles of ψ satisfies the following relation: |ψ|≠90°×n, (n=0, 1, 2 and 3), the film thickness H of the electrode fingers 6a and 6b is set so as to satisfy the following inequality: 0.05 μm≤H≤0.20 μm.
オイラー角ψが｜ψ｜≠９０°×ｎ、（ｎ＝０，１，２，３）のとき、電極指膜厚Ｈは０．０５μｍ≦Ｈ≦０．２０μｍに設定する。 - 特許庁 - An SAW resonator, with in-plane rotation ST-cut 30, is formed by an ST-cut crystal board with in-plane rotation having Euler angles (0°, 113°-135°, ±(40°-49°)).
面内回転ＳＴカットＳＡＷ共振子３０は、オイラー角が（０°，１１３°〜１３５°，±（４０°〜４９°））の面内回転ＳＴカット水晶板によって形成してある。 - 特許庁 - When Euler angle is set to (0°, θ, ψ), difference of propagation directions can be made small by setting the respective propagation angles ψ to be within the range of 0.3295θ+3.3318°±1.125°.
そして、前記オイラー角を（０°，θ，ψ）とした場合、各々の前記伝搬角度ψを０．３２９５θ＋３．３３１８°±１．１２５°の範囲内に設定すれば、前記伝搬方向の差を小さくすることが可能になる。 - 特許庁 - A plurality of surface acoustic wave elements are arranged so that the respective propagation directions ψ are different from each other on a main surface of a quartz plate cut out with Euler angles of (0°, 113-135°, ±(40-49°)).
オイラー角が（０°，１１３〜１３５°，±（４０〜４９°））で切り出された水晶板の主表面上に複数の弾性表面波素子が、各々の伝搬方向ψが互いに異なるように配置される。 - 特許庁 - When an Euler angles of ψ satisfies the following inequality: 42.79°≤|ψ|≤49.57°, the film thickness H of the electrode fingers 6a and 6b of the IDT 3 is set so as to satisfy the following inequality: 0.055 μm≤H≤0.335 μm and preferably 0.080 μm≤H≤0.335 μm.
オイラー角ψが４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°のとき、ＩＤＴの電極指膜厚Ｈは、０．０５５μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍ、好ましくは０．０８０μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍの範囲内に設定する。 - 特許庁 - On a main surface of a crystal substrate 2 having Euler angles of (-1.5°≤φ≤1.5°, 117°≤θ≤142 and ψ), an SAW device 1 has: an IDT 3 for exciting an SAW of an upper limit mode of a stop band; and inter-electrode-finger grooves 8 recessed between electrode fingers 6a and 6b of the IDT 3.
ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有する。 - 特許庁 - A substrate which is formed from a langasite (La_3Ga_5SiO_14) single crystal and has a surface orientation defined by Euler angles of -5°<ϕ<5°, 5°<θ<110° and 10°<ψ<45° is used as the piezoelectric substrate for the surface acoustic wave sensor with a working temperature range of ≤150°C.
使用温度範囲が１５０℃以下の表面弾性波センサ用の圧電体基板として、ランガサイト（Ｌａ_3Ｇａ_5ＳｉＯ_14）の単結晶で形成され、その表面の方位が、オイラー角表示で（−５°＜φ＜５°、５°＜θ＜１１０°、１０°＜ψ＜４５°）の範囲内とされた基板を採用する。 - 特許庁 - A substrate which is formed from a langasite (La_3Ga_5SiO_14) single crystal and has a surface orientation defined by Euler angles of -5°<ϕ<5°, 130°<θ<145° and 20°<ψ<40° is used as the piezoelectric substrate for the surface acoustic wave sensor with a working temperature range of ≤150°C.
使用温度範囲が１５０℃以上の表面弾性波センサ用の圧電体基板として、ランガサイト（Ｌａ_3Ｇａ_5ＳｉＯ_14）の単結晶で形成され、その表面の方位が、オイラー角表示で（−５°＜φ＜５°、１３０°＜θ＜１４５°、２０°＜ψ＜４０°）の範囲内とされた基板を採用する。 - 特許庁 - The SAW device 1 includes: the LBO substrate 10 with Euler angles (0°, 35°-50°, 90°); a protecting film 11 which is provided on a surface of the LBO substrate 10 and includes an oxide film or nitride film having a KH of 0.05 to 0.10; and an electrode 20 having a KH of 0.04 to 0.15 provided on the protecting film 11.
本発明の表面弾性波装置１は、オイラー角（０°，３５〜５０°，９０°）のＬＢＯ基板１０と、ＬＢＯ基板１０の表面に設けられ、ＫＨ０．０５〜０．１０の酸化膜あるいは窒化膜からなる保護膜１１と、保護膜１１上に設けられ、ＫＨ０．０４〜０．１５の電極２０と、を備えている。 - 特許庁 - To provide a surface acoustic wave device employing an LiNbO_3 substrate, in which not only the reflection coefficient but also the electromechanical coupling coefficient k^2 of an IDT are large, and the range of Euler angles of the LiNbO_3 substrate for realizing a large electromechanical coupling coefficient k^2 can be enlarged.
ＬｉＮｂＯ_３基板を用いた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が大きいだけでなく、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、かつ該電気機械結合係数ｋ^２が大きい範囲を実現するＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角範囲が拡げられる、弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁
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