「FERROMAGNETIC」を含む例文一覧(2565)

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  • FERROMAGNETIC POWDER
    強磁性粉末 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC WIRE
    強磁性細線 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC NET
    強磁性網体 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC HALL ELEMENT
    強磁性ホール素子 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC FIELD MAGNET DEVICE
    強磁場磁石装置 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC FINE LINE ELEMENT
    強磁性細線素子 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC METAL POWDER
    強磁性金属粉末 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR AND FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR DEVICE
    強磁性半導体及び強磁性半導体素子 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC SINGLE ELECTRON ELEMENT
    強磁性単電子素子 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC TUNNELING EFECT ELEMENT
    強磁性トンネル効果素子 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
    強磁性トンネル接合素子 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC BODY PASSAGE SENSOR
    強磁性物体通過センサ - 特許庁
  • FERROMAGNETIC MATERIAL SPUTTERING TARGET
    強磁性材スパッタリングターゲット - 特許庁
  • INSULATING FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR
    絶縁性強磁性半導体 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC ORGANIC MAGNETIC FLUID
    強磁性有機磁性流体 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC SHAPE MEMORY ALLOY
    強磁性形状記憶合金 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC SPIN TUNNEL EFFECT ELEMENT
    強磁性スピントンネル効果素子 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    強磁性トンネル磁気抵抗素子 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC OXIDE POLYCRYSTALLINE SUBSTANCE
    強磁性酸化物多結晶体 - 特許庁
  • CHARGE-CONTROL FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR
    荷電制御強磁性半導体 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION MEMORY ELEMENT
    強磁性トンネル接合メモリ素子 - 特許庁
  • The above ferromagnetic materials may be perovskite ferromagnetic materials.
    前記強誘電体が、ペロブスカイト型強誘電体であってもよい。 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR SPIN POLARIZATION OF FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR
    強磁性半導体素子、強磁性半導体のスピン分極方法 - 特許庁
  • ANTI-FERROMAGNETIC HALF METALLIC SEMICONDUCTOR
    反強磁性ハーフメタリック半導体 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC TUNNELING EFFECT MAGNETIC HEAD
    強磁性トンネル効果型磁気ヘッド - 特許庁
  • MAGNETRON SPUTTERING DEVICE FOR FERROMAGNETIC SUBSTANCE
    強磁性体のマグネトロンスパッタ装置 - 特許庁
  • METHOD FOR DRIVING FERROMAGNETIC SUBSTANCE MEMORY
    強磁性体メモリの駆動方法 - 特許庁
  • COMPOSITE FERROMAGNETIC BODY OF FERROMAGNETIC POWDER AND PAPER PULP, AND MANUFACTURE THEREOF
    強磁性粉末と紙パルプの複合強磁性体及びその製造方法 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR EXCHANGE COUPLING FILM
    強磁性半導体交換結合膜 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC SILICON COMPOUND INDUCED IN MAGNETIC FIELD
    磁場誘起強磁性珪素化合物 - 特許庁
  • The spacer layers induce anti-ferromagnetic coupling between the surrounding ferromagnetic layers.
    スペーサ層は周囲の強磁性層間に反強磁性結合を誘導する。 - 特許庁
  • The non-ferromagnetic region separates the insulating region and the ferromagnetic region.
    非強磁性領域は、絶縁領域と強磁性領域とを分離する。 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC LAYER FOR MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    磁気抵抗素子のための強磁性層 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD FOR POLYMER-COATED FERROMAGNETIC PARTICLE AND POLYMER-COATED FERROMAGNETIC PARTICLE
    ポリマー被覆強磁性粒子の製造方法及びポリマー被覆強磁性粒子 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC TUNNEL-JUNCTION FILM FORMING DEVICE
    強磁性トンネル接合膜成膜装置 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC METAL POWDER AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM CONTAINING THE FERROMAGNETIC METAL POWDER
    強磁性金属粉末及び該強磁性金属粉末を含む磁気記録媒体 - 特許庁
  • An amorphous ferromagnetic film is used as the third ferromagnetic layer 12 laminated on an anti-ferromagnetic layer 11.
    反強磁性層１１の上に積層されている第３の強磁性層１２として、非晶質強磁性膜を用いる。 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC INSULATION WIRE AND WIRE HARNESS
    強磁性絶縁電線及びワイヤーハーネス - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC METAL POWDER
    強磁性金属粉末の製造方法 - 特許庁
  • The ferromagnetic part is composed of ferrite.
    そして該強磁性体部は、フェライトである。 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC MATERIAL COATED PERMANENT MAGNET MOTOR
    強磁性体被覆永久磁石モーター - 特許庁
  • FERROMAGNETIC GROUP II-VI COMPOUND AND CONTROLLING METHOD FOR THE FERROMAGNETIC PROPERTY THEREOF
    強磁性ＩＩ−ＶＩ族系化合物及びその強磁性特性の調整方法 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC III-V GROUP NITRIDE AND METHOD FOR ADJUSTING ITS FERROMAGNETIC CHARACTERISTIC
    強磁性ＩＩＩ−Ｖ族系窒化物及びその強磁性特性の調整方法 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC GROUP III-V COMPOUND AND CONTROLLING METHOD FOR THE FERROMAGNETIC CHARACTERISTICS THEREOF
    強磁性ＩＩＩ−Ｖ族系化合物及びその強磁性特性の調整方法 - 特許庁
  • The first ferromagnetic layer (12) has a coercive force higher than that of the second ferromagnetic layer (14).
    第1の強磁性層(12)は、第2の強磁性層(14)よりも高い保磁力を有する。 - 特許庁
  • To provide a ferromagnetic body made of a non-ferromagnetic substance (non-ferromagnetic element) as a raw material, and to provide an easy method of manufacturing the same.
    非強磁性物質（非強磁性元素）を原料とする強磁性体、及びその簡易な製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • The MTJ device includes a ferromagnetic antiparallel(AP) pin layer containing a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and an antiparalellel conjunction(APC) layer located between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer; a ferromagnetic free layer; and a dielectric tunnel barrier, located between the first ferromagnetic layer and the ferromagnetic free layer.
    このＭＴＪ装置は、第１の強磁性層、第２の強磁性層、および第１の強磁性層と第２の強磁性層の間に配置された逆平行結合（ＡＰＣ）層を含む強磁性逆平行（ＡＰ）ピン層と；強磁性フリー層と；ＡＰピン層の第１の強磁性層と強磁性フリー層の間に配置された絶縁トンネル障壁層とを有する。 - 特許庁
  • A magnetic element is possessed of a ferromagnetic tunnel junction 1 of layered structure composed of ferromagnetic layer 2/tunnel barrier layer 3/ferromagnetic layer 4 or a ferromagnetic double tunnel junction of layered structure composed of ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ferromagnetic layer, where it is utilized that a tunnel resistance changes with a relative angle of magnetization between ferromagnetic layers.
    強磁性層２／トンネル障壁層３／強磁性層４構造の強磁性トンネル接合１、あるいは強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
    強磁性トンネル接合素子、磁気メモリ、及び強磁性トンネル接合素子の製造方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
    強磁性トンネル接合素子の製造方法 - 特許庁
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