"0, there's a ... fib!"
「おお、それは・・・嘘!」 - James Joyce『アラビー』
Access to FIB lookup from userspace. NETLINK_CONNECTOR
ユーザー空間から FIB ルックアップにアクセスする。 - JM
to lie―tell a lie―tell a fib―tell a story―utter a falsehood―utter an untruth―stretch―draw on imagination
嘘をつく - 斎藤和英大辞典
ALIGNMENT METHOD OF FIB PROCESSING, AND FIB DEVICE FIB加工の位置合わせ方法及びFIB装置 - 特許庁
SAMPLE PREPARING DEVICE FOR FIB SAMPLE FIB試料作製装置 - 特許庁
FIB-SEM COMPLEX DEVICE FIB−SEM複合装置 - 特許庁
FIB PROCESSING METHOD AND POSITIONING METHOD FOR FIB PROCESSING POSITION FIB加工方法及びFIB加工位置の位置決め方法 - 特許庁
ALIGNING METHOD IN FIB MACHINING FIB加工時の位置合わせ方法 - 特許庁
I invented a fib to come out.
うまく言い拵らえて家を出てきた - 斎藤和英大辞典
When thinning down samples with, e.g., a focused ion beam (FIB) apparatus, the sample often oxidizes owing to the exposure to air when taken from the FIB. たとえば集束イオンビーム(FIB)装置によって試料を薄くするとき、前記試料は、前記FIB装置から取り出されるとき、大気曝露によって酸化する。 - 特許庁
STAGE, AND DEVICE FOR PREPARING FIB SAMPLE ステージ及びFIB試料作成装置 - 特許庁
I told a fib to keep myself in countenance.
ちょいとうそをついてバツを合わせた - 斎藤和英大辞典
Typically, the accelerating voltage used in focused ion beam (FIB) systems ranges from 5 to 30 keV.
典型的には、集束イオンビーム(FIB)システムで使われる加速電圧は5〜30keVにわたる。 - 科学技術論文動詞集
The FIB-SEM inspects wafer surfaces in the semiconductor production lines.
FIB(集束イオンビーム)-SEMは、半導体製造ラインの中でウエハの表面を検査する(点検する)。 - 科学技術論文動詞集
The FIB-CVD light shielding film 8 is then grown from the exposed glass part 6 to repair the halftone defect. 次に暴露したガラス部分6からFIB-CVD遮光膜8を成長させてハーフトーン欠陥を修正する。 - 特許庁
(4) MEASURES FOR ENSURING LEGAL COMPLIANCE [ARTICLE 306(1)(V) OF THE FIB CABINET OFFICE ORDINANCE]
② 法令等遵守責任者の設置 - 金融庁
In the last 24 hours think back have told a little fib 皆さんの中で24時間以内に小さい嘘 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
REMOVING IMAGE NOISE IN FIB / SEM COMPOSITE DEVICE FIB/SEM複合装置の画像ノイズ除去 - 特許庁
To provide a technique to enable an SEM observation on a real time basis without degrading a processing efficiency in an FIB processing. FIB加工における加工効率を低下させずにリアルタイムでSEM観察を可能にする技術を提供する。 - 特許庁
The masking effect to an etching liquid is revealed in an FIB irradiation part by this FIB irradiation. このFIB照射によりFIB照射部にはエッチング液に対するマスキング効果が発現される。 - 特許庁
The specimen making device uses technology for FIB processing, the transfer of the picked specimen, and the fixation of the picked specimen to a specimen holder. FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。 - 特許庁
To fabricate an SEM sample and STEM sample without operation for planarizing a sample surface by an FIBAD film conducted before cross-sectional processing and slice processing by an FIB, and without causing a damage by FIB radiation on the sample surface. FIBによる断面加工や薄片加工に先立って行なわれていたFIBAD膜による試料表面平坦化作業を行なうこと無く、試料表面にFIB照射損傷を与えることなく、SEM試料やSTEM試料を作製する。 - 特許庁
he told a fib about eating his spinach
彼は、ほうれん草を食べることについて嘘をついた - 日本語WordNet
"now that was a great fib to tell."
「もうそれは大変な嘘をおっしゃってたってことね。」 - James Joyce『死者たち』
DRIFT CORRECTION METHOD AND APPARATUS IN FIB AUTOMATIC PROCESSING FIB自動加工時のドリフト補正方法及び装置 - 特許庁
(5) Interpretation of Article 32 of the FIB Cabinet Office Ordinance
(5)金商業等府令第 32条の解釈について - 金融庁
An alternative solution is provided to the problems, by an instrument in which only an FIB column is used. 本発明は、FIB鏡筒のみが用いられている装置によって、この問題に対する代替解決策を提供する。 - 特許庁
To easily identify places in backside focused ion beam (FIB) processing. 裏面FIB加工における場所特定を容易にする。 - 特許庁
OBSERVATION METHOD OF FIB-PROCESSED SAMPLE BY ELECTRON MICROSCOPE FIBによる加工試料の電子顕微鏡による観察方法 - 特許庁
(ii) Items specified under Article 8(ix) of the FIB Cabinet Office Ordinance.
② 金商業等府令第8条第9号に掲げる事項 - 金融庁
Inspectors shall decide lead rating analysts (Article 295(3)(iii) of the FIB Cabinet Office Ordinance), not only by the title, such as “senior” or “chief,” but also being mindful of substance, namely, whether the said analyst has been principally involved in the determination of a credit rating.
① 経営陣の取組み - 金融庁
(i) Has the supervisory committee been given the authority for ensuring the appropriateness of the measures listed in Article 306(1)(i)-(xvi) of the FIB Cabinet Office Ordinance?
3.禁止行為の防止に関する態勢 - 金融庁
Then, the thin film of PLLA on the substrate is irradiated with focused ion beam by using an FIB apparatus (FIB processing: S3). 次に、FIB装置を用いて、基板上のPLLA薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する(FIB加工:S3)。 - 特許庁
To provide an FIB(focused ion beam) device and an FIB machining method that can accurately cut and connect wiring by the FIB machining on the surface of a sample such as an LSI with a flattened surface. 表面が平坦化されたLSIなどのサンプルの表面に,FIB加工により配線の切断や接続を精度よく行うことができるFIB装置及びFIB加工方法を提供する。 - 特許庁
COMPOSITE APPARATUS OF FIB AND PROBE HAVING FUNCTION OF PROCESSING PROBE HEAD プローブ先端加工機能を備えたFIBとプローブの複合装置 - 特許庁
(10) MEASURES FOR PREVENTING PERSONS IN CHARGE OF RATINGS FROM PARTICIPATING IN NEGOTIATIONS FOR THE FEES OF THE SAID CREDIT RATINGS [ARTICLE 306(1)(XI) OF THE FIB CABINET OFFICE ORDINANCE]
当該アクセス権は厳格に管理されているか。 - 金融庁
To raise contrast level of the FIB image by increasing the secondary electron collection efficiency of the secondary electron detection system in the focusing ion beam device(FIB). 集束イオンビーム装置(FIB)における二次電子検出系の二次電子収集効率を高めてFIB画像のコントラストレベルを上げる。 - 特許庁
Next, a thin film sample for plane observation is prepared by FIB processing. 次に、平面観察用の薄膜試料をFIB加工により作製する。 - 特許庁
FIB DEVICE FOR TEM SAMPLE PROCESSING EQUIPPED WITH FUNCTION FOR AUTOMATICALLY RECOGNIZING BENDING 曲がり自動認識機能を備えたTEM試料加工用FIB装置 - 特許庁
CORRECTION METHOD FOR MACHINING FOCUS POSITION USING FIB, AND APPARATUS EXECUTING SAME FIBを用いた加工焦点位置修正方法とそれを実施する装置 - 特許庁
Succeedingly, the periphery of the observation region 117 is removed by FIB machining. 続いて、観察領域117の周辺をFIB加工により除去する。 - 特許庁
By forming a passivation layer, preferably a hydrogen passivation layer, on the sample in situ, i.e., before taking the sample from the FIB, high-quality samples are obtained. 前記試料上に保護層-好適には水素保護層-をその場で-つまり前記FIB装置から取り出す前に-形成することによって、高品質試料が得られる。 - 特許庁
An apparatus with a coaxial barrel of an FBI beam and an SEM includes a coaxial FIB and an electron beam allowing accurate processing by the FIB using an image formed by the electron beam. 電子ビームにより形成された像を使用したFIBによる正確な処理を可能とする同軸の集束イオンビーム及び電子ビームを含むシステム。 - 特許庁
Also, the seed layer 6 having the high strength of adhesion is formed by using the same gaseous raw material as that for the shielding film and changing the scanning method and stagnation time of the ion beam 5, probe current and the gaseous raw material for FIB-CVD and the shielding film 7 of the small halo component is formed by FIB-CVD on the formed seed layer 6. または遮蔽膜と同じ原料ガスを用いて、イオンビーム5の走査方法・滞在時間やプローブ電流やFIB-CVD原料ガスを変えて接着強度の強い種層6を形成し、形成した種層6の上にハロー成分の小さい遮蔽膜7をFIB-CVDで形成することでハーフトーン欠陥を修正する。 - 特許庁
To inspect the characteristics of a semiconductor element without performing FIB. FIBを行わなくても半導体素子の特性の検査ができるようにする。 - 特許庁
To separate a specified portion from a semiconductor substrate by an FIB, and to form a sample fixed onto a mesh for a transmission electron microscope further into a thin piece of the sample, by the FIB. 半導体基板からFIBにより特定箇所を分離し、透過型電子顕微鏡用メッシュに固定した試料をさらにFIBにより試料薄片化できる。 - 特許庁
Then a FIB (Focused Ion Beam) processing is performed for the thin film layer of PLLA (processing step). その後、このPLLA薄膜層に対してFIB加工を行う(加工工程)。 - 特許庁
In a data transfer device, an FIB portion 32 stores an FIB in a memory whose storage capacity and access rate are different according to a QoS determined by line information and frame information. FIB部32は回線情報およびフレーム情報で定まるQoSに対応して記憶容量とアクセス速度の異なるメモリにFIBを記憶している。 - 特許庁
In order to observe a worked cross section being worked by an FIB, the axis of the electron optics system of a scanning electron microscope(SEM) 40 is set vertical to the axis of the ion-optics system of an FIB device 20. FIBで加工中の加工断面を観察するために、FIB装置20のイオン光学系の軸に対しSEM40の電子光学系の軸を垂直にした。 - 特許庁
Besides, the wiring correction based on FIB to the wiring layer on the front surface is facilitated. また、表面の配線層に対するFIBによる配線修正が容易になる。 - 特許庁
Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved.