「Fermi levels」を含む例文一覧(4)

  • By having the structure, a tilt in the quasi Fermi levels inside the first guide layer 4 and the second guide layer 8 can be almost eliminated.
    上記構造とすることにより、第1ガイド層4、第2ガイド層8の層内の擬フェルミレベルの傾斜をほぼなくすことができる。 - 特許庁
  • The Fermi level is higher than the evergy levels of the first and second valance bands, and the evergy level of the second valance band exists between the Fermi level of the metal layer 130 and the energy level of the first valance band.
    このフェルミエネルギレベルは第1および第2の価電子帯のエネルギレベルより高く、第2の価電子帯のエネルギレベルは金属層130のフェルミエネルギレベルと第1の価電子帯のエネルギレベルとの間に存在する。 - 特許庁
  • At this time, when the impurity type of the 1st impurity type transistor region is a P-type, the Fermi levels of the 1st metal-containing film have energy levels close to the balanced band levels of silicon which is heavily doped with P-type an impurity.
    この時、第1不純物型トランジスタ領域の不純物型がP型であれば、第1金属含有膜のフェルミ準位はP型不純物で高濃度ドーピングされたシリコンの平衡バンド準位と近接したエネルギー準位を有するようにする。 - 特許庁
  • Prior to the crystallization by laser, at least one kind of impurity is doped into at least the entire surface of a thin film semiconductor layer so that the ratio of Quasi-Fermi levels in the regions for forming each conductive type transistor therein is limited to 0.5-2.
    レーザによる結晶化の前に少なくとも薄膜半導体層全面に少なくとも一種類以上の不純物が導入され両導電型のトランジスタ形成領域の疑フェルミレベルの比を0.5〜2の範囲に収める。 - 特許庁

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