「Fet」を含む例文一覧(2867)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 57 58 次へ＞- SPIN FET
スピンＦＥＴ - 特許庁 - FET SENSOR
ＦＥＴセンサ - 特許庁 - FET SWITCH
ＦＥＴスイッチ - 特許庁 - FET DEVICE
ＦＥＴ装置 - 特許庁 - J-FET
Ｊ−ＦＥＴ - 特許庁 - FET AMPLIFIER
ＦＥＴ増幅器 - 特許庁 - The circuit for parallel sensing of the current in a power field effect transistor (FET) includes: a sense FET and a current conveyor circuit employing exclusively FET devices.
パワーFETの電流を並列検知する回路はセンスFETとFETデバイスのみを用いたカレントコンベア回路を有する。 - 特許庁 - FET
電界効果トランジスタ - 特許庁 - JUNCTION FET
接合型ＦＥＴ - 特許庁 - FET BALUN CIRCUIT
ＦＥＴバラン回路 - 特許庁 - FET DRIVING CIRCUIT
ＦＥＴ駆動回路 - 特許庁 - FET DRIVE CIRCUIT
ＦＥＴドライブ回路 - 特許庁 - FET BIAS CIRCUIT
ＦＥＴバイアス回路 - 特許庁 - OPPOSING GATE FET
対向ゲートＦＥＴ - 特許庁 - FET SWITCHING CIRCUIT
ＦＥＴスイッチ回路 - 特許庁 - The semiconductor device 1 includes an FET 10 (first FET), an FET 20 (second FET), an FET 30 (third FET) and an FET 40 (fourth FET).
半導体装置１は、ＦＥＴ１０（第１のＦＥＴ）、ＦＥＴ２０（第２のＦＥＴ）、ＦＥＴ３０（第３のＦＥＴ）、およびＦＥＴ４０（第４のＦＥＴ）を備えている。 - 特許庁 - FET AMPLIFIER CIRCUIT
ＦＥＴ増幅回路 - 特許庁 - FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET)
電界効果トランジスタ - 特許庁 - CARBON NANOTUBE FET
カーボンナノチューブＦＥＴ - 特許庁 - FET MOUNTING STRUCTURE
ＦＥＴ取付構造 - 特許庁 - SPIN INJECTION FET
スピン注入ＦＥＴ - 特許庁 - ELEMENT STRUCTURE OF FET
ＦＥＴの素子構造 - 特許庁 - FLIP-CHIP FET ELEMENT
フリップチップＦＥＴ素子 - 特許庁 - FET TYPE BIOSENSOR
ＦＥＴ型のバイオセンサー - 特許庁 - FET BAND AMPLIFIER
ＦＥＴ帯域増幅器 - 特許庁 - FET CIRCUIT
電界効果トランジスタ回路 - 特許庁 - FET GATE BIAS CIRCUIT
ＦＥＴゲートバイアス回路 - 特許庁 - FORMATION OF FET
ＦＥＴの形成方法 - 特許庁 - JUNCTION TYPE FET DEVICE
接合型ＦＥＴ装置 - 特許庁 - MICROWAVE FET AMPLIFIER
マイクロ波ＦＥＴ増幅器 - 特許庁 - SPIN MEMORY AND SPIN FET
スピンメモリ及びスピンＦＥＴ - 特許庁 - SPIN FET AND SPIN MEMORY
スピンＦＥＴ及びスピンメモリ - 特許庁 - FET DRIVE DEVICE AND FET DRIVE VOLTAGE GENERATION METHOD OF FET DRIVE DEVICE
ＦＥＴ駆動装置およびＦＥＴ駆動装置におけるＦＥＴ駆動電圧生成方法 - 特許庁 - FET AMPLIFIER BIAS CIRCUIT
ＦＥＴ増幅器バイアス回路 - 特許庁 - TRANSVERSE POWER MOS-FET
横型パワーＭＯＳ−ＦＥＴ - 特許庁 - BIAS SETTING CIRCUIT FOR FET
ＦＥＴのバイアス設定回路 - 特許庁 - FET HIGH OUTPUT AMPLIFIER
ＦＥＴ高出力増幅器 - 特許庁 - STRAINED SILICON FIN FET DEVICE
歪みシリコンフィンＦＥＴデバイス - 特許庁 - The gate of the FET (MP1) is connected to a contact B1 between the FET (MP2) and the FET (MN2).
ＦＥＴ（ＭＰ２、ＭＮ２）の接点Ｂ１にはＦＥＴ（ＭＰ１）のゲートが接続されている。 - 特許庁 - MOS-FET AMPLIFIER CIRCUIT
ＭＯＳ−ＦＥＴ増幅回路 - 特許庁 - FET DRIVING UNIT AND METHOD OF CONTROLLING FET DRIVE VOLTAGE
ＦＥＴ駆動装置およびＦＥＴ駆動電圧の制御方法 - 特許庁 - The gate of the FET (MP2) is connected to a contact A1 between the FET (MP1) and the FET (MN1).
ＦＥＴ（ＭＰ１、ＭＮ１）の接点Ａ１にはＦＥＴ（ＭＰ２）のゲートが接続されている。 - 特許庁 - BIAS CIRCUIT OF FET AMPLIFIER
ＦＥＴ増幅器のバイアス回路 - 特許庁 - A BSIM parameter can be adjusted so that a calculated value is outside the set values for models of the BEST-FET and WORST-FET.
BEST-FET、WORST-FETのモデルについてはモデルの計算値が設定値より外側になるようにＢＳＩＭパラメータを調整することが可能である。 - 特許庁 - MANUFACTURE OF SILICON FET
シリコン製ＦＥＴの製造方法 - 特許庁 - There are provided a fin FET 100 and a fin FET manufacturing method.
フィンフェット１００およびフィンフェットの製造方法が提供される。 - 特許庁 - The drain of the FET 31 is connected to the drain of the FET 32.
ＦＥＴ３１のドレインは、ＦＥＴ３２のドレインに接続してある。 - 特許庁 - The gate of the FET is connected to the collector of a transistor via a resistor.
FETのゲートは抵抗を介してトランジスタのコレクタに接続される。 - 特許庁 - PACKAGE FOR MICROWAVE POWER FET
マイクロ波パワーＦＥＴ用パッケージ - 特許庁 - MOTOR DRIVE DEVICE WITH MOS FET, MOS FET AND MOTOR WITH MOS FET
ＭＯＳ型ＦＥＴを備えたモータ駆動装置、ＭＯＳ型ＦＥＴ、及びＭＯＳ型ＦＥＴを備えたモータ - 特許庁
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