To provide a semiconductor device, in which no filicide layer is provided on a gate electrode and a manufacturing method therefor, where the semiconductor device can be reduced in apparent gate resistance. ゲート電極上にシリサイド層を有さないデバイスであって、見かけ上のゲート抵抗を小さくできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁