「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • A first region of a first carrier concentration is formed on the semiconductor layer.
    第１キャリア濃度の第１領域が半導体層上に形成される。 - 特許庁
  • A device includes a first layer 100 and A first MOSFET 180 having first source/drain regions formed in the first layer 100.
    本デバイスは第１の層１００と、第１の層１００の中に形成された第１のソース／ドレイン領域１５２を有する第１のＭＯＳＦＥＴ１８０とを含む。 - 特許庁
  • A first body layer 17A' is formed by this first ion implantation.
    この第１のイオン注入により、第１のボディ層１７Ａ’が形成される。 - 特許庁
  • When there is no external magnetic field, the first pin layer and the first free layer and the second pin layer and the second free layer are ferromagnetically coupled together respectively, and the magnetization directions of the pin layer and the free layer are made identical.
    外部磁場がない場合、第１のピン層と第１のフリー層、および第２のピン層と第２のフリー層とがそれぞれ強磁性結合することで、ピン層とフリー層の磁化方向が同一となる。 - 特許庁
  • The electric charge transportation layer is formed by applying coating liquid for forming a first layer to the first electric charge generation layer, and the second electric charge generation layer is formed by applying coating liquid for forming a second layer to the electric charge transportation layer.
    電荷輸送層は第１電荷発生層に第１層形成用塗布液を塗布して形成され、第２電荷発生層は電荷輸送層に第２層形成用塗布液を塗布して形成される。 - 特許庁
  • Further, the display device is characterized in being provided with a first layer (material layer) including the IC and a second layer (material layer) which is as tall as the first layer (material layer) including the IC on the substrate.
    また、基板上にＩＣを含む第１の層（材料層）と、ＩＣを含む第１の層（材料層）と同じ高さを有する第２の層（材料層）が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁
  • A light-emitting device includes a substrate, a doped substrate layer, a first conductive layer on the doped substrate, a light-emitting layer on the first conductivity-type layer, and a second conductivity-type layer on the light-emitting layer.
    発光デバイスは、基板、ドープされた基板層、ドープされた基板層の上にある第１導電型層、第１導電型層の上にある発光層、発光層の上にある第２導電型層を含む。 - 特許庁
  • In a build-up layer 50 composed of a wiring layer 11 and an insulator layer 10, a first resist layer 5 belonging to the insulator layer 10 is formed on an outermost layer on the side of a first principal surface PF thereof.
    配線層１１および絶縁体層１０からなるビルドアップ層５０において、その第一主表面ＰＦ側の最表層に絶縁体層１０に属する第一レジスト層５を形成する。 - 特許庁
  • The optical transmitting and receiving device 1 is provided with a first under clad layer 10, a first upper clad layer 20, a shield layer 30, an optical filter layer 40, a second upper clad layer 50 and a second under clad layer 60.
    光送受信デバイス１は、第１アンダークラッド層１０、第１アッパークラッド層２０、シールド層３０、光フィルタ層４０、第２アッパークラッド層５０、および第２アンダークラッド層６０を備えている。 - 特許庁
  • The first bonding layer of the first structure is one layer obtained by dividing a layer constituting the three-dimensional photonic crystal, and the second bonding layer of the second structure is the other layer obtained by dividing the layer constituting the three-dimensional photonic crystal.
    第１の構造体の第１の接合層と第２の構造体の第２の接合層は３次元フォトニック結晶の１つの層を分割したときの一方の層と他方の層とする。 - 特許庁
  • This optical recording medium has a transparent substrate, the first heat isolation layer, the first recording layer, the second recording layer, the second heat isolation layer, a reflection layer and a protective layer from a base surface to a front surface.
    底面から表面までの間に、透明基板と、第１の熱隔離層と、第１の記録層と、第２の記録層と、第２の熱隔離層と、反射層と、保護層とを備えた無機光学記録媒体。 - 特許庁
  • The information recording medium comprises a first magnetic layer having a plurality of magnetic domains, a second magnetic layer formed on the first magnetic layer, a first coupling layer formed between the first and second magnetic layers, and resistive magnetic layers formed between the first magnetic layer, second magnetic layer, and the first coupling layer.
    複数の磁区を有した第１磁性層と、第１磁性層上に形成された第２磁性層と、第１磁性層及び第２磁性層間に形成された第１連結層と、第１磁性層及び第２磁性層と第１連結層との間に形成された抵抗性磁性層とを備える磁区壁移動を利用した情報記録媒体である。 - 特許庁
  • An optical semiconductor element includes: a semiconductor film including a first semiconductor layer having a first conductive type, a second semiconductor layer having a second conductive type, and an active layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first electrode connecting with the first semiconductor layer; and a second electrode connecting with the second semiconductor layer and facing the first electrode.
    第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層に接続された第一電極と、第二半導体層に接続され且つ第一電極に対向する第二電極と、を含む。 - 特許庁
  • A metal layer including a first metal atom, a second metal atom, and a B atom is provided either on a lower layer of the first magnetic layer, between the first magnetic layer and the first interface magnetic layer, between the second interface magnetic layer and the second magnetic layer, or on the second magnetic layer.
    前記第１の磁性層の下層、前記第１の磁性層と前記第１の界面磁性層との間、前記第２の界面磁性層と前記第２の磁性層との間、及び前記第２の磁性層上のいずれかに第１の金属原子、第２の金属原子、及びB原子を含む金属層が設けられる。 - 特許庁
  • The semiconductor laser element 30 comprises an active layer 5, a heavily doped p-type first clad layer 8 formed on the active layer 5, a first undoped layer 7 formed between the active layer 5 and the heavily doped p-type first clad layer 8, and a second undoped layer 9 formed on the heavily doped p-type first clad layer 8.
    この半導体レーザ素子３０は、活性層５と、活性層５上に形成される高濃度ｐ型第１クラッド層８と、活性層５と高濃度ｐ型第１クラッド層８との間に形成される第１アンドープ層７と、高濃度ｐ型第１クラッド層８上に形成される第２アンドープ層９とを備えている。 - 特許庁
  • Also, a method of video encoding that includes selecting data for encoding in a first layer and a second layer so as to allow decoding of the data in a single combined layer, and encoding the selected data in the first layer and in the second layer by encoding a coefficient in the first layer and encoding a differential refinement to the first layer coefficient in the second layer.
    ビデオ符号化方法では、第一層および第二層内で符号化して単一組み合わせ層中で復号化するためにデータを選択し、第一層中の係数を符号化するとともに第一層係数に対する微差を第二層中で符号化することにより選択されたデータを第一層、第二層中で符号化する。 - 特許庁
  • The first chip comprises a first wiring layer and a first conductive substrate in the first side and the second side of the first chip, respectively.
    第１のチップが、第１のチップの第１の側と第２の側とにそれぞれ第１の配線層と第１の導電性基板とを含む。 - 特許庁
  • The high breakdown voltage transistor 300 comprises a first gate insulating layer 222 consisting of the first insulating layer 22a, the charge capturing layer 22b and the second insulating layer 22c provided on the semiconductor layer 10, and a first gate electrode 14c provided on the first gate insulating layer 222.
    高耐圧トランジスタ３００は、半導体層１０上に設けられ、第１絶縁層２２ａ、電荷捕捉層２２ｂ、および第２絶縁層２２ｃからなる第１ゲート絶縁層２２２と、第１ゲート絶縁層２２２上に設けられた第１ゲート電極１４ｃとを含む。 - 特許庁
  • The stacked structure includes a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type facing a part of the first semiconductor layer, and a light-emitting layer provided between the part of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
    積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第１半導体層の一部に対向する第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層の前記一部と第２半導体層とのあいだに設けられた発光層と、を含む。 - 特許庁
  • The first magnetization controlling layer 75 includes a first ferromagnetic layer 76 exchange-coupled to the first antiferromagnetic layer 74, and a third ferromagnetic layer 78 antiferromagnetically exchange-coupled to the first ferromagnetic layer 76 through a nonmagnetic middle layer 77.
    第１の磁化制御層７５は、第１の反強磁性層７４と交換結合する第１の強磁性層７６と、非磁性中間層７７を介して第１の強磁性層７６と反強磁性的に交換結合する第３の強磁性層７８を含んでいる。 - 特許庁
  • A first base material is prepared which has a first insulating layer 101a and a first conductor layer 100a formed on one surface in a thickness direction of the first insulating layer 101a.
    第一の絶縁層１０１ａと、第一の絶縁層１０１ａの厚さ方向の一方の面に形成された第一の導体層１００ａとを有する第一の基材を用意する。 - 特許庁
  • The first semiconductor optical element 47a includes the InP semiconductor layer 1b, a first active layer 3b and a first compound semiconductor layer 5b which are arranged on the first region 61a.
    第１の半導体光素子部４７ａは、第１の領域６１ａ上に設けられたＩｎＰ半導体層１ｂ、第１の活性層３ｂ及び第１の化合物半導体層５ｂを含む。 - 特許庁
  • A first conductivity first semiconductor layer is provided on one side of a first conductivity semiconductor substrate, and a second conductivity second semiconductor layer 13 is provided on the first semiconductor layer.
    第１導電型の半導体基板の片面に第１導電型の第１の半導体層が設けられ、その上に第２導電型の第２の半導体層１３が設けられている。 - 特許庁
  • The laminated insulation layer has a first insulation layer, a quantum effect layer provided on the first insulation layer and having a barrier height lower than that of the first insulation layer, and a second insulation layer provided on the quantum effect layer and having a barrier height higher than that of the quantum effect layer.
    前記積層絶縁層は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられ、前記第１絶縁層よりもバリアハイトが低い量子効果層と、前記量子効果層上に設けられ、前記量子効果層よりもバリアハイトが高い第２絶縁層と、を有する。 - 特許庁
  • The yoke part layer 14B comprises a first layer 14B1 coming in contact with the surfaces on the gap layer 9 side of the first magnetic layer 8 and the magnetic pole part layer 14A and a second layer 14B2 coming into contact with the first layer 14B1 and both side surfaces of the rear end surface and the width direction of the magnetic pole part layer 14A.
    ヨーク部分層１４Ｂは、第１の磁性層８と磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面とに接する第１層１４Ｂ_1と、第１層１４Ｂ_1と磁極部分層１４Ａの後端面および幅方向の両側面とに接する第２層１４Ｂ_2とを含む。 - 特許庁
  • The free layer 25 of an MR element 5 includes the layers such as a first layer 51, a second layer 52, third layer 53, fourth layer 54, fifth layer 55 and sixth layer 56, which are laminated in order on a nonmagnetic conductive layer 24.
    ＭＲ素子５のフリー層２５は、非磁性導電層２４の上に順に積層された第１層５１、第２層５２、第３層５３、第４層５４、第５層５５および第６層５６を有している。 - 特許庁
  • The recording medium has a first upper layer 4, a first lower layer 2, and a first intermediate layer 3 which antiferromagnetically combines both layers, and the first lower layer has a second upper layer 2-3 and a second lower layer 2-1 which are lower than the first upper layer in coercive force; and an intermediate layer 2-2 which antiferromagnetically combines both layers.
    記録媒体が第１上部層４、第１下部層２および両層を反強磁性的に結合する第１中間層３を有し、第１下部層は第１上部層より保磁力が低い第２上部層２−３および第２下部層２−１と両層を反強磁性的に結合する第２中間層２−２とを有する。 - 特許庁
  • This printed circuit board is provided with the first substrate layer, the second substrate layer laminated on the first substrate layer whose elasticity is smaller than that of the first substrate layer, and a flexible layer formed with flexibility by cutting the whole partial face at the lower side of the first substrate layer and the second substrate layer on the first substrate layer with fixed depth.
    第１の基板層と、この第１の基板層上に積層された第１の基板層より弾性率の小さい第２の基板層と、前記第１の基板層の下側の一部の面の全てとその上の前記第２の基板層を一定の深さで削除して屈曲性を持たせて形成されたフレキシブル層とを具備することを特徴とするプリント配線板。 - 特許庁
  • A suspension substrate 1 comprises: a metal substrate 20; a first insulator layer 22 provided on the metal substrate 20; a first wiring layer 10 provided on the first insulator layer 22; a second insulator layer 24 provided on the first insulator layer 22 and the first wiring layer 10; and a second wiring layer 12 provided on the second insulator layer 24.
    サスペンション用基板１は、金属基板２０と、金属基板２０上に設けられた第１絶縁層２２と、第１絶縁層２２上に設けられた第１配線層１０と、第１絶縁層２２及び第１配線層１０上に設けられた第２絶縁層２４と、第２絶縁層２４上に設けられた第２配線層１２と、を備える。 - 特許庁
  • The magneto-optical recording medium is provided with a reproducing layer 3, a first in-plane magnetized layer 4, a nonmagnetic layer 5, a second in-plane magnetized layer 6, and a recording layer 7.
    光磁気記録媒体は、再生層３、第１面内磁化層４、非磁性層５、第２面内磁化層６及び記録層７を備える。 - 特許庁
  • A transistor 1 has a 4-layer structure consisting of a collector layer 11, a first base layer 12, an emitter layer 13 and a second base layer 14.
    トランジスタ１は、コレクタ層１１、第１のベース層１２、エミッタ層１３及び第２のベース層１４が積層された４層構造を有している。 - 特許庁
  • In an embodiment, the first decorative layer 22 is composed of a hard coat layer, and the second decorative layer 23 is composed of a hard coat layer or a deposited layer.
    一実施形態において、第一加飾層２２はハードコート層よりなり、第二加飾層２３はハードコート層又は蒸着層よりなる。 - 特許庁
  • The free layer 18 includes a composite structure in which a first layer, a second layer, and a third layer are laminated in order from the tunnel barrier layer 17 side.
    フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の層、第２の層および第３の層が順に積層された複合構造を有する。 - 特許庁
  • A transistor 1 has four layer structure, where a collector layer 11, a first base layer 12, an emitter layer 13 and a second base layer 14 are stacked.
    トランジスタ１は、コレクタ層１１、第１のベース層１２、エミッタ層１３及び第２のベース層１４が積層された４層構造を有している。 - 特許庁
  • The resistive memory element has a first electrode, a first insulating layer which is formed on the first electrode and has a first hole which exposes a part of the first electrode, a first resistance change layer which is brought into contact with the exposed first electrode and extended on the first insulating layer at a periphery of the first hole and a first switching element which is electrically connected to the first resistance change layer.
    第１電極、第１電極上に備わったものであり、第１電極の一部を露出させる第１ホールを有する第１絶縁層、露出された第１電極と接触され、第１ホール周囲の第１絶縁層上に拡張された第１抵抗変化層、及び第１抵抗変化層と電気的に連結された第１スイッチング素子を備える抵抗性メモリ素子である。 - 特許庁
  • In the group III nitride semiconductor electronic device, a first semiconductor layer 13 has distortion.
    第１の半導体層１３は、歪みを含む。 - 特許庁
  • A first first-conductive-type diffusion layer 120, a first second-conductive-type diffusion layer 130, a second first-conductive-type diffusion layer 150, and a second second-conductive-type diffusion layer 140 are arranged in this order.
    第１の第１導電型拡散層１２０、第１の第２導電型拡散層１３０、第２の第１導電型拡散層１５０、及び第２の第２導電型拡散層１４０はこの順に並んでいる。 - 特許庁
  • The first protective carbon layer comprises SP3 dominant carbon.
    第１保護炭素層はＳＰ３優勢な炭素である。 - 特許庁
  • - It lives in the first-layer which is located 21000 yojana under the bottom of the sea.
    -第1層、海底地下21000由旬を住処とする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Then, a first resin layer removing liquid is supplied from a second surface to remove the first resin layer on the through hole and its periphery of the first surface, and a conductive layer on the periphery of the through hole on the first layer is exposed.
    次に、第２面より第一樹脂層除去液を供給して、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の第一樹脂層を除去し、第１面の貫通孔周辺部の導電層を露出する。 - 特許庁
  • The semiconductor layer 3 has a structure in which an n-type cladding layer 4, a first light-emitting layer 5, a second light-emitting layer 6, a p-type clad layer 7, and a reflection layer 8 are sequentially laminated from the window layer 2 side.
    半導体層３は、ウインドウ層２側から順に、ｎ型クラッド層４と、第１発光層５と、第２発光層６と、ｐ型クラッド層７と、反射層８とが積層されている。 - 特許庁
  • This magneto-optical recording medium 10 consists of a substrate 1, base layer 2, reproducing layer 3, first nonmagnetic layer 4, intermediate magnetic layer 5, second nonmagnetic layer 6, recording layer 7 and protective layer 8.
    光磁気記録媒体１０は、基板１と、下地層２と、再生層３と、第１の非磁性層４と、中間磁性層５と、第２の非磁性層６と、記録層７と、保護層８とを備える。 - 特許庁
  • A TMR element is constituted of a anti-ferromagnetic layer 41, a first ferromagnetic layer (fixed layer) 42, an insulation layer 43, a second ferromagnetic layer (free layer) 44 and a flux guide layer 6.
    磁気抵抗効果素子は、反強磁性層４１、第１強磁性層（固定層）４２、絶縁層４３、第２強磁性層（自由層）４４およびフラックスガイド層６とから構成されている。 - 特許庁
  • On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown.
    半導体基板１上にマーカー層２，第一クラッド層３，エッチストップ層４，第二クラッド層５，活性層６，第三クラッド層７及びキャップ層８を順次成長させる。 - 特許庁
  • A container body 3 includes a first base layer 11, an adhesive layer 12, a gas barrier layer 13, an adhesive layer 14, a second base layer 15, a subsequent layer 16 and the innermost layer 17.
    容器本体３は、第１の基材層１１と、接着層１２と、ガスバリア層１３と、接着層１４と、第２の基材層１５と、次層１６と、最内層１７とを有している。 - 特許庁
  • This barrier layer 20 has a first tantalum layer 21 coming into contact with the aluminum wiring layer 14, a second tantalum layer 22 coming into contact with the gold wiring layer 19, and a tantalum nitride layer 23 interposed between the first tantalum layer 21 and the second tantalum layer 22.
    このバリア層２０は、アルミニウム配線層１４に接触する第１タンタル層２１、金配線層１９に接触する第２タンタル層２２、および第１タンタル層２１と第２タンタル層２２との間に介在された窒化タンタル層２３を有する。 - 特許庁
  • A free magnetic layer 6 is formed by laminating an enhance layer 12, a first soft magnetic layer 13, a first nonmagnetic metal layer 14, a second soft magnetic layer 15, a second nonmagnetic metal layer 16, and a third soft magnetic layer 19 in this order on an insulating barrier layer 5 from the bottom.
    フリー磁性層６は、絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、第１非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５、第２非磁性金属層１６及び第３軟磁性層１９の順に積層されている。 - 特許庁
  • The magnetic device includes a magnetic layer having a variable magnetization direction and known as a free layer; a first anti-ferromagnetic layer for trapping the magnetization direction of the free layer; and a layer formed of a ferromagnetic substance, brought into contact with the first anti-ferromagnetic layer via a surface opposite to the free layer, and known as a stabilization layer.
    本発明は、自由層として知られている、可変磁化方向を有する磁気層と、前記自由層と接触している、前記自由層の磁化方向をトラップすることができる第１の反強磁性層とを備えた磁気デバイスに関する。 - 特許庁
  • An organic light emitting element includes: a substrate; a first electrode; a second electrode; and an organic layer including an emission layer between the first electrode and the second electrode, and includes: a first intermediate layer including a first host and a first dopant; a second intermediate layer including the first dopant; and a third intermediate layer including a second host and the first dopant interposed between the first electrode and the emission layer.
    基板と、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に備えられ、発光層を備える有機層と、を備え、第１電極と発光層との間に第１ホストと第１ドーパントとを備える第１中間層、第１ドーパントを備える第２中間層、及び第２ホストと第１ドーパントとを備える第３中間層が介在された有機発光素子である。 - 特許庁
  • The first substrate unit has a plurality of first nuclear area forming parts that form first nuclear areas in the first liquid crystal layer.
    第１基板部は、第１核領域を第１液晶層に形成する複数の第１核領域形成部を有する。 - 特許庁
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