「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 489 490 次へ＞- The seam of the first seal layer has a first longitudinal axis and the seam of the second seal layer has a second longitudinal axis, and the first seal layer is oriented relative to the second seal layer such that the first longitudinal axis is angularly oriented relative to the second longitudinal axis.
第１シール層の継ぎ目は第１の長手方向の軸を有し、第２シール層の継ぎ目は第２の長手方向の軸を有し、第１シール層は第１の長手方向の軸が第２の長手方向の軸に対して角度をなす様配置される。 - 特許庁 - The first intermediate conductive layer 541 is conducted to the first switching element Q1 through a conductive hole HB1 of a first insulating layer L1, and the second intermediate conductive layer 542 is conducted to the second switching element Q2 through a conductive hole HB2 of the first insulating layer L1.
第１中間導電層５４１は、第１絶縁層Ｌ1の導通孔ＨB1を介して第１スイッチング素子Ｑ1に導通し、第２中間導電層５４２は、第１絶縁層Ｌ2の導通孔ＨB2を介して第２スイッチング素子Ｑ2に導通する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer.
半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。 - 特許庁 - The semiconductor element includes a semiconductor substrate 103, a first wiring-structure layer including a first wiring and a first insulating layer alternately formed on the semiconductor substrate, and a second wiring-structure layer including second wiring and a second insulating layer alternately formed on the first wiring-structure layer.
半導体素子は、半導体基板１０３と、半導体基板上に交互に設けられた第１配線および第１絶縁層を含む第１配線構造層と、第１配線構造層上に交互に設けられた第２配線および第２絶縁層を含む第２配線構造層とを含む。 - 特許庁 - Thus, the first DBR reflection layer 4 is provided between the semiconductor substrate 3 and first clad layer 5, so even when guided light reaches a lower end of the first clad layer 5, it is reflected by the first DBR reflection layer 4 and then a leakage of the light to the semiconductor layer 3 can be suppressed.
このように、半導体基板３と第１クラッド層５との間に、第１ＤＢＲ反射層４が設けられているので、導波光が第１クラッド層５の下端に達しても、第１ＤＢＲ反射層４において反射されるため、半導体基板３への光の漏れを抑制できる。 - 特許庁 - The cells also include an electrode slot 31 extended to the substrate 2 from a surface of the first electrode layer 4, a first slot 34 extended to the first electrode layer 4 from a surface of the second power generation layer 21, and a second slot 36 extended to the first electrode layer 4 from a surface of the second electrode layer 6.
更に、第１電極層４表面から基板２へ延びる電極溝３１と、第２発電層２１表面から第１電極層４へ延びる第１溝３４と、第２電極層６表面から第１電極層４へ延びる第２溝３６とを備える。 - 特許庁 - When the laser beam LB is irradiated, the first organic layer 16A sublimates and adhesiveness between the auxiliary electrode 14 and the first organic layer 16A is reduced remarkably, the second organic layer 16B formed on the first organic layer 16A is removed together with the first organic layer 16A.
レーザ光ＬＢを照射すると第１の有機層１６Ａが昇華して、補助電極１４と第１の有機層１６Ａとの密着力が大きく低下し、第１の有機層１６Ａの除去と共に、第１の有機層１６Ａの上に形成された第２の有機層１６Ｂも一緒に除去される。 - 特許庁 - A first pair of bit lines connected to a first sense amplifier are formed of a first wiring layer, and a second pair of bit lines connected to a second sense amplifier are formed of a second wiring layer different from the first wiring layer.
第１のセンスアンプに接続される第１対のビット線は、第１配線層で形成され、第２のセンスアンプに接続される第２対のビット線は、第１の配線層と異層の第２配線層で形成される。 - 特許庁 - A first polymer or first polymer composition layer is formed by coating on a substrate and a second polymer or second polymer composition layer is formed by coating on the first polymer or first polymer composition layer.
基板上に第１のポリマー或いは第１のポリマー組成物層を塗布形成し、該第１のポリマー或いは第１のポリマー組成物層の上に第２のポリマー或いは第２のポリマー組成物層を塗布形成する。 - 特許庁 - The heavy-to-release film includes a first peeling base material and a first peeling agent layer formed on one surface of the first peeling base material and is laminated so that the first peeling agent layer is in contact with the pressure-sensitive adhesive agent layer.
重剥離フィルムは、第１の剥離基材と、その第１の剥離基材の一方の面に形成された第１の剥離剤層とを有し、第１の剥離剤層が粘着剤層に接するように貼り合わされている。 - 特許庁 - An epitaxial silicon wafer includes a bulk wafer having a first doping concentration, a first epitaxial layer formed over the bulk wafer, the first epitaxial layer having a second doping concentration which is higher than the first doping concentration, and a second epitaxial layer formed over the first epitaxial layer, the second epitaxial layer having a third doping concentration which is lower than the second doping concentration.
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、第１ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、該バルクウェーハ上に前記第１ドーピング濃度より高い第２ドーピング濃度を有する第１エピタキシャル層と、該第１エピタキシャル層上に前記第２ドーピング濃度より低い第３ドーピング濃度を有する第２エピタキシャル層とを備える。 - 特許庁 - The first shield layer 3 includes a first exchange coupled magnetic field application layer 13 applying an exchange coupled magnetic field in a direction parallel to a surface facing the recording medium, on the first MR magnetic layer 6; and a first antiferromagnetic layer 12 coupled in an antiferromagnetic manner to the first exchange coupled magnetic field application layer.
第１のシールド層３は、第１のＭＲ磁性層６に記録媒体対向面と平行な向きの交換結合磁界を印加する第１の交換結合磁界印加層１３と、第１の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第１の反強磁性層１２と、を有している。 - 特許庁 - The semiconductor device 10 comprises a semiconductor substrate 21 of the first conductivity type, a first diffusion layer 22 of the first conductivity type, a second diffusion layer of the second conductivity type formed inside the first diffusion layer 22, and a third diffusion layer 27 of the first conductivity type selectively formed on the surface of the second diffusion layer 23.
半導体装置１０は、第１導電型の半導体基板２１と、第１導電型の第１の拡散層２２と、第１の拡散層２２の内部に形成された第２導電型の第２の拡散層２３と、第２の拡散層２３の表面に選択的に形成され第１導電型の第３の拡散層２７とを備える。 - 特許庁 - The load bearing surface includes: a support structure; a first layer attached to the support structure, the first layer varying under a load depending on a first deflection profile; a second layer attached to the support structure; and a plurality of spring elements disposed between the first layer and the second layer to operatively interact when the first layer deflects under a load.
耐荷重面が、サポート構造体と、該サポート構造体に取り付けられていて、第一変形プロフィールに基づく荷重で変形可能な第一層と、該サポート構造体に取り付けられた第二層と、該第一層が荷重により変形する場合作動可能に相互作用するために、該第一層と該第二層との間に配置された複数のスプリングエレメントとを具備する。 - 特許庁 - Subsequently, the first plating layer 6 is removed by etching, and a third plating layer 9 may be formed in a hole from which the first plating layer 6 is removed by etching, by electrifying from the second plating layer 7.
第１のめっき層６をエッチング除去し、第１のめっき層６がエッチング除去された孔内に、第２のめっき層７から通電して第３のめっき層９を形成してもよい。 - 特許庁 - A first conductive layer 15 and a second conductive layer 16 are formed on the gate insulating film 4 so that the thickness of the first conductive layer 15 is thinner than that of the second conductive layer 16.
ゲート絶縁膜４上に、第１導電層１５および第２導電層１６を、第１導電層１５の層厚が第２導電層１６の層厚よりも薄くなるように形成する。 - 特許庁 - The micro machine device includes a substrate 10, a first material layer 12 provided on the surface of the substrate and a second material layer 16 supported by a sacrifice layer 14 through the space from the first material layer 12.
基板１０と、該基板の表面に設置された第一材料層１２と、前記第一材料層との間に隙間があり、犠牲層１４に支持された第二材料層１６とを含む。 - 特許庁 - The film thickness of the second protective layer 9 is made smaller than the total film thickness of the first printing layer 8 and the second printing layer 8b and the film thickness of the first protective layer 7 is made greater than 2 μm.
第２の保護層９の膜厚を第１の印刷層８ａおよび第２の印刷層８ｂの合計の膜厚以下とし、第１の保護層７の膜厚を２μｍ以上とする。 - 特許庁 - The refraction factor of a boundary surface between the first intermediate layer 15A and the second intermediate layer 15B gradually changes as a result of blending of the first intermediate layer 15A and the second intermediate layer 15B.
第１中間層１５Ａと第２中間層１５Ｂとの界面は、第１中間層１５Ａと第２中間層１５Ｂが混じり合うことで徐々に屈折率が変化している。 - 特許庁 - A bandgap on the first buffer layer 21 is larger than a bandgap on the first active layer 23, while a bandgap on the second buffer layer 31 is larger than a bandgap on the second active layer 33.
第１のバッファ層２１のバンドギャップは、第１の活性層３３のバンドギャップよりも大きく、第２のバッファ層３１のバンドギャップは、第２の活性層３３のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁 - Two elastic layers of a first elastic layer 8 and a second elastic layer 7 are provided on the surface of a core bar 4, and the hardness of the first elastic layer 8 is made lower than that of the second elastic layer 7.
芯金４の表面に第１弾性層８、第２弾性層７の２つの弾性層を設け、第１弾性層８の硬度を第２弾性層７の硬度よりも小さくする。 - 特許庁 - This manufacturing method of a laminated body 100 including a layer made of a first material and a layer of a second material, includes: a process of polishing a second layer 2 made of a second material from the opposite side to a first layer 1.
また、この製造方法により積層体を得るために好適に用いることができる非研磨物保持用治具、及びこれを備える研磨装置を提供すること。 - 特許庁 - The adhesion layer 24 is comprised of a first layer 12 made of a water-soluble material, and a second layer 13 which is formed so as to cover the entire surface of the first layer 12 and is made of a waterproof material.
密着層２４が、水溶性材料から成る第１層１２と、第１層１２の全面を覆って形成され、且つ耐水性材料から成る第２層１３とから構成される。 - 特許庁 - Moreover on those layers, a first insulating layer 71, a first metal layer 72, a second insulating layer 73, and a second metal layer 74 are formed in each predetermined area in order.
これらの上に更に各々所定領域において第１絶縁層７１，第１金属層７２，第２絶縁層７３および第２金属層７４が順に形成されている。 - 特許庁 - A first offset impurity layer 42 is formed under the first semi-recessed LOCOS layer 40, and a second offset impurity layer 52 is formed under the second semi- recessed LOCOS layer 50.
第１のセミリセスＬＯＣＯＳ層４０の下に、第１のオフセット不純物層４２が形成され、第２のセミリセスＬＯＣＯＳ層５０の下に、第２のオフセット不純物層５２が形成されている。 - 特許庁 - The present invention comprises a method of bit stream decoding comprising receiving a first layer data and a second layer data, combining the received first layer data and the received second layer data, and decoding the combined data.
第一層データおよび第二層データを受信し、受信された第一、第二層データを組み合わせ、この組み合わされたデータを復号化する、ビデオビットストリームを復号化する方法を含む。 - 特許庁 - A first layer 101 including a first opening OP1 and containing an ashable material is formed on a laminated layer SL including a charge accumulating layer and a gate electrode layer.
電荷蓄積層とゲート電極層とを有する積層された層ＳＬ上に、第１の開口部ＯＰ１を有し、灰化可能な材質を含有する第１の層１０１が形成される。 - 特許庁 - A first electrode layer 2 and a first organic EL layer are formed in turn on a substrate 1, and on the other hand, a second electrode layer 6 and a second EL layer are formed in turn on a support body 8.
基材１上に、第一電極層２と第一有機ＥＬ層を順次形成し、一方で支持体８上に、第二電極層６と第二有機ＥＬ層を順次形成する。 - 特許庁 - A first insulating layer 41, a first metal layer 42, a second insulating layer 43, and a second metal layer 44 are further formed respectively in turn on in each prescribed region further on these layers.
これらの上に更に各々所定領域において第１絶縁層４１，第１金属層４２，第２絶縁層４３および第２金属層４４が順に形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor package 1 is constituted by stacking a first conductive layer 12, a first insulating layer 14, a second conductive layer 15, and a second insulating layer 16 in order on a semiconductor substrate 11.
本発明の半導体パッケージ１は、半導体基板１１に第一導電層１２、第一絶縁層１４、第二導電層１５、第二絶縁層１６を順に重ねてなる。 - 特許庁 - A first layer 101 is formed on a substrate 100, a light absorbing layer 103 is formed on the first layer 101, and the light absorbing layer 103 is selectively irradiated with a laser beam 105.
基板１００上に第１の層１０１を形成し、第１の層１０１上に光吸収層１０３を形成し、光吸収層１０３に選択的にレーザビーム１０５を照射する。 - 特許庁 - A hologram laminate includes a hologram recording layer in which a hologram is recorded, a first adhesion layer, a pattern layer having a first region and a second region, and a second adhesion layer.
ホログラム積層体は、ホログラムが記録されるホログラム記録層と、第１の接着層と、第１の領域および第２の領域を有するパターン層と、第２の接着層とを備える。 - 特許庁 - In a state where a first metal layer coming into contact with a semiconductor is covered with an anti-oxidation second metal layer, only the first metal layer is silicided to form a silicide layer where oxygen is not mixed.
半導体と接した第１の金属層を酸化防止用の第２の金属層で覆った状態で、第１の金属層のみをシリサイド化し、酸素混入のないシリサイド層を形成する。 - 特許庁 - The second glass transition point temperature given to a second layer 2 which is the other layer is relatively controlled to the first glass transition point temperature to be given to the first layer out of the two-layer structure.
その２層構造のうちの第１層に与える第１ガラス転移点温度に対して他層である第２層２に与える第２ガラス転移点温度を相対的に制御する。 - 特許庁 - The metallic laminate comprises a first clear layer and a second clear layer with a different refractive index from that of the first layer which are stacked in order on a metal layer.
本発明のメタリック積層体は、金属層の上に、第一クリヤー層、第一クリヤー層と屈折率の異なる第二クリヤー層が順に積層されたものであることを特徴する。 - 特許庁 - The first protective layer 8 and the second protective layer are formed mutually from the same kind of material, and the first lubrication layer 9 and the second lubrication layer are formed mutually from the same kind of material.
第１の保護層８と第２の保護層とを互いに同種の材料から構成し、第１の潤滑層９と第２の潤滑層とを互いに同種の材料から構成する。 - 特許庁 - This antireflection film is produced by successively forming a first light absorbing layer 3, a first transparent layer 4 having low refractive index, a second light absorbing layer 5 and a second transparent layer 6 having low refractive index on a substrate 2.
基材２上に、第１の光吸収層３と、第１の低屈折透明層４と、第２の光吸収層５と、第２の低屈折率透明層６とを順次形成する。 - 特許庁 - The fuse element including a first layer formed of an oxide or a nitride and a second layer that becomes high resistant by nitridation or oxidation, in which the first layer and the second layer are in contact with each other, is manufactured.
酸化物又は窒化物からなる第１の層と、窒化又は酸化することにより高抵抗化する第２の層により、第１の層と第２の層が接するヒューズ素子を作製する。 - 特許庁 - The columnar diamond is held by a first holding layer and a second holding layer in the longitudinal direction, and the first holding layer and the second holding layer face mutually to hold the columnar diamond so as to nip it.
柱状ダイヤモンドは、長手方向に第１の保持層と第２の保持層とにより保持され、第１の保持層と第２の保持層は対面し、柱状ダイヤモンド挟み込むように保持する。 - 特許庁 - A first semiconductor layer 13 is provided on one surface of the substrate 12, and a second semiconductor layer 14 of a channel region forming layer is provided on the first semiconductor layer 13.
半導体基板１２の片面に第１の半導体層１３が設けられ、第１の半導体層１３上にチャネル領域形成層の第２の半導体層１４が設けられている。 - 特許庁 - At least one of the first optical layer and the second optical layer contains a functional group with high polarity, and the content is different between the first optical layer and the second optical layer.
第１の光学層および第２の光学層の少なくとも一方が、極性の高い官能基を含み、その含有量が第１の光学層と第２の光学層とで異なる。 - 特許庁 - The quantum well structure comprises: a first group III nitride based barrier layer; a group III nitride based quantum well layer on the first barrier layer; and a second group III nitride based barrier layer.
量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。 - 特許庁 - First and second stacked bodies 1A, 1B are formed, by pressing a three-layer structure sandwiching an electrolyte layer 2 in between a first electrode layer 3 and a second electrode layer 4.
第１の電極層３と第２の電極層４との間に電解質層２を挟み込んだ三層構造をプレスすることにより第１，第２の積層体１Ａ，１Ｂを形成する。 - 特許庁 - After a first electrode consisting of a first metal which is in Schottky contact with the upper layer semiconductor layer is formed, a second electrode consisting of a second metal is formed in the upper layer semiconductor layer.
上層半導体層にショットキー接触する第１の金属からなる第１の電極を形成した後、上層半導体層に第２の金属からなる第２の電極を形成する。 - 特許庁 - The bioactivity holding layer 4 is constituted of a first layer 5 constituted of crosslinked elastin and a second layer 6 holding cytokine and/or a cell growth factor on the outer surface of the first layer 5.
生物活性保持層４は、架橋エラスチンから構成される第１層５と、その外面でサイトカイン及び／又は細胞増殖因子を保持する第２層６とから構成されている。 - 特許庁 - A first electrode layer 2 corresponding to a plurality of generation regions is formed on a substrate 1, and a semiconductor layer 3 and a conductor layer 4a are successively formed on the first electrode layer 2.
基板１上に複数の発電領域に対応した第１の電極層２を形成し、この第１の電極層２上に半導体層３と導体層４ａを順次形成する。 - 特許庁 - A magnetic layer adjacent to the first magnetic layer is made to lose magnetism in a recording temperature, so that recording characteristics of the first magnetic layer is not affected by the second magnetic layer.
また、記録温度において第一の磁性層に隣接する磁性層が磁性を失うようにし、第二の磁性層によって第一の磁性層の記録特性に影響を与えないようにした。 - 特許庁 - The semiconductor laser includes a first conductive clad layer 20, an active layer 30, a current block 40, a second conductive clad layer 50, a contact layer 60, a first electrode 70, a second electrode 80, and a through-electrode 90.
第1導電型クラッド層20と、活性層30と、電流ブロック部40と、第2導電型クラッド層50と、コンタクト層60と、第1電極70と、第2電極80と、貫通電極90とを備えて構成される。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a micro electromechanical device, a first sacrifice layer member 102 and a second sacrifice layer member 104 having an etching rate lower than that of the first sacrifice layer member 102 are prepared, and a space layer 102a is formed by removing all of the first sacrifice layer member 102.
第１犠牲層部材１０２と、第１犠牲層部材１０２のエッチング・レートよりも遅いエッチング・レートを有する第２犠牲層部材１０４とからなり、第１犠牲層部材１０２がすべて除去されて空間層１０２ａを形成する。 - 特許庁 - The nucleic acid analysis device includes a first metal layer 602, with a gap formed on a support substrate 601, and a second metal layer or an insulation layer 603 different from the first metal layer 602 between the supporting substrate 601 and the first metal layer 602.
支持基体６０１上に形成された、ギャップを有する第一の金属層６０２と、支持基体６０１と第一の金属層６０２の間に第一の金属層６０２とは異なる第二の金属層又は絶縁層６０３を有する。 - 特許庁
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