「First layer」を含む例文一覧(24472)
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基板１０上に、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域３０Ａと、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる高欠陥領域３０Ｂとを有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０を備える。 - 特許庁 - The dummy layer of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate 401, an element separation film 402 for composing a dummy active region 403 in the logic region on the semiconductor substrate 401, a first dummy pattern 404 formed on the element separation film 402, and a second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404.
本発明による半導体素子のダミー層は、半導体基板(401)と、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)と、素子分離膜(402)上に形成された第１ダミーパターン(404)と、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)とを有する。 - 特許庁 - At least one of the first and the second optical lamination bodies is the combination type polarizing plate having a first polarizing plate 1 and a second polarizing plate 2 arranged on the surface of the optical compensation layer opposite the liquid crystal cell side-by-side in such a way that at least a set of end faces are opposite each other.
第１及び第２の光学積層体のうち少なくとも一方は、少なくとも１組の端面が対向するように、光学補償層の液晶セルと反対側の面に並設された第１の偏光板１及び第２の偏光板２を有する組み合わせ型偏光板とされる。 - 特許庁 - A first inclination α, between a first inclined surface part 28a formed on a connecting plate part 28 of a ring part 27 of the gas flow passage forming member 21 and the separator 23, is set smaller than a second inclination β between a second inclined plate part 28b, formed on the connecting plate part 28 and the gas diffusion layer 19.
ガス流路形成部材２１のリング部２７の連結板部２８に形成された第１傾斜板部２８ａと、セパレータ２３との第１傾斜角αを、連結板部２８に形成された第２傾斜板部２８ｂとガス拡散層１９との第２傾斜角βよりも小さくする。 - 特許庁 - The method of constituting the metal material includes a step of preparing the substrate including a region formed from a first semiconductor material, and a second material containing germanium separated by a pattern formed from a dielectric material, a step of performing deposition (F2) of a metal layer, and a step of performing a first thermal process (F3).
第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し（Ｆ２）、第１熱処理（Ｆ３）を行うことを含む。 - 特許庁 - The electronic device contains a glass substrate 100, a patterned semiconductor substrate having at least one opening and disposed on the glass substrate, and at least one passive component having first conductive layers 104, 104a, and 104b and second conductive layer 112, 112a, 112b, and 112c, wherein the first conductive layers are disposed between the patterned semiconductor substrate and the glass substrate.
電子装置は、ガラス基板と、少なくとも一つの開口を有し、ガラス基板上に設置されるパターン化半導体基板と、第一導電層と第二導電層を有し、第一導電層が、パターン化半導体基板とガラス基板間に設置される少なくとも一つの受動素子と、からなる。 - 特許庁 - Next, while the first member 2, the polymer alloy, and the second member 3 are placed one upon another, the intermediate material 5 is heated by being irradiated with laser beam, the first resin in the polymer alloy and the resin of the primer layer 4 are fused together, and the second resin in the polymer alloy and the second member 3 are fused together.
次いで、第１部材２、ポリマーアロイ及び第２部材３を重ねた状態で、レーザー光を照射して中間材５を加熱し、ポリマーアロイ中の第１樹脂とプライマー層４の樹脂とを融着するとともに、ポリマーアロイ中の第２樹脂と第２部材３とを融着する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.
本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁 - End parts in width directions of the collectors 2, 5 include first exposed parts 2a, 5a where the active material layers 3, 6 are not formed along a longitudinal direction, and the first exposed parts 2a, 5a are arranged so as to be protruded in opposite direction with each other from the porous insulating layer 7.
集電体２、５の幅方向の端部は、長手方向に沿って活物質層３、６が形成されていない第１の露出部２ａ、５ａを有し、第１の露出部２ａ、５ａは、多孔質絶縁層７から互いに反対方向に突出するように配置されている。 - 特許庁 - Since the low-temperature co-fired ceramic substrate contains a diopside-based crystallized glass, the dielectric loss in the high-frequency band is small, and the second dielectric layer makes up for the fluidity of a first glass powder forming diopside-based crystals due to rapid crystallization of the first glass powder.
本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを含むため、高周波帯域において誘電損失が小さく、第２誘電体層がディオプサイド系結晶を形成する第１ガラス粉末の急激な結晶化による流動性を補充する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, a first supporter hole 21 and a second supporter hole 22 are first formed on an SOI element forming region 13, and a boundary groove 14 is formed on the entire periphery along the boundary between the SOI element forming region 13 and an element isolation layer 12.
半導体基板４１の製造方法は、まず、ＳＯＩ素子形成領域１３に第１支持体穴２１及び第２支持体穴２２を形成するとともに、ＳＯＩ素子形成領域１３と素子分離層１２との境界に沿った全周に境界溝１４を形成する。 - 特許庁 - First, an embedded light receiving element has a photoelectric conversion region with a first conductivity type for generating and accumulating signal charge in response to incident light, and a surface region with a second conductivity type provided on an upper layer of the photoelectric conversion region for preventing surface depletion.
まず、埋め込み型の受光素子は、入射光に応じて信号電荷を生成して蓄積する第１導電型の光電変換領域と、光電変換領域の上層に設けられて表面空乏化を阻止する第２導電型の表面領域とを有する。 - 特許庁 - With a second oxide film 3 coated with a second photoresist layer 31, a first oxide film 2 is etched with a first gate electrode 7 along with an oxide film mask 30A as a mask, so that the thin second oxide film 3 is over-etched to prevent a semiconductor substrate 1 from being exposed.
第２の酸化膜３を第２のフォトレジスト層３１で被覆した状態で第１のゲート電極７とその上の酸化膜マスク３０Ａをマスクにして第１の酸化膜２をエッチングしているので、薄い第２の酸化膜３がオーバー・エッチングされて半導体基板１が露出することが防止される。 - 特許庁 - AC current is supplied to a resistance heating layer of a fixing belt 31 by a first power feed member 37a and a second power feed member 37b which are respectively connected to an AC power source 34 via a first current path 44 and a second current path 45.
定着ベルト３１の抵抗発熱層には、交流電源３４に第１電流経路４４および第２電流経路４５を介してそれぞれ接続された第１給電部材３７ａおよび第２給電部材３７ｂによって交流電流が供給される。 - 特許庁 - The gate insulator has a first insulating film 6 that is formed on the active layer 3 and includes at least one compound selected from the group consisting of Al_2O_3, HfO_2, ZrO_2, La_2O_3, and Y_2O_3, and a second insulating film 7 that is formed on the first insulating film 6 and is made of SiO_2.
ゲート絶縁膜は、活性層３上に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｙ_２Ｏ_３から成る群から選択された１つ以上の化合物を含む第１の絶縁膜６と、第１の絶縁膜６上に形成され、ＳｉＯ_２から成る第２の絶縁膜７とを有する。 - 特許庁 - Further, the device includes a first relay wiring 910 disposed below the dielectric film 75, and a relay layer 901 comprising at least the same film as the pixel electrodes 9a and electrically connecting the capacitor line 400 and the first relay wiring 910.
更に、誘電体膜７５より下層側に配置された第１中継配線９１０と、複数の画素電極９ａと同一膜より少なくともなると共に、容量線４００と第１中継配線９１０とを電気的に中継接続する中継層９０１とを備える。 - 特許庁 - The via plug 111 and upper-layer wiring 112 each have first and second barrier metal films 107 and 108 and a Cu film 110 laminated in order, wherein the first barrier metal film 107 contains nitrogen and the second barrier metal film 108 contains platinum group metals.
ビアプラグ１１１および上層配線１１２では、それぞれ、第１および第２のバリアメタル膜１０７，１０８とＣｕ膜１１０とが順に積層されており、第１のバリアメタル膜１０７は窒素を含有し、第２のバリアメタル膜１０８は白金族元素を含有している。 - 特許庁 - The liquid crystal device has: a liquid crystal layer disposed between a first substrate 8 and a substrate opposite thereto; a plurality of display pixels Pa aligned in a plane region of the first substrate 8; and the viewing angle control pixels Pb arranged between those display pixels Pa.
第１基板８とそれに対向する基板との間に設けられた液晶層と、第１基板８の平面領域内に配列された複数の表示画素Ｐａと、それらの表示画素Ｐａの間に設けられた視角制御画素Ｐｂとを有する液晶装置である。 - 特許庁 - The first liquid crystal layer differentiates phase states of light transmitted between the first substrate and the second substrate upon ascending and descending of potential difference between both substrates from each other and maintains the phase state upon the ascending after being changed from the ascending to the descending.
第１液晶層は、第１基板および第２基板間の電位差の上昇時と下降時とでこれら両基板間を透過する光の位相状態が異なるとともに、電位差上昇時から前記下降時に変わった後に上昇時の前記位相状態を維持する。 - 特許庁 - The first layer is formed by coating by using water vapor as a carrier the first coating liquid containing a compound selected from the group consisting of aromatic compounds having five or more conjugated π bonds and heterocyclic compounds having five or more conjugated π bonds.
第一層は共役π結合を５個以上有する芳香族化合物及び共役π結合を５個以上有する複素環式化合物からなる群から選ばれた化合物を含有する第一塗布液を、キャリアーとして水蒸気を用いて塗布して形成されたものである。 - 特許庁 - The organic EL element 100 is provided with a substrate 41 having an insulating surface, a first electrode 42 and a second electrode 50 formed on the insulating surface of the substrate 41, and an organic EL layer 44 formed between the first electrode 42 and the second electrode 50.
有機ＥＬ素子１００は、絶縁性表面を有する基板４１と、基板４１の絶縁性表面の上に形成された第１電極４２および第２電極５０と、第１電極４２および第２電極５０の間に形成された有機ＥＬ層４４とを備える。 - 特許庁 - At least two or more interfaces are formed by a solution containing a first solvent in which carbon fullerenes are dissolved in a saturated state and a second solvent having lower solubility to the fullerenes than that of the first solvent, and then a two-layer separation state is formed at each interface to deposit the fullerene nanowhiskers.
炭素フラーレン類を飽和に溶解させた第１溶媒を含む溶液と、前記第１溶媒よりフラーレンの溶解度が低い第２溶媒で、少なくとも２以上の界面を作り、それぞれの界面において２層分離状態を形成してフラーレンナノウィスカーを析出する。 - 特許庁 - The semiconductor device manufacturing method includes the step of polishing a second surface 6 opposite to the first surface 4 of a semiconductor wafer 2 where a plurality of integrated circuits 10 are formed on the first surface 4, and then forming a resin layer 12 on the circumference 8 of the semiconductor wafer 2.
半導体装置の製造方法は、第１の面４に複数の集積回路１０が形成された半導体ウエハ２の、第１の面４とは反対の第２の面６を研削すること、及び、その後、半導体ウエハ２の周縁部８に樹脂層１２を形成すること、を含む。 - 特許庁 - A hydrogen barrier film 7 has a removal region 7A formed to bore a first contact hole H1 connecting the gate electrode 3, source electrode, and drain electrode of a MOS transistor T to a wiring layer 9, and the first contact hole H1 is formed inside the removal region 7A.
水素バリア膜７に、配線層９と、ＭＯＳトランジスタＴのゲート電極３、ソース電極及びドレイン電極とを接続する第一のコンタクトホールＨ１を通すための除去領域７Ａを形成し、この除去領域７Ａの内側に、第一のコンタクトホールＨ１を形成する。 - 特許庁 - In a roll-like stacked electrode 1 constituted with a first electrode 4, a second electrode 6, and insulating layers 8, 10 for separating these electrodes, a coating layer 14 is formed in a region selected at one end of the first electrode 4 in a thermal spray coating process.
第１の電極４、第２の電極６及びこれらの電極を分離するための絶縁層８，１０から構成されるロール状の積層電極１において、第１の電極４の一端部の選択された領域にサーマルスプレイコーティング法を用いてコーティング層１４を形成する。 - 特許庁 - Since a top surface of a second interlayer insulation film 3 and that of a first wiring 11 made of copper are different from each other in height, a step is formed at a position corresponding to a position of the first wiring 11 on the top surface of a three-layer film constituting an MIM capacitive element 13 on the level difference.
第２の層間絶縁膜３の上面と銅を材料とする第１の配線１１の上面との高さが互いに異なるので、その上のＭＩＭ容量素子１３を構成する３層膜の上面には、第１の配線１１の位置に対応した位置に段差が形成される。 - 特許庁 - In forming the sealing film, the metal mask 2 is first formed on the lower surface 1a of the substrate 1, and then the sealing film 9 is formed to cover a first electrode 6, a light emitting layer 7, and a second electrode 8 on the substrate 1 via the opening of the metal mask 2 by the plasma CVD method.
封止膜の形成時には、まず基板１の下面１ａ上にメタルマスク２を配置し、次にメタルマスク２の開口を介してプラズマＣＶＤ法により基板１上の第１電極６、発光層７及び第２電極８を覆うように封止膜９を形成する。 - 特許庁 - The multilayer ceramic capacitor 10 can be sectioned for convenience into a first layered body 11 and a second layered body 12 wherein a large number of first layered bodies 11 and second layered bodies 12 are laid in layers alternately such that the internal electrodes (13a, 13b) face each other while sandwiching a ceramic layer 14.
積層セラミックコンデンサ１０は、第１積層体１１と第２積層体１２に便宜上区画でき、第１積層体１１と第２積層体１２は、共にセラミック層１４を挟んで内部電極（内部電極１３ａ、内部電極１３ｂ）を対向するよう交互に多数積層させる。 - 特許庁 - Various kinds of operation images include a first screen as a higher layer, and a second screen 302 positioned below it, while a screen switching image associated with control to select the second screens among the displayed operation images, is included in the first screen.
各種の操作画面には、上位階層となる第一画面とその下位階層となる第二画面３０２とが含まれ、第一画面には、表示される操作画像のいずれかに第二画面へと画面を切り替える制御内容が対応付けられた画面切替画像が含まれる。 - 特許庁 - A method for manufacturing the light-emitting element includes a process for forming the irregularities on the first main surface of the A1_20_3 substrate by using the self-organization pattern of the block copolymer or the graft copolymer and a process for forming the light-emitting layer on the first main surface of the A1_20_3 substrate.
発光素子の製造方法はブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの自己組織化パターンを用いて、Ａｌ_２Ｏ_３基板の第一主面に凹凸を形成する工程と、前記Ａｌ_２Ｏ_３基板の第一主面上に発光層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - A first identification mark is formed at the leading part of the ground of the metal pattern layer obtained from the first shot S1, a second identification mark is formed at the rear part of the ground obtained from the n-th shot Sn, and surfaces of the shielding material area between the two identification marks are counted to grasp the number of surfaces.
第１ショット部Ｓ１から得られる金属パターン層のアース部の先頭部に第１識別マークが形成され、第ｎショット部Ｓｎから得られるアース部の後尾部に第２識別マークが形成されるようにし、２つの識別マークの間のシールド材領域をカウントして面数を把握する。 - 特許庁 - The first filter layer is used to receive a biological sample and disk-shaped, has a size deposited in the sealing space provided by mutually engaging the bulge portion of the first sheet and the depression of the second sheet, and comprises components such as sodium azide (NaN_3), sodium dihydrogen phosphate (NaH_2PO_4), and urea.
第１ろ過層は検体の受けに用い、円盤状の構造を有し、その大きさは第１片体の凸部と該第２片体の凹部の相互に嵌合する密閉空間内に収容され、アジ化ナトリウム（ＮａＮ_3）、リン酸二水素ナトリウム（ＮａＨ_2ＰＯ_4）、尿素（Ｕｒｅａ）等の成分を具備する。 - 特許庁 - Subsequently, a second resist pattern 31 having openings 31a, 31b on the openings 30a, 30b, respectively, is formed without removing the first resist pattern 30, and second metal layers 26a, 26b to be metal bumps 23, 24 are formed, respectively, by electrolytic plating by using the first metal layer 25 as an electrode.
続いて、第１レジストパターン３０を除去せずに、開口部３０ａ、３０ｂ上に開口部３１ａ、３１ｂを有する第２レジストパターン３１を形成し、第１金属層２５を電極とする電解メッキにより金属バンプ２３、２４となる第２金属層２６ａ、２６ｂを形成する。 - 特許庁 - The resin layer 30d can avoid shorts regardless of contact of adjacent first elastic strips 34 when the first elastic strips 34 of the terminals 30 are elastically deformed in a width direction of the fixed housing 10, by which the pitch between the respective terminals 30 can be reduced.
また、各端子３０の第１の弾性片部３４が固定ハウジング１０の幅方向に弾性変形する際、隣接する第１の弾性片部３４同士が接触しても、樹脂層３０ｄによって短絡を防止することができるので、各端子３０のピッチを小さくすることができる。 - 特許庁 - As a result, the organic electroluminescent display element has the first and second hole-injecting layers, and forms the charge-generating layer between the first and second hole-injecting layers, thus improving efficiency and lifetime characteristics by reducing the drive voltage of the element.
これにより、第１正孔注入層及び第２正孔注入層を備え、該第１正孔注入層と第２正孔注入層との間に電荷発生層を形成することにより、素子の駆動電圧を低下させて効率及び寿命特性を改善させることができる。 - 特許庁 - On a section along the width direction of the wiring section 50, the first writing conductor W1, the first and second reading conductors R1, R2, and the second writing conductor W2 are arranged in three dimensions by changing the heights thereof in the thickness direction of the insulating layer 21.
配線部５０の幅方向に沿う断面において、第１の書込用導体Ｗ１と、第１および第２の読取用導体Ｒ１，Ｒ２と、第２の書込用導体Ｗ２とが、それぞれ絶縁層２１の厚み方向に高さを変えて立体的に配置されている。 - 特許庁 - This magnetic recording medium has a first base film 2, a second base film 3, a non-magnetic intermediate film 4 and a vertical magnetic film 5 having an easily-magnetized axis oriented essentially vertically to a substrate 1 which are laminated on the substrate in this order and the first base layer 2 consists of a material having B2 structure.
基板１上に第１下地膜２、第２下地膜３、非磁性中間膜４が設けられ、その上に磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜５が設けられ、第１下地膜２が、Ｂ２構造をなす材料からなるものである。 - 特許庁 - A dyestuff, indicating a first weight reduction at 250°C or lower and a second weight reduction at 260°C or higher and having 60% weight reduction ratio or smaller at the time of reaching 300°C by thermogravimetric analysis, is contained in the first write-once type recording layer 14.
この第１追記型記録層１４には、熱重量分析において、２５０℃以下での第１の重量減少と、２６０℃以上での第２の重量減少とを示し、且つ３００℃に到達した時点での重量減少率が６０％以下である色素が含有されている。 - 特許庁 - By forming the electroce non-formation sections of the specified width (h) at the ends in the wind-up direction of the first and second electrodes 12, 16, there is no short circuit generated between the first and second electrodes 12, 16 even if a difference in contraction is generated between each layer of the piezoelectric element laminated body when firing the laminated body.
第１電極１２と第２電極１６の巻き上げ方向端部に所定幅ｈの電極非形成部を形成することで、焼成の際に圧電素子積層体の各層間に収縮差が生じても、第１電極１２と第２電極１６との間で短絡することがない。 - 特許庁 - This module comprises a heat sink 101, a plurality of first conductive layers 103, which have a thickness of 0.7 mm or larger, when the heat sink 101 is bonded via a resin insulating layer 102 thereon, and a plurality of circuits electrically connected between the plurality of first conductive layers 103.
放熱板１０１と、前期放熱板１０１と樹脂絶縁層１０２を介して接合された厚さが０．７ｍｍ以上の複数の第１の導電層１０３と、前記複数の第１の導電層１０３相互間に電気的に接続される複数の回路部分１０７からなる。 - 特許庁 - An upper magnetic pole layer 13 has its one end part disposed in an air bearing surface 30, and has a constant width equal to a recording track width, a first part 13A including a magnetic pole part, and a second part 13B connected to the other end of the first part 13A, and including a yoke part.
上部磁極層１３は、一端部がエアベアリング面３０に配置され、記録トラック幅に等しい一定の幅を有し、磁極部分を含む第１の部分１３Ａと、第１の部分１３Ａの他端部に連結され、ヨーク部分を含む第２の部分１３Ｂとを有している。 - 特許庁 - An insulating film 11 is provided in a region from the top face of a word line 5x which is the closest to a plurality of the first injection diffusion layers 7a among a plurality of the word lines 5 to the end of the first injection diffusion layer 7a side of the diffusion bit line 2 and the element isolation region 8.
複数のワード線５のうち、複数の第１の注入拡散層７ａに最も近いワード線５ｘの上面上から拡散ビット線２の第１の注入拡散層７ａ側の端部上及び素子分離領域８上に至る領域に絶縁膜１１が設けられている。 - 特許庁 - The protective cover 12 includes a connection terminal part 12a having one end 12b placed so as to face the first acquisition terminal part 44 on the one side of the touch panel sensor 30 and the other end 12c connected to the first acquisition terminal part 44 through an anisotropic conductive layer 24.
この保護カバー１２は、その一端１２ｂがタッチパネルセンサ３０の一側の第１取出端子部４４に対向するよう配置されるとともに、その他端１２ｃが異方性導電層２４を介して第１取出端子部４４に接続された接続端子部１２ａを有している。 - 特許庁 - The copper wiring layer 13 includes first terminal portions 13D connected to the electrodes 15A on the semiconductor chip 15, second terminal portions 13E connected to the external wiring members 21, and wiring portions 13C connecting the first terminal portions 13D and the second terminal portions 13E.
銅配線層１３は、半導体チップ１５上の電極１５Ａと接続される第１端子部１３Ｄと、外部配線部材２１と接続される第２端子部１３Ｅと、第１端子部１３Ｄと第２端子部１３Ｅとを接続する配線部１３Ｃとを含んでいる。 - 特許庁 - Regarding the compound machine determined as the power supply destination, a first fixing heater using the power of the electric double layer capacitor and a second fixing heater using the power of the commercial power source are driven by first and second fixing heater driving circuits, then, the fixing part is heated.
電力供給先として判定された複合機においては、第１及び第２定着ヒータ駆動回路により、電気二重層キャパシタの電力を用いる第１定着ヒータと、商用電源の電力を用いる第２定着ヒータとが駆動されて定着部の加熱が行われる。 - 特許庁 - In the composite machine 31 or the like, the fixing part is heated by switching the driving and non-driving of both a first fixing heater by using the power of the electric double-layer capacitor and a second fixing heater by using the power of the commercial power source by first and second fixing heater drive circuits.
複合機３１等では、第１及び第２定着ヒータ駆動回路により、上記電気二重層キャパシタの電力を用いる第１定着ヒータと、商用電源の電力を用いる第２定着ヒータの両ヒータの駆動非駆動が切り換えられて定着部の加熱が行われる。 - 特許庁 - Furthermore, a symmetrical structure part 210 is disposed, wherein first and second solid electrolyte layers 215, 223 of the sensing part 250, a protection body layer 211 of the protection part 260 (thickness t1), and first and second heater insulating layers 227, 231 of the heater part 270 (thickness t2 is the same as the thickness t1) are laid symmetrically.
そして、センサ機能部２５０の第１，第２固体電解質層２１５，２２３と、保護部２６０（厚みｔ１）の保護本体層２１１と、ヒータ部２７０（厚みｔ２が厚みｔ１と同じ）の第１，第２ヒータ絶縁層２２７，２３１とが対称的に重なる対称構造部２１０を設けている。 - 特許庁 - The nonvolatile storage element includes: a first electrode 103; a second electrode 105; and a resistance change layer 104, interposed between the first electrode 103 and the second electrode 105 and reversibly changing in the value of resistance according to an electrical signal applied between both the electrodes 103 and 105.
第1電極１０３と、第２電極１０５と、第１電極１０３と第２電極１０４との間に介在させ、両電極１０３，１０５間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層１０４とを備えている。 - 特許庁 - This bump structure includes: a first bump formed on an electrode pad of a semiconductor element, and having a stud shape; a second bump formed by being stacked thereon and having a stud shape; and an organic resin layer formed to cover a side peripheral surface of the first bump.
本発明のバンプ構造は、半導体素子の電極パッド上に形成されたスタッド形状を有する第１のバンプと、その上に積重ねて形成されたスタッド形状を有する第２のバンプと、第１のバンプの側周面を覆うように形成された有機樹脂層を備える。 - 特許庁 - The alloy particles can dope and dedope lithium ions, and contain a first metal of which volume change rate is 100-1,000% and a second metal of which volume change rate is 0-100%, and the concentration of the first metal becomes maximum at the surface layer part of the alloy particles.
前記合金粒子は、リチウムイオンをドープ及び脱ドープが可能であり、体積変化率が１００〜１０００％の第１金属と、体積変化率が０〜１００％の第２金属とを含み、前記第１金属の濃度が、前記合金粒子の表層部において最大となる。 - 特許庁
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