「First layer」を含む例文一覧(24476)

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  • When insulting films 33 and 32 above a first layer wiring 26 wherein an air gap 28 is formed in a space area are etched to form a wiring groove 38, an alumina mask 34 whose selection ratio is large relative to the insulating films 33 and 32 is used to dry-etch the insulating films 32 and 33 and form the wiring groove 38 with high accuracy.
    スペース領域に空隙２８が形成された第１層配線２６の上部の絶縁膜３３、３２をエッチングして配線溝３８を形成する際、絶縁膜３３、３２に対する選択比が高いアルミナマスク３４を使って絶縁膜３３、３２をドライエッチングすることにより、配線溝３８を高い精度で形成する。 - 特許庁
  • A land 42 for mounting the input side and an input-side power supply pattern 41 connected to the land 42 for mounting the input side are fitted to the first signal electrode layer 40.
    第１の信号電極層４０は、入力側実装用ランド４２、該入力側実装用ランド４２に接続した入力側電源供給パターン４１、出力側実装用ランド４３、該出力側実装用ランド４３に接続した出力側電源供給パターン４４及びグランド側実装用ランド４５が設けられている。 - 特許庁
  • Thermal movement by thermal conduction is performed from the first surface part 8 to the second surface part 9 through an air layer 16, heat generated inside the optical head 1 is moved effectively to the heat radiation member 10, and the temperature rise of the optical head 1 and the semiconductor laser 4 can be suppressed.
    本構成によって第１の平面部８から第２の平面部９へその間の空気層１６を介して熱伝導による熱移動を行い、光学ヘッド１の内部で発生する熱を放熱部材１０へ効果的に移動し、光学ヘッド１ならびに半導体レーザ４の温度上昇を抑制することができる。 - 特許庁
  • The high-density optical disk is formed on a reflection film for reflecting an incident light or a surface opposite the recording surface of a label so as to prevent the incident light of a pickup from reaching a recording layer in a read-in area where reading is carried out first by a device at the time of disk loading when the disk is erroneously inserted.
    本発明による高密度光ディスクは、ディスクが誤挿入されると、ディスク装着時に装置で最初読出しが試みられるリードイン領域にピックアップから入射光が記録層に到達しないように入射光を反射させる反射膜またはラベルが記録面の反対面に形成させる。 - 特許庁
  • A TFT 110 which is a switching element disposed by each of pixels and a reflecting layer 44 which is insulated from the TFT 110 and reflects the light made incident by transmitting a second electrode 250 consisting of ITO, etc., from a second substrate 200 side onto insulating films covering the TFT 110 are formed on a first substrate 100.
    第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁
  • In planned regions for resin sealing of a semiconductor-device leadframe 101 on which a multi-layered metal cover film is formed, a plated coating film 108 of paladium or an alloy containing paladium is provided on the outermost surface layer of both first and second principal surfaces, and an oxide coating film 109 thereof is selectively formed on the surface of the plated coating film 108.
    複数層の金属被膜が形成された半導体装置用リードフレーム１０１の樹脂封止予定領域内で、第一主面及び第二主面の両方の最表層にパラジウムまたはパラジウムを含む合金のめっき皮膜１０８を備え、その表面に選択的に酸化皮膜１０９が形成されている。 - 特許庁
  • In a tandem-type organic photoelectric conversion element including at least one layer of a recombination electrode and at least two or more layers of photoelectric conversion layers between a first electrode and a second electrode, the recombination electrode contains metal nanoparticles coated with an organic substance.
    第１の電極と第２の電極の間に、少なくとも１層の再結合電極と少なくとも２層以上の光電変換層を有するタンデム型の有機光電変換素子において、前記再結合電極が有機物で被覆された金属ナノ粒子を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁
  • The first theory was rejected because there are foundations of later periods, and the second one is also currently denied because the fact of destruction by fire was proven by the layer of burned soil on the second-period foundation, however, it became clear that the third-period foundation was rebuilt in a bigger size.
    前者の考えについては各遺構面が存在することによって否定された。後者については、第2期遺構面上に堆積する焼土層によって焼失の事実は証明されたものの、第3期の遺構がさらに規模を拡大して再建されていることが明らかとなり、現在では否定されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The electrode for the thermal battery is provided with an active material layer containing an active material and molten salt; the molten salt at least contains first salt and second salt, and a melting point of 350°C or more and 430°C or less, and a conductivity at 500°C of 2.2 S/cm or more.
    本発明は、活物質と、溶融塩とを含む活物質層を備え、前記溶融塩は、少なくとも第１の塩と第２の塩とを含み、前記溶融塩の融点が３５０℃以上、４３０℃以下であり、前記溶融塩の５００℃での導電率が２．２Ｓ／ｃｍ以上である、熱電池用電極を提供する。 - 特許庁
  • The optical waveguide 1 is configured such that the first optical path crosses a second optical path that connects the node 121 and the mirrors, and further comprises a low refractive index layer 145 having lower refractive index than the core unit 14, and extended along the second optical path in vicinity of the crossing core unit 14.
    この光導波路１は、接続点１２１とミラーとをつなぐ第２の光路と第１の光路とが交差するよう構成されており、コア部１４の交差の位置近傍に第２の光路に沿って延在するよう設けられたコア部１４より屈折率の低い低屈折率層１４５を有している。 - 特許庁
  • In the semiconductor wafer, a device region 10a for creating therein the semiconductor device is formed and partitioned; and on the top surface of the semiconductor layer 200 positioned in a scribing region 10b which serves as a cutting margin region when dicing the semiconductor wafer, an alignment mark 30 (first oxide film) is so formed as to expose it to the outside.
    半導体デバイスが作製される領域であるデバイス領域１０ａを区画形成するとともに、当該半導体ウエハのダイシング時に切り代となる領域であるスクライブ領域１０ｂに位置する半導体層２００の上表面に、アライメントマーク３０（第１酸化膜）が露出するように形成されている。 - 特許庁
  • The article comprises a first layer 10 including a substrate, a cross-link parent nuclear polymer which is a parent nuclear organic polymer bridging the surface or the inside of the substrate, and contains a functional group effective to form a covalent bond with a chemical substance or a biological agent, and a reactive particle positioning on the surface or the inside of the substrate.
    基材と、基材の表面又は内部で架橋した親核性有機ポリマーであって、化学物質又は生物剤と共有結合を形成するのに有効な官能基を含む架橋親核性ポリマーと、基材の表面又は内部に位置する反応性粒子とを含む第１の層１０を備える物品。 - 特許庁
  • The annular metal cord C1 comprises an annular core part 3 formed to be annular with first and second strand substances 1, 2 provided by twisting plural metal wires 5, 6, and an outer layer part 4 covering the periphery of the annular core part 3 and provided by spirally twisted plural times around the annular core part 3.
    金属素線５，６を複数本撚り合わせてなる第１，第２のストランド材１，２により、環状に形成された環状コア部３と、環状コア部３に対して螺旋状に複数周巻き付けられ環状コア部３の外周面を覆う外層部４とを有する環状金属コードＣ１を形成する。 - 特許庁
  • The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.
    上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁
  • An organic EL display device 1 includes a first electrode 14, organic layers 16R(16G, 16B) including at least an organic electroluminescent layer, and a second electrode 17 having a thickness smaller than that of the organic layers 16R(16G, 16B), in order from the side of a drive side substrate 10 having a light extraction surface.
    有機ＥＬ表示装置１は、光取り出し面を有する駆動側基板１０の側から順に、第１電極１４と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）と、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）よりも小さな膜厚を有する第２電極１７とを備える。 - 特許庁
  • This vibration control sheet 13 for floor material is formed of a three-layer structure by providing a second sheet member 13b formed of a metal plate between a first sheet member 13a and a second sheet member 13b formed by mixing metal powder of 10 to 95 wt.% with binder of 90 to 5 wt.% and forming the mixture in sheet shape.
    床材用制振シート１３は、１０〜９５重量％の金属粉末と９０〜５重量％のバインダーとを混合してシート状に形成してなる第１シート部材１３ａ及び第３シート部材１３ｃの間に、金属板にて形成された第２シート部材１３ｂを介在させた三層構造からなる。 - 特許庁
  • The insulating film is subjected to overetching, to make its surface lower than that of the semiconductor substrate, a gate spacer is formed on the side of the gate stack, then an epitaxial layer is selectively grown on the side and base of the semiconductor substrate which are exposed by overetching, and first source/drain region 112 and second source/drain regions 114 are formed.
    半導体基板表面以下にエッチングされるように絶縁膜をオーバーエッチングしながらゲートスタックの側面にゲートスペーサを形成した後、オーバーエッチングにより露出した半導体基板の側面及び底面で同時に選択的なエピタキシャル層を成長させ、第１及び第２ソース／ドレイン領域１１２、１１４を形成する。 - 特許庁
  • The cassette 10 for radiography having a casing 11 for housing a stimulable phosphor sheet 20 is provided with a phosphor layer 13 including a first phosphor which instantaneously emits light when irradiated with a radiation between a front plate 11b of the casing 11 and the stimulable phosphor sheet 20.
    輝尽性蛍光体シート２０を収納する筐体１１を備える放射線撮影用カセッテ１０において、前記筐体１１の前面板１１ｂと前記輝尽性蛍光体シート２０との間に、放射線が照射されることにより瞬時に発光する第一の蛍光体を含む蛍光体層１３を設ける。 - 特許庁
  • A first low-dose ion implantation is made to a source forming region and a drain forming region located on both sides of the gate electrode, by implanting arsenic As+ or phosphorus P+ with a low concentration to a silicon substrate from a tilted direction in such a way that the impurities are doped in regions just underneath the edges of the polysilicon layer 16 (Fig. 1 (B)).
    ゲート電極の両側のソース形成予定領域とドレイン形成予定領域とに、ポリシリコン層１６の端部直下の領域に不純物が入り込むようにシリコン基板１０に対して斜めの方向からヒ素Ａｓ^+或いはリンＰ^+を低濃度でイオン注入して（図１（Ｂ））、１回目の低濃度イオン注入を行う。 - 特許庁
  • A second wiring section 37 along the inclined inner-surface 45 ranges at an obtuse angle to a direction B1, where the first wiring section 36 along one surface 36 of the semiconductor substrate 31 is extended in the wiring layer 33, and a direction B3 where a third wiring section 38 is extended along the thickness direction T of the semiconductor substrate 31.
    この傾斜する内周面４５に沿う第２配線部３７は、配線層３３のうち半導体基板３１の一表面３６に沿う第１配線部３６の延びる方向Ｂ１、半導体基板３１の厚み方向Ｔに沿って第３配線部３８の延びる方向Ｂ３に対して鈍角に連なる。 - 特許庁
  • A semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 11, a sealing layer 26 laminated on a surface 14b of an insulation film 14, a first heat dissipation part 40 provided on an outer peripheral surface 11c of the semiconductor substrate 11, and a second heat dissipation part 30 provided on a main surface 11b of a rear side of the semiconductor substrate 11.
    半導体装置１が、半導体基板１１と、絶縁膜１４の表面１４ｂに積層された封止層２６と、半導体基板１１の外周面１１ｃに設けられた第１の放熱部４０と、半導体基板１１の裏側の主面１１ｂに設けられた第２の放熱部３０と、を備える。 - 特許庁
  • In adhering and fixing the first and second matching layers 4, 12 and an acoustic lens 14 onto the acoustic radiation surface side of the piezoelectric transducer 1 via adhesives, excessive adhesive and bubbles between respective members are made to flow into the through holes 3, 5, 13, and therefore, the adhesive layers are formed thinner without forming an air layer between the respective members.
    圧電振動子１の音響放射面側に接着剤を介して第１，２の整合層４，１２及び音響レンズ１４を接着固定する際に、各部材間の余剰な接着剤や気泡を貫通孔３，５，１３に流し込み、各部材間に空気の層を形成することなく接着層を薄く形成する。 - 特許庁
  • Since a substrate 1 for mounting a light-emitting element is coated with a glass layer 7 from a second electrode 4 toward a first electrode 3, solder corrosion of an electrode can be limited at the time of direct-mounting by solder flow, or the like, and thereby such problems as increase in resistance, disconnection, and the like, can be reduced.
    発光素子実装用基体１は、第２の電極４から第１の電極３に向けて、ガラス層７が被覆されていることから、はんだフロー等により直付けするときに、電極が、はんだ喰われすることを抑制でき、それにより、抵抗値の増大や断線といった問題の発生を抑えられる。 - 特許庁
  • In a fuel cell 10 generating electrical energy, at least one conductive gas distributor 14 is a reticulated three dimensional structure 40 including a first ductile basic skeleton 46 made of metal or a metal alloy used under compression in its elastic region and a conductive upper layer 42 made of corrosive resistant metal or alloy.
    電気エネルギーを発生する燃料電池（10）において、少なくとも１個の導電性ガス分配器（14）は、その弾性領域で圧縮下に用いた第１の金属又は金属合金製の延性基本骨格（46）と耐蝕性金属又は合金製の導電性上層（42）とを包含してなる網状三次元構造体（40）である。 - 特許庁
  • The semiconductor element 4 is formed in a self-alignment manner in which magnetic contact is made in the first electrode 2 and the second electrode 3 with respect to a source electrode 22 and a drain electrode 23 having a magnetized layer of a magnetic material by connecting the two electrodes so that the field-effect transistor 20 is formed.
    帯磁した磁性体層を有するソース電極２２およびドレイン電極２３に対し、両電極間をつなぎ、それぞれの電極に対し第１の電極部２および第２の電極部３において磁力で接触する配置を、半導体素子４に自己整合的に形成させ、電界効果トランジスタ２０を作製する。 - 特許庁
  • A second common electrode 23 which has a plurality of second constant potential electrode parts 33 arranged corresponding to the respective individual electrodes 21 and second electrode lines 34 electrically connected to all of the plurality of second constant potential electrode parts 33 is disposed between a vibration plate 15 and the first piezoelectric layer.
    振動板１５と第１圧電層との間には、各個別電極２１に対応させて配列された複数の第２定電位電極部３３と、複数の第２定電位電極部３３の全てと電気的に接続する第２電極配線３４とを有する第２共通電極２３が設けられている。 - 特許庁
  • In the semiconductor device of a multilayer wiring structure including wires formed with the damascene method, a first conductive layer 5 having a region for electrical connection with the external side of at least a part of electrodes is formed on a passivation film 4 that is essentially required for the region over semiconductor substrate 1 in the multilayer wiring structure.
    ダマシン工法で形成された配線を有する多層配線構造の半導体装置において、少なくとも一部の電極パッドは、外部との電気的接続をとるための領域を有する第１導電層５を、多層配線構造において半導体基板１上に必要不可欠なパッシベーション膜４上に形成する。 - 特許庁
  • In the cultivation of the vegetables using the cultivating container 2, the container cultivation culture medium 30 constituted by filling the cultivation container 2 with the first culture medium layer 31 with thickness of 5 cm or more comprising the material with high water holding capability and fertilizer holding capability and the second culture medium 32 with thickness of 3 cm constituted by dispersing swimming stones into peat moss is used.
    栽培容器２を使用した野菜類の栽培において、保水力、保肥力の高い材料からなる５ｃｍ以上の厚さの第１倍地層３１と、ピートモスに軽石を分散させた３ｃｍ以上の厚さの第２倍地層３２とを栽培容器２に層状に充填した容器栽培培地３０を用いる。 - 特許庁
  • Further, the element has a plurality of second conductivity-type semiconductor layers (53A, 53B) formed in the first conductivity-type semiconductor substrate (52) or the semiconductor layer and separated at the isolation region (55), and an antireflection film (57) formed on a light-receiving region (61), including the isolation region and a plurality of second conductivity-type semiconductor layers.
    また、第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成され、分離領域（５５）で分離された複数の第２導電型の半導体層（５３Ａ，５３Ｂ）と、分離領域及び複数の第２導電型の半導体層を含む受光領域）６１）上に形成された反射防止膜（５７）を有する。 - 特許庁
  • A torsion bar manufacturing method includes a first shaping step 11 of setting the hardness from the inside to an surface layer part to be ≥320 in terms of Vickers hardness (Hv) by contracting a round bar steel by the cold drawing, and a second shaping step 12 of obtaining a small diameter spring part 2 by cutting an area in the middle of the longitudinal direction of the round bar steel.
    丸棒鋼材を冷間引き抜き加工により縮径させることにより、内部から表層部までの硬度をビッカース硬さ（Ｈｖ）で３２０以上にする第１整形工程１１と、前記丸棒鋼材の長手方向途中領域を切削することにより小径ばね部２を得る第２整形工程１２とを含む。 - 特許庁
  • In the junction material 4, a first metal joined material 1 and a second metal joined material 2 are joined, wherein the material 2 consists of a material or materials selected from a group composed of nickel, palladium, platinum and aluminum, and a solid solution phase including the constituent element of the second metal joined material and tin exists in the cross-sectional fine structure of a joined layer 3.
    接合体４は、第１金属被接合材１と、ニッケル、パラジウム、白金及びアルミニウムからなる群より選択される材料よりなる第２金属被接合材２とが接合され、接合層３の断面微細構造に、第２金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相が存在する。 - 特許庁
  • Accordingly, the pressure exerted on the wiring member 2, a connection electrode 4B on the light receiving side of a first solar cell 3A and a connection electrode 41B on the rear side of a second solar cell 3B during bonding is dispersed to the substantially flat part of the wiring member 2, and then exerted to a solar cell 3 via the bonding layer 7a.
    従って、接着時に配線材２と第１の太陽電池３Ａの受光面側の接続電極４Ｂと第２の太陽電池３Ａの裏面側の接続電極４１Ｂとに加えられる圧力は、配線材２の略平坦な部分に分散して加えられ、接着層７ａを介して太陽電池３に加えられる。 - 特許庁
  • A pH of an aqueous water soluble paste kneaded and made of a desired cathode active material and a mixture by using an aqueous solvent is measured and then the aqueous paste of pH6-10 is coated on a collector base plate and an aqueous paste of pH11 or higher is coated on the first coated layer to form the second coated later, and then these laminated coated layers are dried.
    所望の正極活物質を水性溶媒を用い合剤と共に混練して成る水性ペーストのpHを測定した後、pH6〜10の水性ペーストを集電用基板上に塗布し、該第一塗工層上にpH11以上の水性ペーストを塗布し、第二塗工層を形成し、次いでこれらの積層塗工層を乾燥する。 - 特許庁
  • In addition, the first thermally oxidized film 4 and the surface section of the element isolating film 16 are wet-etched until the film 4 is removed by using an etchant containing a hydrogen fluoride (Fig.1 (E)) and, after a pressure-reduced oxide film 30 is formed on the etched surface, a polysilicon layer 36 which is used as a resistance element or transistor element is formed.
    次に、第１の熱酸化膜４が除去されるまで、第１の熱酸化膜４および素子分離膜１６の表面部を、フッ化水素を含むエッチング液を用いてウェットエッチングし（図１の（Ｅ））、その上に、減圧酸化膜３０を形成した後、抵抗素子やトランジスタ素子とするポリシリコン層３６を形成する。 - 特許庁
  • Similarly, a static capacitance is formed between a second slide electrode 60 and a second chassis 32 by facing the second slide electrode 60 with the second chassis 32 with a paint layer 3204 inbetween in a state that the second slide electrode 60 electrically connected to the first chassis 22 is in slide contact with the second chassis 32.
    同様に、第１のシャーシ２２に電気的に接続された第２の摺動電極６０が第２のシャーシ３２の摺接した状態では、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２が塗装層３２０４を挟んで位置することにより、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２の間に静電容量が形成される。 - 特許庁
  • Before a first layer is accumulated on the surface of the plastic substrate to be accumulated, non-accumulated advance treatment is executed.
    少なくとも１つの金属層、特に柔軟性プリント回路ボード用のプラスチックフォイルを具備するプラスチック基板を堆積するためのプロセスおよびウェブ堆積機器であって、堆積される該プラスチック基板の表面上に第１の層を堆積する前に、この表面の非堆積事前処置が実行されるプロセスおよびウェブ堆積機器に関する。 - 特許庁
  • The first section 216 of the printed layer 200 includes a printed mark on the outer surface, the second section 218 includes a die-cut label 224, and the third section 220 includes a die-cut release seal 226 along the border between the mark printed on the outer surface and the second section 218 adjacent to the printed mark.
    印刷層２００の第１区画２１６は外面に印刷された目印を含み、第２区画２１８はダイカットラベル２２４を含み、第３区画２２０は外面に印刷された目印および印刷された目印と隣接する第２区画２１８との間の境界に沿ったダイカット剥離シール２２６を含む。 - 特許庁
  • Two-layer lens structure is obtained by arranging the respective microlenses 13 of a second microlens group arranged as one pattern which constitutes a checker in plane view on the respective microlenses 11 of a first microlens group arranged as the other pattern which constitutes a checker in plane view through a second transparent protection film 12.
    平面視で市松模様状を構成する一方模様として配置された第１マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１１上に、第２透明保護膜１２を介して、平面視で市松模様状を構成する他方模様として配置された第２マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１３が配置されて２層レンズ構造となっている。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity and a method that rarely produces the impurity layer in the interface between the first and second wiring layers, and can easily manufacture the above semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity with a high yield.
    本発明は、コンタクト抵抗が低く導電性に優れる半導体装置と、第一の配線層と第二の配線層との接合部に不純物層がほとんど生成されず、コンタクト抵抗が低く導電性に優れた半導体装置を容易に歩留まり良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A second laminate sheet for molding has one or more ink layers (B) of an ink containing a fine metal piece obtained from an electrodeposited metal film treated with a cellulose derivative dispersed in a resin varnish on a first transparent or translucent film (A) wherein the film layer contains a fluorine resin.
    第二の構成は、透明又は半透明である第一のフィルム層（Ａ）上に、セルロース誘導体で表面処理した蒸着金属膜細片を樹脂ワニス中に分散したインキを１層以上設けたインキ層（Ｂ）を有する積層シートであって、該フィルム層がフッ素樹脂を含有することを特徴とする積層シート。 - 特許庁
  • The probe for the ultrasonograph is formed of: a sound absorption layer having sound absorbers 110 and 111; a first connecting portion 120 having a plurality of electrodes which are formed separately from each other, and sandwiched between the sound absorbers and joined thereto; and a piezoelectric material arranged to be electrically connected with the plurality of electrodes.
    吸音体１１０，１１１を備える吸音層と、互いに離隔して形成される複数の電極を備えており、前記各吸音体の間に挟まれて接合される第１連結部１２０と、前記複数の電極と電気的に連結されるように配置される圧電体とを備えた超音波診断装置用プローブを構成する。 - 特許庁
  • A first substrate 100 has a TFT 110 as a switch element provided for each pixel, and a reflective layer 44, which is insulated from the TFT 110 and reflects light made incident from the side of a second substrate 200 through a second electrode 250 made of ITO etc., formed on an insulating film covering the TFT 110.
    第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁
  • The light reflective metal layer 9 for reflecting incident light toward an interface between the front plate and atmosphere is arranged in a prism shape, and a prism-shaped vertex angle θx in a first region adjacent to the solar cells is larger than a prism-shaped vertex angle θy in a second region.
    入射光を前面板と大気との界面に向けて反射させる光反射金属層９はプリズム形状を配列して構成し、太陽電池セルに隣接する第一の領域におけるプリズム形状の頂角θｘが第二の領域におけるプリズム形状の頂角θｙより大きい。 - 特許庁
  • An overcurrent does not flow between source/drain region of the transistor as protective circuit, but comes into contact with the part of the well region of first conductive type intruding the well region of second conductive region with a depletion layer being extending from the drain region, and flows between the drain region and the part intruding the well region of second conductive type.
    過電流は保護回路のトランジスタのソース／ドレイン領域間を流れずに、ドレイン領域から空乏層が延びて第１導電型ウエル領域の第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分に接触して、ドレイン領域と第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分との間を流れるようになる。 - 特許庁
  • A floating gate 41a of a conductive semiconductor is so provided, on the first insulating layer 46 so as to cover a part of the channel region, and the floating gate 41a is connected to the conductive semiconductor region 40a through a bottleneck part 41b (narrow width and thin) provided at the conductive semiconductor.
    第１の絶縁層４６上にあって、チャネル領域の一部を覆うように導電性半導体を材料としたフローティングゲート４１ａを配置し、フローティングゲートが、同じく導電性半導体に設けた狭窄（幅が狭い、膜厚が薄い）部分４１ｂを介して導電性半導体領域４０ａと接続されている。 - 特許庁
  • Namely, a dummy common electrode 310', first insulating film 309, dummy drain electrode 311', dummy pixel electrode 312' and second insulating film 308 are formed in the peripheral part of the TFT substrate, and a dummy light-shielding film 302', dummy color filter layer 303' and flattening film 304 are formed in the peripheral part of the counter substrate.
    即ち、ＴＦＴ基板の基板周辺部に、ダミー共通電極３１０′、第１の絶縁膜３０９、ダミードレイン電極３１１′、ダミー画素電極３１２′、第２の絶縁膜３０８を形成し、対向基板の基板周辺部に、ダミー遮光膜３０２′、ダミーカラーフィルタ層３０３′、平坦化膜３０４を形成する。 - 特許庁
  • The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (100) face of a base material and a thin Mg layer is provided between the full Heusler alloy and the insulator.
    第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いＭｇ層を具えている。 - 特許庁
  • When a light beam with wavelength of λ1 from a blue-violet laser LD1 enters an objective lens OBJ, it passes through a first optical path difference giving structure at a central area and a second optical path difference giving structure at a surrounding area to correct spherical aberration to record and/or reproduce information on an HD with protective layer thickness of t1.
    青紫色レーザＬＤ１からの波長λ１の光束が対物レンズＯＢＪに入射したときに、中央領域の第１光路差付与構造と周辺領域の第２光路差付与構造を通過する事で球面収差は補正され、保護層厚さｔ１のＨＤに対して情報の記録、再生を行える。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the liquid crystal device including a first substrate having a pixel electrode 9 and a shielding film 13, a second substrate arranged to face it, and a liquid crystal layer interposed between the substrates, defines a position corresponding to the pixel electrode 9 as a display region P, and defines a region between the display regions P as a non-display region BM.
    画素電極９と遮光膜１３を備えた第１基板と、これに対向配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極９に対応する位置が表示領域Ｐとされ、この表示領域Ｐ間が非表示領域ＢＭとされる液晶装置の製造方法である。 - 特許庁
  • The first layer of the pad has a polishing surface 20 and a backing surface, is formed from a fibriform or fiber component 14 existing in mixture in a polymer matrix component 16, and equipped with fibers to give a void structure to the polishing surface upon dissolution of the fibriform or fiber component in the slurry.
    この研磨パッドは，研磨面２０とバッキング面とを有する第１の層で，ポリマーマトリックスコンポーネント１６に混在する繊維質又は繊維コンポーネント１４から形成され，前記繊維質又は繊維コンポーネントが前記スラリーに溶解して，前記研磨面にボイド構造を付与する繊維を備える前記第１の層を有している。 - 特許庁
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