「Flash」を含む例文一覧(9944)
＜前へ 1 2 .... 188 189 190 191 192 193 194 195 196 .... 198 199 次へ＞- The width of a cavity 6 of a flash TV evaporator in a cross-section is tapered from an upper edge of to a lower edge of the evaporator, and a shifting portion from a sidewall to a lower face of the evaporator is rounded in a elliptical form over at least a part of lengthwise axis line of the evaporator.
キャビティ６の幅が、当該フラッシュＴＶ蒸発器１の横断面で見て蒸発器上縁部から蒸発器下縁部に向かって先細りになっており、蒸発器の側壁から蒸発器下面への移行部が、横断面で見て少なくとも蒸発器の長手方向軸線の一部にわたって楕円形に丸められている。 - 特許庁 - The built-in battery of a portable information terminal connected through a USB cable to a data automatic vending machine side is made to perform external power supply (S29), and the built-in flash memory of the portable terminal connected through the USB cable to the data automatic vending machine side is made to download a music file (S31).
ＵＳＢケーブルを介して、データ自動販売機側に接続されている携帯情報端末の内蔵バッテリーに対して外部電源供給を行わせるとともに（Ｓ２９）、データ自動販売機側に接続されている携帯情報端末の内蔵フラッシュメモリに音楽ファイルをダウンロードさせる（Ｓ３１）。 - 特許庁 - The information processing unit includes: a volatile memory (RAM22) temporarily holding, as memory data, information which indicates programs; a nonvolatile memory (flash memory 23); and a page information generation section (image list generation module, MIG) generating page information which identifies memory data for a plurality of predetermined pages from memory data stored in the volatile memory.
プログラムを示す情報をメモリデータとして一時格納する揮発性メモリ（ＲＡＭ２２）と、不揮発性メモリ（フラッシュメモリ２３）と、揮発性メモリに記憶されたメモリデータのうちの予め定められた複数ページ分のメモリデータを特定するページ情報を生成するページ情報生成部（イメージリスト生成モジュールＭＩＧ）とを備える。 - 特許庁 - When a predetermined print designation file designated to an image photographed and recorded in a flash memory 108 is recorded in a recording medium, only an image print-designated by a system controller 113 is reproduced on a liquid crystal display 112, and print designation is operated by an operation key 115 again.
撮影されてフラッシュメモリ１０８aに記録された画像に対して指定される所定のプリント指定ファイルを記録媒体に記録される場合に、システムコントローラ１１３によりプリント指定された画像のみを液晶ディスプレイ１１２に再生し、再びプリント指定を操作キー１１５により行う構成を特徴とする。 - 特許庁 - The positions and postures of reflecting covers 32, 42 provided so as to cover each of a plurality of halogen lamps 31 and the flash lamps 41 are changed by a position relation adjusting part 6, and the advancing direction of reflected light by the reflecting surfaces 321, 421 of the reflecting covers 32, 42 can be thereby adjusted.
複数のハロゲンランプ３１、複数のフラッシュランプ４１のそれぞれを覆うように設けられた反射カバー３２，４２の位置や姿勢を位置関係調整部６により変更することによって、反射カバー３２，４２の反射面３２１，４２１による反射光の進行方向を調整することができる。 - 特許庁 - Further, even if the camera main body 14 cannot normally receive the setting information from the lens unit 12, when the camera main body 14 can normally receive a lens ID and setting information corresponding to the lens ID has only to be stored in a flash ROM 206, the camera main body 14 can carry out the settings on the basis of the setting information.
また仮に、レンズユニット１２から正常に設定情報を受信できない場合であっても、レンズＩＤが正常に受信でき、かつそのレンズＩＤに対応した設定情報がフラッシュＲＯＭ２０６に記憶されていれば、その設定情報に基づいて設定を行うことができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing flash memory devices that prevents a polysilicon layer from being oxidated on the interface of the polysilicon layer and dielectric film in the dielectric film formation process and the subsequent process, by forming a floating-gate polysilicon layer in a laminated structure of doped and undorped polysilicon layers.
フローティングゲート用ポリシリコン層をドーフトポリシリコン層とアンドーフトポリシリコン層の積層構造で形成することにより、誘電体膜を形成する過程又は他の後続工程でポリシリコン層と誘電体膜の界面でポリシリコン層が酸化することを防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the television program which was viewed or reserved to be recorded last week is recorded this week, the television program of this week corresponding to the program identification information of the last week stored in the flash ROM being to be recorded at its recording start time, and the television program of this week is recorded on a hard disk.
先週に視聴または予約記録されたテレビ番組を今週も記録する場合、フラッシュＲＯＭに記憶されている先週の番組識別情報に対応する今週のテレビ番組の記録開始時刻になったとき、記録開始させ、、その今週のテレビ番組がハードディスクに記録される。 - 特許庁 - The flash memory element has the plurality of word lines including a floating gate, a dielectric film and a control gate, and a plurality of selection lines formed where a part of the dielectric film is removed and the floating gate is directly connected to the control gate; wherein the plurality of word lines and the plurality of selection lines are formed with a uniform interval.
フローティングゲート、誘電体膜及びコントロールゲートを含む複数のワードラインと、前記誘電体膜の一部が除去されフローティングゲートとコントロールゲートとが直接接続された複数のセレクトラインを備え、前記複数のワードラインと前記複数のセレクトラインが均一な間隔で形成されている。 - 特許庁 - When the SDRAM 14 does not have a free space for information to be written, but it is predicted that the free space for the information is formed in the SDRAM 14, it is determined whether the information can be written more quickly to the SDRAM 14 or the flash memory 15, and the information is written to the quicker memory.
書き込む情報のサイズ分の空き容量がＳＤＲＡＭ（１４）になく、その情報のサイズ分の空き容量がＳＤＲＡＭ（１４）に形成されることが予想される場合、その情報をＳＤＲＡＭ（１４）及びフラッシュメモリ（１５）のいずれに書き込む方が速いかを判別し、速い方のメモリ（１４，１５）に情報を書き込ませる。 - 特許庁 - In an information storage system by a flash memory for storing information, and for rewriting or erasing the stored information as necessary, specific bits in the specific region of the memory relating to the information are rewritten from 1 to 0, so that the meaning of the stored information can be changed.
情報を格納し、必要に応じて格納した情報を書き換えまたは消去するフラッシュメモリによる情報格納システムフラッシュメモリシステムにおいて、その情報に関するメモリの特定の領域における特定のビットを１から０に書き換えることにより、格納した情報の意味付けを変更する。 - 特許庁 - To provide a method of protecting the sides of laminated word lines during SAS etching to avoid the problem that the sides of the laminated word lines of flash memory cells are exposed during SAS etching and prevents an inter-polysilicon dielectric and a gate dielectric from being undercut to increase the data hold loss.
フラッシュ・メモリ・セルの積層されたワード線の側をＳＡＳ食刻中に露呈すること生ずる問題点、ポリシリコン間誘電体及びゲート誘電体をアンダーカットし、データ保持損失の増加を生ずること、を防ぐため、ＳＡＳ食刻中に、積層されたワード線の側を保護する方法を提供する。 - 特許庁 - A ring light emission control section 35 controls illumination (extinction), blinking cycles, and a light emission color of a ring light emission section 36 provided around a lens 11 under the control of a control section 30 to inform the subject of an AF state and the remaining time before the shutter is released during self-timer photographing and also use the illumination as flash auxiliary light.
リング発光制御部３５は、制御部３０の制御の下、レンズ１１の周囲に設けられたリング発光部３６の点灯（消灯）、点滅周期、発光色を制御することにより、被写体にＡＦ状態、セルフタイマ撮影時のシャッターオンまでの残り時間を知らせたり、フラッシュ補助光として用いたりする。 - 特許庁 - To solve the problem that when a parison having an outer diameter thinner than an inner diameter of a bellows part is applied to prevent generation of a flash on the bellows part in a case of blow-molding a deformed and hollow duct with the bellows part, the molding itself is impossible since the resin of the parison can not go around the edge portion of the duct.
解決しようとする課題は、蛇腹部が付随し且つ異型な中空ダクトのブロー成形において、該蛇腹部にバリを生成させないよう該蛇腹部の内径よりも細い外径をもつパリソンを適用した場合、該ダクトの端部には該パリソンの樹脂がまわりきらないので成形そのものができないという点である。 - 特許庁 - A memory card 100 having a NAND type flash memory connectable to a host device 200, which transmits/receives a signal to/from the host device 200 at a first voltage (3.3 V) or a second voltage (1.8 V), checks a signal voltage through handshake with the host device 200 when the signal voltage is switched.
ホストデバイス２００に接続可能な、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを有するメモリカード１００であって、ホストデバイス２００と第１の電圧（３．３Ｖ）または第２の電圧（１．８Ｖ）で信号の送受信が可能であり、信号電圧を切り替える際には、ホストデバイス２００とハンドシェイク処理により互いに信号電圧の確認を行う。 - 特許庁 - To provide a microcontroller capable of executing a non-maskable interruption (NMI) without accessing a nonvolatile memory in an indefinite state in the case that there is the occurrence of the non-maskable interruption showing an operation abnormality in a CPU and a system during writing/erasure execution to/from a rewritable nonvolatile memory such as a flash EEPROM.
フラッシュＥＥＰＲＯＭなどの書き換え可能な不揮発性メモリに対する書き込み・消去実行中にＣＰＵ、システムの動作異常を示すノンマスカブル割り込み（ＮＭＩ）が発生した場合に、不定状態の不揮発性メモリにアクセスすることなくノンマスカブル割り込みを実行できるマイクロコントローラを提供する。 - 特許庁 - In the case of reproducing each slit image recorded in the flash memory 38 on a display section 13, each slit image is decoded, the decoded slit images are composited by concatenating them in a direction opposite to the moving direction of the object in a photographing time order and the composited image and the time count information are displayed on the display section 13.
フラッシュメモリ３８に記録された各スリット画像を表示部１３に再生する際、それらの各スリット画像を復号化し、復号化された各スリット画像を、撮影時間順に、被写体の移動方向と逆方向に連結することによって合成し、合成された画像と計時情報を表示部１３に表示する。 - 特許庁 - Though the flow of a resin to a lens part 1a in injection molding is made excellent in the case of providing a gate part at the outer periphery of the flange part 1e of the imaging lens 1, there is a possibility that positioning in a direction perpendicular to an optical axis by using the flange part 1e is adversely affected by burrs and flash caused when cutting the gate part.
撮像レンズ１のフランジ部１ｅの外周にゲート部を設けた場合、射出成形時におけるレンズ部１ａへの樹脂の流れを良好にできるが、かかる場合、ゲート部をカットする際にバリやカエリが生じると、フランジ部１ｅを用いて光軸直角方向に位置決めするのに悪影響を及ぼす恐れがある。 - 特許庁 - 2. Electron accelerators or flash X-ray generators with a beam pulse duration exceeding 1 microsecond, and having a value of 0.25 or more when 1,700 is multiplied by the result of multiplying the peak value of electron kinetic energy expressed in megaelectron volts raised to the 2.65 power is multiplied by the maximum charge quantity of electrons accelerated for 1 microsecond, expressed in coulombs
（二） ビームのパルスの持続時間が一マイクロ秒を超えるものであって、一、七〇〇にメガ電子ボルトで表した電子の運動エネルギーのせん頭値の二・六五乗を乗じたものに、クーロンで表した一マイクロ秒の間に加速することができる電荷量の最大値を乗じた値が〇・二五以上のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム - The technique maintains compatibility with a static random access memory (SRAM) having a wide byte and a flash memory having a fixed input output byte by selectively activating the byte of data being inputted and outputted and changes a program using the nonvolatile ferroelectric register in a software type method.
このような本発明は、入出力されるデータのバイトを選択的に活性化させワーイドバイトを有するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、及び固定された入出力バイトを有するフラッシュメモリとの互換性を維持することができ、不揮発性強誘電体レジスタを利用してソフトウェア的な方法でプログラムを変更することができるようにする。 - 特許庁 - When continuously photographing a subject at predetermined time intervals, information on quantity of reflected light from the subject is acquired in each photography, and the quantity of flash light and an exposure value suitable for photographing the subject are adjusted based on the information on the acquired quantity of reflected light, and are applied to photographing processing for the next frame.
被写体の所定の時間間隔で連続して撮影する際に、各撮影において被写体からの反射光量に関する情報を取得し、取得した反射光量に関する情報に基づいて、被写体の撮影に適したフラッシュ光量および露出値を調整し、次のフレームの撮影処理に適用する。 - 特許庁 - To enable framing for making a user check the content of a picture to be photographed by displaying an object picture to be subjected imaged to imaging on a finder even under a low illuminance environment such as in dark place photographing, and to enable correct focusing even when visible light photographing is carried out by flash irradiation or a low-speed shutter thereafter.
暗所撮影などの低照度環境下であっても、ファインダに撮像対象となる被写体画像を表示させてユーザに撮影画像内容を確認させるフレーミング処理を可能とし、さらに、その後フラッシュ照射や低速シャッタで可視光撮影を行った場合にも、正確なフォーカシングを可能とする。 - 特許庁 - To provide a flash EEPROM cell of a multi-level type which can prevent reduction of the quality of a tunnel oxidation film and can increase a coupling ratio, by simply forming two floating gates having different sizes for a single cell with use of a hard mask layer, and also to provide a method for manufacturing the cell.
マルチレベルセルにおいてハードマスク層を用いて１つのセルに大きさの異なる２つのフローティングゲートを簡単に形成することにより、トンネル酸化膜の膜質の低下を防止することができ、カップリング比を増加させることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - In the clarifying apparatus 3 of water or hot water, flash mode treatment for sterilizing only a water system circulation section by sequential control or process control, sterilization mode treatment or bacteriostasis mode treatment of the whole apparatus or cleaning mode treatment in which a rinsing process using no medicament is further added after sterilization and washing is provided.
水又は湯の浄化装置３において、シーケンシャルコントロールやプロセスコントロールによって水系循環部のみを殺菌するフラッシュモード処理、装置全体の殺菌モード処理又は静菌モード処理、あるいは滅菌、洗浄後にさらに薬剤を含まないすすぎ工程を追加したクリーニングモードを設けたことを特徴とする。 - 特許庁 - The flash memory 50 has a normal accessible area 51 recognized from a user terminal 110 by a standard function of the user terminal 110 and allowing information to be read from the user terminal 110, and a security protected area 52 not recognized from the user terminal 110 by the standard function.
フラッシュメモリ５０は、ユーザ端末１１０が有する標準機能によってユーザ端末１１０から認識され、ユーザ端末１１０からの情報の読み出しが可能な通常アクセス可能領域５１と、標準機能によってはユーザ端末１１０から認識されないセキュリティ保護領域５２とを有する。 - 特許庁 - In the selective erasing method for the flash memory, when the threshold voltage of the memory cell which is connected to an arbitrary word line being erased is lower than a prescribed erasing threshold voltage, no further erasing for the memory cell connected to the word line is performed and the erasing is conducted only for the remaining cells.
本発明のフラッシュメモリのための選択的消去方法は、消去された任意のワードラインに連結されたメモリセルのスレッショルド電圧が所定の消去スレッショルド電圧より低ければ、当該ワードラインに連結されたメモリセルに対する消去は、それ以上遂行せず、残りのセルに対してのみ消去を遂行する。 - 特許庁 - To enable proper calculation of a checksum without being conscious of unnecessary data, a free area size or the like before update by making a flash memory store size information about data on a program to be updated and executing the checksum calculation about only a data area of the updated program on the basis of the size information.
更新するプログラムのデータのサイズ情報をフラッシュメモリに記憶させ、そのサイズ情報に基づいて、更新されたプログラムのデータ領域だけについてチェックサム計算を実行することにより、更新前の不要なデータや空き領域サイズなどを意識せずに的確にチェックサムの計算が行えるようにする。 - 特許庁 - This optical fiber coating devise used for coating an optical fiber 1 with an ultraviolet-curing resin has a UV light source 12, which is an ultraviolet flash lamp emitting UV light to cure the ultraviolet-curing resin, an UV sensor 14 which measures UV light intensity from the UV light source 12 as well as its emission time, and a control circuit 11.
光ファイバの被覆装置は、光ファイバ１の紫外線硬化樹脂による被覆に用い、紫外線硬化樹脂を硬化させるためのUV光を放射する紫外線フラッシュランプであるUV光源１２と、UV光源１２からのUV光の強さおよび発光時間を測定するためのUVセンサ１４と、制御回路１１を有する。 - 特許庁 - A step-down power supply part 8 for generating an internal power source voltage VDDP provided in a flash memory 1 outputs the internal power supply voltage VDDP to a control system circuit 5 by a first step-down power supply circuit 19 in a normal operation mode when about 3. 3V is supplied from the outside as a power supply voltage VCC.
フラッシュメモリ１に設けられた内部電源電圧ＶＤＤＰを生成する降圧電源部８は、外部から電源電圧ＶＣＣとして、３．３Ｖ程度が供給された場合、通常動作時は、第１降圧電源回路１９によって内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力される。 - 特許庁 - The controller controls a nonvolatile memory system (an example of a nonvolatile memory is a flash memory well-known for skilled in the art) organized into blocks, each block includes a plurality of sector locations for storing the sector information and a particular free block is designated for storing FSInfor sector information.
そのコントローラは、複数のブロックに区分された不揮発性メモリシステム（不揮発性メモリの例は当業者にとって公知であるフラッシュメモリである）を制御し、各ブロックはセクタ情報を格納するための複数のセクタを含み、特定の空きブロックがＦＳＩｎｆｏセクタ情報を格納するように指定される。 - 特許庁 - The light-diffusing warning lamp 1 comprises a plurality of warning lamp units such as a flashing unit 4 irradiating flash light, a rotating light unit radiating rotating light, or the like contained in a transparent globe 3, at least one of which is composed of a plurality of light-emitting diodes in alignment, that is, an LED type unit 5.
閃光を照射する閃光型ユニット４、回転光を照射する回転光型ユニット等の警告灯ユニットを複数透光グローブ３内に収容して成り、上記複数の警告灯ユニットのうち少なくとも１つは複数の発光ダイオード１３を配列して成るＬＥＤ型ユニット５である散光式警告灯１。 - 特許庁 - To provide such a transistor structure that can make a nonvolatile memory semiconductor device, having a flash memory section in which a memory transistor and a select transistor are formed and a logic section, in which a peripheral circuit transistor is formed on the same substrate to operate at high speed by suppressing the gate depletion, particularly in, the select transistor without making the processes complicated.
メモリトランジスタとセレクトトランジスタとが形成されたフラッシュメモリ部と周辺回路トランジスタが形成されたロジック部とを同一基板上に有する不揮発性メモリ半導体装置において、工程を煩雑化することなく、特にセレクトトランジスタにおけるゲート空乏化を抑制し、高速動作可能なトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁 - In flash ROM 2, a mail header memory 3 stores a mail header file including the header portion of the plain text e-mail, and a received mail management table 2t includes the relation of the plain text e-mail and a transfer processing result code indicating whether the plain text e-mail has been transferred to a mail server apparatus 40 or not.
フラッシュＲＯＭ２において、メールヘッダメモリ３は、上記平文電子メールのヘッダ部を含むメールヘッダファイルを格納し、受信メール管理テーブル２ｔは、上記平文電子メールと当該平文電子メールがメールサーバ装置４０に転送されたか否かを示す転送処理結果コードとの関係を含む。 - 特許庁 - The control is executed by connecting a flash memory 7 storing an operation program, a memory 8 capable of storing a part of the data stored in the memory 7 as development data and a data changing means capable of changing the development data stored in the memory 8 to the CPU 5.
この制御は、動作プログラムが格納されたフラッシュメモリ７と、このフラッシュメモリ７に格納されたデータの一部を展開データとして格納し得るメモリ８と、このメモリ８に格納された当該展開データを変更し得るデータ変更手段とがＣＰＵ５に接続されることによって実行されるように構成されている。 - 特許庁 - The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.
フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁 - An MPU 62 reads the information on the delay from the flash memory 64 in response to the ON/OFF selection of the signal processing function by a user, a time difference of delays generated in the video-signal processing section 6 and the audio-signal processing section 7 is computed and the delay time of a delay section 8 is set at the value for synchronization.
ユーザによる信号処理機能のＯＮ／ＯＦＦの選択指示に応じて、ＭＰＵ６２はフラッシュメモリ６４から遅延時間の情報を読み出し、映像信号処理部６及び音声信号処理部７で発生する両遅延時間の差を算出し、遅延部８の遅延時間をその値に設定して同期合わせを行う。 - 特許庁 - Further, the pressure detecting unit 30 has the function of supplying low pressure air or high pressure air into the passage 28 for measuring the pressure, and the low pressure air restrains the intrusion of a releasing agent into the extrusion pin insertion part 42, and the high pressure air removes casting flash caused in the extrusion pin insertion part 42.
さらに、圧力検出ユニット３０は、圧力測定用通路２８に、低圧エアーあるいは高圧エアーを供給する機能も有しており、低圧エアーにより押し出しピン挿通部４２に離型剤が侵入するのを抑制するとともに、高圧エアーにより押し出しピン挿通部４２で生じた鋳バリを除去することができる。 - 特許庁 - When the number of photographing sheets Np is smaller than that of sheets that can be photographed by the battery (maximum number of photographing sheets) Nmax, erroneous judgment on battery run-down is prevented even if the output level of the battery is temporarily dropped like an arrow Lw by flash light emission, and reliability on judgment of battery run-down can be improved.
これにより、電池での撮影可能な枚数(最大撮影枚数)Ｎmaxより少ない撮影枚数Ｎｐの場合においてフラッシュ発光等により矢印Ｌｗのように一時的に電池の出力レベルが落ち込んでも電池切れと誤判断されることがなく、電池切れの判定に関する信頼性を向上できる。 - 特許庁 - To provide a decorative panel not generating a plate warpage phenomenon caused by the absorption and discharge of moisture in the open air during keeping or long-term use and enabling the use of a method good in productivity like a high frequency heating method in the adhesion of a core material and a frame material, and a flash panel manufactured using the same.
保管中或いは長期間の使用に際して、外気による吸湿、放湿等による板反り現象を起こさず、また、芯材、枠材との接着に高周波加熱法のような生産性の良好な方法を用いることが出来る化粧板及びそれを用いて作製されたフラッシュパネルを提供することにある。 - 特許庁 - This memory controller making access to the flash memory including a plurality of blocks on the basis of a logic block address is provided with a detection means detecting an illicit mapping block with an allocated logic block address ineffective for the respective blocks and a deletion means deleting the illicit mapping block detected by the detection means.
論理ブロックアドレスに基づいて複数のブロックを含むフラッシュメモリにアクセスするメモリコントローラであって、それぞれのブロックにとって有効でない論理ブロックアドレスが割り当てられた不正マッピングブロックを検出する検出手段と、検出手段により検出された不正マッピングブロックをブロック消去する消去手段とを備えている。 - 特許庁 - To enable threshold voltage of an erase cell to be verified stably in a NAND flash memory element, where the quantity of electrons filled in a floating gate does not change, the basic threshold voltage of the erase cell will therefore not change and the threshold voltage of the cell is made to increase only in the operating mode.
ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子において、フローティングゲートに充填された電子の量が変化することなく、したがって、消去セルの基本しきい値電圧が変化することなく、動作モードでのみセルのしきい値電圧を増加させて安定して消去セルのしきい値電圧を検証できるようにする。 - 特許庁 - This resin composition for the torque limiter part includes (A) a thermoplastic resin of 5 to 50 wt.% and (B) a filler of 95 to 50 wt.% with the total quantity of the thermoplastic resin and the filler as 100 wt.%, and is characterized by setting the heat conductivity measured by a laser flash method to 1 W/mK or more.
熱可塑性樹脂とフィラーの合計量を１００重量％として（Ａ）熱可塑性樹脂５〜５０重量％および（Ｂ）フィラー９５〜５０重量％を含有してなり、レーザーフラッシュ法で測定した熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とするトルクリミッタ部品用樹脂組成物。 - 特許庁 - A memory system 1 has: a NAND flash memory 12 having a plurality of memory cells and capable of recording data of one bit, two bits or more in one memory cell; and a duplex conversion circuit 21 for duplexing by assigning input data to a predetermined threshold level and the other threshold level different from the predetermined threshold level.
メモリシステム１は、複数のメモリセルを有し、１つのメモリセルに１ビット又は２ビット以上のデータを記録することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２と、入力データを所定の閾値レベルと、所定の閾値レベルとは異なる別の閾値レベルとに割り当てることにより二重化する二重化変換回路２１とを有する。 - 特許庁 - When a rainfall intensity measured by a rainfall sensor 121 of the slave unit 10 and a wind velocity measured by a wind velocity sensor 122 are respectively not more than a first threshold value and a second threshold value predetermined as decision criterions of registration availability, the acquired voiceprint data of the visitor are registered in the flash ROM 220.
さらに、子機１０の降雨センサ１２１により測定された降雨強度と、風速センサ１２２により測定された風速が、それぞれ、登録可否の判断基準として予め定められた第１の閾値および第２の閾値以下である場合には、取得された来訪者の声紋データが、フラッシュＲＯＭ２２０に登録される。 - 特許庁 - A camera body includes: a body mount for supporting a removable lens unit; an imaging device which captures an optical image of a subject to produce image data; a hot shoe for supporting a removable flash device; and a camera controller that calculates an evaluation value on the basis of the image data from the imaging device to perform video AF.
カメラ本体は、着脱可能なレンズユニットを支持するボディマウントと、被写体の光学像を撮像して画像データを生成する撮像素子と、着脱可能な閃光装置を支持するホットシューと、撮像素子からの画像データに基づき評価値を算出してビデオＡＦを行うカメラコントローラーと、を備える。 - 特許庁 - A flash ROM 23 stores a plurality of kinds of unit components obtained by dividing the icon into a plurality pieces, icon correspondence information 23c showing a collective component constituting the icon, the collective component comprising a plurality of unit components, and collective component correspondence information 23d showing a plurality of unit components constituting a collective component.
フラッシュＲＯＭ２３に、アイコンを複数に分割した複数種類の単位部品と、複数の単位部品からなる集合部品であって、アイコンを構成する集合部品を示すアイコン対応情報２３ｃと、集合部品を構成する複数の単位部品を示す集合部品対応情報２３ｄとを記憶する。 - 特許庁 - When the data required for booting the system are rewritten and the location of the data in the HDD is changed (S4, S6), an address or the like of the new data is calculated, an address in an address management table is rewritten on the basis of the calculated result, and then the updated data are copied to the flash memory.
また、当該システムの起動時に必要なデータが書き換えられて当該データのＨＤＤ上での位置が変更された場合には（Ｓ４，Ｓ６）、その新たなデータのアドレス等を計算し、その結果に基づいてアドレス管理テーブルのアドレスが書き換えると共に、その更新後のデータをフラッシュメモリにコピーする。 - 特許庁 - The flash discharge lamp is provided with an arc tube made of a material having a light-transmitting region in a wavelength range of 200 nm or less, and a light-beam absorbing layer having absorption characteristics on light with a wavelength of 200 nm or less with yttrium oxide as a main component is fitted on an outer surface of the arc tube.
本発明の閃光放電ランプは、２００ｎｍ以下の波長範囲に光透過域を有する材料よりなる発光管を備え、この発光管の外表面に、酸化イットリウムを主成分とする、波長が２００ｎｍ以下の光に対して吸収特性を有する光線吸収層が設けられた構成とされている。 - 特許庁 - To provide a detergent composition which is excellent in dissolution of a dirt based on a hydrocarbon such as a cutting oil, a lubricant oil, and a rust preventive oil, in workability and safety because of nonflammability or a high flash point enough to bring no trouble, in dryability, and in stability of the concentrated liquid.
切削油，潤滑油，防錆油等炭化水素をベースとする汚れの溶解性に優れ、且つ非塩素系フッ素化合物の特性である非引火性もしくは問題にならない程度の高引火点であるため作業性，安全性に優れ、乾燥性にも優れ、また、原液の安定性に優れた洗浄剤組成物を提供する。 - 特許庁 - The multilayer circuit board and the connecting method therefor are provided, in which Pd plating or Au flash plating to form a base for Pd is effected so as to prevent oxidation and migration within the multilayer circuit board, or at portions serving as connecting terminals at the time of being connected to other substrates or at the time of mounting semiconductor parts.
多層回路基板内部あるいは他の基板との接続や半導体部品の実装の際に接続端子を構成する部分に酸化防止及びマイグレーション防止のいためのＰｄメッキあるいはＰｄの下地にＡｕフラッシュメッキを施したことを特徴とする多層回路基板とその接続方法。 - 特許庁
- ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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