「Formation Process」を含む例文一覧(2477)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 49 50 次へ＞- To form an aperture exposing a PAD (pad) in one process and to reliably measure the contact resistance by specifying the vertical position of the PAD, a contact hole or the like in an inspection element formation region.
検査素子形成領域におけるＰＡＤ及びコンタクトホール等の垂直位置を規定することによって、ＰＡＤを露出させる開孔部を１工程で形成すると共に、確実なコンタクト抵抗の測定を可能にする。 - 特許庁 - In the process of forming a protecting layer 8 composed of a metal oxide MgO film, the film formation is carried out within a definite range of a partial pressure, for example of oxygen gas partial pressure in a vapor deposition room 21 which is the film forming room.
金属酸化膜であるＭｇＯ膜による保護層８を形成する工程において、その際の成膜は、成膜室である蒸着室２１内の、例えば酸素ガスの分圧を一定範囲内として行う。 - 特許庁 - To provide an image carrier which eliminates the step of charging at which ozone, NOx, etc., are generated, and which performs formation of an electrostatic latent image having high potential contrast, and to provide an image forming apparatus, a process cartridge and an image forming method.
オゾン、窒素酸化物などの発生を引き起こす帯電行程をなくし、電位コントラストが大きい静電潜像形成を行なう像担持体、画像形成装置、プロセスカートリッジ及び画像形成方法を提供すること。 - 特許庁 - The polyvinyl alcohol-based film is obtained in a drum film formation process and is specified to have ≤0.5 μm/mm variance in thickness in the TD direction of the film, 20 to 150 μm film thickness and ≥2 m film width.
ドラム製膜によって得られたポリビニルアルコール系フィルムであって、フィルムのＴＤ方向の厚み変動を０．５μｍ／ｍｍ以下とし、フィルムの厚みを２０〜１５０μｍとし、フィルムの幅を２ｍ以上とする。 - 特許庁 - To provide a nozzle-plate manufacturing method which enables the simplification of a nozzle-plate manufacturing process and formation of a finer irregularity at a low cost, a liquid-droplet discharging head and a liquid-droplet discharging device.
ノズルプレートの製造工程の簡略化を図るとともに、より微細な凹凸を低コストで形成することができるノズルプレートの製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を提供すること。 - 特許庁 - In a via hole formation process, first the surface of an insulating resin layer 27 is roughened, and after an electroless Cu plated film 31 is formed on the layer 27, a photosensitive resin layer 33 is formed on the surface of the film 31.
ビアホール形成工程では、まず絶縁樹脂層２７の表面を粗化し、無電解Ｃｕメッキ被膜３１を形成した後、無電解Ｃｕメッキ被膜３１の表面に感光性樹脂層３３を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises an etching process which is unavoidable of the deterioration of an etching selection ratio of each oxide film, when the method of manufacturing the semiconductor device is accompanied by the formation of two kinds of oxide films or more, having etching characteristics different from each other.
互いにエッチング特性が異なる２種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thereby, the glass insulating film 13 does not erode in the plating process after protective film formation, and the zinc oxide based laminated chip varistor 10 having good insulation can be obtained with good productivity.
これにより、保護膜形成後の工程であるメッキ工程にて、ガラス絶縁膜１３が浸食される事が無く、良好な絶縁性を有する酸化亜鉛系積層チップバリスタ１０を良好な生産性で得る事ができる。 - 特許庁 - The shield layer 4a is formed simultaneously with formation of a drain wiring (or a gate wiring and a pixel electrode) and a connection terminal to an external part of the panel is formed by a usual panel process to attain the structure at a low cost.
また、シールド層４ａをドレイン配線（又はゲート配線や画素電極）と同時に形成し、パネル外部への接続端子の形成も通常のパネルプロセスで形成することにより、上記構造を低コストで実現する。 - 特許庁 - To facilitate formation of pad metals separated individually by making a trench between adjacent pads thereby forming a pad metal film without requiring a pattern mask reflecting the individual pad shape in the pad metal film forming process.
隣接するパッド間に溝を形成し、パッドメタル成膜工程で個々のパッド形状を反映したパターンマスクを用いることなくパッドメタルの成膜を可能とし、個々に分離されたパッドメタルを容易に形成可能とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor element wherein, in the formation of an embedded gate structure using an epitaxial growth technology, a channel compensation process with high impurity concentration does not increase the impurity concentration at a channel part.
エピタキシャル成長技術を用いた埋め込みゲート構造の形成において、高不純物濃度のチャンネル補償処理を行っても、チャンネル部不純物濃度を増加させることのない半導体素子の製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide an electrophotographic photoreceptor having a thick charge transport layer with high uniformity in thickness in spite of formation by dip coating, and therefore capable of outputting an image with high uniformity, a method for manufacturing such an electrophotographic photoreceptor, a process cartridge and an electrophotographic apparatus.
浸漬塗布により形成されたにも関わらず膜厚均一性が高い厚膜の電荷輸送層を有し、もって均一性の高い画像を出力することができる電子写真感光体を提供する。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of uneven exposure, when an image forming medium is wound by a winding roller, in an image forming apparatus, equipped with the winding roller that winds the front end side of the image forming medium in the process of image formation and temporarily stores the medium.
画像形成中の画像形成媒体の前端側を巻き取って一時的に貯留する巻き取りローラを備えた画像形成装置において、該巻き取りローラによる巻き取り時の露光ムラの発生を防止する。 - 特許庁 - To provide an inkjet recording image formation process which can reproduce a highly fine image on any recording material without curling the recording material, to provide an inkjet ink used therefor, and to provide a finished printed matter.
あらゆる記録材料に対して、該記録材料のカールを伴うことなく高精細な画像を再現できるインクジェット記録による画像形成方法、それに用いるインクジェット用インク及び最終印刷物を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of making paper which enables both improving yield and freeness of a papermaking stock on a wire and improving a strength of produced paper without impairing a formation in a manufacturing process of paper and cardboard.
紙及び板紙の製造工程において、地合いを損なうことなく、ワイヤー上の製紙原料の歩留及び濾水性の向上と成紙の強度の向上が両立できる製紙方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - Even if the groove is not perfectly filled by the first insulating film due to the presence of a foreign matter, the groove is perfectly filled by the subsequent formation of the second insulating film after removing the foreign matter by the first CMP process.
異物の存在によって第１の絶縁膜で溝を完全に埋設できない場合でも、第１のＣＭＰ工程により異物を除去し、その後における第２の絶縁膜によって溝を完全に埋設する。 - 特許庁 - Since a flow of the process liquid parallel to the approximately horizontal direction can thus be uniformly formed in the entire processing reservoir 1, occurrence of a swirling current and formation of retention can be effectively inhibited.
このため、処理槽１の全体に略水平方向に沿った平行な処理液の流れが均一に形成できることから、渦流の発生及びそれに伴う滞留部の形成を効果的に抑制できる。 - 特許庁 - C. To place both buy and sell orders in intraday trading at a reasonable intervals (limited to orders which have no risk of distorting the price formation process in light of liquidity and other factors related to the relevant issue).
ハ．ザラ場における売りと買いの注文について、その発注時刻に相当程度の間隔がある取引（ただし、当該銘柄の流動性等を勘案して、価格形成に影響を与えるおそれの無いものに限る。） - 金融庁 - To provide a semiconductor device that can obtain an arbitrary required breakdown voltage by the same process as CMOS formation and has a diode with superior properties.
本発明は、ＣＭＯＳ形成と同一の工程により、任意の所望のブレークダウン電圧を得ることが可能で、さらに特性の優れたダイオードを有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The manufacturing method for the organic electro-luminescence display comprises a process that an organic electro-luminescence layer is formed in an EL formation room 10 with air atmosphere having water density less than that of the air.
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法は大気よりも水分濃度が低い空気雰囲気を有するＥＬ形成室１０において有機エレクトロルミネッセンス層を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide the contact formation method of a semiconductor device that two-stage self-aligned contact etching process of different conditions of etching processes is performed, to form a contact hole having stable characteristics.
食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、安定的な特性を有するコンタクトホールを形成する半導体素子のコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁 - The quantity of air charged into a combustion chamber is relatively reduced to allow the combustion chamber 5 to have a high temperature at an early stage to thereby allow a shift to the steady combustion process T2, thus suppressing the formation of HC and formaldehyde.
燃焼室に投入される空気量を相対的に減らすことにより、燃焼室５を早期に高温にして、定常燃焼工程Ｔ２に移行可能とし、ＨＣやホルムアルデヒドの発生を抑制する。 - 特許庁 - Cell shape data 17a, cell attribute data 17b and arrangement restriction condition data 17c formed as libraries are stored in the pattern forming device 11 which executes layout data formation processing of process patterns.
プロセスパターンのレイアウトデータ作成処理を実行するパターン作成装置１１には、ライブラリとして作成されたセル形状データ１７ａ、セル属性データ１７ｂ及び配置制約条件データ１７ｃが格納される。 - 特許庁 - To provide a method for oxide dielectric layer formation by a sol-gel process where the oxide dielectric layer is less likely to undergo damage by an etching liquid and has excellent dielectric properties such as high electric capacity.
ゾル−ゲル法を用いて誘電層を形成し、その誘電層がエッチング液による損傷を受けにくく、且つ、高い電気容量等の誘電特性に優れた酸化物誘電層の形成方法を提供する。 - 特許庁 - After a resist pattern formation process with a prescribed layer of a semiconductor wafer, a selected wafer is irradiated with an inspection light which causes fluorescence emission in the resist pattern, for example, ultraviolet ray (UV) of a prescribed wavelength band.
半導体ウェハ所定層におけるレジストパターン形成工程終了後、選ばれたウェハは、そのレジストパターンに対して蛍光発光させる検査用の光、例えば所定の波長帯を有する紫外線（ＵＶ）を照射する。 - 特許庁 - In an LOCOS oxide film formation process, after heating the inside of a chamber to the oxidization temperature at which LOCOS oxidization is carried out, thermal control is performed so as to make the oxidizing velocity in LOCOS oxidization increase gradually.
ＬＯＣＯＳ酸化膜形成工程において、ＬＯＣＯＳ酸化が行われる酸化温度までチャンバー内を加熱したのち、ＬＯＣＯＳ酸化における酸化速度を徐々に増加させるように制御する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a gate insulating film is formed on a semiconductor substrate only by one time of a film formation process and gate electrodes having conductive materials of different job functions are then formed.
半導体基板上に１回のみの成膜工程でゲート絶縁膜を形成した後、仕事関数の異なる導電材料を有するゲート電極を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for the formation of an antireflection film having a high antireflection effect, free from intermixing with a resist layer, and usable for the lithographic process using irradiation light of a F2 excimer laser (at 157 nm wavelength).
反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングを起こさない、Ｆ２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁 - The release sheet is used for a process paper in the formation of resin films and includes a polypropylene base layer A and a matte resin layer B containing a polymer-based antistatic agent arranged on the polypropylene base layer A.
樹脂フィルム成膜の工程紙として使用される剥離シートであり、ポリプロピレン基材層Ａと、ポリプロピレン基材層Ａの上に設けられた、高分子系の帯電防止剤を含む艶消し樹脂層Ｂとを備える。 - 特許庁 - After the catalyst-formation treatment process, an electroless plating treatment step of forming an electroless-plated metal thin film by electroless plating on the surface of a resin material precipitated by the catalytic metal is performed.
また、この製造方法は、触媒化処理工程の後に、触媒金属が析出した樹脂材料子の表面に、無電解メッキにより無電解メッキ金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する。 - 特許庁 - To provide a production method of polymerized toner which prevents the formation of deposits in a polymerization apparatus, gives a high productivity and produces a toner having stable product performances when a polymerization process is carried out.
重合法トナーの製造方法において、重合工程を行う際に、重合装置内での付着物の生成を防ぎ、生産性が高く、且つ安定した製品性状を有するトナーの製造法を提供する。 - 特許庁 - To provide a process liquid for migration layer formation for forming a migration suppression layer capable of improving insulation reliability between electric wiring by suppressing migration of copper ions between electric wiring.
本発明は、配線間の銅イオンのマイグレーションを抑制し、配線間の絶縁信頼性を向上させるマイグレーション抑制層を形成するためのマイグレーション層形成用処理液を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The removing and/or formation-inhibiting effects on the biofilm by the treating agent for the contact lens are evaluated readily and efficiently by using the biofilm formed by the forming process.
また、本発明の作製工程により作製したバイオフィルムモデルを使用することにより、簡便かつ効率的にコンタクトレンズ用処理剤のバイオフィルムに対する除去および／または形成阻害効果を評価することができる。 - 特許庁 - To attain high quality and high yield by preventing occurrence of failure resulting from material formation in an assembly process of a liquid crystal display device.
液晶表示装置の組み立て工程における、材料形成に起因する不良の発生を未然に防止し、高品質・高歩留まりを実現することができる液晶表示装置の製造方法及び製造装置の提供。 - 特許庁 - To provide a yttria-stabilized zirconia powder which can be applied to various forming methods, and is suitable for producing spherical sintered compact media, each of which is almost free from internal defects and has a uniform grain size, especially by utilizing a rolling granulation/formation process.
各種成形法に適用でき、特に転動造粒成形法において、内部欠陥がほとんど無く、粒度のそろった球状焼結体メディアの製造に好適なイットリア安定化ジルコニア粉末を提供する。 - 特許庁 - To provide a thermosetting resin composition for color filter protecting film which is excellent in curing property and storage stability, has a layer provided with basic performances and is excellent in adhesive property and process durability upon the formation of transparent electrode.
優れた硬化性と保存安定性を有し、樹脂硬化物の層が基本性能を備え、密着性、透明電極形成時のプロセス耐性に優れるカラーフィルター保護膜用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a developing device using a joint belt as a toner conveying means, where the joint area of the belt does not directly participate in image formation, and also, the influence at the joining process is not given to conveying electrodes, then, a high-quality image is obtained.
接合ベルトからなるトナー搬送手段を用いた現像装置において、接合領域が画像形成に直接関与せず、高品質な画像を得ることができる現像装置を提供することである。 - 特許庁 - To provide a modified PPE resin sheet which is free of formation of projections even when thermoformed and accordingly dispenses with a process of polishing the projections away, in regard to the modified PPE resin sheet used as an exterior component for an automobile.
自動車用外装部品として用いられる変性ＰＰＥ樹脂シートにおいて、熱成形しても突起物の発生がなく、従って、その突起物を磨き上げる工程を不要とするものを提供する。 - 特許庁 - To provide: a liquid developing agent solution satisfying development property, inhibiting the influence on coloring by magnetic powder, and permitting formation of clear images; a process cartridge using the same; and an image forming device.
現像性を満足させつつ、磁性粉による発色への影響を抑制し、鮮明な画像が形成される液体現像剤液、並びに、それを利用したプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a magnetic field generating member capable of enhancing rigidity and downsizing, a development device with the magnetic field generating member, a process cartridge, an image formation device, and a method for manufacturing the magnetic field generating member.
剛性を高めて小型化できるようにした磁界発生部材、この磁界発生部材を備えた現像装置、プロセスカートリッジ、及び、画像形成装置、並びに、この磁界発生部材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the above tempering process, since the film-formation temperature of the DLC film with the plasma CVD method reaches to the tempering temperature of the base material, the tempering treatment and the plasma CVD treatment can simultaneously be applied.
上記の焼戻し工程において、プラズマＣＶＤ法によるＤＬＣ膜の成膜温度が上記基材の焼戻し温度に達するため、焼戻し処理とプラズマＣＶＤ処理とを同時に行うことができる。 - 特許庁 - To provide an image forming device which can perform image formation while switching the process speed without any trouble such as time wait and keep the picture quality of front and reverse surfaces in both-surface print mode constant at each process speed through simple control with simple constitution without switching the transfer voltage and fixation temperature.
プロセス速度を切り換えての画像形成が、時間待ちなどの不具合を伴うことなく実施可能であって、また、各プロセス速度において、両面印字モードにおける表裏の画質を、転写電圧や定着温度の切り換え等を行うことなく簡単な構成かつ制御で一定とできる画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming a low-resistance metallic semiconductor contact with an excellent reproducibility and excellent adhesive properties, by using a lift-off method proper to the formation of a fine pattern without an oxidation process and a heat treatment process; and to provide the semiconductor device manufactured by the manufacturing method.
酸化工程や熱処理工程を行うことなく、微細パターン形成に適したリフトオフ法を用いて低抵抗金属半導体接触を密着性良く、かつ再現性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The method comprises a process for forming a relatively narrow and shallow pre-groove 4 of a width W0 on the surface of a semiconductor layer formation side of a semiconductor wafer 1 by dicing, and a process for forming a relatively wide and deep groove 5 of a width W1 on the surface by dicing by hollowing out the pre-groove 4.
半導体ウエハー１の半導体層形成側の表面に相対的に幅Ｗ０の狭い且つ深さの浅いプレ溝４をダイシングにより形成する工程と、該表面に相対的に幅Ｗ１の広い且つ深さの深い幅広溝５を前記プレ溝４をえぐり取るようにしてダイシングにより形成する工程とを含む。 - 特許庁 - This invention also relates to a method for treatment of fluorine-containing wastewater characterized by including a process for removing fluorine from wastewater based on a double salt formation process by the addition of the components A and B below to the fluorine-containing wastewater to let them react to form double salts.
Ａ剤・・・アルミニウムイオンおよび炭酸イオンを含む溶液、 Ｂ剤・・・マグネシウム塩 また、フッ素を含有する排水に、下記Ａ剤と下記Ｂ剤とを添加することでこれらを反応させて複塩化し、前記排水中から前記フッ素を除去する複塩化処理工程を含むことを特徴とするフッ素含有排水の処理方法である。 - 特許庁 - To provide a method for pre-treating molten iron and its refining method by which the refining without using fluorite can be performed at the molten iron pretreatment and also, a decarburizing process, and the formation of slag for dephosphorizing in the decarburizing process is minimized and a heat tolerance is improved by efficiently adding carburizing material into the molten iron.
溶銑予備処理・脱炭工程ともに蛍石を使用しない精錬を可能にし、脱Ｐ工程、脱炭工程での脱Ｐ用スラグの形成を最小限にし、溶銑中に加炭材を効率よく添加して熱裕度の向上を図る溶銑予備処理方法及び精錬方法を提供する。 - 特許庁 - A film formation method for forming a Cu film on a substrate to be treated comprises a first process of forming a contact film on the Cu diffusion prevention film formed on the substrate to be treated, and a second process of forming the Cu film on the contact film containing Pd.
被処理基板上にＣｕ膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に密着膜を形成する第１の工程と、前記密着膜上にＣｕ膜を成膜する第２の工程と、を有し、前記密着膜はＰｄを含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁 - In a second laser scribe process, the positions of marks 21, 22 provided in the first laser scribe process are confirmed prior to the formation of a second groove 6, the distance among respective laser optical systems 30, 31, 32, 33 is corrected, and an adjustment is made so that the interval of the laser beams emitted to the substrate 1 becomes equal to that between prior first grooves 3.
第二レーザスクライブ工程では、第二溝６の形成に先立って、第一レーザスクライブ工程の際に設けられたマーク２１，２２の位置を確認し、各レーザ光学系３０，３１，３２，３３同士の距離を補正し、基板１へ照射されるレーザ光の間隔が先の第一溝３同士の間隔と等しくなる様に調整する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes an element manufacturing process wherein a semiconductor element is formed on a semiconductor substrate 10 and an interlayer film formation process wherein a LOCOS oxide film 12 having an opening at a desired position is formed as a constituent component of the semiconductor device on the surface RS of the semiconductor substrate 10.
当該半導体装置の製造方法は、半導体基板１０に半導体素子を作製する素子作製工程と、当該半導体装置の構成要素として、所望の位置で開口するＬＯＣＯＳ酸化膜１２を半導体基板１２の表面ＲＳに形成する層間膜形成工程とを備える。 - 特許庁 - The method for producing a silicon wafer includes: a process of forming an epitaxial layer (2) on a silicon wafer (1) to which carbon is added; and a process of accelerating the formation of carbon and oxygen-containing precipitates formed in the silicon wafer (1) by heat treating the silicon wafer (1) formed thereon with the epitaxial layer (2) at 650 to 1,000°C.
本発明のシリコンウェーハの製造方法は、炭素を添加したシリコンウェーハ（１）上にエピタキシャル層（２）を形成する工程と、該エピタキシャル層（２）を形成したシリコンウェーハ（１）に対して６５０℃〜１０００℃の熱処理を施して、シリコンウェーハ（１）中に生成する、炭素及び酸素を含む析出物を促進する工程を含む。 - 特許庁
