A power amplification device 100 comprises: an RF amplifying GaN device 118; a monitoring GaN device 106; an Idq detection circuit 112; and a gate bias control (GBC) circuit 119. 電力増幅装置100は、RF増幅用GaNデバイス118と、モニタ用GaNデバイス106と、Idq検出回路112と、ゲートバイアス制御(GBC)回路119とを有する。 - 特許庁
Electrically grounded ground patterns GB1, GC1, GBC are arranged among a plurality of detecting signal wires between the detection electrodes 26a, 26b, 27a, 27b, and a signal processing/control circuit 13. 検出電極26a、26b、27a、27bと信号処理・制御回路13との間の複数の検出信号配線の間には、電気的に接地されたグランドパターンGB1、GC1、GBCが配置される。 - 特許庁