「GDN」を含む例文一覧(5)
- The crystal structure of AlN resembles that of GdN, and its band gap is larger than luminescent energy of GdN.
ＡlＮは、ＧｄＮと結晶構造が似ており、かつ、バンドギャップがＧｄＮの発光エネルギーよりも大きい。 - 特許庁 - The ultraviolet phosphor thin film 4 has a buffer layer 5 of AlN, a GdN layer 6, and a protective layer 7 of AlN.
紫外蛍光薄膜４は、ＡlＮのバッファ層５、ＧｄＮ層６、ＡlＮの保護層７を有している。 - 特許庁 - A switching module 1 comprises an output terminal 1a, a GDN terminal 1b, a power supply terminal 1c, an input terminal 1d, and a circuit board 2 made of ceramics and the like.
スイッチングモジュール１は出力端子１ａ、ＧＮＤ端子１ｂ、電源端子１ｃ、入力端子１ｄの各端子と、セラミック等からなる回路基板２とを備える。 - 特許庁 - The coating layer 15 comprises Al_0.3Ga_0.6Gd_0.1 N as a mixed crystal of a nitride of a group III element (for example, AlGaN) and a nitride of lanthanoid (for example, GdN), and has a thickness of 20 nm.
被覆層１５は、ＩＩＩ族元素の窒化物（例えば、ＡｌＧａＮ）とランタノイドの窒化物（例えば、ＧｄＮ）との混晶としてのＡｌ_0.3Ｇａ_0.6Ｇｄ_0.1Ｎであり、厚さは２０ｎｍである。 - 特許庁 - When the power supply voltage of the game machine is not applied to the gate G (when the power of the game machine is off), the PNP type transistor 1271 is turned on, and the electric charge of the shooting capacitor 127k is discharged from the GDN terminal G3 through the PNP type transistor 1271.
そして、遊技機の電源電圧がゲートＧに印加されない場合（遊技機の電源が落とされた場合）には、ＰＮＰ型トランジスタ１２７ｌがＯＮとなり、発射コンデンサ１２７ｋの電荷が当該ＰＮＰ型トランジスタ１２７ｌを介してＧＮＤ端子Ｇ３から放出される。 - 特許庁
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