「Germane」を含む例文一覧(18)

  • Preferably the polygermane is a methylphenyl germane/phenyl germane copolymer.
    好ましくは、ポリゲルマンは、メチルフェニルゲルマン／フェニルゲルマン共重合体である。 - 特許庁
  • ELECTRODE FOR ELECTROLYTIC GERMANE PROCESS
    電解ゲルマンプロセスのための電極 - 特許庁
  • Mr. hagen's opinion is not germane.
    ヘイゲン氏の考えは 適切ではない - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • The fact is not germane to this issue.
    その事実はこの問題に関係がない. - 研究社 新英和中辞典
  • AGENT FOR DETECTING GERMANE AND ORGANIC SILICON COMPOUND
    ゲルマン及び有機ケイ素化合物の検知剤 - 特許庁
  • he asks questions that are germane and central to the issue
    彼はその問題に対して適切で最も大事な質問をする - 日本語WordNet
  • In the above nonselective epitaxial growth, monosilane, hydrogen, diborane and germane are used as raw material gas.
    このような非選択エピタキシャル成長では、原料ガスとして、モノシラン、水素、ジボラン及びゲルマンを用いる。 - 特許庁
  • Also, the growth temperature is set at 650°C, the flow of diborane is set at 75 sccm and the flow of germane is set at 35 sccm.
    また、成長温度を６５０℃、ジボランの流量を７５ｓｃｃｍに設定し、ゲルマンの流量を３５ｓｃｃｍに設定する。 - 特許庁
  • A mixture of a non-reactive carrier gas and a higher order germanium precursor gas, i.e. of higher order than germane (GeH_4), is applied.
    非反応性キャリアガスと、高次のゲルマニウム前駆体ガス、即ちゲルマン（ＧｅＨ_４）より高次のゲルマニウム前駆体ガスとの混合物が適用される。 - 特許庁
  • This method for producing the cyclic compound is characterized by allowing a trialkylborane to act on an allyl halogenated carbonyl compound and then allowing a germane compound to act on the reaction product.
    アリルハロゲン化カルボニル化合物に、トリアルキルボランを作用させ、次にゲルマン化合物を作用させることを特徴とする環状化合物の製造方法。 - 特許庁
  • To provide a detecting agent or a detecting method which can sensitively detect germane exhausted from a semiconductor manufacturing process or the like without being affected by atmospheric gas.
    半導体製造工程等から排出されるゲルマンを、雰囲気ガスに影響されることなく高感度で検知できる検知剤あるいは検知方法を提供する。 - 特許庁
  • After the removal of the impurities, such as the native oxide layer and the like, is completed, mono germane (GeH4) and mono silane (SiH4) are introduced from a gas introducing tube 17 to form a film of silicon germanium (SiGe) at 500°C, adjusting pressure.
    自然酸化膜などの不純物の除去が完了したら、ガス導入管１７からモノゲルマン（ＧｅＨ４）とモノシラン（ＳｉＨ４）を導入し圧力を調節しながらシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を５００℃で成膜する。 - 特許庁
  • The organometallic compound is, e.g. tetrakis(2:3-epithiopropylthio)germane.
    有機金属化合物を用いて得られた重合体からなる光学製品 （式中Ｍはケイ素、ゲルマニウム、スズまたはチタンを示し、ｘは１〜４の整数を示し、ｙは１または２を示す）式（１）の具体例としては、テトラキス（２：３−エピチオプロピルチオ）ゲルマンが挙げられる。 - 特許庁
  • To generate Germane (GeH_4) by electrolysis of aqueous electrolyte solutions containing GeO_2, hydroxide and water with metal alloy electrodes, such as, copper or tin base alloy electrodes with alloying elements such as Sn, Pb, Zn, Cu, etc.
    本発明では、ＧｅＯ_２、水酸化物及び水を含有する電解水溶液を、金属合金電極、例えばＳｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｕ等の元素と合金化した銅基合金電極又はスズ基合金電極を用いて電解して、ゲルマン（ＧｅＨ_４）を生成させる。 - 特許庁
  • To provide detecting agent capable of detecting germane and organic silicon compounds such as vinyltrimethylsilane, allylalkoxysilane, etc. discharged from a semiconductor manufacturing process, etc. with high sensitivity without being affected by atmospheric gas, such as hydrogen, etc. and preventing easy decrease of sensitivity due to light, etc. till its use.
    半導体製造工程等から排出されるゲルマン及びビニルトリメチルシラン、アリルトリメチルシラン等の有機ケイ素化合物を、水素等の雰囲気ガスに影響されることなく高感度で検知でき、しかも使用するまでの期間中、光等により容易に感度が低下しない検知剤を提供する。 - 特許庁
  • Further specifically, the present invention relates to a composition containing at least one polymerizable binder and at least one polymerization initiator containing at least one acyl germanium compound; and use of acyl germane as an initiator for radical polymerization or preparation of restorative dental material.
    より特定すると、少なくとも１種の重合性結合剤と、少なくとも１種のアシルゲルマニウム化合物を含む１種の重合開始剤とを含む組成物、およびラジカル重合または歯科修復材料の調製のための開始剤としての、アシルゲルマンの使用に関する。 - 特許庁
  • The method includes the steps of: providing a substrate in an atmosphere including an Si precursor and a Ge precursor that has a decomposition temperature higher than germane; and depositing an Si_1-xGe_x layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm^2 on the substrate.
    Ｓｉ前駆体と、分解温度がゲルマンより高いＧｅ前駆体とを含む雰囲気中に基板を設けるステップ、および最終Ｇｅ含有量が約０．１５より大きくかつパーティクル密度が約０．３パーティクル／ｃｍ^２より小さいＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を前記基板上に堆積するステップを含む。 - 特許庁
  • In the method for manufacturing a semiconductor device having a silicon substrate which has a silicon nitride film or a silicon oxide film on at least part of its surface and which has an exposed silicon surface, the silicon substrate is placed in a chamber, and a gas containing chlorine, a gas containing hydrogen, and at least either a silane gas or a germane gas are sequentially introduced into the chamber to epitaxilally grow only the silicon surface selectively.
    表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板をチャンバー内に挿入し、チャンバー内に、塩素を含むガスと、水素を含むガスと、シラン系のガスまたはゲルマン系のガスの少なくとも一方とを順次導入することにより、選択的にシリコン表面のみにエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

例文データの著作権について