「Growth process」を含む例文一覧(697)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- To provide a lateral crystallization process for increasing lateral growth length (LGL).
ラテラル成長長さ（ＬＧＬ）を増大させるためのラテラル結晶化プロセスの提供。 - 特許庁 - By a second liquid growth process in other process, a conductivity type of the upper layer of the light emitting layer forming part 4, i.e., a second epitaxial growth layer 5 composed of a P-type GaP layer is subjected to thick liquid growth.
そして、さらに別工程の第２の液相成長工程により発光層形成部４の上層の導電形、すなわちｐ形のＧａＰ層からなる第２のエピタキシャル成長層５を厚く液相成長する。 - 特許庁 - It is preferred that an after-baking process is set up after the growth process of the silicon nitride film.
本発明においては、窒化シリコン膜の成長工程の後、さらに後焼成工程が設けられることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a process for depositing yttrium oxide and lanthanum oxide thin films by an ALE (atomic layer epitaxial growth) process.
ＡＬＥプロセスによって酸化イットリウム薄膜および酸化ランタン薄膜を堆積させるための方法を提供すること。 - 特許庁 - On the other hand, it promotes the growth of the foreign matter so that an ashing process excluding H_2O is provided.
その反面、異物の成長を促すので、Ｈ_２Ｏを除いたアッシング処理を設ける。 - 特許庁 - SUBSTRATE FOR GROWTH OF CARBON NANOTUBE AND FABRICATION PROCESS FOR CARBON NANOTUBE USING THE SAME
カーボンナノチューブ成長用基板及びその基板を用いたカーボンナノチューブの作製方法 - 特許庁 - Consequently, the local generation of abnormal growth in a polysilicon film formation process can be prevented.
これにより、ポリシリコン膜の形成過程における局所的な異常成長が防止される。 - 特許庁 - To achieve a bone-salt quantity evaluation by giving a due consideration to a growth process of school children.
学童の骨塩量評価を行う場合にその成長過程を考慮に入れる。 - 特許庁 - It is also preferred that a baking temperature in the Al baking process is set higher than a growth temperature in the growth process of the silicon nitride film, and a temperature at which the after-baking process is conducted.
また本発明においては、Ａｌ焼成工程における焼成温度が窒化シリコン膜の成長工程における成長温度および該後焼成工程の温度よりも高く設定されることが好ましい。 - 特許庁 - To enhance efficiency of vapor phase epitaxial growth processing by shortening the time when a reactor is occupied by a semiconductor wafer during vapor phase epitaxial growth process in vapor phase epitaxial growth device and method.
気相成長装置及び気相成長方法において、気相成長処理時に半導体ウェハが反応炉を占める時間を短縮し、気相成長処理の効率向上を図ること。 - 特許庁 - To provide a crystal growth method for producing a single crystal with high efficiency by suppressing growth deviation in a crystal growth process in a direction perpendicular to a crystal rotation axis.
結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating a preferable piezoelectric element by epitaxial growth method such as sputtering or orientation growth method, and to provide a process for manufacturing a liquid ejection head.
スパッタ法などのエピタキシャル成長法或いは配向成長法よって好ましい圧電素子を作製する圧電素子製造方法及び液体吐出ヘッド製造方法を提供する。 - 特許庁 - A growth method without regularity is executed in an initial process for forming a plurality of screen cores in one screen cell, and a growth method with regularity is executed in processes following the initial process.
１つのスクリーンセルに複数個のスクリーン核を形成する初期過程では規則性を持たない成長手法を実行し、初期過程後には規則性を持つ成長手法を実行する。 - 特許庁 - To form a tin-plated film suppressing growth of tin whiskers by a simple and reduced treatment process.
錫ウイスカの成長を抑制する錫めっき皮膜を、簡単かつ少ない処理工程で形成する。 - 特許庁 - GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, PRODUCTION PROCESS OF EPITAXIAL WAFER, AND EPITAXIAL WAFER
窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ - 特許庁 - The process and system are suitable especially for the treatment of a semiconductor surface before epitaxial growth.
本方法およびシステムは特に、エピタキシャルの前に半導体表面を処理するのに適している。 - 特許庁 - Thus, in discussing economic growth, there is a need to examine this entire process.
よって、経済成長を論じるに当たっては、こう したプロセス全体を考察する必要がある。 - 経済産業省 - The growth of human beings from child into adulthood is a very long and often painful process.
人間の子供から大人への成長は実に長い, そしてしばしば苦しみを伴う過程だ. - 研究社 新和英中辞典 - The method performs a pretreatment process for providing a pneumatic tire with outer-diameter growth and performs an indoor wear test process on the pneumatic tire which has passed through the pretreatment process.
空気入りタイヤに外径成長を生じさせる前処理工程を実施し、該前処理工程を経た空気入りタイヤに対して室内摩耗試験工程を実施する。 - 特許庁 - MATERIAL FOR IMPARTING PLANT GROWTH ENVIRONMENT, ITS PREPARATION PROCESS, SOIL COMPOSITION CONTAINING THE MATERIAL AND SOIL CONDITIONING PROCESS USING THE MATERIAL
植物生育環境付与材及びその製造方法、並びにそれを含有する土壌組成物及びそれを用いた土壌改良方法 - 特許庁 - In a growth process S1, a gas G1 containing an ammonia and group III organic metal matter is supplied into a growth furnace 15 of a vapor phase growth apparatus 11 to grow a group III nitride semiconductor of GaN etc.
成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。 - 特許庁 - The slime growth data from the slime growth detecting means is collected and accumulated for every actual water line process in a data accumulation means (data base 34).
データ蓄積手段（データべース３４）には、スライム成長検出手段からのスライム成長データが実水系プロセス毎に収集されて蓄積される。 - 特許庁 - The learning rate is handled, for example, as a function variable with growth time (t), so that storage capacity is varied dynamically according to the process of growth.
例えば、学習率を成長時間ｔに応じて変化する関数として扱うことにより、成長過程に応じて記憶能力を動的に変化させる。 - 特許庁 - As just described, at the initial stage of growth, a good single crystal is grown in the first process, and thereafter the single crystal is further grown at a higher growth speed in the second process.
このように、成長初期においては、第１工程によって良好な単結晶を成長させ、その後は、第２工程によって速い成長速度で単結晶を成長させるようにする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element which can obtain a flat film in an earlier stage of a growth process than before, in a method of manufacturing a semiconductor light-emitting apparatus including a process of forming a semiconductor layer using a lateral growth method after arranging a mask for selective growth on a substrate for growth.
成長用基板上に選択成長用のマスクを配した後、横方向成長法を用いて半導体層を形成する工程を含む半導体発光装置の製造方法において、従来よりも成長過程の早い段階で平坦な膜を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes: a growth process G of growing an epitaxial layer on a silicon single crystal substrate W; and a mirror chamfering polishing process D2 of mirror polishing a chamfering part 1 on a peripheral edge of the silicon single crystal substrate after the epitaxial growth process G.
シリコン単結晶基板Ｗにエピタキシャル層を成長させる成長工程Ｇと、エピタキシャル成長工程Ｇの後に、シリコン単結晶基板の周縁の面取り部１を鏡面研磨する鏡面面取り研磨工程Ｄ２と、を有する。 - 特許庁 - A storage part 10 stores plural icon images that can be displayed during a growth process of a character.
記憶部１０には、キャラクターの成長過程で表示され得る複数のアイコン画像が格納される。 - 特許庁 - To cause lateral crystal growth by a laser annealing process to form a semiconductor thin film of a uniform crystal structure.
レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。 - 特許庁 - N-TERMINALLY MONOPEGYLATED HUMAN GROWTH HORMONE CONJUGATE, PROCESS FOR THEIR PREPARATION, AND USE THEREOF
Ｎ末端でモノペグ化されたヒト成長ホルモンコンジュゲート、それらの調製のための方法、およびそれらの使用法 - 特許庁 - In the growth of a single crystal by the CZ process, the polycrystalline raw material is initially charged into the crucible 3.
ＣＺ法による単結晶育成に際して、ルツボ３内に多結晶原料を初期チャージする。 - 特許庁 - Then, the silicon carbide single crystal 10 is grown on the dislocation controlling seed crystal 1 (growth process).
そして、転位制御種結晶１上に、炭化ケイ素単結晶１０を成長させる（成長工程）。 - 特許庁 - PROCESS FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR, CRYSTAL GROWTH RATE ENHANCEMENT AGENT, NITRIDE SINGLE CRYSTAL, WAFER AND DEVICE
窒化物半導体の製造方法、結晶成長速度増加剤、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス - 特許庁 - The crystal growth process can be determined as the lateral growth or vertical growth from change in time and changing rate in time of the detected reflectivity or transmittivity, crystal lengths and crystal widths of the lateral growth can be obtained from the solidifying time, and these data can be used as the control information of the lateral crystal growth.
検出された反射率または透過率の時間変化および変化率から結晶成長過程が横方向か縦方向かを判別でき、凝固時間から横方向成長した結晶長および結晶幅を求めることができ、これらが横方向結晶成長の制御情報として用いられ得る。 - 特許庁 - To provide a method and a device for measuring an interface position at crystal growth in order to measure a crystal growth rate as a requirement of the crystal growth process control.
結晶成長プロセスの制御の必要条件としての結晶成長速度を測定するために相界面の位置の測定を可能にする、結晶成長時、相界面の位置を測定する方法及び装置を提供する． - 特許庁 - The problem is solved by an evaporation crystallization method including, for example, a raffinose-containing liquid preparation process, a raffinose-containing liquid concentration process, a seed crystal addition process, a crystal growth process under reduced pressure, a crystallite dissolution process, a crystallization process and a raffinose crystal recovery process by centrifugal separation (centrifugal sugar).
蒸発結晶化法、例えばラフィノース含有液調製工程、ラフィノース含有液濃縮工程、種晶添加工程、減圧下での結晶成長工程、微細結晶の溶解工程、助晶工程、遠心分離（分蜜）によるラフィノース結晶回収工程からなる蒸発結晶化法により、上記課題を解決する。 - 特許庁 - In a process S107, the growth of a protection layer 27a covering the main face of the well layer 25a is started at the temperature T_W immediately after the completion of growth of the well layer 25a.
工程Ｓ１０７では、井戸層２５ａの成長完了の直後に、温度Ｔ_Ｗで、井戸層２５ａの主面を覆う保護層２７ａの成長を開始する。 - 特許庁 - To provide a Pendeo epitaxial growth substrate for preventing the contamination by an air gap which may occur in a growth process of a semiconductor element and to provide its manufacturing method.
半導体素子の成長工程において発生しうるエアーギャップによる汚染を防止するための、ペンデオ・エピタキシャル成長基板及びその形成方法を提供する。 - 特許庁 - To increase the nuclear generating density of crystal growth in the initial stage of the growth of a Cu film in the case Cu (hfac) (atms) is used in the production of a Cu film by a Cu-CVD process.
Ｃｕ−ＣＶＤプロセスによるＣｕ膜作製でＣｕ（ｈｆａｃ）（ａｔｍｓ）を用いる場合にＣｕ膜成長の初期段階で結晶成長の核発生密度を高める。 - 特許庁 - To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process.
チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。 - 特許庁 - To automatically add a substance necessary for growth in an analysis of a growth process of a substance, in relation to an analysis method and its device.
本発明は、解析方法及び装置に関し、物質の成長工程の解析において成長に必要な物質を自動的に付加することを可能とすることを目的とする。 - 特許庁 - The process of forming the void-containing layer includes a process of providing temperature distribution such that a high-temperature part and a low-temperature part repeatedly continue on the surface of the substrate for growth and growing the group III nitride-based compound semiconductor on the substrate for growth by a vapor growth method.
空洞含有層を形成する工程は、成長用基板の表面に高温部と低温部が繰り返し連続するような温度分布を設けて、気相成長法により成長用基板上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる工程を含む。 - 特許庁 - The method also includes a mirror chamfering polishing process D1 of mirror polishing the chamfering part on the peripheral edge of the silicon single crystal substrate before the growth process.
また、成長工程の前に、シリコン単結晶基板の周縁の面取り部を鏡面研磨する鏡面面取り研磨工程Ｄ１を有する。 - 特許庁 - Alternatively, a silicon carbide substrate preliminarily subjected to a CMP process and a process of forming a silicon carbide film by epitaxial growth can be used as the seed crystal 1.
また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。 - 特許庁 - To manufacture a gallium nitride-based compound semiconductor substrate which eliminates a device process such as a transverse-direction growth process or the like to the substrate and whose defect is low.
基板への横方向成長等のデバイス工程を無くした低欠陥である窒化ガリウム系化合物半導体基板を製造できるようにする。 - 特許庁 - The first getter layer 16 is formed on all the surface of the substrate 19 through an ion implantation process which is carried out before an epitaxial growth process.
第１のゲッタ層１６は、基板１９の全面に形成されており、エピタキシャル成長工程の前のイオン注入工程によって形成される。 - 特許庁 - To provide an evaluating method simply introduced in a fabricating process so as to evaluate whether an epitaxial defect in a process of epitaxial growth of an epitaxial wafer arises or not at the stage of a silicon wafer or a silicon monocrystal before the process of epitaxial growth.
エピタキシャルウエーハのエピタキシャル成長プロセスにおいてエピ欠陥が発生するか否かを、エピタキシャル成長プロセス前のシリコンウエーハあるいはシリコン単結晶の段階において、製造工程に取り入れられるほどの簡便さで評価する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing an SiC single crystal improved in crystal growth rate by a solution process.
結晶成長速度を向上させた溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - First and second double-hetero structures are formed on an n-type GaAs substrate 1 by a crystal growth process.
ｎ型ＧａＡｓ基板１上には結晶成長工程で第１，第２のダブルへテロ構造が形成されている。 - 特許庁 - To provide a process for controlling the growth of weeds in cultivations of useful plants which are resistant to phospho-herbicides.
リン除草剤に対する耐性のある有用な植物の栽培における雑草の抑制方法の提供。 - 特許庁 - In a process S112, the temperature is maintained at the temperature T2, while supplying TMIn and NH_3 to the growth furnace.
工程Ｓ１１２では、ＴＭＩｎ及びＮＨ_３を成長炉に供給しながら温度を温度Ｔ２に保つ。 - 特許庁
