「H P」を含む例文一覧(585)

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  • an engine of 100 h. p
    百馬力の機関 - 斎藤和英大辞典
  • "C-a backspace" 0 "C-a h" "C-a p" "C-a C-p (prev)" Switch to the previous window (opposite of C-a n).
    "C-a backspace"0"C-a h""C-a p""C-a C-p (prev)"前のウィンドウに切り替える (C-a n の反対)。 - JM
  • An inequality verifying means 153 confirms that g≠h mod p.
    不一致の検証手段153は、g≠h mod pであることを確認する。 - 特許庁
  • PD=H×2×tan(α/2)/√Q/√P.
    ＰＤ＝Ｈ×２×tan(α/2)/√Ｑ/ √Ｐ - 特許庁
  • A ratio (=P/H) is 42.9.
    比（＝Ｐ／Ｈ）は４２．９となる。 - 特許庁
  • [p/h=8 to 15], [H≤S1+S2], [Dp×2≥Dg≥Dp+2×h].
    「ｐ／ｈ＝８〜１５」、「Ｈ≧Ｓ１＋Ｓ２」、「Ｄp×２≧Ｄg≧Ｄp＋２×ｈ」。 - 特許庁
  • C / P = Yd · C / Yd · ( 1 / P ) and Yd = I N=1 · (1 – H) accordingly,
    Ｃ／Ｐ＝Ｙｄ　・　Ｃ／Ｙｄ　・（１／Ｐ）及びＹｄ＝Ｉ－Ｎ＝Ｉ・（１－Ｈ）より、 - 厚生労働省
  • 'Pmax- P(min-H)' is expressed as 'L2', then the modulation degree 'L2/L0' at the high density is obtained.
    「Ｐmax−Ｐ(min-H)」を「Ｌ2」として高密度での変調度「Ｌ2／Ｌ0」を求める。 - 特許庁
  • Some theory insists that phonemes except for/s, z/ (/k, g/,/t, d/,/n/,/h, b/,/p/,/m/ and/r/) were palatalized.
    音素/s,z/以外の/k,g/、/t,d/、/n/、/h,b/、/p/、/m/ならびに/r/においては口蓋化があったとする説もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.
    ｐ層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁
  • The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.
    ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁
  • The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.
    ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁
  • An interval (P) between the circumferential ribs and a depth (H) of the recess are set to satisfy the relationship, 0.13×P≥H.
    周方向リブの間隔（Ｐ）及び凹部の深さ（Ｈ）は、０．１３×Ｐ≧Ｈの関係に設定される。 - 特許庁
  • A variable conversion means 104 generates e=a^αb^β mod p, g=c^αd^β mod p, h=c^γd^δ mod p using prime numbers p and q that specify finite group, original elements a, b, c, and d, and random numbers α, β, γ, and δ.
    変数変換手段104は、有限群を指定する素数p,qと、元の要素a,b,c,dと、乱数α,β,γ,δを用いて、e=a^αb^β mod p,g=c^αd^β mod p,h=c^γd^δ mod pを生成する。 - 特許庁
  • The relations of P≤0.5 μm and P/2≤H are satisfied.
    Ｐ≦０．５μｍかつＰ／２≦Ｈの関係を満たす。 - 特許庁
  • The height h of the knot 2 is 1.5 to 10 mm and the ratio h/p of the knot height h to the knot interval p is 0.06 or less.
    節２の節高さｈは１．５〜１０ｍｍ、節高さｈと節間隔ｐの比ｈ／ｐは０．０６以下とする。 - 特許庁
  • A P-type transistor Tr22 is driven with high-voltage electric power V_H and outputs the high-voltage electric power V_H to a transfer gate.
    Ｐ型トランジスタＴｒ２２は、高圧電源Ｖ_Hにより駆動し、転送ゲートに高圧電源Ｖ_Hを出力する。 - 特許庁
  • The bottom peak level of the signal SRF-N at the standard density becomes 'P(min-N)', and the signal SRF-H at the high density becomes 'P(min-H)' which is the level higher than 'P(min-N)'.
    標準密度での信号ＳRF-Nのボトムピークレベルは「Ｐ(min-N)」となり、高密度光ディスクでの信号ＳRF-Hは「Ｐ(min-N)」よりもレベルの高い「Ｐ(min-H)」となる。 - 特許庁
  • Integrated fins are arranged in the tube shaft direction on an outer periphery of a copper or copper alloy tube, a ratio H/P of a fin height H and a fin pitch P is at least 1 and less than 4, and the fin height H is 7 mm or less.
    銅または銅合金管の外周に一体のフィンを管軸方向に並設してなり、フイン高さHとフィンピッチPの比、H／Pを１以上４未満とし、フィン高さＨが７ｍｍ以下とする吸着器伝熱管としたことを特徴とする。 - 特許庁
  • The detected value of the element current is inputted to an S/H(sample hold) circuit 30 and a P/H(peak hold) circuit 31.
    ここで、素子電流の検出値は、Ｓ／Ｈ回路３０並びにＰ／Ｈ回路３１に入力される。 - 特許庁
  • A projected amount h from the guide plate 82 of a guide roller 86 is ≥H×(W-P)/W.
    ガイドローラ８６のガイド板８２からの突出量ｈをｈ≧Ｈ×（Ｗ−Ｐ）／Ｗにする。 - 特許庁
  • A comparative determination device 24 calculates a distance d(h_k, g_p) between the sample image I_k and a non-target image J_p.
    比較判定装置２４は、サンプル画像Ｉ_kと対象外画像Ｊ_pとの距離である距離ｄ（ｈ_k、ｇ_p）を計算する。 - 特許庁
  • The counter 1 is cleared at the rear edge, counts a horizontal synchronizing signal PH(P) of the system at each clearing and outputs a scan signal L(P)i.
    カウンタは、その後縁でクリアされ、クリア毎に該方式の水平同期信号Ｐ_H(P)を計数し、走査信号Ｌ_(P)iを出力する。 - 特許庁
  • Impurities, such as C, H and O are prevented from being mixed into the i-type μc-Si:H layer 3 (photoelectric conversion layer) at the p-type a-Si:H layer 5.
    Ｃ，Ｈ，Ｏ等の不純物のｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３（光電変換層）への混入がｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５にて防止される。 - 特許庁
  • When a magnetic pole slot teeth width is taken as B, a slot pitch as P, a slot pitch as P, and a teeth root portion height as H, H/P = 0.08 to 0.12 and S/P = 0.01 to 0.03 in the range of B/P = 0.5 to 0.7.
    また、磁極スロットティース幅をＢ、スロットピッチをＰ、ティース付根部高さをＨとした時、Ｂ／Ｐ＝０．５〜０．７の範囲のもので、Ｈ／Ｐ＝０．０８〜０．１２とし、Ｓ／Ｐ＝０．０１〜０．０３と設定したことを特徴とする。 - 特許庁
  • A planar distribution shape H of targets P is calculated based on information of detected targets P.
    検出された物標Ｐの情報に基づいて、物標Ｐの平面分布形状Ｈを算出する。 - 特許庁
  • Use either the -P option to select the console automatically, or the -h option to activate the serial console.
    -P オプションを使ってコンソールを 自動的に選ぶか、-h オプションを使って シリアルコンソールを有効にしてください。 - FreeBSD
  • The oscillation (rocking) condition in the horizontal (H) direction and the oscillation (rocking) condition in the vertical (V) direction of the micro mirror 1 are revised according to P temp.
    P tempによって、微小ミラー１の水平（H）方向の振動（揺動）条件、垂直（V）方向の振動（揺動）条件が変更される。 - 特許庁
  • Conditions of air (raw material air) to be raw material for forming ozone of a discharge reactor 26 (in concrete, flow fate V_real, temperature T_air, pressure P_air, humidity H_air) are acquired.
    放電反応器２６のオゾン生成の原料となるエア（原料エア）の状態（具体的には、流量V_real、温度T_air、圧力P_air、湿度H_air）を取得する。 - 特許庁
  • The offset value is controlled so that the outputted detected phase difference falls within a phase difference range from a predetermined lower limit value (P_L) to a predetermined upper limit value (P_H).
    出力された検出位相差が所定の下限値（Ｐ_L ）以上、上限値（Ｐ_H ）以下の位相差範囲となるように、前記オフセット値が制御される。 - 特許庁
  • A groove pitch P is formed to become one fourth or more of a groove depth H.
    溝ピッチＰが溝深さＨの１／４以上となるように形成される。 - 特許庁
  • The ratio of the height H of the plurality of projections to the pitch P is one or more.
    複数の凸部の高さＨの、ピッチＰに対する比が１以上である。 - 特許庁
  • A heel cup H is provided on the rear parts of the paired pillars P.
    ヒールカップＨは、１対のピラーＰの後部に設けられる。 - 特許庁
  • Film thickness of the p-type a-Si:H layer 5 is 50 to 200 Å.
    このｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５の膜厚は５０〜２００Åである。 - 特許庁
  • The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.
    下地層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、ｐ層４は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｉ層５は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層６は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、電極７は、Ａｌからなる。 - 特許庁
  • An adder 21 of this OFDM receiver sums pilot signal transmission line response estimate values H-(l,kp,l) and H-(l+4,kp,l+4) using an adder 21, a bit shift circuit 22 shifts the sum by 1-bit to obtain a value H-(l+2,kp,l+2).
    パイロット信号の伝送路応答推定値Ｈ~(ｌ,ｋ_p,l)とＨ~(ｌ＋４,ｋ_p,l+4)を加算器２１で加算し、ビットシフト回路２２で１ビットシフトしてＨ~(ｌ＋２,ｋ_p,l+2)を得る。 - 特許庁
  • In Middle Japanese the [p] sound, which had once disappeared before Old Japanese, appeared again but as it paralleled [ɸ], it was treated as a newly-introduced phoneme/p/, independent from [ɸ] (which is referred to as a phoneme/h/).
    中世日本語には上代までに一旦消えた[p]が再び現れたが、[ɸ]と並立することから[ɸ]（音素/h/としておく）とは異なる、新しく導入された音素/p/として扱われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • A point interior-dividing H and G into HP:PG=1:3 is P, a straight line in parallel to the surface of the substrate passing P is L_1, and points intersecting the cross section of the deep color separation picture wall by L_1 are B_1 and B_2.
    HとGをHP:PG=1:3に内分する点をPとし、Pを通り基板表面に平行な直線をL_1とし、L_1が濃色離画壁の断面と交わる点をB_1、B_2とする。 - 特許庁
  • H-mold steel having a plurality of protrusions on the inner surface side satisfies P/h≤10 and P/b_2≥4, wherein b2 represents the upper side width of the protrusions, h represents the protrusive height, and P represents the protrusion pitch in a cross mold perpendicular to the H-mold steel face formed with the protrusions.
    内面側に複数の突起を有するＨ形鋼であって、前記突起が形成されたＨ形鋼面に垂直な断面における該突起の上辺幅ｂ_2、突起高さｈ、突起ピッチＰが、Ｐ／ｈ≦１０、かつ、Ｐ／ｂ_2≧4を満たすようにした。 - 特許庁
  • An h-ary operation section 35 calculates k-multiplication of the point P in h-ary system wherein the h-multiplication of the point P by an h-multiplication operation section 36 and the addition of integral multiple points equal to or less than (h-1)-folds with respect to the point P by an addition operation section 38 are combined.
    ｈ進法演算部３５は、ｈ倍算演算部３６による点Ｐのｈ倍算と、加算演算部３８による点Ｐの（ｈ−１）倍以下の整数倍点の加算を組み合わせたｈ進法により、点Ｐのｋ倍算を計算する。 - 特許庁
  • When a distance between the light-emitting diodes 131 and the light-transmitting tube 110 is set up to be H and a distance between installed positions of two light-emitting diodes 131 is set up to be P, H/P is≥ 0.134, and H is 9.5-38 mm.
    発光ダイオード１３１と透光性チューブ１１０との距離がＨであり、２つ発光ダイオード１３１間の設置位置距離がＰであり、Ｈ／Ｐが０．１３４以上であり、Ｈが９．５〜３８ｍｍである。 - 特許庁
  • An S/H circuit 32 samples the peak value held by the P/H circuit 31 and holds the value until the next detection of the element resistance.
    Ｓ／Ｈ回路３２は、Ｐ／Ｈ回路３１で保持したピーク値を取り込み、次回の素子抵抗検出時までその値を保持する。 - 特許庁
  • In this status, a node A connected to a node N of H level before change is connected to the node P of H level through the change.
    この状態で、切り替え前にＨレベルのノードＮに接続されていたノードＡは、切り替えによりＨレベルのノードＰへ接続される。 - 特許庁
  • Then a hash h is generated based on the accepted pass phrase p in S102 (S103) and a bit string b is generated from the hash h (S104).
    つぎにＳ１０２で受け付けたパスフレーズｐに基づきハッシュｈを生成し（Ｓ１０３）、該ハッシュｈからビット列ｂを生成する（Ｓ１０４）。 - 特許庁
  • And by the heat retained by the plume P, the wire solder member H is fused to fusion-adhere the solder member H to the surface Wa.
    そして、プルームＰが保有している熱により、線状はんだ部材Ｈを溶融させ、被着面Ｗａにはんだ部材Ｈを溶融接着させる。 - 特許庁
  • In this state, a node (A) that has been connected to an H-level node N before the changeover is connected to the H-level node P through the changeover.
    この状態で、切り替え前にＨレベルのノードＮに接続されていたノードＡは、切り替えによりＨレベルのノードＰへ接続される。 - 特許庁
  • Based on these operating condition parameters and model constants A-H, a function model parameter X is calculated according to equation: X=A×P^B×Veff^C×Pc^D×EGR^E×Ne^F×q^G×exp(H/T).
    Ｘ＝Ａ×Ｐ^Ｂ×Ｖeff^Ｃ×Ｐc^Ｄ×ＥＧＲ^Ｅ×Ｎe^Ｆ×ｑ^Ｇ×ｅｘｐ（Ｈ/Ｔ） - 特許庁
  • A P type transistor Tr21 is driven with the high-voltage electric power V_H and outputs intermediate-voltage electric power V_M to the transfer gate.
    Ｐ型トランジスタＴｒ２１は、高圧電源Ｖ_Hにより駆動し、転送ゲートに中圧電源Ｖ_Mを出力する。 - 特許庁
  • First a revolution manipulated variable P_H concerning the revolution motion is detected by a revolution manipulated variable detecting means 11, and the increment per unit time of the revolution manipulated variable P_H is limited by a rise limiting means 13, and is used as a limit revolution manipulated variable F.
    まず、旋回動作に係る旋回操作量Ｐ_Hを旋回操作量検出手段１１で検出し、該旋回操作量Ｐ_Hの単位時間当たりの増加量を立ち上がり制限手段１３で制限し、これを制限旋回操作量Ｆとする。 - 特許庁
  • An aligner E synchronously moves a mask M and a substrate P from an accelerating section H 1 to a decelerating section H 4 through a setting section H 2 and a normal section H 3, and during the movement, transfers the image of a pattern formed on the mask M to the substrate P.
    露光装置Ｅは、マスクＭ及び基板Ｐを、加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に同期移動させ、この移動中にマスクＭに形成されたパターンの像を基板Ｐ上に転写する。 - 特許庁
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