「HMOS」を含む例文一覧(4)
- If a voltage comparator in a control IC1 detects a high level ("H") of a voltage Vds in measuring a response deviation, an HMOS is turned on by a gate driver circuit in the control IC1.
応答ズレ計測時に、制御ＩＣ１内の電圧比較器が電圧Ｖdsのハイレベル（“Ｈ”）を検出すると、制御ＩＣ１内のゲートドライバ回路によりＨＭＯＳがオンされる。 - 特許庁 - In this case, a timer 5 measures a time difference T1 between an output timing of a high level ("H") detection signal of the voltage Vds from the voltage comparator 3 and an on-timing of the HMOS.
このとき、タイマ５が、電圧比較器３からの電圧Ｖdsのハイレベル（“Ｈ”）検出信号の出力タイミングとＨＭＯＳのオンタイミングとの時間差Ｔ１を計測する。 - 特許庁 - An oxynitirde film 5 is formed in a low breakdown voltage transistor LMOS region and an oxide film 7 which becomes the gate insulating film of high breakdown voltage transistor HMOS is formed through a thermal oxidation processing.
低耐圧トランジスタＬＭＯＳ領域に酸窒化膜５を形成した後、熱酸化処理によって高耐圧トランジスタＨＭＯＳのゲート絶縁膜となる酸化膜７を形成する。 - 特許庁 - The measuring result of the response deviation is input into the control IC1, and response time of a response time varying circuit is changed by the value so as to correct the response deviation when the LMOS and the HMOS are turned on.
これらの応答ズレの計測結果を制御ＩＣ１に入力し、この値によって応答時間可変回路の応答時間を変えることによりＬＭＯＳ、ＨＭＯＳのオン時の応答ズレを補正することができる。 - 特許庁
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