「HSG」を含む例文一覧(95)
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ＨＳＧ膜の形成方法 - 特許庁 - To provide a method and a device for forming an HSG-Si layer in a wafer.
ウェーハにHSG-Si層を形成するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a circuit element incorporating an HSG(hemispherical grain) silicon film.
HSGシリコン膜を含んだ回路素子を形成する方法を提供すること。 - 特許庁 - HATCH-TYPE VERTICAL HSG-SI FORMING APPARATUS
バッチ式縦型ＨＳＧ−Ｓｉ形成装置 - 特許庁 - Therefore, the bottom of the lower electrode is not changed into HSG, and only the side of the lower electrode is changed into HSG 14.
そのために下部電極の底面はＨＳＧ化されないで、下部電極側面のみがＨＳＧ化１４される。 - 特許庁 - After that, HSG grains 58a are formed in the front surface by processing a silicon atom in migration by an HSG treatment (Fig.(E)).
その後、ＨＳＧ化処理によりシリコン原子をマイグレーションさせて表面にＨＳＧ粒５８aを形成する（図１（Ｅ））。 - 特許庁 - To provide a method of efficiently increasing the capacitance by preventing the influence by the outgassing from an interlayer film in a HSG process.
HSGプロセスにおいて層間膜からのアウトガスの影響を防止し効果的にキャパシタンス容量を増加させる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor memory device forming a large-capacity capacitor, by forming an upper part electrode over the entire surface of a dielectric layer in a groove, without reducing the grain size of an HSG-Si layer nor closing the opening part of the groove that forms a cylinder-type capacitor with HSG-Si.
HSG−Si層のグレインサイズを縮小せず、シリンダ型のキャパシタを形成する溝の開口部をHSG-Siで閉塞させず、溝内の誘電体層の全面に上部電極を形成し、大容量キャパシタを形成する半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR FORMING HSG-Si IN SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウェーハにＨＳＧ−Ｓｉを形成するための方法及び装置 - 特許庁 - To apply an HSG technology to a trench capacitor with excellent process matching performance.
プロセス整合性良くトレンチキャパシタにＨＳＧ技術の適用を図る。 - 特許庁 - To provide a hatch-type vertical HSG-Si forming apparatus with uniform selectivity of seeding in a reactive furnace for forming good HSG-Si.
反応管内でのSeeding の選択性が均一で、良好なＨＳＧ−Ｓｉを形成できるバッチ式縦型ＨＳＧ−Ｓｉ形成装置を提供する。 - 特許庁 - Next, the HSG film 10 in an upper part of the sidewall of the trench 5 is removed to selectively leave the HSG film 10, in the lower part of the inner wall of the trench 5.
次にトレンチ５の上部側壁上のＨＳＧ膜１０を除去し、トレンチ５の下部内壁上にＨＳＧ膜１０を選択的に残置する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device for forming a thin lower electrode film while controlling breakdown of the lower electrode during formation of HSG and peeling of HSG with the wet process after formation of HSG, and also to provide a manufacturing method of the same semiconductor device.
ＨＳＧ形成時の下部電極の破れや、ＨＳＧ形成後のウェット処理によるＨＳＧの剥がれを抑制しつつ、下部電極の膜厚を薄くすることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The abnormal growth of the HSG-Si is prevented, pinch-off with an upper electrode is prevented, and the leakage current is suppressed by conducting the patterning after treatment to form the HSG-Si.
ＨＳＧ−Ｓｉ化の処理後にパターニングすることにより、ＨＳＧ−Ｓｉの異常成長を防止でき、上部電極とのピンチオフを防止し、リーク電流を抑制できる。 - 特許庁 - PH_3 doping is conduced, in order to reduce the resistance value after the HSG film is formed (104).
抵抗値を下げるためにＨＳＧ膜形成後にＰＨ_3ドーピングを行う（１０４）。 - 特許庁 - To form stable hemispherical grained silicon (HSG) which have superior selectivity and less defects in an HSG forming process which is performed for enlarging the surface areas of capacity electrodes.
容量電極表面積を拡大するための半球状結晶粒（ＨＳＧ）の形成工程において、選択性が優れ、欠陥のない安定したＨＳＧを形成する。 - 特許庁 - An amorphous silicon film is made at the flank of the aperture by stacking the amorphous silicon film and the etch back, and treatment for HSG is applied to this to form an HSG(hemispherical grained Si) 113.
アモルファスシリコン膜の堆積とエッチバックにより開口側面にアモルファスシリコン膜を形成し、これにＨＳＧ化処理を施してＨＳＧ層１１３を形成する。 - 特許庁 - Then, an HSG silicon film is formed on the first undoped amorphous silicon stopper film.
ＨＳＧシリコン膜を第１ドーピングされない非晶質シリコン阻止膜の上に形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent HSG-Si (hemispherical grained silicon nuclei) from being depleted by the doping of an impurity and, at the same time, can suppress the scale-down of the HSG-Si.
不純物ドーピングによりＨＳＧ−Ｓｉの空乏化を防ぐとともに、ＨＳＧ−Ｓｉの縮小化を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation.
ＨＳＧ形成を利用したキャパシタの製造方法で、誘電体薄膜の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化膜と一緒にＨＳＧシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりＨＳＧ粒剥がれが発生して電極短絡が起こる。 - 特許庁 - To stably form an HSG-Si on the surface of the lower electrode of a capacitor.
キャパシタの下部電極の表面に安定的にＨＳＧ−Ｓｉを形成できるようにする。 - 特許庁 - An HSG grain processing 108 is applied to the surface of the stack electrode 100.
このスタック電極１００の表面には、ＨＳＧによりＨＳＧグレイン１０８が施されている。 - 特許庁 - An HSG film 113 is formed on the surface of the plug 109 and the conductive spacer 112.
導電性スペーサ１１２とプラグ１０９の表面上にＨＳＧ膜１１３が形成される。 - 特許庁 - At this time, excessively grown HSG grains 58a are formed by lengthening post-anneal time.
この時ポストアニール時間を長くすることにより過度に成長させたＨＳＧ粒５８aを形成する。 - 特許庁 - An HSG silicon 18 is selectively formed in a side wall part 17a of an amorphous silicon.
非晶質シリコンのサイドウォール部分１７ａには、選択的にＨＳＧシリコン１８が形成される。 - 特許庁 - Subsequently, the a-Si film is so subjected to a heat treatment in a high-vacuum reaction furnace that an HSG-Si comprising a plurality of irregular crystal grains is formed based on HSG nuclei on the surface of the non-doped a-Si film.
次に、高真空の反応炉中で熱処理が施され、ノンドープａ−Ｓｉ膜表面にＨＳＧ核をもとに複数の凹凸状の結晶粒であるＨＳＧ−Ｓｉが形成される。 - 特許庁 - A polysilicon film 110 and an HSG film 112 are then formed on the substrate and an impurity doped region is formed on the surface of the HSG film 112 by performing heat treatment in PH_3 atmosphere.
その後、基板上にポリシリコン膜１１０及びＨＳＧ膜１１２を形成した後、ＰＨ_３雰囲気中で熱処理してＨＳＧ膜１１２の表面部に不純物ドープ領域を形成する。 - 特許庁 - Thereafter, short time annealing is performed at 800°C for 10 sec thus reactivating phosphorus in the HSG film 112.
その後、８００℃、１０秒の短時間アニールを行って、ＨＳＧ膜１１２内のリンを再活性化する。 - 特許庁 - To obtain an HSG having a desired grain size, without having to expose an oxide film in contact with a sidewall of a cylinder, when forming a blanket HSG on a lower electrode in a DRAM capacitor section having a cylindrical structure.
シリンダー構造を有するＤＲＡＭキャパシタ部において、下部電極上にブランケットＨＳＧを形成する際、シリンダー側壁に接する酸化膜を露出させることなく、所望のグレインサイズを持つＨＳＧを得る。 - 特許庁 - By stabilizing the crystal state of the storage node surface layer, the deviation of HSG 80 generated by the HSG 80 becoming weak in the succeeding washing process is prevented.
ストレージノード表面層の結晶状態を安定化させることにより、ＨＳＧ８０が後続の洗浄工程において脆弱となることで発生するＨＳＧ８０が離脱するという問題を防止することができる。 - 特許庁 - Then, the natural oxide film 3 is removed by IPA washing and an HSG 5 is stacked by CVD method.
その後、ＩＰＡ洗浄により自然酸化膜３の除去を行い、ＣＶＤ法を用いてＨＳＧ５を堆積する。 - 特許庁 - Thereafter, the oxide film 113, the HSG film 112 and the polysilicon film 110 are etched using the resist 115 as a mask.
その後、レジスト１１５をマスクにして、酸化膜１１３、ＨＳＧ膜１１２、ポリシリコン膜１１０をエッチングする。 - 特許庁 - To provide a selective semispherical silicon grain(HSG) charge storing electrode formation of semiconductor device, capable of satisfactorily securing capacitor effective surface area by attaining a specific grain size when forming a selective HSG.
選択的ＨＳＧ形成時に所望のグレーンサイズを得ることにより、キャパシタ有効表面積を充分確保することができる半導体装置の選択的半球形シリコングレーン電荷貯蔵電極形成方法を提供する。 - 特許庁 - The SOG film 115, the BPSG film 109, and a nitride film 108 are removed (j), and an HSG layer 113 is removed (k).
ＳＯＧ膜１１５、ＢＰＳＧ膜１０９、窒化膜１０８を除去し（ｊ）、ＨＳＧ層１１３を除去する（ｋ）。 - 特許庁 - As a result, defective formation of the HSG 5 due to the organic substance 4 can be reduced and lowering of yield be also prevented.
その結果、有機物４によるＨＳＧ５形成不良が低減されるため、歩留まりの低下を防ぐことが出来る。 - 特許庁 - Since the bottom thereof is not changed into HSG; a capacitor insulation film can be made uniform in thickness, and capacitor leak current can be prevented.
底面はＨＳＧ化されないことから、キャパシタ絶縁膜の膜厚を均一にでき、キャパシタリーク電流を防止できる。 - 特許庁 - The HSG(hemi-spherical grain) film 113 is grown on the inside wall of the storage electrode, so that the microbridge between storage electrodes caused by abnormal growth and excessive growth of the HSG film 113 is prevented.
このような半導体メモリ装置のキャパシタ製造方法は、ＨＳＧ膜１１３をストレージ電極の内壁に成長させることによってＨＳＧ膜１１３の異常成長や過多成長によるストレージ電極間のマイクロブリッジを防止できる。 - 特許庁 - A lower electrode 19a, having a thickness of 10 [nm], is formed by an Al-CVD method so as to cover the HSG silicon 18.
下部電極１９ａは、ＨＳＧシリコン１８を覆うように１０［ｎｍ］の厚さでＡＬ-ＣＶＤ法により形成される。 - 特許庁 - Subsequently, an oxide film 113 is formed on the HSG film 112 and a resist 115 is formed in the recess of the capacitor region.
その後、ＨＳＧ膜１１２上に酸化膜１１３を形成した後、キャパシタ領域の凹部内にレジスト１１５を形成する。 - 特許庁 - To prevent short-circuiting of electrodes concerning the manufacturing method of a semiconductor device provided with the electrode having HSG on the surface.
ＨＳＧを表面に有する電極を備えた半導体装置の製造方法に関し、電極同士の短絡を防止すること。 - 特許庁 - Moreover, nuclei 103 of silicon are adhered and thereafter the annealing is performed under the evacuated condition in order to attain a reformed silicon film 104 through the growth of the HSG.
さらに、シリコンの核１０３を付着させた後、減圧下でアニールし、ＨＳＧを成長させて改質シリコン膜１０４を得る。 - 特許庁 - Then an HSG film containing few defects is formed on the amorphous silicon film by setting the crystal nucleus forming temperature at <620°C.
アモルファスシリコン膜の上に、結晶核形成温度を６２０℃未満として、欠陥がほとんど存在しないＨＳＧ膜を形成する。 - 特許庁 - In the ferroelectric capacitor, HSG growth of the surface of a polycrystalline silicon film 30 is carried out, and a hemispherical swelling portion 31 is formed.
強誘電体キャパシタは、多結晶シリコン膜３０の表面をＨＳＧ成長させて半球状の膨出部３１を形成する。 - 特許庁 - To obtain an ideal value of electrostatic capacity by controlling the abnormarization of HSG(hemispherical grain) shape to be caused by the generation of crystal nucleus while a film is being grown.
ＤＯＰＯＳ成長中の結晶核の発生に起因するＨＳＧ形状の異常化を抑制して静電容量を理想値にする。 - 特許庁 - After the lower electrode is formed, especially, a nitrization treatment of a surface of the HSG film is conducted by a low-temperature nitrogen plasma which does not incur degradation of the properties (105).
下部電極形成後、特にＨＳＧ膜の表面の窒化処理を、特性劣化を招かない低温の窒素プラズマで行う（１０５）。 - 特許庁 - While the substrate is exposed to a doping gas, the substrate is heated from a first temperature to a second temperature and the dopant is added to the HSG silicon film.
基板をドーピングガスに露出させる間に、基板を第１温度から第２温度まで加熱してＨＳＧシリコン膜にドーパントを追加する。 - 特許庁 - Finally, the resist 115 and the oxide film 113 are removed thus forming a lower electrode consisting of the HSG film 112 and the polysilicon film 110.
その後、レジスト１１５、酸化膜１１３を除去することにより、ＨＳＧ膜１１２及びポリシリコン膜１１０からなる下部電極を形成する。 - 特許庁 - Then continuingly in the same oven, a source gas comprising impurity is introduced into the oven, and the impurity is diffused into the HSG grains to form a lower- part electrode.
続けて、同一炉内で、不純物を含むソースガスを炉内に導入して、ＨＳＧ中に不純物を拡散し（ｔ３〜ｔ４）、下部電極を形成する。 - 特許庁 - By heating the lower electrode 35 in an amorphous state, an HSG (Hemi-Spherical-Grain) is formed only on the inside of the lower electrode 35 into which the phosphorus is not injected.
アモルファス状態の下部電極３５を加熱処理することにより、リンが注入されていない下部電極３５の内面にのみＨＳＧを形成する。 - 特許庁 - Then, a siliocn film (HSG film) 10, having an uneven surface, is formed non-selectively over the whole surface of the inner wall of the trench 5, including the collar oxide film 9.
次にカラー酸化膜９を含むトレンチ５の内壁全体に表面が凹凸状のシリコン膜（ＨＳＧ膜）１０を非選択的に形成する。 - 特許庁
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