「Hafnium」を含む例文一覧(522)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ＞
  • 5. Hafnium oxide
    （五）　酸化ハフニウム - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (xxii) Hafnium ore
    二十二　ハフニウム鉱 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Hafnium and its compounds
    ハフニウム及びその化合物 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • METHOD OF ETCHING HAFNIUM OXIDE
    酸化ハフニウムのエッチング方法 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY HAFNIUM
    高純度ハフニウムの製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING HAFNIUM COMPLEX
    ハフニウム錯体の製造方法 - 特許庁
  • HAFNIUM CONTAINING FILM-COATED TOOL
    ハフニウム含有膜被覆工具 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING HAFNIUM AMIDE COMPLEX AND HAFNIUM-CONTAINING OXIDIZED FILM
    ハフニウムアミド錯体の製造方法及びハフニウム含有酸化膜 - 特許庁
  • At the time of producing a hafnium material, a hafnium oxide is chlorinated to obtain a hafnium chloride, next, the hafnium chloride is reduced with an active metal into metal hafnium, and further, the metal hafnium is refined under a reduced pressure.
    ハフニウム材を製造するにあたり、酸化ハフニウムを塩化してハフニウム塩化物を得、次いで上記ハフニウム塩化物を活性金属により還元して金属ハフニウムとし、さらに上記金属ハフニウムを減圧下で精製する。 - 特許庁
  • (xxiii) Metals, waste or scraps of hafnium or hafnium alloys, or hafnium compounds, or primary or semi-finished products thereof
    （二十三）　ハフニウム若しくはハフニウム合金の地金若しくはくず若しくはハフニウム化合物又はこれらの半製品若しくは一次製品 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • The hafnium members 6U, 6L are arranged in the sheath 9, and the hafnium member 6U is positioned higher than the hafnium member 6L.
    ハフニウム部材６Ｕ，６Ｌはシース９内に配置され、ハフニウム部材６Ｕはハフニウム部材６Ｌよりも上方に配置される。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCTION OF HAFNIUM COMPOUND, HAFNIUM COMPOUND WITH IMPURITY Zr OF 50 PPM OR LESS, AND METHOD OF FORMING HAFNIUM-BASED FILM
    ハフニウム化合物の製造方法、Ｚｒ不純物が５０ｐｐｍ以下のハフニウム化合物、及びハフニウム系膜の成膜方法 - 特許庁
  • The multifunctional material having carbon-doped hafnium oxide layer is provided with a multifunctional layer in which at least the surface layer is made of carbon-doped hafnium oxide layer or carbon-doped hafnium alloy oxide layer.
    少なくとも表面層が炭素ドープ酸化ハフニウム層又は炭素ドープハフニウム合金酸化物層からなる多機能層を具備する。 - 特許庁
  • To prescribe hafnium nitrate compound for the purpose of using a hafnium oxide in ALCVD as well.
    ＡＬＣＶＤにおいてハフニウム酸化物を用いるための硝酸ハフニウム化合物を処方すること。 - 特許庁
  • HAFNIUM-CONTAINING FILM FORMING MATERIAL AND HAFNIUM-CONTAINING FILM MANUFACTURED THEREFROM
    ハフニウム含有膜形成材料及び該材料から作製されたハフニウム含有膜 - 特許庁
  • The face density of the hafnium layer 34 is lower than the face density of the hafnium layer 14.
    ハフニウム層３４の面密度は、ハフニウム層１４の面密度より低い。 - 特許庁
  • a metallic element of atomic number 72 called hafnium
    ハフニウムという原子番号72の金属元素 - EDR日英対訳辞書
  • IRIDIUM-HAFNIUM-COATED NICKEL BASED SUPERALLOY
    イリジウム−ハフニウム被覆ニッケル基超合金 - 特許庁
  • OXIDE CONTAINING ZIRCONIUM OR HAFNIUM AND MANGANESE
    ジルコニウム又はハフニウム及びマンガン含有酸化物 - 特許庁
  • The primary oxide comprises cerium or hafnium.
    一次酸化物はセリウム又はハフニウムを含む。 - 特許庁
  • The primary oxide comprises cerium and hafnium.
    一次酸化物はセリウム及びハフニウムを含む。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY TETRAKIS(DIALKYLAMINO)HAFNIUM
    高純度テトラキス（ジアルキルアミノ）ハフニウムの製造法 - 特許庁
  • Hafnium or zirconium is used for an electrode material.
    電極材料にはハフニウムやジルコニウムを用いる。 - 特許庁
  • OXIDE CONTAINING ZIRCONIUM OR HAFNIUM
    ジルコニウム又はハフニウム含有酸化物 - 特許庁
  • METHOD FOR SEPARATING HAFNIUM FROM ZIRCONIUM
    ジルコニウムからハフニウムを分離する方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD FOR HIGH-PURITY ZIRCONIUM OR HAFNIUM POWDER
    高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR SEPARATING ZIRCONIUM AND HAFNIUM
    ジルコニウムとハフニウムの分離方法 - 特許庁
  • MULTIFUNCTIONAL MATERIAL HAVING CARBON-DOPED HAFNIUM OXIDE LAYER
    炭素ドープ酸化ハフニウム層を有する多機能材 - 特許庁
  • CLEANING METHOD OF HAFNIUM CONTENT OXIDE
    ハフニウム含有酸化物のクリーニング方法 - 特許庁
  • OXYZIRCONIUM NITRIDE AND/OR HAFNIUM GATE DIELECTRICS
    オキシ窒化ジルコニウム及び／又はハフニウム・ゲ—ト誘電体 - 特許庁
  • HAFNIUM-CONTAINING COMPOUND OXIDE AND ITS PRODUCTION
    ハフニウム含有複合酸化物及びその製造方法 - 特許庁
  • To deposit a hafnium carbide thin film without heating a substrate.
    基板を加熱せずに炭化ハフニウム薄膜を形成する。 - 特許庁
  • PROCESS FOR PRODUCING HAFNIUM AMIDE COMPLEX
    ハフニウムアミド錯体の製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE FILM CONTAINING HAFNIUM
    ハフニウム含有酸化膜の製造方法 - 特許庁
  • HAFNIUM OXIDE ETCHANT AND ETCHING METHOD
    酸化ハフニウムエッチング剤及びエッチング方法 - 特許庁
  • THIN FILM DEPOSITION METHOD UTILIZING HAFNIUM COMPOUND
    ハフニウム化合物を利用した薄膜蒸着方法 - 特許庁
  • ETCHING COMPOUND FOR HAFNIUM OXIDE
    酸化ハフニウム用エッチング組成物 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING POWDER OF HIGH PURITY HAFNIUM
    高純度ハフニウム粉の製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING HAFNIUM SILICIDE TARGET
    ハフニウムシリサイドターゲットの製造方法 - 特許庁
  • To provide a thin film deposition method utilizing a hafnium compound.
    ハフニウム化合物薄膜の蒸着方法を提供する。 - 特許庁
  • MATERIAL FOR FORMING HAFNIUM-BASED OXIDE FILM
    ハフニウム系酸化膜形成材料 - 特許庁
  • (xxviii) Metals, waste, or scrap of hafnium and hafnium alloys (limited to those with a hafnium content exceeding 60% of the total weight) or hafnium compounds (limited to those with hafnium content level exceeding 60% of the total weight), or primary or semi-finished products thereof
    二十八　ハフニウム若しくはハフニウム合金（ハフニウムの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるものに限る。）の地金若しくはくず若しくはハフニウム化合物（ハフニウムの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるものに限る。）又はこれらの半製品若しくは一次製品 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • A base body having a multifunctional layer made of carbon-doped hafnium oxide layer or carbon-doped hafnium alloy oxide layer is provided by thermally treating the surface of the base body, in which at least the surface layer is made of hafnium, hafnium alloy, hafnium alloy oxide or hafnium oxide, in the environment in which chemical species including carbon and oxygen are supplied to the surface.
    少なくとも表面層がハフニウム、ハフニウム合金、ハフニウム合金酸化物又は酸化ハフニウムからなる基体の表面を、炭素、酸素を含む化学種が当該表面に供給される雰囲気下で加熱処理することにより炭素ドープ酸化ハフニウム層又は炭素ドープハフニウム合金酸化物層からなる多機能層を有する基体とする。 - 特許庁
  • The hafnium oxide film and the hafnium silicate film are annealed by ammonia gas under the heating atmosphere.
    またハフニウム酸化膜やハフニウムシリケート膜をアンモニアガスにより加熱雰囲気下でアニールする。 - 特許庁
  • A second nitrogen-added hafnium silicate film 22a is formed by the second nitriding treatment of the second hafnium silicate film 22.
    次に、第２ハフニウムシリケート膜２２の第２窒化処理を行って、第２窒素添加ハフニウムシリケート膜２２ａを形成する。 - 特許庁
  • A first nitrogen-added hafnium silicate (HfSiON) film 21a is formed by the first nitriding treatment of the first hafnium silicate film 21.
    次に、第１ハフニウムシリケート膜２１の第１窒化処理を行って、第１窒素添加ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）膜２１ａを形成する。 - 特許庁
  • A second hafnium silicate film 22 in the film thickness of 6 nm or less is formed on the first nitrogen-added hafnium silicate film 21a.
    次に、第１窒素添加ハフニウムシリケート膜２１ａ上に６ｎｍ以下の膜厚の第２ハフニウムシリケート膜２２を形成する。 - 特許庁
  • ORGANIC HAFNIUM COMPOUND, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPOUND AND METHOD FOR FORMING HAFNIUM-CONTAINING THIN FILM
    有機ハフニウム化合物及び該化合物を含む溶液原料並びにハフニウム含有薄膜の成膜方法 - 特許庁
  • In this state, the upper part hafnium tubular body 9A and the lower part hafnium tubular body 9B are laid out in the sheath 8.
    この状態で、上部ハフニウム筒状体９Ａおよび下部ハフニウム筒状体９Ｂはシース８内に配置されている。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY HAFNIUM MATERIAL, HIGH PURITY HAFNIUM MATERIAL OBTAINED BY THE METHOD, AND SPUTTERING TARGET
    高純度ハフニウム材の製造方法及びこの方法により得られた高純度ハフニウム材、並びにスパッタリングターゲット - 特許庁
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ＞

例文データの著作権について