「Helicon」を含む例文一覧(28)
- HELICON WAVE PLASMA DEVICE AND HELICON WAVE PLASMA PROCESSING METHOD
ヘリコン波プラズマ装置及びヘリコン波プラズマ処理方法 - 特許庁 - ULTRA-FINE PARTICLE THIN FILM DEPOSITION APPARATUS USING HELICON PLASMA
ヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置 - 特許庁 - The metal oxide film 3 is formed by the helicon sputtering method.
酸化金属膜３は、ヘリコンスパッタ法により形成される。 - 特許庁 - When a magnetic field is generated by a magnetic field generating coil 46, while a helicon wave excitation electrical field is applied to the antenna 34, a helicon wave plasma is generated in the source chamber 24.
磁場発生コイル４６で磁場を発生させるとともに、アンテナ３４にヘリコン波励起電場を印加すると、ソースチャンバー２４の内部にヘリコン波プラズマが発生する。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR FORMING DENSE AND HARD THIN FILM UTILIZING HELICON PLASMA OF HIGH DENSITY
高密度へリコンプラズマを利用した緻密な硬質薄膜の形成装置及び形成方法 - 特許庁 - By the constitution, temperature rise of the substrate is restrained effectively at the time of helicon wave dry etching.
これにより、ヘリコン波ドライエッチングの際の基板４６の温度上昇を効果的に抑制する。 - 特許庁 - An RF power supply 10 is connected to helicon coil 9 to supply specified electric power.
ヘリコンコイル９には所定の電力を供給するＲＦ電源１０が接続されている。 - 特許庁 - Subsequently, helicon wave dry etching is performed according to the patterns 63-1 and 64-1 to make an ejection nozzle 62.
この後パターン６４−１及び６３−１に従ってヘリコン波ドライエッチングを行って吐出ノズル６２を穿設する。 - 特許庁 - A target is sputtered with helicon wave excited plasma, and an epitaxial growth is carried out on a substrate that plasma does not reach.
ヘリコン波励起プラズマによりターゲットをスパッタし、プラズマの到達しない基板上へエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁 - After a sticking a film for the communication prevention to the rear surface of a substrate, it is placed on a water fixing stage 62 of a helicon wave etching device.
基板４６の裏面に連通防止用のフィルムを貼ってからヘリコン波エッチング装置のウエハ固定用ステージ６２に載置する。 - 特許庁 - A bell jar 8 is provided above the processing chamber 2, and a helicon coil 9 and a magnetic field coil 11 are provided in its outer periphery.
処理室２の上方にはベルジャー８が設けられ、その外周部分には、ヘリコンコイル９と磁場コイル１１がそれぞれ配設されている。 - 特許庁 - In this plasma treatment device, performing plasma treatment by introducing helicon waves into a workpiece W arranged inside a treatment vessel 14, the inside of each of vacuum vessels 11a and 11b for generating the helicon wave is divided into a plurality of sections by means of a wall face parallel to a magnetic field direction 20.
処理容器１４内に配置されている被処理物Wにヘリコン波を導入することによりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、ヘリコン波が発生する真空容器１１a、１１ｂの内部を磁場の方向２０と平行な壁面により複数に分割するプラズマ処理装置。 - 特許庁 - A wafer 29 of an ink jet head board is placed on a jig 36 of a treating chamber 35 of a helicon wave etching unit, and mechanically or electrostatically fixed.
ヘリコン波エッチング装置の処理室３５の治具３６上にインクジェットヘッド基板のウエハ２９を載置し機構的又は静電的に固定する。 - 特許庁 - A helicon-wave plasma etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 to etch a wafer 50 by plasma, wherein a stage 3 is provided.
ヘリコン波プラズマエッチング装置１では、ウェハ５０にプラズマエッチング処理を施すための処理室２が設けられ、その処理室２内にステージ部３が配設されている。 - 特許庁 - Sputtering particles are made to fly from a helicon sputtering source 52 by setting a film deposition rate of a gold thin film 12 to the range from 0.01 nm/s to 0.6 nm/s.
金薄膜１２の成膜速度を０．０１ｎｍ／ｓ以上、０．６ｎｍ／ｓ以下の範囲に設定し、ヘリコンスパッタ源５２からスパッタ粒子を飛翔させる。 - 特許庁 - A helicon-wave plasma is used as a plasma source in a plasma doping method, where a material is introduced in the vicinity of the surface of a material to be treated using a plasma.
プラズマを用いて物質を被処理物の表面近傍に導入するプラズマドーピング方法において、プラズマ源としてヘリコン波プラズマを用いる。 - 特許庁 - To provide a substrate cleaning apparatus for efficiently cleaning a cleaned place by obliquely irradiating a substrate with Helicon wave plasma.
本発明は、基板に対してヘリコン波プラズマを斜めから照射して洗浄箇所を効率的に洗浄できるようにした基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁 - To provide an ultrafine particle thin film forming device using helicon plasma capable of substantially changing a grain size of the ultrafine particle, producing high yield of the ultrafine particles, and controlling film forming range on a substrate.
超微粒子の粒径を大幅に変えることができしかも超微粒子の収率のよく、また基板上の成膜範囲を制御できるヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.
特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an ultra-fine particle thin film deposition apparatus using helicon plasma which is capable of considerably changing the grain size of ultra-fine particles, excellent in yield of the ultra-fine particles, and capable of controlling the film deposition range on a substrate.
超微粒子の粒径を大幅に変えることができしかも超微粒子の収率のよく、また基板上の成膜範囲を制御できるへリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁 - An orifice 25 is bored by means of oxygen plasma 33 using a helicon wave etching system and O2 gas for processing and a Ti oxide film 32-2 is formed, as a hydrophilic region 28, on the surface of the Ti film 32.
ヘリコン波エッチング装置と処理用Ｏ_2 ガスを用い、酸素プラズマ３３によるオリフィス２５の孔空けを行なうと共にＴｉ膜３２表面に酸化Ｔｉ膜３２−２を形成し、これを親水性領域２８とする。 - 特許庁 - Two bell-jars 1a and 1b, which are respectively provided with antennas 6a and 6b for generating helicon waves and coils 7a and 7b for generating a magnetic field on their peripheries, are made to communicate with a diffusion chamber 2 housed with a substrate 4 of a deposition object and are parallel-arranged.
ヘリコン波発生用のアンテナ６ａ，６ｂ及び磁場発生用のコイル７ａ，７ｂを周囲に設けた２個のベルジャ１ａ，１ｂが、成膜対象の基板４を収容した拡散チャンバ２に連通させて並列に配設されている。 - 特許庁 - To provide an apparatus for forming a dense and hard thin film utilizing helicon plasma of high density which can reduce inclusion of impurities, and can drop the substrate temperature to the electronic device processing temperature (about 200°C), and a method for forming the thin film.
不純物の含まれるのを低減でき、しかも基板温度を電子デバイスプロセス温度（約２００℃）まで下げることのできる高密度へリコンプラズマを利用した緻密な硬質薄膜の形成装置及び形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.
基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁 - A thin film of the tetragonal MgSiO_3 crystal is formed on a crystalline substrate (a silicon single crystal substrate or a substrate obtained by forming a buffer layer on the substrate) by the epitaxial growth of Mg and Si in an oxygen atmosphere using a PVD method (helicon wave reactive sputtering method or the like).
結晶質下地（シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの）上に、Ｍｇ及びＳｉを酸素の雰囲気中でＰＶＤ法（ヘリコン波反応性スパッタリング法など）を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶の薄膜を形成する。 - 特許庁 - To generate plasma in a large area, to clarify the plasma boundary end face and to allow the position selection of a process material such as a substrate in a plasma generator exciting the wave motion of the helicon wave or slow wave propagating along the external magnetic field shown by the magnetic lines of force on the antenna side with an antenna.
アンテナ側磁力線９で示す外部磁場に沿って伝播するヘリコン波やスロー波等の波動をアンテナ３で励起するプラズマ発生装置において、プラズマ６を大面積化し、プラズマ境界端面を明確化し、基板等の処理材料１１の位置選択を可能にすること。 - 特許庁 - The material gas is preferably supplied in the form of high density plasma excited by electron beam excited plasma method, high frequency parallel plate plasma method, high frequency plasma method employing rudder-like discharge electrodes, electron cyclotron resonance plasma method, induction coupling plasma method, or helicon wave plasma method.
原料ガスはプラズマ化して供給することが望ましく、プラズマの励起法としては電子ビーム励起プラズマ法、高周波平行平板プラズマ法、ラダー状の放電電極を用いた高周波プラズマ法、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法、誘導結合型プラズマ法あるいはヘリコン波プラズマ法等の高密度プラズマを用いることを特徴とする。 - 特許庁 - In the clathrate compound thin film manufacturing method for manufacturing a clathrate compound thin film having a crystalline structure of a basket-shaped molecular aggregate on a substrate 16, a target 20 is sputtered by a helicon excitation sputtering method, and the clathrate compound thin film is deposited on the substrate 16.
籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板１６上に製造する方法であって、ターゲット２０をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板１６上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。 - 特許庁
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