「Heterojunction」を含む例文一覧(459)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 次へ＞- HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその作製方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURE OF THE SAME
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその作製方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタとその製造方法 - 特許庁 - RF POWER MODULE USING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いたＲＦパワーモジュール - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - PHOTOELECTRIC INTEGRATED CIRCUIT AND HETEROJUNCTION PHOTOTRANSISTOR
光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタ - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR HETEROJUNCTION METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
半導体エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁 - HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ヘテロ接合電界効果トランジスタ、その製造方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁 - NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ - 特許庁 - The photoelectric conversion layer 50 is a bulk heterojunction layer.
光電変換層５０はバルクヘテロ接合層である。 - 特許庁 - HETEROJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
ヘテロ接合型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND MANUFACTURE OF THE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
へテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれを用いた半導体装置、並びに、へテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 - 特許庁 - Furthermore, a multi-finger heterojunction bipolar transistor is constituted using the heterojunction bipolar transistor as a unit transistor.
さらに、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタを単位トランジスタとして、マルチフィンガー型ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタおよび半導体集積回路 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF BACK CONTACT SINGLE HETEROJUNCTION-TYPE SOLAR BATTERY, AND BACK CONTACT SINGLE HETEROJUNCTION-TYPE SOLAR BATTERY
バックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池の製造方法及びバックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池 - 特許庁 - MANUFACTURE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND POWER AMPLIFIER
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法及びパワーアンプ - 特許庁 - HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
へテロ接合電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HETEROJUNCTION AND INTERDIGITATED STRUCTURE
へテロ接合およびインターフィンガ構造を有する半導体デバイス - 特許庁 - CHARGE TRANSFER HETEROJUNCTION STRUCTURE, AND MANUFACTURE THEREOF
電荷移動型ヘテロ接合構造体及びその製造方法 - 特許庁 - VERY HIGH SPEED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING CANTILEVERED BASE
片持ちベースを有する超高速ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ - 特許庁 - SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - FORMING METHOD OF SILICON GERMANIUM BASE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのシリコン・ゲルマニウム・ベース形成方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HETEROJUNCTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
へテロ接合を有する半導体装置とその製造方法 - 特許庁 - To provide a heterojunction bipolar transistor superior in destruction resistance.
耐破壊性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND POWER AMPLIFIER EMPLOYING IT
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びこれを用いた電力増幅器 - 特許庁 - HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING ORGANIC-INORGANIC SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION
有機−無機半導体ヘテロ接合を有する光半導体素子 - 特許庁 - The semiconductor device 1 is a heterojunction bipolar transistor (HBT).
半導体装置１は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）である。 - 特許庁 - To obtain a heterojunction semiconductor device for operating in a normally off state.
ノーマリオフで動作するヘテロ接合半導体装置を得ること。 - 特許庁 - LOW-LEAKAGE HETEROJUNCTION VERTICAL TRANSISTOR AND ITS HIGH-PERFORMANCE DEVICE
低漏洩ヘテロ接合垂直トランジスタおよびその高性能デバイス - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMATION THEREOF
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びかかるトランジスタを形成する方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION TRANSISTOR HAVING ENERGY BARRIER, AND RELATED METHOD
エネルギー障壁を有するへテロ接合トランジスタおよび関連する方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL WITH DUAL DOPING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
デュアルドーピングを備えたヘテロ接合光電池及びその製造方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR DEVICE WITH ELECTROSTATIC DISCHARGE RUGGEDNESS
静電気放電に耐久性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ素子 - 特許庁 - ELECTRODE STRUCTURE, HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
電極構造、ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれらの製造方法 - 特許庁 - To provide a semiconductor epitaxial wafer which can obtain a heterojunction bipolar transistor having a high current amplification factor, and a heterojunction bipolar transistor.
電流増幅率の高いヘテロ接合バイポーラトランジスタが得られる半導体エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁 - HETEROJUNCTION TRANSISTOR HAVING ENERGY BARRIER AND METHOD RELATED THERETO
エネルギー障壁を有するヘテロ接合トランジスタおよび関連する方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
ヘテロ接合型半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - A two-dimensional electron gas layer 25 is produced by the heterojunction 21.
ヘテロ接合２１により、二次元電子ガス層２５が生成される。 - 特許庁 - HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ヘテロ接合型電界効果半導体装置及びその製造方法 - 特許庁 - HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR USING NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL
窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ - 特許庁 - The piezoelectric field Pz acts as an internal electric filed extending along the heterojunction 21 to operate on two-dimensional carriers of the heterojunction 21, thereby adjusting the electron density of the heterojunction right below a gate electrode 19.
ピエゾ電界Ｐｚはヘテロ接合２１に沿って延在する内部電界として働き、これはヘテロ接合２１の二次元キャリアに作用して、ゲート電極１９直下のヘテロ接合における電子濃度が調整される。 - 特許庁 - HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND COMMUNICATION APPARATUS
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法、並びに、通信装置 - 特許庁 - The emitter region or the collector region forms the base region and heterojunction.
エミッタまたはコレクタ領域はベース領域とヘテロ接合を形成する。 - 特許庁 - To provide a solar cell composed of a heterojunction of a transition metal oxide.
遷移金属酸化物ヘテロ接合からなる太陽電池を提供する。 - 特許庁
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