「Heterostructure」を含む例文一覧(137)

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  • METHOD OF MANUFACTURING HETEROSTRUCTURE
    ヘテロ構造の製造方法 - 特許庁
  • NITRIDE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE
    窒化物半導体ヘテロ構造 - 特許庁
  • NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING HETEROSTRUCTURE
    窒化物系発光ヘテロ構造 - 特許庁
  • MANUFACTURE FOR PLANAR HETEROSTRUCTURE
    プレーナ・ヘテロ構造の製造方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE AND FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE
    半導体ヘテロ構造、および半導体ヘテロ構造を形成する方法 - 特許庁
  • HETEROSTRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    ヘテロ構造型電界効果トランジスタ - 特許庁
  • INTERNAL BAND TUNNEL DIODE IN HETEROSTRUCTURE
    ヘテロ構造の内部バンド・トンネル・ダイオード - 特許庁
  • BURIED HETEROSTRUCTURE SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT
    埋め込みヘテロ構造半導体光素子 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE
    半導体ヘテロ構造を作製する方法 - 特許庁
  • NITRIDE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTOR
    窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ - 特許庁
  • METHOD OF LIMITING VACANCY DIFFUSION IN HETEROSTRUCTURE
    ヘテロ構造内で空孔拡散を制限する方法 - 特許庁
  • HETEROSTRUCTURE FOR GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE
    ＩＩＩ族窒化物発光デバイスのためのヘテロ構造 - 特許庁
  • INDIUM GALLIUM NITRIDE SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE LIGHT EMITTING DEVICE
    窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス - 特許庁
  • To form a multilayered heterostructure film over a large area.
    多層ヘテロ構造膜を大面積にわたって成膜する。 - 特許庁
  • To provide an improved nitride-based light emitting heterostructure.
    改良された窒化物系発光ヘテロ構造を提供する。 - 特許庁
  • INDEX GUIDE TYPE BURIED HETEROSTRUCTURE NITRIDE LASER DIODE STRUCTURE
    インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造 - 特許庁
  • DEVICE HAVING NITRIDE-BASED HETEROSTRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD
    窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス及びその製造方法 - 特許庁
  • Examples of resulting nanowire heterostructures include a longitudinal heterostructure nanowire (LOHN) and a coaxial heterostructure nanowire (COHN).
    結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 - 特許庁
  • Examples of resulting nanowire heterostructures include a longitudinal heterostructure nanowire (LOHN) and a coaxial heterostructure nanowire (COHN).
    結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 - 特許庁
  • SELF-ALIGNED INDEX GUIDE TYPE BURIED HETEROSTRUCTURE NITRIDE LASER STRUCTURE
    自己整合インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造 - 特許庁
  • Because the single crystal material is used to form the heterostructure, the resultant heterostructure may be a single crystal as well.
    単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。 - 特許庁
  • This heterostructure source/drain is useful for reducing a short channel effect.
    このヘテロ構造ソース／ドレインは短チャネル効果を低減させるのに役立つ。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor heterostructure having small surface roughness.
    より小さな表面凹凸をもつ半導体ヘテロ構造を提供すること。 - 特許庁
  • Si/SiGe HETEROSTRUCTURE FOR HIGH-SPEED COMPOSITE P-CHANNEL FIELD EFFECT DEVICE
    電界効果デバイス用高速複合ｐチャネルＳｉ／ＳｉＧｅヘテロ構造 - 特許庁
  • NITRIDE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
    窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ構造とその作製法 - 特許庁
  • NON-POLAR (A1, B, In, Ga)N QUANTUM WELL, HETEROSTRUCTURE MATERIAL, AND DEVICE
    非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス - 特許庁
  • MULTILAYERED HETEROSTRUCTURE FILM, OPTICAL DEVICE USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    多層ヘテロ構造膜およびこれを用いた光学素子ならびにその製造方法 - 特許庁
  • PN JUNCTION-TYPE HETEROSTRUCTURE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS FORMING METHOD
    ｐｎ接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子及びその形成方法 - 特許庁
  • To form a heterostructure layer 20 of AlGaN/GaN on an underlying substrate 10.
    先ず、下地基板１０上に、ＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造層２０を形成する。 - 特許庁
  • To provide a method by which a β-iron silicide heterostructure for semiconductor device can be manufactured.
    半導体デバイス用のベータ鉄シリサイドヘテロ構造を作製する方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a heterostructure multilayered thin film with compositional steep variation at a heterojunction interface.
    ヘテロ接合界面の組成変化が急峻なヘテロ構造多層薄膜を製造する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor laser with a buried heterostructure capable of suppressing a leakage current.
    リーク電流を抑制することが可能な埋め込みヘテロ構造の半導体レーザを提供する。 - 特許庁
  • To provide a buried heterostructure semiconductor laser or the like, capable of suppressing a leakage current.
    リーク電流を抑制することが可能な埋め込みヘテロ構造の半導体レーザ等を提供する。 - 特許庁
  • A SiGe-on-insulator having improved properties and a heterostructure including it are also provided.
    改善された性質を有するＳｉＧｅオンインシュレータ、およびそれを含むヘテロ構造も提供される。 - 特許庁
  • To provide a normally-off transistor, while being a field-effect transistor that includes a heterostructure.
    ヘテロ構造を含む電界効果型トランジスタでありながらノーマリオフタイプのトランジスタを提供する。 - 特許庁
  • To prevent the occurrence of defective wafers due to thyristor phenomenon, related to an epitaxial wafer for a light-emitting diode of a single heterostructure or double heterostructure of AlGaAs group manufactured by a liquid- phase epitaxial growth.
    液相エピタキシャル成長により製造されるＡｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウェーハにおいて、サイリスタ現象による不良ウェーハの発生を防ぐこと。 - 特許庁
  • BURIED HETEROSTRUCTURE DEVICE HAVING INCORPORATED WAVEGUIDE GRATING PRODUCED BY SINGLE STEP MOCVD
    単一のステップＭＯＣＶＤによって製造される導波格子を組み込んだ埋め込みヘテロ構造デバイス - 特許庁
  • EPITAXIAL WAFER AND CHIP OF DOUBLE HETEROSTRUCTURE, AND INFRARED LIGHT-EMITTING DIODE AND SEMICONDUCTOR DIODE USING THE CHIP
    ダブルヘテロ構造エピタキシャル・ウエハ及びチップ並びにこれを用いた赤外発光ダイオード及び半導体ダイオード - 特許庁
  • The semiconductor laser device 100 is provided with a multiple quantum well-separated and entrapped heterostructure.
    本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸−分離閉じ込めヘテロ構造を有している。 - 特許庁
  • Well, no, of course I know who that is, father of heterostructure transistors, thank you very much.
    悪いけど、それが誰かはもちろん知ってますぅ、 ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタの生みの親ですぅ、どうも。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To provide an embedded angle type (embedded heterostructure) II-VI laser diode which is easy to manufacture and having a simple structure.
    構造が単純で製造が容易な埋め込み山型（埋め込みヘテロ構造）II-VI族レーザダイオードを提供する。 - 特許庁
  • Subsequently, surface cleaning is performed by irradiating the upper surface of the heterostructure layer with NH_3 plasma.
    次に、へテロ構造層の上側表面に対してＮＨ_３プラズマ照射することにより、表面クリーニングを行う。 - 特許庁
  • SYSTEM AND METHOD FOR GENERATING PHOTOVOLTAIC ENERGY BASED ON INNER CHARGE EMISSION IN SOLID-STATE HETEROSTRUCTURE
    ソリッド・ステート・ヘテロ構造における内部電荷放出に基づく光起電力エネルギー生成のための装置及び方法 - 特許庁
  • Further, one or more additional layers that include a graded composition can be included in the heterostructure outside of the light generating structure.
    さらに、傾斜組成を含む１つ以上の追加層が、光発生構造の外側のヘテロ構造に含まれ得る。 - 特許庁
  • It is the object of the present invention to provide a semiconductor heterostructure of this type having a lower surface roughness.
    表面凹凸の少ない、前記のタイプの半導体ヘテロ構造を提供することが本発明の目的である。 - 特許庁
  • Stacking is implemented such that the double heterostructure with the longest wavelength is on the top of a layered product.
    積層化は、最長の波長を有する二重ヘテロ構造体が積層体の上部に存在するよう実施される。 - 特許庁
  • To provide a normally-off type heterostructure field effect transistor of small contact resistance and less gate leakage current.
    コンタクト抵抗が小さくかつゲートリーク電流の少ないノーマリオフ型のヘテロ構造電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁
  • The effect can be commonly obtained from a heterostructure bipolar transistor, a photodiode, and an electric field absorption type optical modulator, and so on.
    この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。 - 特許庁
  • To provide an epitaxial substrate for a semiconductor device, which has InAlN/GaN heterostructure and excellent ohmic contact characteristics.
    ＩｎＡｌＮ／ＧａＮヘテロ構造を有し、かつオーミックコンタクト特性の優れた半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁
  • The drain region 32 and the source region 34 are connected by a structure that has the MIS structure 40 and the heterostructure arranged in series.
    ドレイン領域３２とソース領域３４は、MIS構造４０とヘテロ構造を直列に配置した構造で接続されている。 - 特許庁
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