「High Memory Area」を含む例文一覧(199)
1 2 3 4 次へ＞- IN-NON CACHE AREA HIGH SPEED MEMORY ACCESS METHOD
ノンキャッシュ領域内高速メモリアクセス方法 - 特許庁 - To provide a memory device capable of performing a high-speed operation by reducing the area of a memory.
メモリの面積を減少させ、高速動作が可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To collect an address trace of a specific memory area at high speed.
特定のメモリ領域のアドレストレースを高速に採取すること。 - 特許庁 - It stores area information regarding the high-speed area 32 and the low-speed area 34 of the hard disk drive 18 in a memory 22.
ハードディスクドライブ１８の高速エリア３２と低速エリア３４とに関するエリア情報をメモリ２２に記憶する。 - 特許庁 - MULTICHANNEL MEMORY SYSTEM INCLUDING ERROR CORRECTION DECODER STRUCTURE WITH HIGH AREA EFFICIENCY
面積効率が高いエラー訂正デコーダ構造を含むマルチチャンネルメモリシステム - 特許庁 - To provide a memory protection system for prohibiting a memory access to an area other than the predetermined area, while achieving high interruption responsiveness, and protecting a memory area.
高い割り込み応答性を実現しつつ、あらかじめ定められた領域以外へのメモリアクセスを禁止して、メモリ領域の保護を図るメモリ保護装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an abstract syntax data storage device which uses a memory area with high efficiency and processes values at high speed, and an MIB which is high in the use efficiency of the memory area.
記憶領域の使用効率が高く、属性値の処理を高速に行なえる抽象構文データ保持装置と、記憶領域の使用効率が高いMIBを提供する。 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING HIGH BANDWIDTH AND OCCUPYING SMALL AREA
高帯域幅を有し且つ小さな領域を占めるスタティックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁 - MINUTE CONTACT AREA IN SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH PERFORMANCE PHASE CHANGE MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE MEMORY CELL
半導体装置における微小コンタクト領域、高性能相変化メモリセル及びその製造方法 - 特許庁 - At this time, when a high upland area exists around a present position (S120:YES), high upland determination area data including all of the high upland area continuous with that area are read into the external memory (S140, 150).
このとき、現在位置周辺に高高地エリアが存在すれば（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、そこから連続する高高地エリア全域を含む高高地判定エリアデータを外部メモリへ読み込む（Ｓ１４０，１５０）。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory in which a memory cell can be initialized at high speed without increasing chip area.
チップ面積を増大することなく高速にメモりセルを初期化できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The resulting memory cell has a small area requirement and a high number of program/clear cycles.
得られるメモリセルは、少ない面積を必要とし、高いプログラム／消去サイクル数を有する。 - 特許庁 - To execute a printing process at a high speed and to efficiently control a cache area of a memory.
印刷処理を高速で行い、さらに、メモリのキャッシュ領域を効率良く制御する。 - 特許庁 - As a vehicle moves, high upland determination area data in a required range is read into an external memory from a hard disk drive to perform high upland determination based on the high upland determination area data in the external memory.
車両の移動に伴い、ハードディスクドライブから必要な範囲の高高地判定エリアデータを外部メモリへ読み込み、この外部メモリ内の高高地判定エリアデータに基づいて高高地判定を行う。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which high speed random access memory can be realized while realizing less area.
高速なランダムアクセスを実現しつつ、かつ小面積化を実現することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - In a memory cell area where multiple magnetoresistive elements TMR are arranged, a first high permeability film CLAD2 arranged above the magnetoresistive elements TMR is extended from the memory cell area up to a peripheral area that is an area other than the memory cell area.
磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory capable of a high speed data transfer with a small area penalty.
エリアペナルティが小さく、かつ高速なデータ転送が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The memory cells can be arranged in high density and the array occupancy area can be reduced accordingly.
メモリセルを高密度で配置することができ、応じてアレイ占有面積を低減することができる。 - 特許庁 - To provide a large-capacity semiconductor memory device which can be integrated at high density with a low cost without involving an increase in the surface area of a memory cell.
メモリセルの面積を増やすことなく高集積化し、低コストでより大容量の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - When the high capacity memory 11 or the low capacity memory 12 is arranged on the printed board 1, useless area not used for arranging the high capacity memory 11 or the low capacity memory 12 can thereby be reduced.
このため、プリント基板１に高容量メモリ１１、または低容量メモリ１２を配置した場合に、高容量メモリ１１、または低容量メモリ１２の配置に利用されない無駄な領域の大きさが抑えられる。 - 特許庁 - The performance frequency of the garbage collection to the first memory area is made high and the performance frequency of the garbage collection to the second memory area is made low.
第１のメモリ領域に対するガーベージコレクションの実行頻度を高くするとともに、前記第２のメモリ領域に対するガーベージコレクションの実行頻度を低くする。 - 特許庁 - To provide the defective area management circuit of a memory for reducing a software processing and accessing plural memory elements provided with a defective area at a high speed without burdening a CPU.
ソフトウェア処理を縮小しＣＰＵに負担をかけずに、不良エリアを有する複数のメモリ素子を高速にアクセス可能なメモリの不良エリア管理回路を提供する。 - 特許庁 - That is, by changing the data flash memory cell from a binary memory cell to a multi-value memory cell, deterioration in the retention characteristics is prevented to achieve the high-reliability data flash memory cell, while reducing occupied area of the data flash memory cell.
つまり、データフラッシュメモリセルを２値メモリセルから多値メモリセルに変更することにより、リテンション特性の劣化を防止して信頼性の高いデータフラッシュメモリセルを実現し、かつ、データフラッシュメモリセルの占有面積を低減する。 - 特許庁 - To provide a high-density high-speed dynamic random access memory(DRAM) by satisfying the cut-off characteristics of transistors and high-level write compensation in the memory cell area of the DRAM and, at the same time, improving transistor driving forces in the peripheral circuit area of the DRAM.
本発明は、ＤＲＡＭのメモリセル領域におけるトランジスタのカットオフ特性とハイレベルの書き込み補償を満足するとともに周辺回路領域のトランジスタの駆動力を向上させて、高密度高速ＤＲＡＭの実現を図る。 - 特許庁 - Therefore, data stored in a memory can be read out with high reliability at high speed without increasing a chip area.
したがって、チップ面積の増大を招くことなく、メモリーに格納されたデータを高い信頼性で高速に読み出すことができる。 - 特許庁 - Reference to a memory area allocated to the functional circuit module is also made fast associatively with tasks of high priority.
優先度の高いタスクと連動して機能回路モジュールに割当てたメモリ領域参照も高速化。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device allowing a high-speed operation while suppressing increase of an area.
面積の増大を抑制しつつ、高速な動作が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory which can read out data at high speed and in which chip area can be reduced.
データ読み出しの高速化とチップ面積の低減が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device that operates at a high speed while suppressing an increase in area.
面積の増大を抑制しつつ、高速な動作が可能な不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory of which the area of a first band region is small and the operation speed is high.
第１の帯状領域の面積が小さく、動作速度が速い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory management method with good use efficiency capable of performing assignment and opening processing of a memory at high speed while causing no unused area which is not usable within the memory by eliminating overload processing which is caused in changing the area of a fixed length memory block ensured in a variable length memory area to the original variable length area.
一旦，可変長メモリ領域に確保された固定長メモリブロックの領域を元の可変長領域に変更する際に生じ得る過負荷処理を排除してメモリの割付及び開放処理を高速に行い，且つ，メモリ内に使用することができない未使用領域を生じさせずに使用効率のよいメモリ管理方式を提供すること。 - 特許庁 - To more quickly complete rearrangement than the next scanning of an electron beam by use of the same memory area as a memory area storing image data without newly adding a large-size memory to perform the high-speed rearrangement.
新たに大きなサイズのメモリを追加することなく、画像データが格納されたメモリ領域と同一のメモリ領域を用いて次の電子線の走査よりも速く並び替えが終了し、高速な並べ替えを行う。 - 特許庁 - To effectively use a memory area and to process the area at a high speed by conducting loading processing and unloading processing for a PDL interpreter under a condition.
ＰＤＬインタプリタのロード、アンロード処理をある条件のもとに行うことにより、メモリ領域の有効利用と処理の高速化を実現する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a high-integration ferroelectric memory transistor in a self-aligned manner by reducing its area.
面積を縮小し、自己整合的に高集積強誘電体メモリトランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a multiplexed memory and a pressure sensor where an area and power consumption are held down to small and noiseproof property is high.
面積と消費電力を小さく抑え、耐ノイズ性の高い多重化メモリ及び圧力センサを提供する。 - 特許庁 - To reduce a chip area and the cost of a ternary associative storage memory (TCAM) and to realize high speed write-in.
３値連想記憶メモリ（ＴＣＡＭ）のチップ面積およびコストを低減しかつ高速の書込を実現する。 - 特許庁 - To obtain a multiplexed memory and a pressure sensor which are reduced in area and power consumption and high in resistance to noise.
面積と消費電力を小さく抑え、耐ノイズ性の高い多重化メモリ及び圧力センサを提供する。 - 特許庁 - To provide a synchronous semiconductor memory device being operated at high speed and stably without increasing chip area.
チップ面積を増大させることなく高速でかつ安定に動作する同期型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To detect minute defect existing in a PMOS load transistor of an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell without extremely increasing circuit area and at high speed.
回路面積を極端に増大させることなく、かつ高速に、ＳＲＡＭメモリセルのＰＭＯＳ負荷トランジスタに存在する微小欠陥を検出すること。 - 特許庁 - To provide a memory management server and method, and a program, allowing high-speed retrieval by constructing, in a storage device of an application server, a shared memory area (a memory image file) holding a memory structure used by an application program.
アプリケーションサーバの記憶装置にアプリケーションプログラムが利用するメモリ構造を保持した共有メモリ領域（メモリイメージファイル）を構築し、高速検索を可能とするメモリ管理サーバ、方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁 - When no high upland area exists around the present position (S120:NO), high upland determination area data within a prescribed minimum range having the present position as a center are read into the external memory (S130).
現在位置周辺に高高地エリアが存在しなければ（Ｓ１２０：ＮＯ）、現在位置を中心とした所定の最小範囲の高高地判定エリアデータを外部メモリへ読み込む（Ｓ１３０）。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconcuctor memory device wherein when data are accessed, the data of a high access frequency is transferred from an area of a low data writing/reading speed to an area of a high speed.
データにアクセスする際、アクセス頻度の高いデータはデータの書き込み及び読み出しが低速なエリアから高速なエリアに転送される不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To compensate a functional constraint in a high-altitude area by supplying convenient route guiding information, on the basis of data read from a memory other than a hard disk, while travelling in the high-altitude area.
高高地を走行中においてハードディスク以外のメモリから読み出したデータに基づく簡便な経路案内情報を提供することで高高地における機能制限を補う。 - 特許庁 - The information processor has a nonvolatile memory including a first area of high reliability unsusceptible to data errors and a second area of lower reliability susceptible to data errors, a volatile memory, and arithmetic means.
データエラーが発生しない信頼性の高い第１の領域とデータエラーが発生する可能性がある信頼性の低い第２の領域とを含む不揮発性メモリと、揮発性メモリと、演算手段とを有する。 - 特許庁 - By preparing the thumbnail image in a virtual display memory area 12 which is larger than a display memory area 11, high-speed scroll display is performed without having to newly read the thumbnail images.
表示メモリ領域１１より大きい仮想表示メモリ領域１２にサムネイル画像を準備しておくことで、新たにサムネイル画像を読み出す必要がなく高速なスクロール表示を行うことができる。 - 特許庁 - To provide an integrated circuit device allowing high-speed writing operation into a flash memory and reduction of a chip area.
フラッシュメモリーへの高速書き込み動作及びチップ面積の縮小化を可能とする集積回路装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a ferroelectric memory where high reliability is obtained without increasing the area of a capacitor, and to provide a manufacturing method thereof.
キャパシタの面積を増加させずに高い信頼性が得られる強誘電体メモリとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory in which increase of chip area can be suppressed and high speed operation can be performed.
本発明は、チップ面積増大を抑止でき、且つ高速動作が可能なフラッシュメモリを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has high integration degree and reliability and in which layout area is reduced.
高い集積度と信頼性を有し且つレイアウト面積を低減させる不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To write desired information at high speed into a memory cell which stores data in nonvolatile manner while preventing the increase of the chip area.
チップ面積の増大を防止しつつ、不揮発的にデータを記憶するメモリセルに所望の情報を高速に書き込む。 - 特許庁
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