MANUFACTURING METHOD OF PN HOMOJUNCTION IN NANOSTRUCTURE ナノ構造体におけるpnホモ接合の製造方法 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a pn homojunction in a nanostructure. ナノ構造体内にpn接合を製造する方法を提供する。 - 特許庁
The GaN layer 17 forms a homojunction 19 with the major surface 11b of the GaN wafer 11. GaN層17はGaNウエハ11の主面11bとホモ接合19を成す。 - 特許庁
The GaN layer 17 forms a homojunction with the principal surface 11b of the GaN wafer 11. GaN層17はGaNウエハ11の主面11bとホモ接合19を成す。 - 特許庁
The manufacturing method of the pn homojunction comprises a step for forming a dielectric element 3 for burying the nanostructure across a height (h). pn接合を製造する方法はこのナノ構造体を高さhに渡って埋め込む誘電素子3を形成するステップを含む。 - 特許庁
A source/ channel junction is made a heterojunction, by which a compound semiconductor device can be more enhanced in current amplification factor than a case, where a homojunction is used. ソース/チャネル接合をヘテロ接合とすることによって、ホモ接合の場合よりも、電流増幅率を大きくすることができる。 - 特許庁
A gate/channel junction is set as a heterojunction, by which a depletion layer formed in the channel layer 16 is wider than that in a homojunction. ゲート/チャネル接合をヘテロ接合とすることによって、チャネル層16に形成される空乏層幅を、ホモ接合の場合よりも広くすることができる。 - 特許庁
To provide a GaAs_1-XPX based light-emitting element, having a heterojunction structure, satisfactory for extracting emitted light, in place of a conventional homojunction structure. 従来のホモ接合型構造に代替して、外部に発光を取り出すに好都合となるヘテロ接合構造を備えたGaAs_1-XP_X系発光素子を提供する。 - 特許庁
The base includes an excluding heterojunction (4) preventing entry of carriers from the base contact (21), but alternatively the base region includes a "high-low" doping homojunction. ベースは、ベース・コンタクト(21)からのキャリアの侵入を防止する排除用ヘテロ接合(4)を含むが、その代わりにベース領域は、「高−低」ドーピングホモ接合を備えている。 - 特許庁
Since a pn interface is formed not by hetero-junction with different kind semiconductor material like the conventional case but by homojunction with ZnO based semiconductor of the i-type ZnO light emitting layer 2 and the n-type ZnO layer 3, hole injection efficiency is high. また、従来例のような異種半導体材料とのヘテロ接合ではなく、i型ZnO発光層2とn型ZnO層3とのZnO系半導体によるホモ接合でpn界面を形成しているので、ホール注入効率が高い。 - 特許庁
In the discrimination method of the strains of bottom fermentation yeast for brewing, the detection of allele that consists of a combination of two or more specific alleles selected from the genomic DNA of bottom fermentation yeast for brewing is executed, while distinguishing homojunction and heterojunction, to specify the strains of bottom fermentation yeast based on the result. 醸造用の下面発酵酵母のゲノムDNAについて特定の荒れるの複数個を選んだ組み合わせからなるアレルの検出をホモ接合とヘテロ接合を区別しつつ行い、その結果に基づいて下面発酵酵母の菌株を特定する、醸造用の下面発酵酵母の菌株の識別方法。 - 特許庁
The method of manufacturing the photoelectric conversion material includes a step of forming a p-n homojunction or a p-n heterojunction by applying a heat treatment to a base material, made of a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium in an atmosphere containing organic metal zinc compound and/or organic metal cadmium compound. 光電変換材の製造方法は、硫黄および/またはセレンを含有するp型カルコパイライト型化合物半導体よりなる母材薄膜を、有機金属亜鉛化合物および/または有機金属カドミウム化合物を含有する雰囲気中において熱処理することにより、pnホモ接合またはpnヘテロ接合を形成させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁