「INGAP」を含む例文一覧(124)
＜前へ 1 2 3 次へ＞- To reduce series resistance of an InGaP-based solar cell having a p-on-n structure in which an InAlP layer is a window layer.
ＩｎＡｌＰ層を窓層とするｐ−ｏｎ−ｎ構造のＩｎＧａＰ系太陽電池の直列抵抗を低下させる。 - 特許庁 - Immediately beneath the InGaP gate forming layer 16, an AlGaAs Schottky barrier layer 15 is formed, so that when Ti in the gate electrode 20 happens to penetrate into the InGaP gate forming layer 16 during heat processing, Ti is stopped by the AlGaAs Schottky barrier layer 15.
ＩｎＧａＰゲート形成層１６の直下にＡｌＧａＡｓショットキー障壁層１５を形成し、熱処理時にゲート電極２０中のＴｉがＩｎＧａＰゲート形成層１６に浸入するとき、これがＡｌＧａＡｓショットキー障壁層１５で停止するようにした。 - 特許庁 - A very shallow groove-like recess which extends to ends of the substrate lengthwise and crosswise is formed like a stripe in the surface of the InGaP adhesion layer 5.
ＩｎＧａＰ接着層５の表面に縦横に基板端部に達する極浅い溝状の凹部をストライプ状に形成する。 - 特許庁 - In a heterojunction bipolar transistor, in which a GaAs base layer 14 and a GaAs emitter cap layer 12 are formed on a GaAs substrate 17 via an InGaP emitter layer 13, an interface between the InGaP emitter layer 13 is doped with a prescribed amount of Se; and the GaAs emitter cap layer 12 and GaAs base layer 14, whereby recombinations near the InGaP emitter layer 13 are decreased.
ＧａＡｓ基板１７上にＩｎＧａＰエミッタ層１３を介してＧａＡｓベース層１４およびＧａＡｓエミッタキャップ層１２を形成してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ＩｎＧａＰエミッタ層１３とＧａＡｓエミッタキャップ層１２およびＧａＡｓベース層１４との界面に所定の量のＳｅをドープすることにより、ＩｎＧａＰエミッタ層１３近傍における再結合が減少する。 - 特許庁 - In the provided method, an InGaP layer is formed on a substrate, a gate electrode with a Ti layer and an Au layer is deposited through the evaporation on the InGaP layer; a GaAs layer is formed in an area on the InGaP layer, in a region different from where the gate electrode is formed; and a source electrode and a drain electrode are further formed on the GaAs layer.
基板にＩｎＧａＰ層を形成し、ＩｎＧａＰ層の上面にＴｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極を蒸着により形成し、ＩｎＧａＰ層の上面においてゲート電極が形成される領域とは異なる領域にＧａＡｓ層を更に形成し、ＧａＡｓ層の上面にソース電極及びドレイン電極を更に形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the HBT having an InGaP emitter layer, a GaAs layer 6 is inserted between an InGaP emitter layer 5 and an AlGaAs ballast resistance layer 7 and holes injected reversely from a base layer 4 are suppressed from diffusing and reaching the AlGaAs ballast resistance layer 7.
ＩｎＧａＰエミッタ層を有するＨＢＴにおいて、ＩｎＧａＰエミッタ層５とＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層７の間にＧａＡｓ層６を挿入し、ベース層４から逆注入された正孔がＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層７まで拡散、到達することを抑制する。 - 特許庁 - The cap layer 9 includes a first InGaP layer 9A which is un-doped and has a natural superlattice structure or in which n-type carriers are injected, and a second InGaP layer 9B which has the natural superlattice structure and in which n-type carriers are injected, in that order when viewed from the Schottky layer 8 side.
キャップ層９は、ショットキー層８側から見て、自然超格子構造を有するアンドープの又はｎ型キャリアが添加された第１のＩｎＧａＰ層９Ａと、自然超格子構造を有しないｎ型キャリアが添加された第２のＩｎＧａＰ層９Ｂとを順次含んでいる。 - 特許庁 - The p-type InGaAlP cladding layer 36 is formed into a cross-sectionally trapezodal shape smaller than the p-type InGaP etching stop layer 35.
ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６は、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５よりも幅狭な断面台形状に形成されている。 - 特許庁 - To realize large current amplitude and a satisfactory high output characteristic in a field effect transistor having an InGaP channel layer.
ＩｎＧａＰチャネル層を有する電界効果型トランジスタにおいて、大きい電流振幅を可能とし、良好な高出力特性を実現する。 - 特許庁 - GaAs is used for a base layer 7 and InGaP with an In mixed crystal ratio of 0.49 or more and 0.56 or less for an emitter layer 6 to construct a heterojunction.
ベース層７にＧａＡｓ、エミッタ層６にＩｎ混晶比が０．４９以上０．５６以下のＩｎＧａＰを使用し、ヘテロ接合を構成する。 - 特許庁 - In the semiconductor device having the laminate structure having the GaAs layer and the InGaP layer laminated, the GaAs layer is doped with a p-type impurity.
ＧａＡｓ層とＩｎＧａＰ層とが積層された構造を有する半導体装置において、ＧａＡｓ層にｐ型不純物をドーピングする。 - 特許庁 - In another embodiment, a strained (compressed) very thin InGaP, InGaAs or AlInGaP layer is grown on a GaAs substrate.
別の実施形態では、歪んだ（圧縮された）非常に薄いＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、又はＡｌＩｎＧａＰ層をＧａＡｓ基板上に成長させる。 - 特許庁 - A GaP substrate 1 and an emission layer 7 are bonded through a first bonding layer 2 of p-InGaP and a second bonding layer 3 of p-GaP.
ＧａＰ基板１と発光層７とを、ｐ−ＩｎＧａＰによる第１接着層２、ｐ−ＧａＰによる第２接着層３を介して接着する。 - 特許庁 - For example, when InGaP is used for an emitter layer 2, since selective etching is conducted by hydrochloric acid to expose the base layer 1, a device manufacturing process becomes easy.
例えば、ＩｎＧａＰをエミッタ層２とした場合に、塩酸で選択エッチングしてベース層１を露出させることができるので、デバイス製造プロセスが容易となる。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor (FET) which has excellent Schottky characteristics, and a manufacturing method thereof.
従来のＦＥＴにおいては、AlGaAs電子供給層とInGaPエッチングストップ層との界面にAlGaAsP層等の変成層が形成され、それによりショットキー特性の劣化が生じる。 - 特許庁 - To increase the potential well of an InGaAs channel layer in depth to improve a MOSFET in current density when InGaP is used for a Schottky layer.
ＩｎＧａＰをショットキー層に用いる場合におけるＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さを深くして、ＭＯＳＦＥＴの高電流密度化を図る。 - 特許庁 - The FET 1 has an electron supply layer 14 made of AlGaAs, an interface stabilizing layer 15 which is provided on the electron supply layer 14 and contains no Al, an etching stop layer 16 which is provided on the interface stabilizing layer 15 and made of InGaP, and a contact layer 17 which is provided on the etching stop layer 16 and made of GaAs.
ＦＥＴ１は、AlGaAsからなる電子供給層１４と、電子供給層１４上に設けられた、Alを含まない界面安定化層１５と、界面安定化層１５上に設けられた、InGaPからなるエッチングストップ層１６と、エッチングストップ層１６上に設けられた、GaAsからなるコンタクト層１７と、を備えている。 - 特許庁 - To provide an HBT of high current gain β by allowing no increase in re-coupling central concentration in an InGaP intrinsic emitter layer even if the layer is grown at such low temperature as 500°C or higher for the continuous growth of a GaAs base layer and the InGaP intrinsic emitter layer.
ＧａＡｓベース層とＩｎＧａＰ真性エミッタ層を連続成長するために、ＩｎＧａＰ真性エミッタ層を５００℃台の低温で成長しても、ＩｎＧａＰ真性エミッタ層中の再結合中心濃度を増加させないことで、電流利得βが高いＨＢＴを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a power amplifier using HBT having InGaP as an emitter layer, and capable of striking a balance between thermal stability and reliability for conduction.
ＩｎＧａＰをエミッタ層として有し、熱的安定性と通電に対する信頼性を両立することの出来るＨＢＴを用いた電力増幅器を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor laser apparatus 100 includes a GaAsP activity layer 5, InGaP guide layers 4 and 6, and AlGaInP cladding layers 3 and 7.
本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置１００は、ＧａＡｓＰ活性層５、ＩｎＧａＰガイド層４，６、およびＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７を備えている。 - 特許庁 - To provide a heterojunction bipolar transistor (HBT) capable of making thermal stability compatible with the reliability to energization in the HBT having an InGaP as an emitter layer.
ＩｎＧａＰをエミッタ層として有するＨＢＴにおいて、熱的安定性と通電に対する信頼性を両立することの出来るＨＢＴを提供することにある。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a first collector layer formed of n-type GaAs, a second collector layer on the first collector layer formed of n-type InGaP doped to the concentration of 10^18cm^-3 or more, a base layer on the second collector layer formed of p-type GaAs, and an emitter layer on the base layer formed of n-type InGaP.
ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、第１のコレクタ層上に形成され、１０^１８ｃｍ^—３以上の濃度にドーピングされたｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層と、第２のコレクタ層上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるベース層と、ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有する。 - 特許庁 - When the gate electrode with the Ti layer and the Au layer is to be formed on the InGaP layer, the Ti and Au layers are formed at a substrate temperature of 180°C or lower.
さらに、Ｔｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極をＩｎＧａＰ層の上面に形成する場合において、１８０℃以下の基板温度でＴｉ層およびＡｕ層を成膜する。 - 特許庁 - In this case, the planarity of the active layer is increased with the lower cladding layer 111 as InAlGaAs, and reliability is improved by preventing surface oxidation (deterioration) with the upper cladding layer 113 as InGaP.
このとき、下クラッド層１１１をＩｎＡｌＧａＡｓとして活性層の平坦性を高くし、上クラッド層１１３をＩｎＧａＰとして表面酸化（劣化）せず信頼性を向上した。 - 特許庁 - A range of an In mixed crystal rate of this n-InGaP sub-collector layer 9 is 0.4 to 0.6, and a carrier density thereof is 1×10^18 to 1×10^19 cm^-3, preferably.
このｎ−ＩｎＧａＰサブコレクタ層９のＩｎ混晶比範囲は０．４から０．６であり、キャリア濃度は１×１０^１８〜１×１０^１９ｃｍ^−３であることが好ましい。 - 特許庁 - When a storage gate Schottky electrode is formed, Ti serving as an electrode metal film is injected into an upper semiconductor layer formed of an InGaP layer or an InAlGaP layer.
ストレージゲートショットキー電極を形成する際、ＩｎＧａＰ層又はＩｎＡｌＧａＰ層からなる上層半導体層に電極金属膜となるＴｉを注入させて形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a compound semiconductor wafer and a compound semiconductor element by which an InGaP-based HBT with an improved characteristic of current amplification factor can be manufactured.
電流増幅率特性の改善されたＩｎＧａＰ系ＨＢＴを製造するための化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子を提供すること。 - 特許庁 - Between a base layer comprising GaAs and an emitter layer comprising InGaP, a layer comprising one out of InAs, InGaAs, InAsP, GaAsP or AlGaAs that has a thickness of 2-3 nm is formed.
ＧａＡｓより成るベース層とＩｎＧａＰより成るエミッタ層との間にＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｓＰ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓの何れか一つの層を厚さ２から３nm形成したことにある。 - 特許庁 - The inserted p-InGaP spacer layer 9 prevents electronic carriers injected from the n-InP substrate 1 side to the SCH-distortion MQW from overflowing to the p-InP clad layer 10.
挿入されたｐ-ＩｎＧａＰスペーサ層９は、ｎ-ＩｎＰ基板１側から、ＳＣＨ-歪ＭＱＷに注入されてくる電子キャリアが、ｐ-ＩｎＰクラッド層１０にオーバフローするのを防止する。 - 特許庁 - An n-GaAs active layer 3 is grown on a GaAs substrate 1 via an AlGaAs high-resistance buffer layer 2, and an n-InGaP etching stopping layer 4 and an n+-GaAs cap layer 5 are grown (first step).
ＧaＡs基板１上にＡlＧaＡs高抵抗バッファ層２を介してｎ-ＧaＡs活性層３を成長させ、更にｎ-ＩnＧaＰエッチング停止層４、ｎ^+-ＧaＡsキャップ層５を成長させる（第１の工程）。 - 特許庁 - In an epitaxial wafer for HBT of InGaP/GaAs or AlGaAs/GaAs, the collector layer 18 is made to have a super-lattice structure composed of a semiconductor layer of AlGaInP or the like whose critical electrical field strength is higher than that of GaAs and a GaAs layer, or a configuration where one or more semiconductor layers of AlGaInP, InGaP, or InGaAsP are inserted.
ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系又はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、そのコレクタ層１８を、ＧａＡｓより臨界電界強度の大きいＡｌＧａＩｎＰ等の半導体層とＧａＡｓ層から成る超格子構造とするか、又はＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰのいずれかから成る半導体層を、単層もしくは複数層挿入した構成とする。 - 特許庁 - Since the lower guide layer 105 is composed of InGaP, leakage of carriers from the active region is reduced and since the upper guide layer 109 is composed of AlGaAs, overflow of carriers (especially, electrons) can be suppressed.
下ガイド層１０５がＩｎＧａＰからなることにより、活性領域からのキャリアの漏れを低減すると共に、上ガイド層１０９がＡｌＧａＡｓからなることにより、キャリア（特に電子）のオーバーフローを抑制する。 - 特許庁 - A GaAs layer is inserted between an InGaP emitter layer and an AlGaAs ballast resistance layer, so as to suppress the diffusion and accession of the hole that is reversely injected from a base layer to the AlGaAs ballast resistance layer.
ＩｎＧａＰエミッタ層とＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層の間にＧａＡｓ層を挿入し、ベース層から逆注入された正孔がＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層まで拡散、到達することを抑制する。 - 特許庁 - A p-InGaAs clad layer 2, an AlInGaP-MQW active layer 3, a n-InGaAs clad layer 4 and an InGaP adhesion layer 5 are sequentially crystal-grown on a GaAs substrate 1 of a growth substrate.
成長基板のＧａＡｓ基板１上にｐ−ＩｎＧａＡｓクラッド層２、ＡｌＩｎＧａＰ−ＭＱＷ活性層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓクラッド層４及びＩｎＧａＰ接着層５を順次結晶成長させる。 - 特許庁 - The very thin layer of InGaP, InGaAs or AlInGaP then exfoliates from GaAs and loosens thus increasing the lattice constant of the thin layer up to the lattice constant of the desired overlaying LED layer of AlInGaP.
ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、又はＡｌＩｎＧａＰの薄い層は、次にＧａＡｓから剥離されて弛緩し、薄い層の格子定数を望ましい上に重なるＡｌＩｎＧａＰのＬＥＤ層の格子定数まで増大させる。 - 特許庁 - GaAs or InGaAs where n-type impurity of high electron mobility is added is used for the first contact layer, while an intrinsic type InGaP is provided to the field intensity reducing layer.
そして、上記第１のコンタクト層に電子の移動度が高いｎ型不純物が添加されたＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓを用い、且つ電界強度緩和層にイントリンシック型のＩｎＧａＰを設けたことを特徴としている。 - 特許庁 - In the hetero junction bipolar transistor, an InGaP layer 10 is provided between a collector layer 4 and a base layer 5, so that a hetero barrier is formed between the collector layer 4 and the base layer 5 to reduce the offset voltage.
ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ層４とベース層５との間にＩｎＧａＰ層１０を有するので、ヘテロ障壁がコレクタ層４とベース層５との間に形成されてオフセット電圧が低下する。 - 特許庁 - In the semiconductor layer element, a dopant resulting from mixing two elements Mg and Zn different in ease of diffusion is added to a p-InGaP clad layer 13 formed on an infrared laser active layer 12.
この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。 - 特許庁 - Moreover, although a buried gate electrode structure is used to ensure a withstand voltage in the unit FET, a buried portion is structured not to be diffused to an InGaP layer, thus preventing Pt from being diffused abnormally.
また単位ＦＥＴでは耐圧を確保するため埋め込みゲート電極構造を採用するが、埋め込み部をＩｎＧａＰ層に拡散させない構造とすることによりＰｔの異常拡散を防止できる。 - 特許庁 - The red laser element 1 has a double hetero structure wherein an InGaP system or AlGaInP system active layer 13 is sandwiched between a first conductive type cladding layer 12 and a second conductive type cladding layer 14 containing a ridge 14a.
赤色レーザ素子１は、第１導電型クラッド層１２と、リッジ１４ａを有する第２導電型クラッド層１４とによりＩｎＧａＰ系又はＡｌＧａＩｎＰ系活性層１３が挟まれたダブルへテロ構造を備える。 - 特許庁 - An active region is constituted of a DQW structure of an InGaP barrier layer 26 and an InGaAsP well layer 27 constituted by lattice matching with a GaAs substrate while guide layers 24, 28 are constituted of AlGaAs having an Al composition larger than 0.20.
活性領域をＩｎＧａＰバリア層２６とＧａＡｓ基板と格子整合したＩｎＧａＡｓＰ井戸層２７とのＤＱＷ構造とし、Ａｌ組成が０．２０よりも大きいＡｌＧａＡｓでガイド層２４，２８を構成する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor laser device comprising an AlGaAs clad layer, an InGaAsP or InGaP optical waveguide layer, and an InGaAs or InGaAsP quantum well layer formed on a GaAs substrate in which resistance and noise are reduced.
ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＡｓクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＰ光導波層、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層を備えた半導体レーザ素子において、低抵抗であって低ノイズなものとする。 - 特許庁 - In a heterojunction bipolar transistor having a collector layer (12), a base layer (13), and an emitter layer (14), an Au diffusion preventing layer (20) of InP or InGaP is formed between an emitter electrode (19) including gold and the base layer (13).
コレクタ層（１２）、ベース層（１３）及びエミッタ層（１４）を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、金を含むエミッタ電極（１９）とベース層（１３）との間に、ＩｎＰ又はＩｎＧａＰのＡｕ拡散防止層（２０）を備える。 - 特許庁 - When the hetero-junction bipolar transistor is manufactured, the base layer 4 composed of GaAs is grown, an AsH_3 gas is made to flow, an H_2 gas is made to flow, and an emitter layer 5 composed of InGaP is epitaxial-grown.
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造するに際し、ＧａＡｓからなるベース層４を成長した後、ＡｓＨ_3ガスをフローし、次にＨ_2ガスをフローし、その後にＩｎＧａＰからなるエミッタ層５をエピタキシャル成長することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a compound semiconductor epitaxial substrate for p-HEMT showing higher electron mobility, and comprising an InGaAs channel layer, an InGaP spacer layer, and spacers for each GaAs grown on a GaAs growth substrate.
ＧａＡｓ成長基板上に成長させたＩｎＧａＡｓチャネル層、ＩｎＧａＰスペーサー層、ＧａＡｓ別スペーサー層を有する、高い電子移動度を示すｐ−ＨＥＭＴ用化合物半導体エピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁 - On the substrate-surface side DBR mirror, a semiconductor layer including an InGaP layer functioning as a dampproof layer is provided to stop the AlGaAs-based DBR mirror of high Al composition from deteriorating in characteristics owing to moisture absorption.
基板表面側ＤＢＲミラーの上に、耐湿層としてはたらくＩｎＧａＰ層を含む半導体層を設けることにより、高Ａｌ組成のＡｌＧａＡｓ系ＤＢＲミラーにおける吸湿に伴う特性劣化を阻止する。 - 特許庁 - To obtain an evaluating method for obtaining an optimum condition by obtaining the distributions and the variations of the minority carrier lifetime, the majority carrier concentration and the thickness of a base layer between wafers and in the wafer of a InGaP/GaAs bipolar transistor HBT, and to obtain a manufacturing method thereof.
ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓのバイポーラトランジスタＨＢＴにおいてベース層の少数キャリヤ寿命、多数キャリヤ濃度、厚みのウエハ−間、ウエハ−内の分布、ばらつきを求めて最適条件を求める評価方法、製造方法を求めること。 - 特許庁 - In this semiconductor laser element, an InGaP etching blocking layer 11 as an etching selection layer having etching selectivity relative to current block layers 10 is formed on the n-type AlInP current block layer 10 as a layer which does not absorb light.
この半導体レーザ素子では、非光吸収層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０の上に、電流ブロック層１０に対してエッチング選択性を有するエッチング選択層としてのＩｎＧａＰエッチング阻止層１１が形成されている。 - 特許庁 - Two InGaP spacer layers 14, 16 for preventing the diffusion of In atoms, contained in the i-InGaAs channel layer 5 to the n-AlGaAs carrier supply layer sides, are inserted between the i-InGaAs channel layer and the n-AlGaAs carrier supply layers 3, 7.
ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層５とｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層３、７の間に、チャネル層のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することを防止するためのＩｎＧａＰスペーサ層１４、１６を挿入する。 - 特許庁 - The InGaP buffer layer 3 of thickness of 5 nm or more and 500 nm or less is formed on the semi-insulating GaAs substrate 1, and the heterostructure is formed by laminating an InAlAs layer 4 and an InGaAs channel layer 5 thereon.
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＩｎＧａＰバッファ層３を膜厚が５ｎｍ以上５００ｎｍ以下に形成し、その上にＩｎＡｌＡｓ層４及びＩｎＧａＡｓチャネル層５を成層することによりヘテロ構造を形成する。 - 特許庁
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