「INTERCONNECTION」を含む例文一覧(2610)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 52 53 次へ＞- To provide a wiring board which realizes a built-in passive function part and downsizing, to provide a method for manufacturing it, and to provide a multilayer interconnection board.
受動機能部内蔵と軽薄短小化が実現できる配線板とその製造方法、並びに、多層配線板を提供する。 - 特許庁 - To adjust a termination resistance to a desired value with respect to the variation in resistance values among interconnection layer resistors and the variation in on-state resistance values among transistors.
配線層抵抗およびトランジスタのオン抵抗の抵抗値のばらつきに対し、所望の終端抵抗値になるように調整する。 - 特許庁 - To prevent a short circuit current from flowing in an electric power system from a system interconnection power unit when short circuit is generated in the system.
電力系統の短絡発生時に系統連系電源装置からこの系統に短絡電流が流出するのを防止する。 - 特許庁 - To the differential interconnection passing through the via-hole having the open stab, the degree of coupling is made small with the differential characteristic impedance kept constant.
オープンスタブがあるビアホールを通過する差動配線に対して、差動特性インピーダンスは一定にしたまま、結合度を小さくする。 - 特許庁 - To reduce a reduction in an etching stopper film and to reduce damages to a lower-layer interconnection to a minimum, when a via hole and a moistureproof ring groove are etched.
ビア孔と耐湿リング溝とのエッチングにおいて、エッチングストッパ膜の膜減りを低減し、下層配線へのダメージを最小にする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a high-quality printed board for multilayer interconnection low in manufacture cost, by flattening the surface of the printed board.
プリント基板の表面を平坦化し、製造コストの安い、高品質の多層配線用プリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the interconnection structure, a pair of superconducting cables having superconducting conductor layers 113A, 113B at an outer periphery of formers 111A, 111B are connected with each other.
この中間接続構造は、フォーマ111A,111Bの外周に超電導導体層113A,113Bを備える一対の超電導ケーブル同士を接続する。 - 特許庁 - This interconnection system includes spacers aligned in a row so as to be adjacent to each other, each of these spacers having a cable disposed therein.
本相互接続システムは、互いに隣接して列に配置されたスペーサを含み、これらスペーサは内部に配置されたケーブル部を有している。 - 特許庁 - An improved LGA interconnection structure using small metal bumps on an electrically contact pad 20 of a substrate is provided.
基板の電気的コンタクト・パッド２０上に小型金属バンプ２１を用いる、改良したランド・グリッド・アレイ相互接続構造を提供する。 - 特許庁 - The portions for having an electric connection between the bumps 22 and the interconnection patterns 32 are positioned inside the second layer 12 of the bonding member 10.
バンプ２２及び配線パターン３２が電気的に接続する部分は、接着部材１０の第２の層１２の内部に位置してなる。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMITTING LASER ELEMENT, SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM
半導体分布ブラッグ反射器および面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム - 特許庁 - A mobile phone 40 having a camera section 44 is connected to a strobe built-in digital camera 10 by an interconnection cable 30 in a communication available way.
カメラ部４４を有した携帯電話機４０と、ストロボ内蔵デジタルカメラ１０を接続ケーブル３０によって通信可能に接続する。 - 特許庁 - The translucent conductor 50 is electrically connected to a part of the interconnection structures 42 and 43, and thus a pixel sensor array is obtained.
透光性導体５０は、相互接続構造４２、４３の一部に電気的に接続され、これにより画素センサアレイが完成する。 - 特許庁 - To solve the problem that copper corrodes and current does not flow in a copper interconnection when CMP (Chemical and Mechanical Polishing) is carried out using slurry chemically changing a copper plating film.
銅めっき膜を化学的に変化させるスラリーを用いてＣＭＰすると、銅が腐食して、銅配線に電流が流れなくなる。 - 特許庁 - To provide a system interconnection inverter device capable of suppressing the harmonic distortion of output AC current to a higher degree.
出力する交流電流の高調波歪みの抑制をより高度に行うことができる系統連系インバータ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an inexpensive wavelength conversion device by using a method for reducing the number of components and allowing optical interconnection to be easily performed.
部品点数を減らし、かつ容易な光接続を可能にする方法を利用することにより、安価な波長変換装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming the through-substate interconnection for a microelectronic device including a substrate having surface and back sides.
表側と裏側とを有する基板を含むマイクロエレクトロニクス・デバイスに基板を貫通する相互接続部を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - An insulating film SI is formed on the copper interconnection layer CL1, via the diffusion-preventing insulating film DP interposed and is made of SiN.
絶縁膜ＳＩは、拡散防止絶縁膜ＤＰを介して銅配線層ＣＬ１上に形成されており、かつＳｉＮよりなっている。 - 特許庁 - The substrate 10 for a semiconductor device is provided with a supporting base 12, an interconnection layer 14 including interconnections 13, and an insulative resin layer 16.
半導体装置用基板１０は、支持基体１２、配線１３を含む配線層１４、および絶縁性樹脂層１６を備えている。 - 特許庁 - Interconnection points are arranged in the matrix, so that two different transmission lines have one common voltage reference path.
相互接続点はマトリクスで配置され、それにより２つの別個の伝送路が１つの共通電圧基準経路を持つようになっている。 - 特許庁 - The n-side electrode 20 and the p-side electrode of the plurality of light-emitting portions 1 are connected in series parallel by an interconnection film 3.
この複数個の発光部１のｎ側電極２０とｐ側電極とを、配線膜３によりそれぞれ直並列に接続する。 - 特許庁 - To provide a system for changing an existing system interconnection solar power generation system into a low running cost simple disaster prevention solar power generation system.
既存の系統連系ソーラー発電システムを低ランニングコスト簡易防災型ソーラー発電システムに変更させるシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide the structure of an integrated circuit having a logic/functional device layer and an interconnection layer above it.
論理・機能デバイス層と、この論理・機能デバイス層の上方にある相互接続層とを有する集積回路構造を提供すること。 - 特許庁 - The semiconductor device 1 comprises interconnection layers 10 and 20, IC chip 30, via plugs 42 and 44, sealing resin 50, and solder balls 60.
半導体装置１は、配線層１０，２０、ＩＣチップ３０、ビアプラグ４２，４４、封止樹脂５０、および半田ボール６０を備えている。 - 特許庁 - The passivation layer is selected from material (for example: Ta) which is metallurgically stable when the passivation layer is bonded to interconnection material.
このパッシベーション層は、相互接続材料にボンディングされたときに金属学的に安定した材料（例：Ｔａ）から選択される。 - 特許庁 - Preferably, interconnection of the circuits between the blades is made possible, by forming the discs out of an insulating base material with a conductive pad thereon.
好ましくは、上に導電性パッドを有する絶縁基板材料でディスクを形成して、ブレード間の回路の相互接続を可能にする。 - 特許庁 - An insulation film I3 has a multilayer structure which is such that insulation films 14-17 are formed in this order on the upper surface of a second interconnection layer L2.
絶縁膜Ｉ３は、絶縁膜１４〜１７がこの順に第２配線層Ｌ２の上面上に積層された構造を有している。 - 特許庁 - A two-way communication terminal device 14 and a one-way communication terminal device 18 are connected to each other by an interface part 50 for interconnection.
双方向通信端末装置14と片方向通信端末装置18とは相互接続用インタフェース部50によって相互接続されている。 - 特許庁 - The two-way communication terminal device includes an interface 52 for interconnection, an alarm signal detecting and notifying part 56, and an OAM frame processing part 58.
双方向通信端末装置は、相互接続用インタフェース52とアラーム信号検出・通知部56とOAMフレーム処理部58とを具えている。 - 特許庁 - An interconnection structure 102 includes at least one flow channel 104 initially defined by a removable sacrificial material 110.
相互接続部構造１０２は、除去可能な犠牲材料１１０により当初規定される少なくとも１つの流路１０４を含む。 - 特許庁 - A passage 37 penetrates through the dielectric material layer 36 while the end part 34 of the electric interconnection unit 33 is connected to the inductor 21.
通路３７は誘電体材料層３６を貫通し、かつ、電気相互接続部３３の端部３４をインダクタ２１に接続している。 - 特許庁 - To provide a relay which can be manufactured at low cost, and with interconnection and compatibility with a printed circuit board having terminal alignment of a certain type.
低コストで製造でき、上述のタイプの端子配列を有する印刷回路基板との相互接続と互換性があるリレーの提供。 - 特許庁 - An input switch 13 is connected between a first power supply terminal 1a and an interconnection point P1 of the first and second capacitors 7, 8.
第１の電源端子１ａと第１及び第２のコンデンサ７、８の相互接続点Ｐ１との間に入力スイッチ１３を接続する。 - 特許庁 - A solder wettable metal film 16 (metal film) is formed on one part of the conductor interconnection 14 exposed on the surface of the insulated layer 12.
絶縁層１２の表面に露出する導体配線１４の一部上には、半田濡れ金属膜１６（金属膜）が形成されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which is reduced in capacitances among interconnections and among variations in the interconnection resistances.
配線間の容量の低減および配線抵抗のばらつきの低減が図られる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming the interconnection of substrate penetration for a microelectronic device including a substrate (30) having a surface and back side.
表側と裏側を有する基板を含むマイクロエレクトロニクス・デバイス用の基板貫通の相互接続部を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - On a wiring board 1 formed, on the top surface, with a multilayer interconnection, a lower chip 2 is bonded using an insulating adhesive or the like.
上面に多層配線が形成された配線基板１上に、絶縁性の接着剤等を介して下チップ２が接合されている。 - 特許庁 - A protective diode 11 is connected across the gate electrode interconnection of the transistor 5 and the source of the transistor 5.
横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート電極配線と横形ＤＭＯＳトランジスタ５のソースとの間に保護ダイオード１１が接続されている。 - 特許庁 - Then, a second insulation film is formed on the first insulation layer and on the wiring pattern which is now completed as an interconnection layer (threatment S7).
その後、配線層としてでき上がった配線パターン上を含んで第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する（処理Ｓ７）。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR INTERCONNECTION CONSTITUTED BY USE OF METAL FILM CONTAINING CARBON NANOTUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING METAL FILM CONTAINING CARBON NANOTUBE
カーボンナノチューブ含有金属膜を用いてなる半導体配線とその製造方法、およびカーボンナノチューブ含有金属膜の製造方法 - 特許庁 - COPPER INTERCONNECTION STRUCTURE USING AMORPHOUS TANTALUM-IRIDIUM DIFFUSION BARRIER, FORMING METHOD THEREFOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY THE METHOD
アモルファスなタンタル−イリジウム拡散バリアを用いた銅相互接続構造、その形成方法、および該方法による半導体デバイス製造方法 - 特許庁 - The second interconnection path 43 is disposed at a position protruding in the lateral direction or an up-and-down direction from a build constituting a core part 100.
第２連通路４３は、コア部１００を構成する体格よりも横方向または上下方向に突出した位置に配置される。 - 特許庁 - To provide an optical module which has such a structure as to reduce the inductance of an interconnection for connecting a semiconductor light emitting device and a driving device.
半導体発光素子と駆動素子とを接続する配線のインダクタンスを低減できる構造を有する光モジュールを提供する。 - 特許庁 - Then, on the bottom face of the base plate 1 containing the vertical continuity portions 4 and 5, the lower-layer interconnection 42 containing a lower-layer base metal layer 41 is formed.
次に、上下導通部４、５を含むベース板１の下面に下層下地金属層４１を含む下層配線４２を形成する。 - 特許庁 - To provide a technology for suppressing occurrence of dishing and erosion, when an embedded interconnection is formed through CMP method.
ＣＭＰ法によって埋め込み配線を形成する際のディッシングやエロージョンの発生を抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁 - The optical bridge of this invention has little optical loss, and is less affected by displacement than an interconnection by a conventional technique.
本発明の光学ブリッジは、少ない光学損失を有し、従来技術の相互接続よりも位置ずれによる影響を受けにくい。 - 特許庁 - To provide an optical transmitter that can be applied to a wavelength multiple light interconnection device, and an element-packaging method that can manufacture the optical transmitter.
波長多重光インターコネクション装置に適用可能な光伝送装置と、それを製造可能とする素子実装方法を提供する。 - 特許庁 - OPTICAL PATH DEVIATION ELEMENT AND DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE, OPTICAL WRITING DEVICE, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, OPTICAL ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD
光路偏向素子、光路偏向装置、画像表示装置、光書込み装置、光インターコネクション装置、光学素子及びその製造方法 - 特許庁 - Since the first interconnection hole 12 is closed, intrusion of ink into a third chamber 10 is prevented surely at the time of filling ink.
この場合、第１連通孔１２が閉塞されるため、インク充填時に第３室１０へのインクの侵入が確実に防止される。 - 特許庁 - A system is described for executing document scanning jobs intended for a remote work station through using a wireless interconnection between the work station and a scanner facility.
ワークステーションとスキャナ装置との間の無線接続を介し、リモートワークステーションを対象とした文書スキャニングジョブを実行するシステム。 - 特許庁
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