「In Memory」を含む例文一覧(49990)

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  • To provide a semiconductor memory in which a defective memory cell can be detected at a high speed.
    不良メモリセルを高速に検出することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • CONTROLLING CIRCUITRY AND MEMORY ARRAY RELATIVE HEIGHT IN PHASE CHANGE MEMORY FEOL PROCESS FLOW
    相変化メモリのＦＥＯＬプロセスフローにおける回路及びメモリアレイの相対的高さの制御 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device in which the test time of a mounted memory can be shortened.
    搭載されたメモリのテスト時間を短縮できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To reproduce an error having occurred in a memory module even when a controller or the memory module is changed.
    コントローラやメモリモジュールを交換してもメモリモジュールに発生したエラーを再現する。 - 特許庁
  • To obtain an image processor having a page memory in which processing for clearing the page memory is reduced.
    ページメモリを備える画像処理装置において、ページメモリのクリア処理を低減する。 - 特許庁
  • To efficiently and inexpensively perform a memory test in a semiconductor device that includes a semiconductor memory.
    半導体メモリを含む半導体装置におけるメモリテストを低コストで、効率よく行う。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory and a memory system in which data bus efficiency is improved.
    データバス効率を向上させた半導体記憶装置およびメモリシステムを提供する。 - 特許庁
  • To obtain a semiconductor memory in which measures for software error are taken to a SRAM memory cell.
    ＳＲＡＭメモリセルにソフトエラー対策を施した半導体記憶装置を得ること。 - 特許庁
  • A memory cell array 110 has the 1T/1C type memory cell arranged in a matrix state.
    メモリセルアレイ１１０は、行列状に配置された１Ｔ／１Ｃ型メモリセルを有する。 - 特許庁
  • METHOD FOR INTERCONNECTION BETWEEN SELECTED MEMORY DEVICE IN LIBRARY OF MEMORY DEVICES AND COMPUTER
    記憶装置のライブラリ内の選択された記憶装置とコンピュータを相互接続する方法 - 特許庁
  • Thereafter, the purchased commodity information in the registration specification memory is added to the registration history memory.
    その後、登録明細メモリの買上商品情報を登録履歴メモリに追加する。 - 特許庁
  • To provide a programming method in a memory cell utilizing three latches, and a semiconductor memory device.
    ３個のラッチを利用するメモリセル・プログラミング方法及び半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND CAPACITOR FORMED IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
    ダイナミックランダムアクセスメモリの形成方法及びダイナミックランダムアクセスメモリ内に形成されたキャパシタ - 特許庁
  • An OTP memory in accordance with one mode includes one or a plurality of memory arrays.
    本発明の一態様によるＯＴＰメモリは、１つまたは複数のメモリアレイを含む。 - 特許庁
  • In one embodiment, the memory (20) comprises an array of memory cells (26) and a control circuit (22).
    一実施形態においてメモリ（２０）は、メモリセルアレイ（２６）と制御回路（２２）とを含む。 - 特許庁
  • The address bus 5 transfers an address to the waveform memory 2 and a delay memory 3 in time division.
    アドレスバス5は、波形メモリ2と遅延メモリ3に対するアドレスを時分割で転送する。 - 特許庁
  • In uniform memory access configurations, or UMA, all processors can access main memory at the same speed.
    均一メモリアクセス（UMA）構成では、すべてのプロセッサは主記憶に同じ速度でアクセスできる。 - コンピューター用語辞典
  • Select the second memory snapshot in the Select Snapshot to Compare dialog box and click OK.The Liveness Comparison window opens displaying the differences between the two memory snapshots.
    「ライブの比較」ウィンドウが開き、2 つのメモリースナップショットの差が表示されます。 - NetBeans
  • In an image memory 1, image data for one screen is stored by a memory control part 2.
    画像メモリ１は、メモリ制御部２によって、１画面分の映像データが格納される。 - 特許庁
  • The extendable memory holder retains memory in the through housing and hands over longitudinally.
    伸長可能な記憶装置ホルダは、記憶装置を通過ハウジング内に保持し、縦方向に渡す。 - 特許庁
  • To provide a memory device in which memory cells having mutually complementary data are arranged.
    互いに相補されるデータを有するメモリセルが配列されるメモリ装置を提供すること。 - 特許庁
  • To enhance the management of data in a main body memory and a backup memory.
    本体メモリ及びバックアップメモリのデータ管理の向上を図ることを目的としている。 - 特許庁
  • A memory residual capacity R is substituted into a memory residual capacity backup RB in a step S205.
    ステップＳ２０５でメモリ残容量バックアップＲＢにメモリ残容量Ｒを代入する。 - 特許庁
  • SYSTEM INCLUDING FLASH MEMORY, FLASH MEMORY BUILT-IN LSI, AND DEBUGGING SYSTEM USING THEM
    フラッシュメモリを含むシステムおよびフラッシュメモリ内蔵ＬＳＩ並びにそれらを用いたデバッグシステム - 特許庁
  • In addition, the flash memory device further includes control means for mapping an address of the flash memory from a host so as to divide structure of the buffer memory into the main region and the spare region and for controlling the flash memory and the buffer memory so as to store data of the buffer memory into the flash memory or so as to store data of the flash memory into the buffer memory.
    また、フラッシュメモリ装置は、バッファメモリの構造がメイン領域とスペア領域とに分離されるように、ホストから印加されたアドレスをマッピングし、そしてバッファメモリのデータがフラッシュメモリに貯蔵されるように又はフラッシュメモリのデータがバッファメモリに貯蔵されるようにフラッシュメモリとバッファメモリとを制御する手段を含む。 - 特許庁
  • To provide an integrated memory in which simultaneous write-in of the same logic information is easily performed in plural memory cells.
    同一の論理情報の同時の書き込みが複数のメモリセルにおいて簡単に行われる集積メモリを提供する。 - 特許庁
  • To provide a memory array write-in port which can write data in an array of a memory cell two times in each clock cycle.
    各クロックサイクルにおいて、メモリセルのアレイにデータを２回書き込むことができるメモリアレイ書き込みポートを提供する。 - 特許庁
  • A command signal, an address signal or a data signal outputted from the memory controller are sequentially transferred to a memory in a final stage from a memory in an initial stage, and the data signal outputted from the memory in the final stage is inputted to the memory controller.
    メモリコントローラから出力されるコマンド信号、アドレス信号、又はデータ信号が、初段のメモリから最終段のメモリまで順次転送され、最終段のメモリから出力されるデータ信号がメモリコントローラに入力される。 - 特許庁
  • To provide a memory write-in device having plural memory blocks where the time from the start of erasing data for a memory block, in which a memory is erased per memory block unit, to the finish of write-in of data is shortened.
    複数のメモリブロックを有してメモリブロック単位でデータが消去されるメモリの書き込み先となるメモリブロックに対するデータ消去開始からデータ書き込み完了までの時間を短くするメモリの書き込み装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a memory device in which data stored in a memory cell array are compared with test data stored in the memory device or inverted data of the test data to detect defect of the memory device and to provide a parallel bit test method of the memory device.
    メモリセルアレイに貯蔵されたデータをメモリ装置の内部に貯蔵されたテストデータまたはテストデータの反転データと比較してメモリ装置の不良を検出するメモリ装置及びこの装置の並列ビットテスト方法を提供する。 - 特許庁
  • This printing system comprises the detection of the insertion of a memory card in a slot, the analysis of the contents of the memory card and the execution of a different printing in response to the contents of the memory.
    メモリカードをスロットに挿入したことを検知し、メモリカードの内容を解析し、メモリの内容により、異なった印刷を行う。 - 特許庁
  • If the data exists in the cache memory 120, the required data is read from the cache memory 120, but if no data exists in it, the data is directly read from the main memory 150.
    キャッシュメモリ１２０にある場合はキャッシュメモリ１２０から必要なデータを読み出し，ない場合は，直接メインメモリ１５０から読み出す。 - 特許庁
  • To realize a semiconductor memory device whose capacitance value per unit area in a memory cell is increased without increase in the area of the memory cell.
    メモリセル面積を拡大させることなく、メモリセルにおける単位面積あたりの容量値を増やした半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁
  • The list of blocks located in order is stored in the memory of the first level by the scheduler while being connected with the memory of the second level by a memory bus.
    第１レベルのメモリはメモリ・バスによって第２のレベルのメモリと接続し順に並べられたブロックのリストがスケジュラによって記憶される。 - 特許庁
  • When it agrees with the fingerprint data in the memory card 16, confinement in the use of the memory card 16 by a memory-card use control means 63 is released.
    メモリーカード１６内の指紋データと一致すると、メモリーカード使用制御手段６３によるメモリーカード１６の使用制限を解除する。 - 特許庁
  • To perform in a normal manner even when a standard memory is inserted into a memory slot for an option memory in a high function machine.
    高機能機においてオプションメモリ用のメモリスロットに標準メモリを装着してしまった場合でも、通常通りに動作することを可能とする。 - 特許庁
  • The first memory element is connected in parallel with the second memory element, and the first and second memory elements are connected in series with the switching element.
    第１のメモリ素子は並列に第２のメモリ素子と接続され、第１および第２のメモリ素子はスイッチング素子に直列に接続される。 - 特許庁
  • The control part 11 of a memory controller 1 temporarily writes data to be written in a non-volatile memory 2 in the data region of a volatile memory 12.
    メモリ制御装置１の制御部１１は、不揮発性メモリ２に書き込むべきデータを揮発性メモリ１２のデータ領域に一旦書き込む。 - 特許庁
  • To improve operation efficiency by optimizing the number of bits for operating memory cells in a row en bloc in one memory cell row of a VG type memory cell array.
    ＶＧ型メモリセルアレイの１つのメモリセル行に対し、その行内一括して動作させるビット数を最適化して動作効率を高める。 - 特許庁
  • When a memory card is set, a list of files stored in the set memory card is stored in the memory card box area of a hard disk 170.
    メモリカードがセットされると、セットされたメモリカードにストアされているファイルの一覧がハードディスク１７０のメモリカードボックス領域ににストアされる。 - 特許庁
  • The memory control device detects whether or not state of the memory cell is in an abnormal state on the basis of the information stored in the memory cell.
    メモリ制御装置は、メモリセルが保持している情報に基づいて当該メモリセルの状態が異常状態であるか否かを検出する。 - 特許庁
  • A learning reservation processing part 7 monitors the memory area secured in the first memory part 1 from the memory allocation processing part 5, and prepares reservation securing information as to a specified memory area for fragmentizing the first memory part 1 to be stored in the second memory part 9.
    学習予約処理部７はメモリアロケーション処理部５から第１のメモリ部１に確保したメモリ領域を監視し、第１のメモリ部１を断片化する特定メモリ領域に関する予約確保情報を作成して第２のメモリ部９に格納する。 - 特許庁
  • When one removable memory is fully written with the image data, the memory ID of the other removable memory is written in as the link information of that removable memory and the memory for writing in the image data is switched.
    一方の着脱可能メモリに画像データの書き込み余地がなくなると、他方の着脱可能メモリのメモリＩＤがその着脱可能メモリのリンク情報として書き込まれ、画像データの書き込み先が切り替えられる。 - 特許庁
  • A memory cell array 1 comprises a plurality of memory cells arranged in a matrix and having first memory cells for storing writing data and second memory cells for storing error correction check bits for the data stored in the first memory cells.
    メモリセルアレイ１は、複数のメモリセルがマトリクス状に配列され、書き込みデータを記憶する第１のメモリセルと第メモリセルのデータに対して誤り訂正用の検査ビットを記憶する第２のメモリセルを有する。 - 特許庁
  • This memory device includes a first memory array block in which programmed memory cells are arranged and a second memory array block in which programmable and erasable memory cells are arranged.
    メモリセルのうちプログラムされたメモリセルが配列される第１群のメモリアレイブロックとメモリセルのうちプログラム及び消去可能なメモリセルが配列される第２群のメモリアレイブロックとを含む複数のメモリセルが配列されるメモリ装置。 - 特許庁
  • To provide a memory device provided with mechanism for strengthening a memory state without boosting voltage to a level at which damage is given to memory cell structure and a method for writing in memory cells in the memory device.
    本発明は、記憶セル構造に損傷を与えるレベルまで電圧をブーストすることなく、記憶状態を強化するための機構を備えた、メモリ装置およびメモリ装置における記憶セルへの書き込み方法を提供する。 - 特許庁
  • Write of the data is performed to one of the high speed built-in memory and the high speed operation data memory and furthermore, to the low speed operation data memory and read of the data is performed from the high speed built-in memory and the high speed operation data memory.
    データの書き込みは、高速内蔵メモリと高速演算データメモリの一方と、更に、低速演算データメモリに対して行い、データの読み出しは、高速内蔵メモリと高速演算データメモリから行う。 - 特許庁
  • The main memory comprises: memory cells for holding the backup target information written in the main memory; and a control unit for, when a writing error in the memory cells occurs, determining whether the main memory reaches the end of its service life.
    メインメモリは、当該メインメモリに書き込まれたバックアップ対象情報を保持するメモリセル群と、メモリセル群への書き込みエラーが発生したとき、当該メインメモリが寿命を迎えたか否かを判断する制御部とを有する。 - 特許庁
  • To provide a method for determining an optimal size for a memory allocation unit allocated from a memory pool comprising frame buffer memory and a display list memory in response to a memory allocation request for a pixmap in a printing device.
    印刷装置において、ピクスマップのメモリ割当要求に応じてフレームバッファメモリ及びディスプレイリストメモリを含むメモリプールから割り当てられるメモリアロケーションユニットの最適なサイズを決定する方法を提供する。 - 特許庁
  • Divided figures are temporarily stored in a memory.
    分割された図形は、メモリに一時的に格納される。 - 特許庁
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