「Isolation」を含む例文一覧(7498)
＜前へ 1 2 .... 117 118 119 120 121 122 123 124 125 .... 149 150 次へ＞- As the result, the silicon wafer 20 can be prevented from warping more after a device process is carried out, and a transfer trouble or the like occurring in the laminated dielectric isolation wafer due to a warpage increase in the silicon wafer 20 can be reduced in frequency of occurrence.
その結果、デバイス工程後のシリコンウェーハ２０の反りの増大を防止でき、よってシリコンウェーハ２０の反りの増大を原因とした貼り合わせ誘電体分離ウェーハの搬送トラブルなどの発生頻度を低減できる。 - 特許庁 - Also, the DC power source unit 11 is divided into multi-system power sources for the controller part 10, the servo control part 12 and the brake of a manipulator 8, and isolation transformers T1 to T4 and protecting circuits 203 to 206 are arranged for each of those systems.
また、ＤＣ電源ユニット１１は、コントローラ部１０、サーボ制御部１２、およびマニュピレータ８のブレーキ用の多系統の電源に分離し、これら系統毎に絶縁トランスＴ１〜Ｔ４及び保護回路２０３〜２０６を有する。 - 特許庁 - Thus, in installation with the flexible member 10, the vibration damping member 14 includes a contact part 17 for contacting with the flexible member 10, and an isolation part 18 positioned between the contact part 18 and itself and not contacting with the flexible member 10.
これにより、フレキシブル部材１０との組付け時に、制振部材１４は、フレキシブル部材１０と接触する接触部分１７と、接触部分１７間に位置してフレキシブル部材１０と接触しない離隔部分１８とを有する。 - 特許庁 - The oxide film 13 in a logic section is formed, in contact with the lower surface of a first diffusion region 22 and away from the element isolation insulating film 11, in a region below a gate electrode 21 and a first diffusion region 22.
ここで、ロジック部の埋め込み酸化膜１３は、第１の拡散領域２２の下面に接してかつ素子分離絶縁膜１１と離間して、ゲート電極２１及び第１の拡散領域２２の下方の領域に形成されている。 - 特許庁 - Crystal defects are repaired by RTA without affecting an impurity profile, and a reduction is made in interface level through an interface level reduction treatment, whereby a leakage current occurs less in an element isolation insulating film.
ＲＴＡにより不純物プロファイルに影響を与えることなく結晶欠陥を修復し、かつ界面準位低減処理による界面準位の低減とあいまって、素子分離絶縁膜におけるリーク電流を低減する。 - 特許庁 - RESIDUE-FILM THICKNESS ASSUMING METHOD, PATTERN-MASK AND ISOLATION-FILM-REMOVING-MASK MODIFYING WAYS BY THE WAY, AND SEMICONDUCTOR-ELEMENT MAKING WAY BY THE MASKS
残膜厚分布の推定方法、残膜厚分布の推定方法を用いたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクの修正方法、及び、修正されたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁 - An underfloor space X for circulating the outside air to the underfloor space is formed between foundation concrete 11 of the foundation 10 and a floor board 211 of the building body 20 by a receiving base part 11 of the foundation 10 and the base-isolation device 30.
基礎１０の受台部１１および免震装置３０により、基礎１０の基礎コンクリート１１と建物本体２０の床板２１１との間には、床下に外気を流通させる床下空間Ｘが形成されている。 - 特許庁 - Then, when the thickness of the floor slab of the base isolation bottom floor is increased by utilizing the space and weight is increased, the centroid of the upper floors is lowered, and the drawing force applied to the seismic isolator 20 when an earthquake occurs is reduced.
そこで、このスペースを利用して免震最下階の床スラブの厚さを厚くして重量を増加させると、上部階の重心を下げることができ、地震発生時に免震装置２０にかかる引抜力を低減することができる。 - 特許庁 - To provide abrasive powder for planarizing a plane to be polished of an oxidation insulating film efficiently at a high speed while facilitating process management, and applicable to shallow trench isolation because of a high polishing speed ratio to a silicon nitride film.
酸化絶縁膜等の被研磨面の平坦化を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができ、かつ窒化珪素膜との研磨速度比が大きくシャロー・トレンチ分離にも適用可能な研磨剤を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrode and an isolation layer of a touch device which have the same color, thereby enabling a user of the touch device to perceive a good visual effect without having to employ expensive adhesive films or decorative films in the touch device.
タッチ装置の電極及び絶縁層は同じ色であり、故に、タッチ装置のユーザは、タッチ装置において高価な接着膜及び装飾用膜を用いる必要なしに、良好な視覚的効果を認識することができる。 - 特許庁 - In this case, by observing the known voltage on the isolation circuit, even when signal voltages of each sensor 24a, 24b, 15a are zero, the presence of cable disconnection, including the output signal line 32a, can be determined.
この場合には、これら各センサ２４ａ、２４ｂ、１５ａの信号電圧が０の場合も、上記分離回路側で上記既知の電圧分を観察すれば、上記出力信号線３２ａを含むケーブルの断線の有無を判定できる。 - 特許庁 - To provide a seismic isolation building by which a force resisting against an overturning moment received by the superstructure of a building during earthquake cap be made relatively greater and which can be applied even to a building or a high-rise building having a large aspect ratio.
地震時に上部構造が受ける転倒モーメントに対して抵抗しようとする力を相当に大きくすることができ、よって、アスペクト比の大きな建物や高層建物についても適用できる免震建物を提供する。 - 特許庁 - To provide a base-isolation supporting device for a crane capable of absorbing the remor of earthquake efficiently while the stability of the crane is enhanced in a simple structure and without installing any ballast etc. at all and embodying in a compact construction with the overall height suppressed.
簡単な構造で且つバラスト等を一切搭載せずに、クレーンの安定性を高めつつ地震の揺れを効率良く吸収し得、更に全体の高さ寸法を抑えてコンパクト化を図り得るクレーンの免震支持装置を提供する。 - 特許庁 - To provide base isolation reinforcement capable of obtaining an excellent strength and toughness in the connection part between a column and a beam even when a joint between the column and the beam of a reinforcing frame and an existing building becomes large.
施工が容易であるとともに、補強架構と既存建物の柱梁架構との間の目地が大きくなった場合においても、両者の接合部において優れた強度と靭性とを得ることができる耐震補強を提供する。 - 特許庁 - Circuit elements 52A and 52B, which are respectively decided to constitute each circuit device, are respectivey mounted on the paths 51A and 51B and the circuit devices are individually covered with an insulative resin 50 in such a way that the circuit devices are respectively filled in the isolation grooves 61.
各回路装置を構成することになる各回路素子５２Ａ・５２Ｂを導電路５１Ａ・５１Ｂ上にそれぞれ実装し、分離溝６１に充填されるように各回路装置を絶縁性樹脂５０で個別に被覆する。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a semiconductor device, a silicon nitride film 112 in which a region corresponding to an element isolation region is opened is used as a mask, and a part of a silicon oxide film 111 and a semiconductor silicon substrate 110 is removed by sequential etching to form a trench 114.
素子分離領域に対応する領域が開口されたシリコン窒化膜１１２をマスクとしてシリコン酸化膜１１１および半導体シリコン基板１１０の一部を順次エッチングにより除去してトレンチ１４を形成する。 - 特許庁 - Consequently, the second gate insulating film is left nearby the device isolation insulating film in the first active region and in the entire second active region, so a divot is not formed or formed in a small size even when formed.
これにより、第１の活性領域の素子分離絶縁膜近傍、並びに第２の活性領域の全体では、この第２のゲート絶縁膜が残っているため、ディボットが生じることがないか、生じたとしてもサイズが小さくなるのである。 - 特許庁 - To accelerate a writing operation and an erasing operation and to reduce power consumption by reducing the resistance of a well region in a semiconductor storage device having well regions partitioned by an element isolation region used as bit lines.
素子分離領域により区分されたウェル領域をビット線として使用する半導体記憶装置において、ウェル領域を低抵抗化することで書込み動作および消去動作を高速化および低消費電力化する。 - 特許庁 - A semiconductor device is provided with an element isolation section 4 made of a material having a higher coefficient of thermal conductivity than the buried insulating layer 1b of the SOI substrate 1 between paired bipolar transistors Q1 and Q2 provided on the semiconductor layer lc of the substrate 1.
ＳＯＩ基板１の半導体層１ｃに設けられた対をなすバイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２間に、ＳＯＩ基板１の埋込絶縁層１ｂよりも熱伝導率の高い材料からなる素子分離部４を設けた。 - 特許庁 - In this conveying device provided with the fork arm 11 for conveying the cargo, the fork arm is covered by a conveying tray 14, and a base-isolation material 15 composed of an elastic material is placed between the conveying tray and the fork arm.
貨物を搬送するためのフォークアーム１１を有する搬送装置において、上記フォークアームは搬送トレイ１４で覆われ、この搬送トレイと上記フォークアームとの間には弾性材料からなる免振材１５が設けられている。 - 特許庁 - The carbonaceous adsorbent regenerated by an isolation/regeneration apparatus 3 is turned back to other fluidizing layers 16b and 16c through a line (a second return means) L5, after being separated from dust by a sieving apparatus (a second separation and removal means) 4.
他の移動層１６ｂ、１６ｃには、脱離・再生器３で再生された炭素質吸着剤が篩分器（第２の選別除去手段）４でダスト等を除去された後、ライン（第２の返送手段）Ｌ５によって返送される。 - 特許庁 - The basic performance of the FET is enhanced even if the gate width is shrunk, and since a clearance between the FETs can be reduced by shrinking the gate width with characteristics equivalent to conventional characteristics, a 5 GHz switch having enhanced isolation can be obtained.
ゲート幅を縮小してもＦＥＴの基本性能が向上しており、従来同等の特性で、ゲート幅をシュリンクし、ＦＥＴ間の離間距離を低減できるので、アイソレーションが向上した５ＧＨｚスイッチを実現できる。 - 特許庁 - To reduce the number of components and assembling man hour by simplifying the constitution, in a sensor device that has, in a case, a mounting substrate mounted with a sensor element and has a vibration isolation structure for preventing external vibration from transferring to the mounting substrate.
センサ素子を実装した実装基板をケース内に備えると共に、外部の振動をその実装基板に伝えなくするための防振構造を備えるものにあって、構成を簡単化して部品点数や組付工数の削減を図る。 - 特許庁 - To provide a seal for a medical instrument capable of mitigating the risk of electrical shock and/or contamination of a tube by fluids, obtaining isolation from electrical shock and/or short-circuiting caused by fluid contact.
流体による管の電気的衝撃および／または汚染のリスクを軽減すること、および流体接触に起因する電気的衝撃および／または短絡からの隔離を可能にする医療器具用シール装置を提供する。 - 特許庁 - To form a device in a comparatively simple structure, to facilitate even installation and to reduce manufacturing cost and construction cost in a small-stroke vibration isolation device, by which an object to be vibration- isolated is vibrated in approximately the same phase as a supporting structure.
免震対象物が支持構造体とほぼ同位相で振動するようにした小ストローク免震装置において、装置を比較的簡単な構造とし、取付けも容易とし、製作コストおよび施工コストの低減を図る。 - 特許庁 - To provide a package for a surface acoustic wave filter having three or four input/output wires formed from a mount part to an outer circumference of an insulation substrate that can solve the problem of insufficient isolation among the input/output wires in the conventional package.
搭載部から絶縁基体の外周にかけて形成された入出力用配線を３本または４本有する弾性表面波フィルタ用パッケージにおいて、入出力用配線間のアイソレーションが十分にとれない。 - 特許庁 - In a process for filling an isolation trench with an insulation film, a silicon oxide film deposited by HDP-CVD and a silicon oxide film deposited by SOG are laid in layer thus preventing the generation of void and enhancing yield.
素子分離用の溝の内部に絶縁膜を埋め込む工程において、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜とＳＯＧ法によるシリコン酸化膜とを積層させることにより、ボイドの発生を防止し歩留まりを向上させる。 - 特許庁 - The control unit 20 is possible to perform mode setting of power source at the starting time of either a coexistence mode which can perform band reservation by generating and transmitting the CDCF signal, or an isolation mode which does not perform the band reservation.
制御部２０は、ＣＤＣＦ信号を発生させ送信することにより帯域予約を行うことが可能な共存モードと、当該帯域予約を行わない孤立モードと、の何れかのモードへの電源起動時モード設定が可能である。 - 特許庁 - On an n-type GaAs substrate 100, a first laser oscillation part 101 is formed, and a second laser oscillation part 102 is formed so as to be located on the side of the first laser oscillation part 101 via an isolation trench 103.
ｎ型ＧａＡｓ基板１００上には、第１レーザ発振部１０１を形成すると共に、第１レーザ発振部１０１の側方に分離溝１０３を介して位置するように、第２レーザ発振部１０２を形成している。 - 特許庁 - To provide a miniaturized base isolation device installed in the inside of a foundation for a light weight structure to develope attenuation effect for an earthquake force 5d restoring effect to the original position and prevent horizontal movement against wind pressure.
軽量な構造物の基礎内部に小型化した免震装置を設置し、地震力の減衰効果、及び原点復帰効果を発揮し、風圧に対し水平移動を阻止するロック装置等を用いた免震装置を提供する。 - 特許庁 - To exhibit high supporting force correction sensibility for supporting position correction while having a very low spring constant required for vibration isolation performance, and to remarkably suppress a control energy consumption amount in correction control of the supporting force.
防振性能上求められる極めて低いバネ定数をもちながら、支持位置補正のための支持力補正感度が高い特性をもつと共に、その支持力の補正制御における制御エネルギー消費量を画期的に抑制する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a device isolation film of a semiconductor device, in which the characteristics of the device can be improved, by polishing a nitride film using a high-selectivity slurry comprising a compound of phosphoric acid base series, and preventing the generation of a moat.
本発明は、リン酸系列の化合物を含む高選択性スラリーを利用して窒化膜を研磨することで、モート(moat)の発生を防止して素子の特性を向上させる半導体素子の素子分離膜製造方法に関する。 - 特許庁 - After an embedded insulating film is formed by an HPP-CVD method in such a way as to embed the insulating film in the trenches 2, the insulating film on the parts other than the interiors of the trenches 2 is removed to form trench element isolation regions 3 in the substrate 1.
トレンチ２に埋め込むようにして、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により埋め込み絶縁膜を形成した後、トレンチ２の内部以外の部分の埋め込み絶縁膜を除去してトレンチ素子分離領域３を形成する。 - 特許庁 - The air bag 20 is provided with a tether 25 connected to a vehicle inside wall part 22 and a vehicle outside wall part 23 so that an isolation distance of wall parts 22 and 23 each other of the vehicle inside and the vehicle outside in the expansion part 21 for the front seat may be regulated.
また、エアバッグ２０は、前席用膨張部２１における車内側と車外側との壁部２２・２３相互の離隔距離を規制可能に、車内側壁部２２と車外側壁部２３とに連結されるテザー２５を備える。 - 特許庁 - To form magnetic isolation in a perpendicular magnetic recording medium using a high Ku material as a recording layer over the entire surface of the perpendicular magnetic recording medium to reduce noise in the perpendicular magnetic recording medium and a perpendicular magnetic recording apparatus.
垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録装置に関し、高Ｋｕ材を記録層として用いた垂直磁気記録媒体における、磁気的孤立化を垂直磁気記録媒体全面にわたり形成し、ノイズを低減する。 - 特許庁 - A color failure correction value calculating section 223 estimates the intensity of the yellow light source by identifying whether the images are photographed under the yellow light source or not in accordance with the isolation degrees and calculates the color failure correction values according to the intensity of the yellow light source.
カラーフェリア補正値算出部２２３は、前記離隔度に基づいて、黄色光源下で撮影された画像か否かを識別し、黄色光源強度を推定し、黄色光源強度に応じてカラーフェリア補正値を算出する。 - 特許庁 - The horizontal transfer section 14 includes: a horizontal channel region 41; and a plurality of horizontal transfer electrodes 42 formed by extending over the horizontal channel region 41 and the element isolation region 12 and being spaced apart from each other.
水平転送部１４は、水平チャネル領域４１と、水平チャネル領域４１の上及び素子分離領域１２の上に跨って且つ互いに間隔をおいて形成された複数の水平転送電極４２とを有している。 - 特許庁 - Thereby, a part of the P-type region 5 of one side of the electric charge transfer region 7 is set as an element isolation region 5a, and another part of the P-type region 5 of the other side of the electric charge transfer region 7 is set as a read-out gate region 5b.
これによって、電荷転送領域７の一側方のＰ型領域５部分を素子分離領域５ａとし、電荷転送領域７の他側方のＰ型領域５部分を読み出しゲート領域５ｂとする。 - 特許庁 - A lower silicon substrate 21 and an upper silicon pattern 25a which is electrically isolated from the lower silicon substrate 21 by an isolation layer 33a buried in the hole of an inverted T-shape, which is form in the lower silicon substrate 21, are included.
下部シリコン基板２１と、下部シリコン基板２１に形成された逆Ｔ字状のホールに埋没された分離絶縁層３３ａによって下部シリコン基板２１と電気的に分離された上部シリコンパターン２５ａとを含む。 - 特許庁 - The basic performance of the FET is enhanced even if a gate width is shrunk and since a clearance between FETs can be reduced while shrinking the gate width with characteristics equivalent to conventional characteristics, a 5 GHz switch having enhanced isolation can be obtained.
ゲート幅を縮小してもＦＥＴの基本性能が向上しており、従来同等の特性で、ゲート幅をシュリンクし、ＦＥＴ間の離間距離を低減できるので、アイソレーションが向上した５ＧＨｚスイッチを実現できる。 - 特許庁 - To improve gate breakdown voltage and reliability by relaxing concentration of electric field at a step part formed near a boundary between an active region and a field region trench, and suppressing production of a parasitic MOS in manufacture of a trench element isolation.
トレンチ素子分離の製造において、アクティブ領域とフィールド領域トレンチの境界付近に生じる段差部への電界集中を緩和し、寄生ＭＯＳの生成を抑制して、ゲート耐圧の向上、信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - Also, an action line L2 of a center axis of the bearing member 10 is arranged to pass a vertical surface upper projection point G of a center of gravity of a water heater 2 and perpendicularly to the wall surface (horizontal direction) to the wall surface in a vibration isolation bearing part 1B.
また、防振支持部１Ｂについては、支持部材１０の中心軸の作用線Ｌ２は、壁面に垂直（水平方向）、かつ、給湯器２の重心の垂直面上投影点Ｇを通過するように配置されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, capable of suppressing variations in impurity distribution of a gate electrode of effectively controlling the electric field concentration to an STI (shallow trench isolation) edge portion, and of suppressing that an effective channel width becomes narrow, and to provide a method of manufacturing the device.
ゲート電極の不純物分布のバラツキを抑え、ＳＴＩエッジ部分への電界集中をより効果的に制御でき、実効チャネル幅が狭くなることを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a joint testing body and a joint inspection method using the same, which allow highly accurate testing of the performance of a structure obtained by joining a lead cylindrical body with flanges made of steel, which is used as a seismic isolation damper.
建物の免震ダンパとして使用される鉛円柱体と鋼材からなるフランジとの接合部の性能試験を、高い精度で行うことができる接合部試験体及びそれを用いた接合部検査方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a vibration-suppression/base-isolation damper device which has such low temperature toughness as to be usable even in a cold district, absorbs vibration energy acting on a building structure or the like by earthquake or the like, and also can quickly converge the vibration.
寒冷地においても使用できる低温靭性を有し、地震等により建築構造物等に作用する振動エネルギーを吸収し、かつ、その振動を速やかに収斂させることのできる制振・免震ダンパー装置を提供する。 - 特許庁 - A sealed space is formed in the sealed housing; the isolation layer separates the sealed space into a first space and a second space; and at least a part of the sealed housing that encloses the first space is transparent.
前記密封筐体の中に、密封空間が形成され、前記隔離層が、前記密封空間を第一空間及び第二空間に分け、前記第一空間に囲まれた前記密封筐体の少なくとも一部が透明である。 - 特許庁 - To provide a method and a system for supporting a maintenance operation plan, by which an isolation operation can be readily planned, in a short period, in plant maintenance operation, and furthermore, man-power saving and accuracy improvement of operation can be attained.
プラントの保守作業において、短時間で容易にアイソレーション作業の計画立案を実現でき、更に業務の省力化と精度向上が図ることができる保守作業計画支援方法およびシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide an base isolation structure building which makes vertical and horizontal shakes from an earthquake difficult to be transmitted to a building space by loosely joining building structures, such as a floor, a ceiling, a wall and a window, which constitute building space, to pillars which are rigidly connected to the foundation.
建築空間を構成する床、天井、壁、窓等の建築構造物を基礎に剛結合された柱に緩く接合させることで、地震時の上下方向、水平方向振動が建築空間に伝わりにくくする。 - 特許庁 - To easily replace a laminated rubber for base isolation in a building structure such as a nuclear power generation facility or the like without floating the upper structure by a supporting structure such as a jack and without using an additional facility such as timbering or the like.
ジャッキ等の支持構造により上部構造物を浮かすことなく、また、支保工等の付加的設備を用いることなく、原子力発電施設等の建築構造物における免震用積層ゴムを容易に取替え可能にする。 - 特許庁 - Mat portions 3 and 4 of a seismic isolation foundation 1 include mat units 5 and 6 which are prefabricated by integrally combining at least a reinforcement and a form together, and concrete 9 and concrete 10, which are poured so as to embed the mat units 5 and 6 therein.
免震基礎１のマット部３、４は、少なくとも鉄筋と型枠を一体に組み合わせてプレファブ化されたマットユニット５、６と、マットユニット５、６を埋設するように打設されたコンクリート９、１０とを備えて構成されている。 - 特許庁
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