「Isolation」を含む例文一覧(7495)
＜前へ 1 2 .... 122 123 124 125 126 127 128 129 130 .... 149 150 次へ＞- The optical vibration isolation apparatus 3 includes the base member 301, the holding member 313 that holds the optical element L3, and actuators 401 to 403 that move the holding member in a direction different from an optical axis direction relative to the base member.
光学防振装置３は、ベース部材３０１と、光学素子Ｌ３を保持する保持部材３１３と、該保持部材をベース部材に対して光軸方向とは異なる方向に移動させるアクチュエータ４０１〜４０３とを有する。 - 特許庁 - In a process of previously protecting the device formation region with a thin protective film 10 upon forming a shallow trench portion 20 serving as a device isolation region in the semiconductor substrate 1, the protective film 10 comprises a harder material than a nitrided film (Si_3N_4).
半導体基板１に素子分離領域となる浅溝部２０を形成する際に、素子形成領域をあらかじめ薄膜の保護膜１０で保護する工程において、保護膜１０は窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）よりも硬い材料からなる。 - 特許庁 - To provide a radio receiver and a radio transmitter having excellent receiving and transmitting characteristics, where even when a local oscillator is shared, leakage is not generated in the other transmitting/receiving system and an adverse effect due to the incompleteness of isolation is not generated.
局部発振器を共用しても他の送受信系に漏れが生ぜずアイソレーションの不完全さによる悪影響を与えない、受信特性や送信特性の良好な無線受信機、無線送信機を提供すること。 - 特許庁 - Within the human period of the race development, it is safe to say, no individual has fallen into industrial isolation, so as to produce any one useful article by his own independent effort alone.
人類の発展が人間的な段階に達してからは、まあそう言っておいたほうが無難であろう、いかなる個人も産業的に孤立し、有用な品物を自分自身の独力だけで生産しなければならなくなったことは決してない。 - Thorstein Veblen『所有権の起源』 - A molecular recognition resin membrane 11 constituted by molecular-imprinting the template molecule of a specific compound molecule being an object of the fractional isolation is formed on a porous support membrane 12 having a large number of fine pores having an inner diameter permeable of a specific compound molecule being the object of the fractional isolation, the specific compound molecule is selectively dialyzed by the molecular recognition resin membrane 11 and the compound molecule is permeated through the fine pores of the porous support membrane 12.
分別・単離の対象となる特定の化合物分子を透過可能な内径を有する微細孔を多数備えた多孔質支持体膜１２上に、分別・単離の対象となる特定の化合物分子の鋳型分子を分子インプリントした分子認識樹脂膜１１を形成し、分子認識樹脂膜１１によって特定の化合物分子を選択的に透析させ、且つ多孔質支持体膜１２の微細孔から化合物分子を透過させる。 - 特許庁 - The bit line backing region S1 comprises bit line contact regions 9a including a part of the bit line diffusion layers 2 and having contacts 6, and a bit line contact isolation region 9b of the same conductive type as the substrate 1 interposed between the bit line contact regions 9a.
ビット線裏打ち領域Ｓ１は、ビット線拡散層２の一部を含みコンタクト６を設けるビット線コンタクト領域９ａと、ビット線コンタクト領域９ａに挟まれ基板１と同一導電型のビット線コンタクト分離領域９ｂとを備える。 - 特許庁 - To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device, which improves roughness of a trench side wall by implementing a predetermined cleaning process after element isolating trench etching, and forms a uniform side wall oxide film by skipping a PET process.
素子分離用トレンチエッチング後に所定の洗浄工程を実施してトレンチ側壁の粗さを改善でき、ＰＥＴ工程を省略して均一な側壁酸化膜を形成できる半導体素子の素子分離膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁 - In order to protect the dielectric against intrusion of hydrogen in following manufacturing processes, a first barrier layer (5) is embedded in the isolation layer (4) and, after formation of the memory capacity, a second barrier layer (10) connected to the first barrier layer (5) is deposited.
誘電体をさらなる製造工程において水素の侵入から保護するために、アイソレーション層（４）内に第１のバリア層（５）を包埋しかつメモリキャパシタの製造後に、第１のバリア層（５）と結合する第２のバリヤー層（１０）を堆積させる。 - 特許庁 - A swinging angle sensor 29 detecting the swinging angle θ of the pressing apparatus 9 is attached to the shaft 10, and, when the detected swinging angle θ exceeds the ceiling value θmax, the conveyer 7 and the pressing apparatus 9 are stopped by isolation valves 32 and 33.
また、支軸１０には、押付装置９の揺動角θを検出する揺動角センサ２９を取付け、揺動角θの検出値が上限値θmaxを超えたときには、遮断弁３２，３３によって搬送コンベヤ７と押付装置９とを停止させる。 - 特許庁 - A first contact 45a which reaches an SOI layer 13 below an isolation insulation film 14 and a first contact 42a which reaches the top face of the active region 21 are formed by separate etching processes which each use a mask of a different pattern.
分離絶縁膜１４の下のＳＯＩ層１３にまで達する第１のコンタクト４５ａと、活性領域２１の上面まで達する第１のコンタクト４２ａとを、それぞれ異なるパターンのマスクを用いた別々のエッチング工程により形成する。 - 特許庁 - To follow up to the shear deformation of a vibration isolation device while improving fire resistive sealing properties and obtaining effective fire resistance even after following-up, and to easily conduct mounting and demounting works.
免震装置の剪断変形に追従可能であると共に、追従後にも耐火シール性に優れ、有効な耐火性を有すると共に、取付け，取外し作業を容易に行うことが出来る免震装置の耐火被覆材の構造を提供することにある。 - 特許庁 - This equipment is equipped with a vessel 10 which houses or contains liquid to be treated, a vessel 10 which is provided in the vessel 10, a liquid motor pump 1 which is treated by vibration isolation, and a pipe silencer 4 which is installed in a delivery side piping system of the liquid motor pump 1.
取扱液を収容又は内包する容器１０と、容器１０内に設けられ容器１０と振動絶縁処置された液中モータポンプ１と、液中モータポンプ１の吐出側配管系に設けられるパイプサイレンサ４とを備えた。 - 特許庁 - An MOS transistor is formed din an element region 57 on a silicon substrate 30, an element isolation region 58 for electrically isolating the element region 57 is formed in an STI region 36, and the entirety is coated by an interlayer insulating film 37.
シリコン基板３０上の素子領域５７にはＭＯＳトランジスタが形成され、この素子領域５７を電気的に分離する素子分離領域５８はＳＴＩ領域３６で形成されており、全体を層間絶縁膜３７が覆っている。 - 特許庁 - By making a trench width of an upper part of a deep trench 4 constituting trench isolation narrower than 1.2 μm, a hollow 7 arising when filling the inside of the deep trench 4 with an insulator film 5 can be prevented from appearing on the upper face of the insulator film 5.
トレンチ分離を構成するディープトレンチ４の上部のトレンチ幅を、１．２μｍよりも狭くすることにより、ディープトレンチ４の内部を絶縁膜５で埋め込んだ際に生じる中空７が、絶縁膜５の上面に現れるのを防ぐことができる。 - 特許庁 - The extensions 21B, 21C are coupled optically with the central portion 21A while locating the isolation region 21D between them, and pulsation oscillations induced from the narrow stripe 11 and the central portion 21A are made to propagate to the extensions 21B and 21C and amplified.
拡幅部２１Ｂ，２１Ｃを、分離領域２１Ｄを間にして中央部２１Ａに光学的に結合し、ナロウストライプ部１１および中央部２１Ａにおいて誘起されたパルセーション発振を拡幅部２１Ｂ，２１Ｃへと伝播させ、増幅させる。 - 特許庁 - The surface of the silicon substrate 11 inside the element formation region 10A is low from a boundary to the isolation region 10B toward a center of the element formation region 10A viewed in an extension direction of the gate wiring 15, and then is high sequentially.
素子形成領域１０Ａ内のシリコン基板１１の表面は、ゲート配線１５の延長方向に見て、素子分離領域１０Ｂとの境界から素子形成領域１０Ａの中央に向かって一旦低くなり、次いで、順次に高くなる。 - 特許庁 - To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.
電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁 - The positioning of the shield material 10 is done by inserting an earth terminal 1d into the through-hole 13, which ensures to improve the isolation performance without constraints on a circuit pattern of a printed wiring board 2, and without any problems with size reduction of the printed wiring board 2.
挿通孔１３にアース端子１ｄを挿通することでシールド部材１０が位置決めされるため、プリント配線板２の配線パターンのレイアウトを制約したりプリント配線板２の小型化に支障をきたすことなくアイソレーションの向上が図れる。 - 特許庁 - The semiconductor device 10 has an n^+-type source region 26, a p-type body region 24, an n-type drift region 23, and the trench isolation gate 30 extending between the source region 26 and drift region 23 while penetrating the body region 24.
半導体装置１０は、ｎ^＋型のソース領域２６と、ｐ型のボディ領域２４と、ｎ型のドリフト領域２３と、ボディ領域２４を貫通してソース領域２６とドリフト領域２３の間を伸びている絶縁トレンチゲート３０を備えている。 - 特許庁 - A curing list of devices for isolation work for closing valves 17A,17B or the like and opening a valve 17c in order to decompose and inspect a device, a pump 20 for instance, in a maintenance inspection construction of a plant, is prepared by site maintenance support server calculation 300.
プラントの保守点検工事の中で、機器、例えば、ポンプ２０を分解点検するために弁１７Ａ，１７Ｂ等を閉とし、弁１７Ｃを開とする隔離作業のための機器の養生リストを現場保守支援サーバ計算３００により作成する。 - 特許庁 - A gate electrode 3c is provided with a dummy gate contact region 8 arranged on an isolation region 4 between an n-channel transistor MN1 and a p-channel transistor MP1 such that it corresponds with the gate contact region 7a of a gate electrode 3b.
ゲート電極３ｂのゲートコンタクト領域７ａに対応するようにして、ｎチャネル型トランジスタＭＮ１とｐチャネル型トランジスタＭＰ１との間の素子分離領域４上に配置されたタミーゲートコンタクト領域８をゲート電極３ｃに設ける。 - 特許庁 - To solve the problem in a conventional portable pump mounted with a pump body and an engine for driving it on a truck or the like that the operability to the pump body is deteriorated when the whole body is covered with a cover for sound isolation, or the cover is complicated to increase the cost.
ポンプ本体とこれを駆動するエンジンを台車などに搭載した可搬型ポンプにおいて、防音のためにその全体をカバーで覆うと、ポンプ本体に対する操作性が悪化したり、カバーが複雑になってコスト高になってしまう。 - 特許庁 - An insulating side wall spacer 50 is formed on an side surface of the step formed between an upper surface of an element region and an upper surface of the trench isolation structure 41, and blocks a current leakage path between the source/drain region 34 and the electrode plug 49.
素子領域の上面とトレンチ分離構造４１の上面との間に形成された段差の側面に絶縁性サイドウォールスペーサ５０が形成され、ソース／ドレイン領域３４と電極プラグ４９との間の電流リークパスを遮断している。 - 特許庁 - To adequately transport a pattern to a substrate or any other pattern with a micro structure, the vibration isolation device like an air mount is used to minimize vibration from an external support structure like a floor.
パターンを基板に適切に転送し、或いは微小構造を有する他の任意のパターンを適切に転送するために、たとえばエアマウントなどの振動絶縁支持デバイスを使用して、たとえば床などの外部支持構造からの振動の伝達が最小化される。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation/vibration-proofing structure system of a building above a track capable of improving a vibration-proofing effect against train vibration by softening rigidity in the vertical direction of a vibration isolating layer (laminated rubber) together with the improvement of an earthquake resistant function.
耐震性能を向上させるとともに、免振層（積層ゴム）の鉛直方向の剛性を柔らかくすることにより列車振動に対する防振効果を高めることができる線路上空建築物の免震防振構造システムを提供する。 - 特許庁 - To support an upper structure load by only a simple fitting work of a steel frame and obviate the conventional necessity for reinforcing the lower floor beam and further, solve decrease of effective area of a room, in a retrofitting base isolation work or the like of a building.
建物のレトロフィット免震工事等において、鉄骨フレームの簡単な取付作業だけで上部建物荷重を支えることができ、また従来の下階梁の補強を不要とし、さらに部屋の有効面積の減少も解消する。 - 特許庁 - To provide an isolation pulley capable of preventing dust and the like from intruding from a gap between a pressing part of a pressing member and a cover part of a pulley part and thus preventing durability of a thrust bearing provided between the pressing part and the cover part from degrading.
押圧部材の押圧部とプーリ部のカバー部との隙間からダスト等が侵入するのを防止し、以って、上記押圧部と上記カバー部との間に設けられたスラストベアリングの耐久性の低下を防止することができるアイソレーションプーリを提供する。 - 特許庁 - The heat radiating protruding pillar bodies 385 are formed at a part of the surface of the first isolation material layers, and the organic layer 33 is formed on the surface of the first electrodes which are prearranged luminous areas, and the second electrodes 34 are formed on the surface of the organic layer.
該放熱凸柱体３８５は、該第１隔離物質層の表面の一部に形成し、該有機層３３は発光予定エリアである該第１電極の表面に形成するとともに、該第２電極３４は、該有機層の表面に形成する。 - 特許庁 - The plug 10 for the base isolation structure includes a structure of laminating a plurality of damping plates 20 each having a metal plate 21 of predetermined surface roughness and a highly viscous coat 22 formed at least on the single face of the metal plate.
所定の表面粗さをもつ金属板２１と、該金属板の少なくとも片面上に形成した高粘性皮膜２２とを有する複数の減衰板２０の積層構造体からなる免震構造体用プラグ１０であることを特徴とする。 - 特許庁 - A prestressing device 10 has end members 22 fixed at both ends of a main member 20 and bolts 18 screwed into the screw holes 15a of flange plates 15 at the upper and lower ends of the base-isolation rubber 14 through a through hole 22a of the end member 22.
予荷重導入装置１０は、主部材２０の両端に固定された端部材２２と、端部材２２の貫通穴２２ａを通して、免震ゴム１４の上下端のフランジプレート１５のネジ穴１５ａにねじ込まれるボルト１８とを備える。 - 特許庁 - The microscope specimen chamber comprises a case 11, a cavity chamber 12 arranged in the case 11, an isolation plate 14 to divide the inside of the case 11, a vapor chamber 16 formed at the outside of the cavity chamber 12, and a cushion chamber 18 formed at the outside of the vapor chamber16.
ケース１１と、ケース１１の内部に配置される腔室１２と、ケース１１内部を分割する隔離板１４と、腔室１２の外部に形成される蒸気室１６と、蒸気室１６の外部に形成される緩衝室１８とを備える。 - 特許庁 - In the HVIC, a dielectric layer 2 and an SOI active layer 3 are laminated on the surface of a silicon substrate 1, and transistors 4 are formed on the surface of the SOI active layer 3, and further, a trench isolation region 5 is formed in the periphery of the transistors 4.
このＨＶＩＣは、シリコン基板１の表面に誘電体層２とＳＯＩ活性層３を積層し、ＳＯＩ活性層３の表面にトランジスタ４を形成し、トランジスタ４の周りにトレンチ分離領域５を形成したものである。 - 特許庁 - In a directional coupler 1 having a main line and a subline disposed via an interval, the subline 4 has a bonding part 4K which electromagnetically couples to the main line, and an isolation terminal 4b connected with one end side of the bonding part 4K.
間隔を介して配置される主線路と副線路を有した方向性結合器１において、副線路４は、主線路と電磁結合する結合部４Ｋと、結合部４Ｋの一端側に連接されるアイソレーション端子部４ｂとを有する。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation system capable of reducing the complication of the total system by eliminating a large single mass point and/or cable harness while it makes possible to suppress the external turbulence and reducing the structural modification applied to the structure itself.
外来外乱抑制を可能にしながら、大きな単一質点および／またはケーブルハーネスをなくすことによってシステム全体の複雑さを低減させ、かつ／または構造自体への構造修正を低減させる、振動絶縁システムを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for polishing a substrate of a semiconductor capable of substantially improving abnormal polishing of a recessed part (dishing) generated in polishing for a shallow trench isolation, unevenness of residual silicon oxide membrane in a substrate surface, and generation of flow by polishing.
シャロー・トレンチ分離における研磨において発生する窪み部の異常研磨（ディッシング）、残留酸化珪素膜の基板面内均一性の悪さ、研磨による傷の発生を大幅に改善できる半導体用基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁 - To suppress dishing and erosion and realize a high smoothness when a film to be polished is formed on a semiconductor substrate with an element isolation region 11 having dummy patterns 13 defined by a plurality of trenches 12 positioned thereon and is flattened by CMP.
複数のトレンチ１２により区画されるダミーパターン１３が素子分離領域１１に配置された半導体基板上に被研磨膜を形成し、これをＣＭＰにより平坦化するに際し、ディッシング及びエロージョンを抑制し、高い平滑性を実現する。 - 特許庁 - To provide an economically and structurally stabilized high/super high-rised wall building with high aspect ratio by making the wall building as seismic base isolation and, at the same time, having a structure capable of allowing uplift performance with rocking vibrations in the case of earthquake or the like.
壁式建物を免震化するとともに地震時等のロッキング振動に伴う浮き上がりを許容する構造とすることにより、経済的で構造的にも安定した、アスペクト比が大きい高層・超高層の壁式建物を提供する。 - 特許庁 - Then even when a shoulder cut 20 and a punch-through 21 take place in the resist 6 at dry etching for forming a wire pattern and the resist 6 result in being destroyed, the sacrificial protective film 4 protects the inter-layer isolation film 3 to prevent the surface roughness from being caused.
これにより、配線パターン形成のためのドライエッチング時にレジスト６に肩落ち２０や突き抜け２１が生じて破壊された場合でも、犠牲保護膜４によって層間絶縁膜３は保護されており、表面荒れは発生しない。 - 特許庁 - To configure a simply structured antenna device such that a plurality of antenna elements has high flexibility in the design of an arrangement position, a shape, a size, and the like and an isolation element is not necessarily required among antenna elements, and a communication terminal using the same.
複数のアンテナ素子の配置位置、形状、サイズ等の設計自由度が高く、且つアンテナ素子間に必ずしもアイソレーション素子を必要としない簡易な構成のアンテナ装置、およびこのアンテナ装置を用いた通信端末装置を構成する。 - 特許庁 - By arranging in the longitudinal direction an isolation wall 3 separating a coolant flow path at the boundary between the core fuel region and the blanket region, a proper coolant flow distribution according to the heat rate in the two regions can be attained.
炉心燃料領域とブランケット燃料領域との間の境界に冷却材流路を分割する隔壁３を長手方向に配設することにより、２つの領域の発熱量に応じた適切な冷却材流量配分とすることができる。 - 特許庁 - A secondary winding L21 of an isolation transformer T2 of unbalanced-to-balanced conversion is connected even between central and outer electrodes 4a and 4b of an output terminal 4, a balanced line on a secondary winding L22 is connected to a noise-removing transformer Ta.
また、出力端子４の中心電極４ａと外側電極４ｂとの間にも、不平衡−平衡変換用の絶縁トランスＴ２の一次巻線Ｌ21を接続し、二次巻線Ｌ22側の平衡線路は、ノイズ除去トランスＴａに接続する。 - 特許庁 - To provide a ground isolation designing method efficiently reducing the size of an improver body corresponding to an allowable sliding amount including a predetermined sliding safety factor by allowing the improver body to slide in case of an earthquake in designing measures against liquefaction.
液状化対策の設計において、地震時の改良体の滑動を許容し、所定の滑動安全率が見込まれる許容滑動量に対応する改良体の寸法を効率的に縮小する地盤免震化設計法を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, a power factor improving circuit having switching diodes D1, D2, an inductor L10, a switching element Q2 and a clamp capacitor C3 for regenerating the switching output current obtained in the primary winding N1 of the power isolation transformer PIT as power is provided.
また、絶縁コンバータトランスＰＩＴの一次巻線Ｎ1に得られるスイッチング出力電流を電力として回生するためのスイッチングダイオードＤ1、スイッチングダイオードD2、インダクタL10、スイッチング素子Q2及びクランプ用コンデンサC3を有する力率改善回路を備える。 - 特許庁 - Thus, the contact plug can be formed without using a diffusion layer contact pattern, and also, since the fringe of the contact plug substantially coincides with a boundary between the element isolation area and the active area, the active area can be reduced.
これにより、拡散層コンタクトパターンを用いることなく、コンタクトプラグを形成できるとともに、コンタクトプラグの周縁が素子分離領域と活性領域の境界と実質的に一致することから、活性領域を縮小することが可能となる。 - 特許庁 - When a main column 1 is reinforced by a base isolation body 9, a reinforcing body which is unitized by connecting metallic plates 56 arranged at suitable intervals together by a base isolating elastic body 57, in a gap between a metallic frame plate 55a and a metallic frame plate 66b.
主柱１を免震体９で補強するにあたって、金属フレーム板５５ａと金属フレーム板６６ｂとの間に、適宜の間隔で配置の金属板５６を免振弾性体５７で一体に形成してなる補強体を取付ける。 - 特許庁 - According to this, compared with a case having no base isolation layer 21, the valid mass of the external building 20 is increased, the frequency that becomes a peak of frequency transmission function is reduced, and the transmission rate at a fixed point P in fixed-point theory is also reduced.
これにより、免震層２１を設けていない場合に比べて、外部建物２０の有効質量が増加し、周波数伝達関数のピークとなる周波数が低くなり、定点理論における定点Ｐにおける伝達率も低下する。 - 特許庁 - The seismic isolation tire 19 is constructed by installing a horizontal direction displacement absorbing means 18 obtained by filling therein a high-damping material 20, such as lead, within a hollow tire body 17 made of an elastic material, such as rubber, having the travelling function.
走行機能を有するゴム等の弾性材料からなる中空のタイヤ本体１７の内部に、鉛等の高減衰材料２０を注入してなる水平方向変位吸収手段１８を設けることにより、免震化タイヤ１９を構成する。 - 特許庁 - A delivery port 25 of extinguishant L communicates with a shaft hole 24 of the block body, a ram 26 to whose one surface the puncture needle protrudes and whose other end part protrudes outside the block body in such a way as interlocking with the operator is given an isolation tendency with respect to the seal plate, and is slidably fitted.
該ブロック体の軸孔24に、消火剤Lの送出口25が連通し、一面に該穿針が突出し他端部は該作動子と連動可能に該ブロック体外へ突出したラム26が、該封板に対する離反傾向を与えられて、摺嵌される。 - 特許庁 - To provide a ground base-isolation method (a construction method hardly transferring a ground motion to a building foundation), which enables construction to be inexpensively performed in a short-term process by enabling the easy construction requiring only the superposition of a ground base-isolated structure on an improved ground stratum.
地盤免震工法は、改良地盤層上に地盤免震構造を積層するのみの簡単な施工とし、短期間での工程で低価格に施工できる地盤免震工法（地盤の動きを建物の基礎に伝えにくくする工法）を提供する。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation stand which is easy in assembly and installation with less shaking, and reduces weight or cost in such a way that a structure is made simple basically by arranging longitudinal stand units in parallel and connecting them by a beam member.
長尺状の架台ユニットを横並びに配置して梁部材により連結する簡易な構造を基本とし、組み立てが容易で重量やコストの削減を図るとともに、ぐらつきが少なく設置作業の容易な防振架台を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
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- 日英対訳文対応付けデータ
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- 原題：”The Beginning of Ownership”
邦題：『所有権の起源』 - This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide.
訳：永江良一
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- 原題：”The Beginning of Ownership”
