「LPDS」を含む例文一覧(8)

  • To provide a method of detecting LPDs on a wafer surface for highly accurately detecting LPDs on a wafer surface when detecting the LPDs on the wafer surface by using laser light.
    レーザー光を用いてウェーハ表面のＬＰＤを検出する際に、ウェーハ表面のＬＰＤを高精度で検出することができる、ウェーハ表面のＬＰＤ検出方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a surface defect inspection apparatus and a surface defect inspection method capable of performing a detection of LPDs on a wafer surface and a detection of a dark field image in parallel with each other and having an improved detection sensitivity of the LPDs.
    ウェーハ表面のＬＰＤの検出と暗視野像の検出とを並行して行うことができ、且つ、ＬＰＤの検出感度を高めた表面欠陥検査装置および表面欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁
  • As soon as the host rose has room in its bamboo spooling directory, the two LPDs would transfer the file to rose.
    ホスト rose の bambooスプーリングディレクトリに十分な容量が確保でき次第、 両者の LPD は、ジョブのファイルを roseに転送します。 - FreeBSD
  • Consequently, the number of LPDs (due to SF) caused on a surface of the epitaxial silicon wafer owing to an SF greatly decreases.
    これにより、ＳＦに起因してエピタキシャルシリコンウェーハの表面に生じるＬＰＤ（ＳＦに起因して生じる）の個数が大幅に減る。 - 特許庁
  • Consequently, the number of LPDs (Light Point Defects) (due to SFs(Stacking Faults)) generated on the top surface of the epitaxial silicon wafer owing to the SFs can be greatly decreased.
    これにより、ＳＦに起因してエピタキシャルシリコンウェーハの表面に生じるＬＰＤ（ＳＦに起因して生じる）の個数を大幅に低減することができる。 - 特許庁
  • Semiconductor wafers each of which has the number of LPDs (Light Point Defects) per wafer equal to or smaller than a prescribed number are selected, and non-defective wafers are determined by visual inspection on the basis of a haze map of the selected semiconductor wafers.
    ウェーハあたりのＬＰＤの個数が所定の個数以下である半導体ウェーハを選別し、更に選別した半導体ウェーハのヘイズマップに基づいて目視により良品のウェーハを判定する。 - 特許庁
  • To provide an epitaxial wafer that has small surface roughness and low haze level of a surface of an epitaxial film, thereby enabling detection of LPDs of smaller sizes, to provide an epitaxial wafer wherein formation of pit-like defects is reduced, and to provide a method for manufacturing the same.
    表面ラフネスが小さく、エピタキシャル膜の表面上のヘイズレベルが小さく、より微小サイズのＬＰＤについても検出可能であるエピタキシャルウェーハを提供することができ、さらに、ピット状欠陥の発生が低減されたエピタキシャルウェーハを提供を提供することにある。 - 特許庁
  • Alternatively, semiconductor wafers each of which has the number of LPDs per wafer equal to or smaller than a prescribed number are selected, and semiconductor wafers having a specific relationship between in-plane standard deviation values and in-plane average values of haze signals within wafer surfaces are selected, and the selected semiconductor wafers are determined to be non-defective wafers.
    また、ウェーハあたりのＬＰＤの個数が所定の個数以下である半導体ウェーハを選別し、更に選別した半導体ウェーハの選別した半導体ウェーハの中から、ウェーハ面内におけるヘイズ信号の面内標準偏差値及び面内平均値が特定の関係を示す半導体ウェーハを選別し、これを良品のウェーハとして判定する。 - 特許庁

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