「Layer Pyramid」を含む例文一覧(37)
- The re-reflecting layer 6 comprises a plurality of pyramid-shaped protrusions 7, 9 or pyramid-shaped recessed parts 8.
再反射層６は、複数の錐状突起７，９または錐状凹部８からなる。 - 特許庁 - An antireflection layer provided with a plurality of pyramid-shaped projections in which apexes of the plurality of pyramid-shaped projections are provided at equal intervals to one another and each side of a base forming a pyramid shape of one pyramid-shaped projection is in contact with a side of a base forming a pyramid shape of an adjacent other pyramid-shaped projection is disposed.
複数の錐形凸部の頂部は互いに等間隔に並んでおり、かつ錐形凸部において錐形を成す各底辺は隣接する他の錐形凸部の錐形を成す一底辺と接して設けられている複数の錐形凸部を具備する反射防止層を備える。 - 特許庁 - A quadrangular pyramid recessed part 4 is provided on the center part of the bed 3, and the square semiconductor chip 5 is mounted on the quadrangular pyramid recessed part 4 via an adhesive layer 8.
ベッド３の中央部には四角錐凹部４が設けられ、四角錐凹部４上には正方形の半導体チップ５が接着層８を介して載置される。 - 特許庁 - The n-type GaN layer 15 in a hexagonal pyramid shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the opening part of the growth mask.
成長マスクの開口部におけるｎ型ＧａＮ層１２上に六角錐形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる。 - 特許庁 - Each plate 12 is successively expanded in the horizontal direction successively from an upper layer to a lower layer, forming a pyramid on the whole.
各プレート１２は上層部から下層部に向かって順次水平方向に順次拡大形成され、全体がピラミッド状となっている。 - 特許庁 - On the surface of the n-type clad layer 3, with the transposition as the origin, a plurality of pyramid-like active layers 4 are grown.
ｎ型クラッド層３の表面に転位を基点として角錐状の複数の活性層４を成長させる。 - 特許庁 - The phosphor layer 15 is formed in a pyramid shape by laminating four layers of 15a through 15d in this order from the side of the white dielectric layer 13.
蛍光体層１５は、白色誘電体層１３側から順に、４つの層１５ａ乃至１５ｄをピラミッド状に積層して形成する。 - 特許庁 - Then, the upper layer image data and the lower layer image data specified on the basis of the position of the image in the pyramid are respectively collated with particles so that likelihood can be calculated.
次にこの画像ピラミッド内位置に基づいて特定された上側層画像データと下側層画像データごとにパーティクルとの照合により尤度を求める。 - 特許庁 - Each of HBTs 25, 26 is formed by laminating a collector layer 24, a base layer 23 and an emitter layer 22 on a substrate 21 one by one and physically and electrically isolated by an isolation groove 30 and formed into a pyramid.
各ＨＢＴ２５,２６は、基板２１上にコレクタ層２４,ベース層２３およびエミッタ層２２をこの順に積層し、素子間分離溝３０で空間的・電気的に分離してピラミッド状に形成する。 - 特許庁 - The translucent material substrate 5 has a shape of truncated quadrangular pyramid having a face abutted on the light-emitting layer 4 as the bottom face 6.
透光性材料基板５は、発光層４と当接する面を底面６とする四角錘台形の形状を有している。 - 特許庁 - By providing an antireflection layer which geometrically includes a plurality of adjacent hexagonal pyramid-shaped projections, reflection of light is prevented.
隣接する複数の六角錐形状の凸部を幾何学的に具備する反射防止層を備えることによって、光の反射を防止する。 - 特許庁 - A channel layer is formed so that the facet surface of a polygonal pyramid etch pit that is formed in lamination semiconductor structure is covered, and, furthermore, a hole accumulation layer that is pitched by a pair of barrier layers is formed along a channel layer.
積層半導体構造中に形成された多角錐エッチピットのファセット面を覆うようにチャネル層を形成し、さらにチャネル層に沿って、一対のバリア層で挟持されたホール蓄積層を形成する。 - 特許庁 - A first Mg-doped GaN buffer layer 11 is formed as a highly dense layer of growth nucleus of truncated six-sided pyramid crystals having a density of about 10^6/cm^2, on a sapphire substrate 10.
サファイア基板１０上に、Ｍｇドープの第１のＧａＮバッファ層１１を、１０^6／ｃｍ^2程度の密度を持つ六角錘台形晶の成長核の密集層として形成する。 - 特許庁 - This semiconductor near-field light source has a compound semiconductor layer in a surface emission laser structure 12 on a compound semiconductor substrate 11, a compound semiconductor layer 15 in a trigonal pyramid structure on the compound semiconductor layer surface, and a micro aperture 13 in an oscillated wavelength order or smaller of the surface emission laser in the vicinity of an apex of the trigonal pyramid structure.
半導体近接場光源は、化合物半導体基板１１上に、面発光レーザ構造１２の化合物半導体層を有し、化合物半導体層表面に三角錐構造の化合物半導体層１５を有し、三角錐構造の頂点近傍に面発光レーザの発振波長オーダ以下の微小開口１３を有する。 - 特許庁 - Pyramid hierarchical layers are configured by stepwise reducing images being composite objects through the use of a prescribed reduction size of an original image for an uppermost layer.
元画像の所定縮小サイズを最上位のレイヤとして、合成対象となる各画像を段階的に縮小してピラミッド階層を構成する。 - 特許庁 - As the off-angle of the gallium nitride support substrate 33 goes close to zero, a projection in a hexagonal pyramid shape is conspicuous on a surface of the gallium nitride-based semiconductor layer 35.
窒化ガリウム支持基体３３のオフ角がゼロ度に近づくにつれて、窒化ガリウム系半導体層３５の表面に六角錘状の突起が目立つようになる。 - 特許庁 - Then, an N^+ diffusion layer 12 is formed on the exposed uneven surface like an inverted pyramid 112, and the oxide film 16 is removed.
フォトレジスト１７を除去した後に、露出させた逆ピラミッド１１２状の凹凸にＮ^+ 拡散層１２を生成し、その後に酸化膜１６を除去する。 - 特許庁 - The high-efficiency light-emitting device has a substrate, a first nitride semiconductor layer formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer formed on the nitride light-emitting layer, wherein the second nitride semiconductor layer has a plurality of hexagonal pyramid cavities, on the surface of the second nitride semiconductor layer opposite to the nitride light-emitting layer.
高効率発光素子は、基板、基板上に形成された第１窒化物半導体層、第１窒化物半導体層上に形成された窒化物発光層及び窒化物発光層上に形成された第２窒化物半導体層を有し、第２窒化物半導体層は、窒化物発光層の反対の第２窒化物半導体層の表面上に複数の六方ピラミッドキャビティを有する。 - 特許庁 - One terminal end 3a of the inductor coil 8 is located at the top of the pyramid 9 and is connected with an upper metallic wiring layer 7 by means of a through hole 6 formed in an interlayer insulating film 4 and a planarizing layer 5.
インダクタコイル８の一方の終端３ａは、角錐台９頂部に位置し、層間絶縁膜４及び平坦化層５に形成されたスルーホール６を介し上層の金属配線層７に接続される。 - 特許庁 - The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated on the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.
第二の窒化物半導体スタックの複数の六角形のピラミッド型の孔は、第一の透明導電性の酸化物層で満たされ、低い抵抗のオーミック接触は、操作電圧を減じ、発光装置の発光効率を改善するように、複数の六角形のピラミッド型の孔の内面で発生する。 - 特許庁 - This pattern forming method includes a process wherein an electron beam emission element 10 having at least one pyramid part 18 whose surface is made of diamond is prepared; a process wherein an electron beam 19 is emitted from the pyramid part 18 to expose an electron beam sensitive resist layer 22 by applying a voltage; and a process wherein a portion of the resist layer 22 is removed to execute patterning.
表面がダイヤモンドからなる少なくとも一つの錐体部１８を有する電子線放出素子１０を用意する工程と、電圧を印加して錐体部１８から電子線１９を放出させて、電子線感応性のレジスト層２２を暴露する工程と、レジスト層２２の一部を除去してパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - The photosensitive transfer material comprises a temporary support body, a thermoplastic resin layer the hardness of which is 1.0 to 4.5 when measured by a triangular pyramid indenter with a load of 0.5 mN, a photosensitive resin layer, and a cover film in this order.
仮支持体と、三角錐の圧子で０．５ｍＮの荷重で測定した際の硬度が１．０以上４．５以下である熱可塑性樹脂層と、感光性樹脂層と、カバーフィルムと、をこの順に有する感光性転写材料である。 - 特許庁 - An image pyramid configured of a plurality of differently scaled layer image data is formed on the basis of input image data, and a template setting a fixed scale to an object is prepared.
入力した画像データに基づいて複数の異なるスケールの層画像データから成る画像ピラミッドを形成するとともに、対象物について固定スケールとしたテンプレートを用意する。 - 特許庁 - In the translucent member 7, a number of square pyramids 10 are arrayed vertically and horizontally on the front surface, and an anti-contamination layer 8 containing a photocatalyst material 11 is provided on the surface of the square pyramid 10.
透光性部材７は前面に多数の四角錐体１０を縦横方向に配列し、四角錐体１０の表面に光触媒物質１１を含む防汚層８を設けた。 - 特許庁 - A semiconductor near-field light source is constituted by laminating a compound semiconductor layer constituted in a triangular pyramid structure using the regular triangular exposed surface of a compound semiconductor substrate 11 as one face on the exposed surface of the substrate 11 and the triangular pyramid structure has a surface emission type laser structure 12 containing at least a pair of multilayered semiconductor film reflecting mirrors and an active layer laminated in the thickness direction.
半導体近接場光源は、化合物半導体基板１１表面の正三角形の基板露出面上に、その露出面を１面として有する三角錐構造の化合物半導体層が積層され、三角錐構造が、層厚方向に積層された一対の半導体多層膜反射鏡及び活性層を少なくとも含む面発光レーザ構造１２を有する。 - 特許庁 - A fine hole in a pyramid shape for which a side wall is a {111} plane is provided on the surface of the Si single crystal substrate and the buffer layer composed of the BP base material is formed on the substrate surface by a vapor growth method.
Ｓｉ単結晶基板表面に側壁を｛１１１｝面とする四角錐状の細孔を設け、該基板表面上に気相成長法によりＢＰ系材料からなる緩衝層を形成する。 - 特許庁 - According to a report by IFC, there are 486 million people who belong to so called BOP layer of which annual income per capita is $3,000 or less. It also estimates the size of African BOP market as $4,290 (see Table 1-2-5-32).
一人当たり年間所得が3,000 ドル以下のいわゆる「BOP（Base of the Economic Pyramid）」層は、IFCの報告書によれば、アフリカには4 億8,600 万人存在し、アフリカのBOP市場は4,290 億ドルと推計されている（第1-2-5-32 表）。 - 経済産業省 - When forming the sacrifice layer 2, the sacrifice layer 2 is formed so that the opposite ends of the sacrifice layer 2 reach a virtual formation region VS in the silicon substrate 1 of a minimal quadrangular-pyramid-shaped recess 11 which communicates with each etching hole 7 and is formed in the main surface of the silicon substrate 1, in the course of anisotropic etching for forming the recess 12.
犠牲層２の形成時には、凹所１２を形成する異方性エッチングの途中でエッチングホール７ごとに連通しシリコン基板１の主表面に形成される最小の四角錘状凹部１１のシリコン基板１における仮想形成領域ＶＳに犠牲層２の両端が達するように犠牲層２を形成する。 - 特許庁 - The compound semiconductor field effect transistor includes: a semiconductor part 43 in a rectangular column shape or a truncated pyramid shape, where a current flows in an axial direction in an ON state; and a peripheral part where a first insulating layer 50, a control electrode layer 60 and a second insulating layer 72 are laminated in order along the axial direction of the semiconductor part, around the semiconductor part.
角柱状又は角錐台状の、オン状態のときに軸方向に電流が流れる半導体部４３と、半導体部の周囲に、第１絶縁層５０、制御電極層６０及び第２絶縁層７２が、半導体部の軸方向に沿って順に積層された周辺部とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device has such a structure that the surface of an active layer 6 composed of the gallium nitride series semiconductor has the uneven structure of a pyramid shape, and the recess of this uneven structure is filled with a first clad layer 7 composed of a p-type gallium nitride series semiconductor.
窒化ガリウム系半導体からなる活性層６の表面がピラミッド状の凹凸構造となっており、この凹凸構造の凹部がｐ型窒化ガリウム系半導体からなる第１クラッド層７で埋められた構造を有する半導体発光素子とする。 - 特許庁 - The incident light beams are multiple- reflected between the first reflecting surface group 11 of the bottom of the pyramid 14 and the solar cell element 100, a light quantity illuminated to the conversion layer is increased, thereby raising the power generating efficiency.
この入射した光が、３角柱１４の底面の第１の反射面群１１と、薄膜太陽電池素子１００との間で多重反射されて、光電変換層に照射される光量が増大して、発電効率が高くなる。 - 特許庁 - The acicular projection is a silicon acicular cone, and the silicon acicular pyramid is a pyramidal structure formed by using a micromask as the apex obtained by subjecting a silicon substrate or a silicon layer to high selective anisotropy etching by using an impurity deposition region formed in the silicon substrate or the silicon layer as the micromask.
針状突起はシリコン針状錘体であり、このシリコン針状錘体は、シリコン基板又はシリコン層中に形成された不純物析出領域をマイクロマスクとして、シリコン基板またはシリコン層を高選択比異方性エッチングすることにより、マイクロマスクを頂点として形成された錘型構造物である。 - 特許庁 - A reflector 1 comprises a basis material having a reflective layer 30 formed on a surface 10a thereof, and a triangular pyramid trapezoidal recessed portion 20 is formed on the surface 10a, which includes three side faces 22 orthogonal to each other and a bottom face 23.
表面１０ａ上に反射層３０が形成された素地からなる反射材１であって、表面１０ａには、相互に直交する三つの側面２２および底面２３を有する三角錐台形状の凹部２０が形成されている。 - 特許庁 - This electron emitter material is a pyramid shape structural body of which the surface is covered by a CN layer of around several nanometers obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material by N-H series plasma.
Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、表面が数ｎｍ程度のＣＮ層で覆われたピラミッド状の構造体であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁 - A semiconductor element 301 comprises a substrate 1, a truncated quadrangular pyramid-shaped mesa 15 in which a plurality of III-V compound semiconductor layers are laminated on the substrate 1 and a passivation layer 7 of a III-V compound semiconductor covering a top face and lateral faces of the mesa 15.
半導体素子３０１は、基板１と、基板１上に複数のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の層が積層された四角錐台状のメサ１５と、メサ１５の上面及び側面を覆うＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のパッシベーション層７と、を備える。 - 特許庁 - After the cleanup and reduction of a bottom part 24 of a column hole 290 formed by excavating the ground 18 exposed by breaking up and removing flooring or the like, a foundation layer 30 is formed using ceramics and carbon, to dispose a foundation stone 28, and an underground column 26 with its tip part 26A cut in hexagonal pyramid shape is erected on the foundation stone.
床材等を解体撤去して露出させた地盤１８を掘削して形成した柱穴２０の底部２４を浄化還元した後、セラミックス及び炭素体を用いて基礎層３０を形成して礎石２８を配置し、この礎石上に先端部２６Ａを六角錘状に削った地中柱２６を立てる。 - 特許庁 - This recording material has a base material having single or double or more layers in the layer structure, having ≤800 μm of thickness and having ≤1.1 μm of maximum displacement measured by a microhardness tester when holding 4.9 mN load for 1 s by using a trigonal pyramid-shaped indenter, ≤25% of hollow content and ≥4 mN stiffness.
層構成が一層又は二層以上で厚みが800μｍ以下の基材であって、三角錐の圧子を用いて4.9ｍＮの荷重を１秒間保持させたときの微小硬度計により測定される最大変位が1.1μｍ以上であり、かつ、空洞含有率が25％以下、剛直度が４ｍＮ以上である基材を有すること。 - 特許庁
