「Layer element」を含む例文一覧(18197)

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  • MULTI-LAYER PIEZOELECTRIC ELEMENT
    多層圧電素子 - 特許庁
  • SEED LAYER FORMATION ELEMENT
    シード層形成素子 - 特許庁
  • MULTI-LAYER TYPE PIEZOELECTRIC ELEMENT
    積層型圧電体素子 - 特許庁
  • ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR ELEMENT
    電気二重層コンデンサ素子 - 特許庁
  • METAL LAYER FOR ELECTRONIC ELEMENT, LAMINATION BODY OF METAL LAYER FOR ELECTRONIC ELEMENT, ELECTRONIC ELEMENT, AND TRANSISTOR ELEMENT
    電子素子用金属層、電子素子用金属層積層体、電子素子、トランジスタ素子 - 特許庁
  • LAMINATED LAYER-TYPE OPTICAL ELEMENT PACKAGE
    積層型光学素子パッケージ - 特許庁
  • SLIDING LAYER FOR BEARING ELEMENT, AND BEARING ELEMENT
    軸受要素用滑り層および軸受要素 - 特許庁
  • The element part reflection layer 4 includes a barrier layer and a cover layer.
    素子部反射層４はバリア層及びカバー層からなる。 - 特許庁
  • PHOTOGRAPHIC ELEMENT HAVING BUFFER LAYER
    緩衝層を有する写真要素 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATION LAYER OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT
    半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE ELEMENT HAVING BIAS LAYER
    バイアス層を有する磁気抵抗素子 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH BUFFER LAYER
    緩衝層を有する半導体素子 - 特許庁
  • IMAGING ELEMENT WITH ANTISTAT LAYER
    帯電防止層を有する画像要素 - 特許庁
  • COMPOSITION FOR FORMING MEMORY ELEMENT SWITCHING LAYER, MEMORY ELEMENT, AND POLYMER FOR FORMING MEMORY ELEMENT SWITCHING LAYER
    メモリ素子スイッチング層形成用組成物、メモリ素子及びメモリ素子スイッチング層形成用重合体 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING PASSIVATION LAYER
    パッシベーション層を有する半導体素子 - 特許庁
  • BARRIER LAYER ESTIMATING METHOD OF JOSEPHSON ELEMENT
    ジョセフソン素子のバリア層評価方法 - 特許庁
  • ORGANIC LAYER STRUCTURE OF ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT
    有機発光素子の有機層構造 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC LAYER FOR MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    磁気抵抗素子のための強磁性層 - 特許庁
  • The magnetic element includes a pinned layer, a nonmagnetic spacer layer, and a free layer.
    磁気素子には、固定層と、非磁性スペーサ層と、自由層とが含まれる。 - 特許庁
  • OPTICAL RECORDING ELEMENT HAVING INTERMEDIATE LAYER BETWEEN RECORDING LAYER AND REFLECTION LAYER
    記録層と反射層との間に中間層を有する光記録要素 - 特許庁
  • An MR element 7 is constituted with a pin layer 21, a pinned layer 23, a non-magnetic layer 25 and a free layer 27.
    ＭＲ素子７は、ピン層２１、ピンド層２３、非磁性層２５、フリー層２７を含む。 - 特許庁
  • An MR element 7 includes a pinning layer 21, a pinned layer 23, a non-magnetic layer 25, and a free layer 27.
    ＭＲ素子７は、ピン層２１、ピンド層２３、非磁性層２５及びフリー層２７を含む。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING LAYER-BUILT GAS SENSOR ELEMENT
    積層型ガスセンサ素子の製造方法 - 特許庁
  • ZINC OXIDE LAYER AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT
    酸化亜鉛層及び光起電力素子 - 特許庁
  • LAYER-BUILT GAS SENSOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD
    積層型ガスセンサ素子の製造方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING CARRIER CONFINING LAYER
    キャリア閉込層を有した半導体素子 - 特許庁
  • The separating layer and the element forming layer containing the semiconductor element are formed on the substrate.
    基板上に剥離層と、半導体素子を含む素子形成層を形成する。 - 特許庁
  • ALIGNMENT LAYER FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT
    液晶表示素子用配向膜及び液晶表示素子 - 特許庁
  • The transduction element (36) is composed of a backing layer, a central piezoelectric layer and an exterior layer.
    変換素子（３６）は、裏材層と中心圧電層と外層とを含む。 - 特許庁
  • The fuse element layer is formed on the first intermediate insulation layer, and the second insulation layer is laminated to the fuse element layer.
    ヒューズ要素層は第１の中間絶縁層上に形成され、且つ第２絶縁層がヒューズ要素層に積層される。 - 特許庁
  • IMAGING ELEMENT HAVING POLYMER NACREOUS LAYER
    ポリマー真珠層をもつ画像形成要素 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR ELEMENT EPITAXIAL LAYER SEPARATING METHOD
    半導体素子のエピタキシャル層分離方法 - 特許庁
  • The antenna layer is formed with an antenna element.
    アンテナ層は、アンテナ素子が形成される。 - 特許庁
  • As the transition layer 13, a Cu layer and a thin insulating layer is used in a GMR element and a TMR element, respectively.
    遷移層１３には、ＧＭＲ素子では銅層、ＴＭＲ素子では薄い絶縁層が用いられる。 - 特許庁
  • The light-emitting element has: a light-emitting layer; a clad layer; a current diffusion layer; a second layer; and an electrode.
    発光素子は、発光層と、クラッド層と、電流拡散層と、第２の層と、電極と、を有する。 - 特許庁
  • The wiring formation layer 2 is located between the element layer 1 and the electronic parts layer 3.
    配線形成層２は、素子層１と電子部品層３との間に位置する。 - 特許庁
  • The semiconductor element layer 3 and cooling layer 8 are in such a relationship that the semiconductor element layer 3 is cooled in different degrees of cooling depending on many different places inside the semiconductor element layer 3.
    半導体素子層３と冷却層８とは、半導体素子層３の複数部位でそれぞれに互いに冷却度合いが異なる関係にある。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE ELEMENT EQUIPPED WITH DIFFUSION PREVENTION LAYER
    拡散防止層を備える磁気抵抗素子 - 特許庁
  • FRICTION LAYER AND BEARING ELEMENT PROVIDED THEREWITH
    摩擦層及びそれを備えた軸受け要素 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC EL ELEMENT LIGHT EMITTING LAYER
    有機ＥＬ素子発光層製造方法 - 特許庁
  • PHOTOGRAPHIC ELEMENT CONTAINING ELECTROLYTIC ELECTRICALLY-CONDUCTIVE LAYER
    電解質導電層を含む写真要素 - 特許庁
  • ANTIGLARE LAYER, ANTIGLARE FILM AND OPTICAL ELEMENT
    アンチグレア層、アンチグレアフィルムおよび光学素子 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC ELEMENT PLATING SEED LAYER
    電子素子めっき種子層の製造方法 - 特許庁
  • LIGHT EMITTING ELEMENT WITH POROUS LIGHT EMITTING LAYER
    多孔質発光層を有する発光素子 - 特許庁
  • DIAMINE, ALIGNMENT LAYER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT
    ジアミン、配向膜および液晶表示素子 - 特許庁
  • CHARGE STORAGE ELEMENT AND ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR
    蓄電要素及び電気二重層キャパシタ - 特許庁
  • The magnetic element further can include a barrier layer and a second pinned layer.
    磁気素子には更に、バリア層と第２固定層とを含み得る。 - 特許庁
  • PLASTIC SLIDING LAYER, AND SLIDING ELEMENT HAVING THE SLIDING LAYER
    プラスチックの滑り層およびこの滑り層を有する滑り要素 - 特許庁
  • The chip-type NTC element 1 has a positive temperature coefficient (PTC) element assembly 2, wherein the PTC element assembly 2 has an element assembly layer 3 and element assembly layers 4A and 4B laminated on the element assembly layer 3 such that they sandwich this element assembly layer 3.
    チップ型ＮＴＣ素子１はＰＴＣ素体２を備え、ＰＴＣ素体２は、素体層３と、この素体層３を挟むように素体層３に積層された素体層４Ａ，４Ｂとを有している。 - 特許庁
  • In this case, the co-doped layer MgZnO layer 3 is a co-doped layer containing both an acceptor element and a donor element.
    ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。 - 特許庁
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