B: The error LEPS in length and the error AEPS in angle are adopted as error information. ・誤差情報として、長さの誤差LEPSと角度の誤差AEPS。 - 特許庁
As a result, growth is made preferentially by the LEPS method while being AlGaN, and an AlGaN crystal layer is achieved. これによって、AlGaNでありながらも、LEPS法によって好ましく成長し、AlGaN結晶層となる。 - 特許庁
To provide a base, where an AlGaN crystal layer having reduced dislocation density is grown, even while an LEPS method is being used. LEPS法を用いながらも、転位密度が低減されたAlGaN結晶層が成長した基材を提供すること。 - 特許庁
Irregularities, where the LEPS method can be carried out, are machined on the surface of a crystal substrate 1, and a GaN-based crystal layer 2 is grown from the recess or projection. 結晶基板1の表面にLEPS法を実施し得る凹凸を加工し、該凹部または凸部からGaN系結晶層2を成長させる。 - 特許庁