「MAGNETIC-RAM」を含む例文一覧(84)
1 2 次へ＞- MAGNETIC RAM
マグネチックラム - 特許庁 - MAGNETIC RAM
マグネティックラム - 特許庁 - MAGNETIC RESISTANCE RAM
磁気抵抗ラム - 特許庁 - MAGNETIC RAM
マグネチックＲＡＭ - 特許庁 - MAGNETIC RAM
マグネティックＲＡＭ - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM
磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - FORMING METHOD OF MAGNETIC RAM
マグネチックラムの形成方法 - 特許庁 - NAND TYPE MAGNETIC RESISTANCE RAM
ＮＡＮＤ型磁気抵抗ラム - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RAM
マグネティックＲＡＭの製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC RAM AND FORMING METHOD THEREFOR
マグネチックラム及びその形成方法 - 特許庁 - MAGNETIC RAM AND ITS FORMATION METHOD
マグネチックラムおよびその形成方法 - 特許庁 - MAGNETIC RAM AND METHOD FOR FORMING THE SAME
マグネチックラム及びその形成方法 - 特許庁 - MAGNETIC RAM USING SCHOTTKY DIODE
ショットキーダイオードを用いたマグネチックＲＡＭ - 特許庁 - METHOD OF OPERATING MAGNETIC RAM DEVICE USING SPIN INJECTION, AND MAGNETIC RAM DEVICE
スピン注入を用いて磁気ラム素子を駆動させる方法、及び磁気ラム素子 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION LAYER OF MAGNETIC RAM
磁気ＲＡＭの磁気トンネル接合層の形成方法 - 特許庁 - METHOD OF FORMING MTJ CELL OF MAGNETIC RAM
マグネチックラムのＭＴＪセル形成方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF MTJ CELL OF MAGNETIC RAM
マグネチックラムのＭＴＪセル製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND ITS TEST METHOD
磁気ランダムアクセスメモリ及びそのテスト方法 - 特許庁 - MAGNETIC-RAM CELL HAVING SPLIT SUB-DIGITLINE
分割されたサブデジットラインを有する磁気ラムセル - 特許庁 - MAGNETIC TUNNELING JUNCTION CELL HAVING FREE MAGNETIC FILM AND MAGNETIC RAM INCLUDING SAME
フリー磁性膜を具備する磁気トンネリング接合セル及びそれを含む磁気ＲＡＭ - 特許庁 - The computer's RAM was magnetic core memory and ROM was core rope memory.
このコンピュータのRAMは磁気コア記憶装置であり、ROMはコアロープ記憶装置であった。 - コンピューター用語辞典 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND METHOD FOR WRITING DATA THERETO
磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法 - 特許庁 - MAGNETIC RAM ELEMENT HAVING REFERENCE CELL AND ITS STRUCTURE
基準セルを有する磁気ラム素子及びその構造体 - 特許庁 - The magnetic RAM includes a substrate consisting of a semiconductor.
磁気ランダムアクセスメモリは、半導体からなる基板を含む。 - 特許庁 - To provide a magnetic tunneling junction cell having a free magnetic film with a low magnetic moment and a magnetic RAM including the same.
磁気モーメントの低いフリー磁性膜を具備する磁気トンネリング接合セル及びそれを含む磁気ＲＡＭを提供する。 - 特許庁 - SPIN ACCUMULATION MAGNETIC REVERSAL TYPE MEMORY ELEMENT, AND SPIN RAM
スピン蓄積磁化反転型のメモリ素子及びスピンＲＡＭ - 特許庁 - WRITING METHOD FOR MAGNETIC RAM USING BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
バイポーラ接合トランジスターを用いたマグネチックＲＡＭの動作方法 - 特許庁 - To provide a magnetic RAM having a multi-bit cell array structure.
マルチビットセルアレイ構造を持つマグネチックＲＡＭを提供する。 - 特許庁 - MAGNETIC RAM USING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT HAVING WRITE AND READ CIRCUIT
書込み及び読出し回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - To accelerate data read from an MRAM(Magnetic RAM) device formed of a magnetic substance memory cell having a magnetic tunnel junction section.
磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのデータ読出を高速化する。 - 特許庁 - MAGNETIC RAM DEVICE HAVING CONTACT PLUG BETWEEN MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE AND SUBSTRATE, AND ITS MANUFACTURING METHOD
磁気トンネル接合構造体と基板との間にコンタクトプラグを有する磁気ラム素子及びその製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC TUNNELING JUNCTION ELEMENT, MRAM, STT-RAM, METHOD FOR MAKING MRAM, METHOD FOR MAKING STT-RAM
磁気トンネル接合素子、ＭＲＡＭ、ＳＴＴ−ＲＡＭ、ＭＲＡＭの製造方法、ＳＴＴ−ＲＡＭの製造方法 - 特許庁 - Like CD-ROM and magneto-optical technology, DVD-RAM is a non-magnetic storage solution using the speed and precision of laser optics.
CD-ROMや光磁気技術と同様, DVD-RAMはレーザ光学の速度と精度を利用する非磁気的記憶手段の一つである. - コンピューター用語辞典 - The magnetic-RAM cells having split digit lines (split sub-digit lines) are provided.
分割されたデジットライン（ｓｐｌｉｔ ｓｕｂ−ｄｉｇｉｔｌｉｎｅｓ）を有する磁気ラムセルを提供する。 - 特許庁 - This magnetic RAM device is equipped with a semiconductor substrate and magnetic tunnel junction structure arranged on the semiconductor substrate.
磁気ラム素子は、半導体基板及び前記半導体基板上に配置された磁気トンネル接合構造体を具備する。 - 特許庁 - The magnetic-RAM cell has a pair of sub-digit lines provided above a semiconductor substrate.
前記磁気ラムセルは、半導体基板上部に配置された一組のサブデジットラインを具備する。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory (RAM) with a reference cell more stably magnetized.
磁化状態がより安定している参照セルを有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic RAM using a Schottky diode achieving high integration of the memory device.
メモリ素子の高集積化を可能にするショットキーダイオードを用いたマグネチックＲＡＭを提供する。 - 特許庁 - MAGNETIC RAM USING SPONTANEOUS HALL EFFECT, AND METHOD FOR RECORDING AND PLAYING BACK DATA BY USING IT
自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭ及びこれを用いたデータ記録及び再生方法 - 特許庁 - Hard mask fabrication for magnetic random access memory elements using focused ion beam assisted selective chemical vapor deposition.
集中イオンビーム補助選択的化学蒸着を利用した磁気RAM素子のためのハードマスク製造。 - コンピューター用語辞典 - To provide a method of manufacturing a magnetic tunnel junction structure which is improved to be adaptable to a high-performance magnetic RAM element, and a magnetic tunnel junction structure manufactured with the same.
高性能磁気ラム素子に適合な改善された磁気トンネル接合構造体の製造方法及びそれにより製造された磁気トンネル接合構造体を提供すること。 - 特許庁 - Then, the magnetic disk device 10 stores inspection results in a test write result table 12a of a RAM 12.
そして、磁気ディスク装置１０は、検査の結果をＲＡＭ１２の試験ライト結果テーブル１２ａに記憶する。 - 特許庁 - To provide a magnetic RAM (hereinafter MRAM) which has a plurality of resistance variation elements.
本発明は複数の抵抗変化素子を有するマグネチックＲＡＭ(maguneticRAM、以下ＭＲＡＭ)と称する）に関する。 - 特許庁 - To provide an NAND type magnetic resistance RAM which can reduce an effective area per cell by performing tandem arrangement for an element of a magnetic resistance RAM or the like in an NAND type.
本発明はＮＡＮＤ型磁気抵抗ラムに関し、磁気抵抗ラムの素子等をＮＡＮＤ型に直列配列してセル当りの有効面積を減少させることができるようにするＮＡＮＤ型磁気抵抗ラムに関する。 - 特許庁 - The miniaturization and cost reduction of the magnetic disk drive are realized by utilizing a RAM of the host device side as a part or the whole of the buffer RAM to be used for the intermittent access.
間欠的アクセスに用いるバッファＲＡＭの一部又は全部として、ホスト装置側のＲＡＭを利用することにより磁気ディスク装置の小型・低価格化を実現する。 - 特許庁 - To provide a method of forming the MTJ cell of a magnetic RAM making free magnetic layers amorphous and oxidizing this to inhibit the generation of etching residues.
本発明は、自由磁化層を非晶質化し、これを酸化させてエッチング残留物の発生を抑制するマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法に関する。 - 特許庁 - To provide a magnetism RAM with high reliability and its manufacturing method, since shift and kink of switching magnetic field due to floating magnetic field can be prevented.
浮遊磁場に起因するスイッチング磁場のシフトおよびキンクを防止できるため、高い信頼性を有する磁気ＲＡＭおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming the MTJ cell of a magnetic RAM which is capable of turning the surface structure of a pinned magnetic layer amorphous by applying a physical impact to it.
本発明は、固定磁化層表面に物理的衝突を加えて表面構造を非晶質化させるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法に関する。 - 特許庁 - Furthermore, since the difference in spontaneous Hall voltage according to the magnetization states of the memory layers is large, the magnetic RAM has a high data-sensing margin.
また、メモリ層の磁化状態による自発ホール電圧差が大きいので、高いデータセンシングマージンを有する。 - 特許庁 - This magnetic card reader 1 is connected to a computer main body 3 and a keyboard 5 and is provided with a bus, a CPU, a ROM, a RAM, an EEPROM, a magnetic head for reproduction and a magnetic recording and reproducing circuit or the like in the inside.
磁気カードリーダ１は、コンピュータ本体３とキーボード５に接続され、内部にバス、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ、再生用磁気ヘッド、磁気記録再生回路等を含有する。 - 特許庁
- Copyright (C) 1994- Nichigai Associates, Inc., All rights reserved.
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
