「MGo」を含む例文一覧(954)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 19 20 次へ＞- The material containing MgO preferably includes scrap of a refractory (MgO-C).
好ましくは、MgOを含む材料として（MgO-C）耐火物屑を用いる。 - 特許庁 - MGO DEPOSITION MATERIAL
ＭｇＯ蒸着材 - 特許庁 - MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL
ＭｇＯ蒸着材 - 特許庁 - MgO and W metal are sputtered simultaneously on a W heating substrate 901 to form an MgO+W cermet layer 902.
W加熱基材９０１上にMgO及びW金属を同時にスパッタリングしてMgO+Wサーメット層９０２を形成する。 - 特許庁 - MGO-C-BASED REFRACTORY
ＭｇＯ−Ｃ系耐火物 - 特許庁 - POLYCRYSTALLINE MgO SINTERED BODY
多結晶ＭｇＯ焼結体 - 特許庁 - MgO VAPOR-DEPOSITING MATERIAL, MgO FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
ＭｇＯ蒸着材およびＭｇＯ膜、その製造方法 - 特許庁 - POLYCRYSTALLINE MGO VAPOR DEPOSITING MATERIAL
多結晶ＭｇＯ蒸着材 - 特許庁 - The powder for improving cuttability includes powder capable of forming an SiO_2-MgO amorphous phase or an SiO_2-MgO-alkali metal oxide amorphous phase and an oxide phase including SiO_2 or magnesium oxide (MgO).
切削性改善用粉末は、SiO_２−MgO系非晶質相またはSiO_２−MgO−アルカリ金属酸化物系非晶質相、およびSiO_２または酸化マグネシウム（MgO）を含む酸化物相を形成できる粉末とする。 - 特許庁 - A preferred raw material of the support is ultrafine powder of Al_2O_3, MgO, SiO_2, or CeO_2.
好ましい担体原料はAl_2O_3、MgO、SiO_2またはCeO_2の超微粒子粉末である。 - 特許庁 - MgO FILM FORMING METHOD AND PANEL
ＭｇＯ膜形成方法およびパネル - 特許庁 - MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND ITS MANUFACTURING PROCESS, MANUFACTURING PROCESS OF MgO DEPOSITION FILM
ＭｇＯ蒸着材およびその製造方法、ＭｇＯ膜の製造方法 - 特許庁 - The insulation layer 16 is composed of MgO.
絶縁層はＭｇＯで構成される。 - 特許庁 - MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL, MgO FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
ＭｇＯ蒸着材の製造方法、ＭｇＯ膜及びＭｇＯ膜の製造方法 - 特許庁 - The substrate layer is a MgO-SiO2 film formed by a ECR sputtering method and has honey-comb structure in which crystalline particles 12 of a regular hexagon of MgO are partitioned by crystalline grain boundary parts 14 of uniform width.
下地層はECRスパッタ法により形成したMgO-SiO_2膜で、MgOである正六角形の結晶粒子12が、均等な幅の結晶粒界部14で隔てられたハニカム構造を有する。 - 特許庁 - An MgO (111) single crystal thin film is deposited on a YSZ (111) single crystal substrate with an NiO (111) epitaxial thin film as a buffer layer, and single-layer graphene is deposited on this MgO (111) single crystal thin film.
MgO(111)単結晶薄膜を、NiO(111)エピタキシャル薄膜をバッファー層としてYSZ(111)単結晶基板上に成膜して、このMgO(111)単結晶薄膜の上に単層グラフェンを成膜する。 - 特許庁 - In this furmula, WSLAG shows the slag quantity (kg/t) in the converter at the completion of blowing and (MgO) shows the MgO concentration (mass%) in the slag in the converter at the completion of blowing.
3.0≦0.0045（W_SLAG−200）[ (MgO)−21]≦8.0 …（１） ［式中、W_SLAGは吹錬終了時の転炉内スラグ量（ｋｇ／ｔ）を示し、（MgO）は吹錬終了時の転炉内スラグ中のＭｇＯ濃度（質量％）を示す］ - 特許庁 - Examples of the powder for improving cuttability includes enstatite powder, talcum powder, kaolin powder, mica powder, water-granulated slag powder, magnesium oxide (MgO) powder, and mixed powder of SiO_2 and MgO.
このような粉末としては、エンスタタイト粉末、タルク粉末、カオリン粉末、マイカ粉末、水砕スラグ粉末、酸化マグネシウム（MgO）粉末、SiO_２とMgOとの混合粉末等が例示できる。 - 特許庁 - The protective layer 8 is formed of a MgO film layer 81 and a MgO crystal particle layer 82 made of a group of MgO crystal particles 16.
保護層８をＭｇＯ膜層８１と、ＭｇＯ結晶粒子群１６からなるＭｇＯ結晶粒子層８２で構成する。 - 特許庁 - APPARATUS FOR CONTROLLING AUTOMATIC INTRODUCTION OF MgO SOURCE
ＭｇＯソースの自動投入調整装置 - 特許庁 - POLYCRYSTAL MgO SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND MgO TARGET FOR SPUTTERING
多結晶ＭｇＯ焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリング用ＭｇＯターゲット - 特許庁 - Secondary electron emission coefficient of the upper layer MgO 15a is made smaller than that of the lower layer MgO 15b.
上層MgO15aは下層のMgO15bに比べて2次電子放出係数が小さいものとする。 - 特許庁 - Also provided are an MgO single crystal vapor deposition material and an MgO single crystal substrate for forming a thin film which are obtained from the MgO single crystal.
また、このＭｇＯ単結晶から得られるＭｇＯ単結晶蒸着材及び薄膜形成用ＭｇＯ単結晶基板である。 - 特許庁 - HEAT TREATMENT METHOD FOR MgO SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ＭｇＯ単結晶基板の熱処理方法 - 特許庁 - METHOD FOR UTILIZING MgO-C BASED WASTE REFRACTORY
ＭｇＯ−Ｃ系廃耐火物の利用方法 - 特許庁 - MgO VAPOR-DEPOSITED MATERIAL AND ITS PRODUCTION
ＭｇＯ蒸着材及びその製造方法 - 特許庁 - 5% ≤ CaO/(CaO +Al_2O_3 + MgO) × 100 ≤ 60%, 40% ≤ Al_2O_3/(CaO + Al_2O_3 + MgO) × 100 ≤ 90%, 0% ≤ MgO/(CaO + Al_2O_3 + MgO) × 100 ≤ 40%.
５％≦ＣａＯ／（ＣａＯ＋Ａｌ_２Ｏ_３＋ＭｇＯ）×１００≦６０％４０％≦Ａｌ_２Ｏ_３／（ＣａＯ＋Ａｌ_２Ｏ_３＋ＭｇＯ）×１００≦９０％０％≦ＭｇＯ／（ＣａＯ＋Ａｌ_２Ｏ_３＋ＭｇＯ）×１００≦４０％ - 特許庁 - METHOD FOR UTILIZING WASTE MGO-C BRICK
使用済みＭｇＯ−Ｃ煉瓦の利用方法 - 特許庁 - In the next step, the single crystal MgO power layer is baked to form a crystalline MgO layer.
次工程で単結晶ＭｇＯ粉体層を焼成し、結晶ＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁 - At least one kind selected from Al2O3, CaO, MgO, SiO2, ZrO2, ZrO2, SiO2, B2O3, FeO, FeO2, and Fe2O3 in suitable as oxide.
酸化物はAl_2O_3、CaO、MgO、SiO_2、ZrO_2、ZrO_2・SiO_2、B_2O_3、FeO、FeO_2およびFe_2O_3から選択された少なくとも１種が好適である。 - 特許庁 - The average composition is desirable to be CaO/Al_2O_3=0.5-2.0 and MgO=5-30% and SiO_2 content is desirable to make to be <10%.
平均組成がCaO/Al_2O_3=0.5〜2.0であり、MgO＝5〜30％、SiO_2含有量を10％未満とすることが好ましい。 - 特許庁 - Furthermore, the melting points of the MgO and W metal are as high as 3100 K and 3700 K, respectively, and the infrared light source is not damaged even if it is heated to 3000 K.
しかも、MgO、W金属の融点は3100K、3700Kと高く、3000Kに加熱されても破損しない。 - 特許庁 - 17.4(Al_2O_3) + 3.9(MgO) + 0.3(MgAl_2O_4) + 18.7(CaO) ≤ 500 ...(2) (Al_2O_3) + (MgO) + (MgAl_2O_4) + (CaO) ≥ 95...(3).
１７．４（Ａｌ_２Ｏ_３）＋３．９（ＭｇＯ）＋０．３（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）＋１８．７（ＣａＯ）≦５００ …（２）（Ａｌ_２Ｏ_３）＋（ＭｇＯ）＋（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）＋（ＣａＯ）≧９５ …（３） - 特許庁 - MgO VAPOR-DEPOSITED MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
ＭｇＯ蒸着材及びその製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF MgO FOR ANNEALING SEPARATING AGENT
焼鈍分離剤用のＭｇＯの製造方法 - 特許庁 - MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
ＭｇＯ蒸着材およびその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SINTERED ORE INCLUDING MgO LUMP
ＭｇＯ塊を含む焼結鉱の製造方法 - 特許庁 - To uniformly deposit a MgO film on a substrate.
基板上にＭｇＯ膜を均一に形成する。 - 特許庁 - MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
ＭｇＯ蒸着材およびその製造方法 - 特許庁 - An MgO deposition material for forming a protection film for a PDP is composed of an MgO pellet having an MgO purity of ≥ 98% and a relative density of ≥ 90%.
ＰＤＰ保護膜２２の成膜用ＭｇＯ蒸着材はＭｇＯ純度９８％以上かつ相対密度９０％以上のＭｇＯのペレットからなる。 - 特許庁 - An MgO deposition material for forming a protection film 22 for a PDP is composed of an MgO pellet having an MgO purity of ≥ 98% and a relative density of ≥ 90%.
ＰＤＰ保護膜２２の成膜用ＭｇＯ蒸着材はＭｇＯ純度９８％以上かつ相対密度９０％以上のＭｇＯのペレットからなる。 - 特許庁 - A magnetic fixed layer 26 and a free magnetic layer 28 are arranged with a tunnel barrier layer 27 interposed, and the tunnel barrier layer 27 is formed as the laminate film of an MgO layer and a ZnO layer with the MgO layer as a base layer, and the MgO layer and the ZnO layer are formed so as to be crystal-orientated in a rock salt type (001) direction.
トンネルバリア層２７を挟む配置に磁化固定層２６と自由磁化層２８とが配置され、前記トンネルバリア層２７が、MgO層を下地層として、MgO層とZnO層の積層膜として形成され、前記MgO層および前記ZnO層は、岩塩型(001)方向に結晶配向して形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - (II) The ratio [(Al_2O_3 or MgO)/(SiO_2)] by weight of Al_2O_3 or MgO to SiO_2 is 0.1-15.
（II）Ａｌ_２Ｏ_３またはＭｇＯと、ＳｉＯ_２の重量比〔（Ａｌ_２Ｏ_３またはＭｇＯ）／ＳｉＯ_２〕が０．１〜１５。 - 特許庁 - 90°wedges of MgO and GaAs have frequently been used to assist the quantitative interpretation of lattice images.
MgOとGaAsの90°のくさびは、しばしば格子像の定量的な解釈を(補助的に)助けるために使われてきた。 - 科学技術論文動詞集 - The acid-resistant hydraulic hardened body is composed of a hydrate product having molar ratio (CaO+MgO)/(SiO_2+Al_2O_3) of 0.05 to 0.42.
耐酸性の水硬性硬化体が、（CaO+MgO）/（SiO_2+Al_2O_3）モル比が０．０５以上０．４２以下の水和生成物から成る。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING MgO THIN FILM OF PLANE ORIENTATION (111)
面方位（１１１）のＭｇＯ薄膜の作製方法 - 特許庁 - Further, the MgO-Ti mixture is added so that the MgO content in the MgO-Ti mixture changes from 0.01 mass% to 1 mass% of the molten steel quantity.
また、ＭｇＯ−Ｔｉ混合物中のＭｇＯ量が溶鋼量の０．０１質量％から１質量％になるように、ＭｇＯ−Ｔｉ混合物を添加すれば良い。 - 特許庁 - Thus, the glass frit 342B can be interposed between neighboring single crystal MgO 342A or between single crystal MgO 342A and a thin film MgO layer 341, and bonding force of the single crystal MgO 342A and the thin film MgO layer 341 can be strengthened.
このため、ガラスフリット３４２Ｂを、隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａの間、あるいは、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１の間に介在させることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１の結合力を強めることができる。 - 特許庁 - In the forming process of a crystal MgO layer 342, a coating liquid obtained by dispersing MgO powder 342A in a solvent is applied on the a thin film MgO layer 341.
結晶ＭｇＯ層３４２の形成工程において、スプレー法にて、ＭｇＯ粉体３４２Ａを溶剤に分散させた塗工液を薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗布する。 - 特許庁 - The mixing ratio between MgO and Al in the MgO Al mixture is preferably controlled to ≥0.67 by (the molar number of Al)/(the molar number of MgO), and the content of MgO in the MgO Al mixture shall be controlled to ≥30 mass%, and the content of Al to ≥20 mass%.
ＭｇＯ−Ａｌ混合物におけるＭｇＯとＡｌの混合比は、（Ａｌのモル量）／（ＭｇＯのモル量）で０．６７以上が良く、ＭｇＯ−Ａｌ混合物中のＭｇＯ含有率は３０質量％以上、Ａｌ含有率は２０質量％以上にする必要がある。 - 特許庁
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